JP2007158183A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】セラミックやガラスの粉塵がセラミックパッケージ内に侵入しないようにして固体撮像装置を製造する。
【解決手段】セラミックシート積層体３０の焼成後、各セラミックパッケージ４に固体撮像素子３を接合する。次いで、各セラミックパッケージ４内に固体撮像素子３を密封するようにして、セラミックシート積層体３０に大判ガラス板３３を接着する。大判ガラス板３３をスナップライン３１，３２に沿って切断し、大判ガラス板３３を各セラミックパッケージ４に対応するガラス板５に分割する。セラミックシート積層体３０をスナップライン３１，３２に沿って割り折ることにより、複数個の固体撮像装置に分割する。
【選択図】図３

Description

本発明は、セラミックパッケージを用いた固体撮像装置の製造方法に関する。
ＣＣＤイメージセンサなどの固体撮像装置は、固体撮像素子の受光面を透明封止板で覆ったパッケージの形態で提供される。パッケージとしては、セラミックを材料としたセラミックパッケージ（例えば、特許文献１参照）や、プラスチックを材料としたプラスチックパッケージ（例えば、特許文献２参照）などが知られているが、セラミックパッケージは、耐熱性、耐久性、気密性等に優れることから、最近では盛んに用いられるようになっている。
従来においては、セラミックパッケージを用いた固体撮像装置は、以下の手順で製造されるのが一般的であった。まず、図４（Ａ）に示すように、焼成前の柔らかいセラミックシート積層体（グリーンシート積層体）１００にスナップライン１０１，１０２を形成した後、セラミックシート積層体１００を焼成する。次いで、図４（Ｂ）に示すように、焼成後のセラミックシート積層体１００をスナップライン１０１，１０２に沿ってブレークし、複数個のセラミックパッケージ１０３とする。図４（Ｃ）に示すように、セラミックパッケージ１０３の内部に固体撮像素子１０４をダイボンドし、固体撮像素子１０４の接着パッド１０５とセラミックパッケージ１０３の導電部１０６とを金属線１０７により接続する。この後、図４（Ｄ）に示すように、セラミックパッケージ１０３に合わせたサイズに形成されたガラス板１０８を接着して固体撮像素子１０４を封止する。以上により固体撮像装置が完成する。
特開昭６２−８９３４５号公報 特開２００５−７９５３６号公報
従来の固体撮像装置の製造方法においては、焼成後のセラミックシート積層体をスナップラインに沿ってブレークする際にセラミックの粉塵が生じ、このセラミックの粉塵がセラミックパッケージの内部に侵入してしまうことがあった。侵入したセラミックの粉塵を除去するために、ブレーク後にセラミックパッケージを洗浄することが行われているが、粉塵を完全に除去することは困難である。また、ガラス板には、切断の際に生じたガラスの粉塵や、ガラス板をトレイから取り出す際にトレイに擦れて生じたガラスの粉塵が付着することがあり、ガラス板をセラミックパッケージに接着する工程で、ガラス板に付着していたガラスの粉塵がセラミックパッケージの内部に侵入してしまうことがあった。
セラミックパッケージの内部に侵入したセラミックの粉塵やガラスの粉塵は、固体撮像素子の受光面に付着することがあり、この場合には撮影画像の画質が劣化してしまう。このような問題は、焼成後のセラミックシート積層体のブレークが必要とされるセラミックパッケージ特有の問題である。
本発明は、製造過程においてダストがパッケージ内に侵入することがないようにした固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の固体撮像装置の製造方法は、複数個のセラミックパッケージに分割するためのスナップラインが形成されるとともに導電配線が施されたセラミックシート積層体を焼成する工程と、焼成後の前記セラミックシート積層体の各セラミックパッケージ内に固体撮像素子を接合し、これらの固体撮像素子の接続端子と前記導電配線とを金属線により接続する工程と、各セラミックパッケージ内に前記固体撮像素子を密封するようにして、前記セラミックシート積層体の全面に透明封止板を装着する工程と、装着した前記透明封止板を前記スナップラインに沿って切断することにより、前記透明封止板を各セラミックパッケージに対応させて分割する工程と、前記透明封止板の分割後、前記セラミックシート積層体を前記スナップラインに沿って割り折ることにより、複数個の固体撮像装置に分割する工程とを有することを特徴とする。
前記セラミックパッケージは、前記固体撮像素子が接合される底部と、この底部の上面に配置され、接合される前記固体撮像素子を囲む側壁部とから構成され、この側壁部の上面に前記透明封止板が装着されることが好ましい。
本発明の固体撮像装置の製造方法によれば、製造過程においてセラミックの粉塵やガラスの粉塵などのダストがセラミックパッケージ内に侵入することがないことから、ダストが固体撮像素子の受光面に付着することがないため、撮影画像の劣化を防止することができる。
本発明の固体撮像装置の製造方法によって製造される固体撮像装置を説明する。図１及び図２に示すように、固体撮像装置２は、固体撮像素子３、セラミックパッケージ４、及びガラス板５を有している。なお、図１は図２のＡ−Ａ線に沿って切断したときの断面図である。
セラミックパッケージ４は、ＬＣＣ（リードレスチップキャリア）タイプのパッケージである。セラミックパッケージ４は、底部の第１層１１から上部の第４層１４までの４層の層構造とされ、すべての層がセラミックでできている。第１層１１及び第２層１２がセラミックパッケージ４の底部を形成し、第３層１３及び第４層１４はロ字状に形成されセラミックパッケージ４の側壁部を形成している。側壁の内側に画定される空間は固体撮像素子３を収容するためのものである。
