JP2007157696A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. プラズマリアクタ内でワークピースを処理する方法であって、
   ３つの各周波数の少なくとも３つのＲＦ電源からのＲＦ電力を前記リアクタ内のプラズマに結合し、
   前記少なくとも３つのＲＦ電源の第１対の電力レベル間の比を選択することによりイオンエネルギー分布形状を設定し、
   前記少なくとも３つのＲＦ電源の第２対の電力レベル間の比を選択することによりイオン解離及びイオン密度を設定することを含む方法。
2. 前記少なくとも３つの各周波数が低周波周波数、高周波周波数及び超高周波周波数を含み、前記第１対が前記低周波及び高周波周波数に相当し、前記第２対が前記高周波及び超高周波周波数に相当する請求項１記載の方法。
3. 前記電源が４つのＲＦ電源を含み、前記第１対が高周波周波数及び低周波周波数に相当し、前記第２対が超高周波周波数及び他の周波数に相当する請求項１記載の方法。
4. 前記第２対が上部超高周波周波数及び低部超高周波周波数に相当する請求項３記載の方法。
5. ＲＦ電力を結合する工程が前記他の周波数を誘導源電力アプリケータを通じて結合することを含む請求項３記載の方法。
6. ＲＦ電力を結合する工程が前記他の周波数をトロイダルプラズマ源電力アプリケータを通じて結合することを含む請求項３記載の方法。
7. ＲＦ電力を結合する工程が前記少なくとも３つの周波数を前記リアクタのウエハ支持ぺデスタルを通じて結合することを含む請求項１記載の方法。
8. ＲＦ電力を結合する工程が前記低周波及び高周波周波数の電力をウエハ支持ペデスタルを通じて結合し、前記超高周波周波数の電力をリアクタのシーリングを通じて結合することを含む請求項２記載の方法。
9. 前記超高周波周波数の電力を結合する工程が前記超高周波周波数の電力をシーリング電極に印加することを含む請求項８の方法。
10. 前記第１対がイオン遷移周波数未満である第１周波数及び前記イオン遷移周波数超過である第２周波数を含む請求項１記載の方法。
11. 前記イオンエネルギー分布を設定する工程がイオンエネルギー分布の１対のピーク間のエネルギー差を調節することを含む請求項１０記載の方法。
12. 前記イオンエネルギー分布を設定する工程がイオンエネルギー分布の１対のピークのうちの他方に相対する一方の近くのイオン個数を調節することを含む請求項１０記載の方法。
13. 前記イオンエネルギー分布を設定する工程がイオンエネルギー分布の１対のピークのうちの１つのエネルギーを調節することを含む請求項１０記載の方法。
14. プラズマリアクタ内でワークピースを処理する方法であって、
    少なくとも３つの各周波数の３つのＲＦ電源からのＲＦ電力及び磁界を前記リアクタ内のプラズマに結合し、
    前記少なくとも３つのＲＦ電源の第１対の電力レベル間の比を選択することによりイオンエネルギー分布形状を設定し、
    前記３つのＲＦ電源の残りの１つの電力レベルと前記磁界の強度間の比を選択することによりイオン解離及びイオン密度を設定することを含む方法。
15. 前記少なくとも３つの各周波数が低周波周波数、高周波周波数及び超高周波周波数を含み、前記第１対が前記低周波及び高周波周波数に相当し、前記残りのＲＦ電源が超高周波周波数に相当する請求項１４記載の方法。
16. 前記磁界が低周波磁界である請求項１４記載の方法。
17. ＲＦ電力を結合する工程が前記残りのＲＦ電源を誘導的に結合された源電力アプリケータに結合することを含む請求項１４記載の方法。
18. ＲＦ電力を結合する工程が前記残りのＲＦ電源をトロイダルプラズマ源電力アプリケータに結合することを含む請求項１４記載の方法。
19. ＲＦ電力を結合する工程が前記３つの周波数を前記リアクタのウエハ支持ペデスタルを通じて結合することを含む請求項１４記載の方法。
20. ＲＦ電力を結合する工程が低周波及び高周波周波数をウエハ支持ペデスタルを通じで結合し、超高周波周波数をリアクタのシーリングを通じて結合することを含む請求項１４記載の方法。