セラミックパッケージ４には導電部１５が形成されており、この導電部１５は、第１層１１の下面、第１層１１の上面及び第３層１３の上面にそれぞれタングステンを印刷して形成したパタン印刷部と、第１層１１、第２層１２及び第３層１３にそれぞれ形成したスルーホールにタングステンを充填した充填部とから構成されている。パタン印刷部及び充填部に用いる材料としてはタングステンに限られず、他の導電性金属でもよい。
第２層１２の上面には固体撮像素子３が接着されており、この固体撮像素子３は受光面３ａを上方に向けるようにされている。固体撮像素子３の厚みは、第３層１３と第４層１４とを足し合わせた厚みよりも小さくされている。固体撮像素子３の上面には接続パッド１６が設けられており、この接続パッド１６は金属線１７を介してセラミックパッケージ４の導電部１５に接続されている。第４層１４の上面にはガラス板５が接着されている。
以下、固体撮像装置２の製造方法を図３を用いて説明する。図３（Ａ）に示すように、セラミックパッケージ４の第１層１１となる第１のセラミックシート、第２層１２となる第２のセラミックシート、第３層１３となる第３のセラミックシート、及び第４層１４となる第４のセラミックシートを重ね合わせ、セラミックシート積層体３０とする。第３及び第４のセラミックシートは開口を有するように加工する。また、各セラミックシートには、導電部１５を形成する。
セラミックシート積層体３０には、焼成後に複数個のセラミックパッケージ４に分割するためのスナップライン３１，３２を形成する。スナップライン３１はセラミックシート積層体３０の上面に形成し、スナップライン３２はセラミックシート積層体３０の下面に形成する。スナップライン３１は第３層１３の途中までを切り込むように、またスナップライン３２は第２層１２の途中までを切り込むように形成する。スナップラインは一方の面にのみ形成してもよく、また、スナップラインの深さは任意でよい。スナップライン３１，３２の形成後、セラミックシート積層体３０を焼成する。
セラミックシート積層体３０の焼成後、図３（Ｂ）に示すように、各セラミックパッケージ４の第２層１２の上面に固体撮像素子３を接着する。固体撮像素子３の接着後、固体撮像素子３の接続パッド１６とセラミックパッケージ４の導電部１５とに金属線１７をボンディングして接続する。
固体撮像素子３の接合後、セラミックシート積層体３０に、セラミックシート積層体３０の全面を覆うサイズの大判ガラス板３３（透明封止板）を接着する。大判ガラス板３３の接着に当たっては、各セラミックパッケージ４内に固体撮像素子３を密封するようにして、第４層１４の上面と大判ガラス板３３の下面とを接着するようにする。
大判ガラス板３３の装着後、図３（Ｃ）に示すように、大判ガラス板３３をスナップライン３１，３２に沿って切断し、大判ガラス板３３を各セラミックパッケージ４に対応するガラス板５に分割する。大判ガラス板３３をスナップライン３１，３２に沿って切断する作業は、ダイシング装置を用いてもよいし、レーザーを利用した装置を用いてもよい。
大判ガラス板３３の分割後、図３（Ｄ）に示すセラミックシート積層体３０をスナップライン３１，３２に沿って割り折る（ブレークする）ことにより、複数個の固体撮像装置２（図１参照）に分割する。上記の工程を経て固体撮像装置２が製造される。
このように、本発明の固体撮像装置の製造方法によれば、各セラミックパッケージ４内に固体撮像素子３を密封してから、ガラス板５の加工作業、及びセラミックシート積層体３０の割り折り作業が行われるため、ガラスの粉塵及びセラミックの粉塵などのダストがセラミックパッケージ４内に侵入することがない。これにより、ダストが固体撮像素子３の受光面３ａに付着することがないため、撮影画像を良好に保つことができる。
なお、上記実施形態では、セラミックパッケージが４層で構成されていたが、これに限定されず任意の層数でよい。上記実施形態では、ＬＣＣタイプのセラミックパッケージで本発明を説明したが、他のタイプのセラミックパッケージに本発明を適用してもよい。
固体撮像装置の断面図である。 固体撮像装置の平面図である。 固体撮像装置の製造工程を説明する説明図である。 従来における固体撮像装置の製造工程を説明する説明図である。
符号の説明
２ 固体撮像装置
３ 固体撮像素子
４ セラミックパッケージ
５ ガラス板
３０ セラミックシート積層体
３１，３２ スナップライン
３３ 大判ガラス板

Claims (2)

  1. 複数個のセラミックパッケージに分割するためのスナップラインが形成されるとともに導電配線が施されたセラミックシート積層体を焼成する工程と、
    焼成後の前記セラミックシート積層体の各セラミックパッケージ内に固体撮像素子を接合し、これらの固体撮像素子の接続端子と前記導電配線とを金属線により接続する工程と、
    各セラミックパッケージ内に前記固体撮像素子を密封するようにして、前記セラミックシート積層体の全面に透明封止板を装着する工程と、
    装着した前記透明封止板を前記スナップラインに沿って切断することにより、前記透明封止板を各セラミックパッケージに対応させて分割する工程と、
    前記透明封止板の分割後、前記セラミックシート積層体を前記スナップラインに沿って割り折ることにより、複数個の固体撮像装置に分割する工程とを有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  2. 前記セラミックパッケージは、前記固体撮像素子が接合される底部と、この底部の上面に配置され、接合される前記固体撮像素子を囲む側壁部とから構成され、この側壁部の上面に前記透明封止板が装着されることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017152546A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 株式会社ニコン 撮像装置及び半導体装置
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