JP2007156494A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】過剰エッチング現象（スキュー）の発生により、所望の電流を流すために必要なチャンネルの長さが得られないという問題を防止し、かつこのようなスキュー対策のために開口率が減少することも抑制できる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、基板、基板上に形成されている制御電極、基板上に形成されており、制御電極を中心にして互いに分離されている入力電極及び出力電極、入力電極及び出力電極と接触する半導体、そして制御電極と前記半導体との間に形成される絶縁膜を含み、互いに対向する入力電極の辺と出力電極の辺のうちの少なくともいずれか１つの辺には、複数の突出端部がエッチングされて形成される。
【選択図】図３
【解決手段】表示装置は、基板、基板上に形成されている制御電極、基板上に形成されており、制御電極を中心にして互いに分離されている入力電極及び出力電極、入力電極及び出力電極と接触する半導体、そして制御電極と前記半導体との間に形成される絶縁膜を含み、互いに対向する入力電極の辺と出力電極の辺のうちの少なくともいずれか１つの辺には、複数の突出端部がエッチングされて形成される。
【選択図】図３
Description
本発明は、有機発光表示装置に関するものである。
最近、モニター又はテレビなどの軽量化及び薄形化が要求されており、このような要求に伴って,陰極線管（cathode ray tube、CRT）に代えて液晶表示装置（liquid crystal display、LCD）が多く用いられるようになってきている。
しかし、液晶表示装置は非発光素子であることからバックライト（back light）を別途設ける必要があるのみでなく、応答速度及び視野角などで多くの問題点がある。
しかし、液晶表示装置は非発光素子であることからバックライト（back light）を別途設ける必要があるのみでなく、応答速度及び視野角などで多くの問題点がある。
最近、このような問題点を克服できる表示装置として、有機発光表示装置（organic light emitting diode display, OLED display）が注目されている。
有機発光表示装置は、２つの電極とその間に位置する発光層とを含み、１つの電極から注入された電子（electron）と他の電極から注入された正孔（hole）が発光層で結合して励起子（exiton）を形成し、この励起子がエネルギーを放出しながら発光する。
有機発光表示装置は、２つの電極とその間に位置する発光層とを含み、１つの電極から注入された電子（electron）と他の電極から注入された正孔（hole）が発光層で結合して励起子（exiton）を形成し、この励起子がエネルギーを放出しながら発光する。
有機発光表示装置は自己発光型であることから、別途の光源を必要とせず、消費電力側面から有利なのみでなく、応答速度、視野角及びコントラスト比も優れている。
このような有機発光表示装置に流れる電流の大きさは、駆動トランジスタのチャンネルの幅と長さの比によって影響を受けるので、正確にチャンネルを形成しなければならない。
このような有機発光表示装置に流れる電流の大きさは、駆動トランジスタのチャンネルの幅と長さの比によって影響を受けるので、正確にチャンネルを形成しなければならない。
しかし、湿式エッチングで金属配線を形成する場合、スキュー（skew）、つまり、過剰エッチング現象が発生し、所望のチャンネルの長さより長いチャンネルが形成されるため、所望の電流を流すことができなくなる。これを防止するために、スキューのために長くなったチャンネルの長さの分のみチャンネルの幅を広くなるようにすることもできるが、この場合は開口率が減少してしまう。
特開2001-209070号公報
本発明の技術的課題は、スキューを勘案して製造された有機発光表示装置を提供することにある。
本発明の１つの実施形態による表示装置は、基板、前記基板上に形成されている制御電極、前記基板上に形成されており、前記制御電極を中心にして互いに分離されている入力電極及び出力電極、前記入力電極及び前記出力電極と接触する半導体、そして前記制御電極と前記半導体との間に形成される絶縁膜を含み、互いに対向する前記入力電極の辺と前記出力電極の辺のうちの少なくともいずれか１つの辺には、複数の突出端部がエッチングされて形成されていることが好ましい。
また、前記突出端部は三角形端部であるか、前記突出端部は台形端部であるか、又は前記突出端部は半円形端部であることが好ましい。
また、前記入力電極の突出端部と前記出力電極の突出端部は互いに交差して位置していることが好ましい。
また、前記入力電極及び前記出力電極の三角形端部は垂直辺及び斜辺を有する直角三角形端部であり、前記入力電極の直角三角形端部の垂直辺と前記出力電極の直角三角形端部の斜辺とは互いに対向しているか、又は前記入力電極の直角三角形端部の斜辺と前記出力電極の直角三角形端部の斜辺とは互いに対向しているように構成できる。
また、前記入力電極の突出端部と前記出力電極の突出端部は互いに交差して位置していることが好ましい。
また、前記入力電極及び前記出力電極の三角形端部は垂直辺及び斜辺を有する直角三角形端部であり、前記入力電極の直角三角形端部の垂直辺と前記出力電極の直角三角形端部の斜辺とは互いに対向しているか、又は前記入力電極の直角三角形端部の斜辺と前記出力電極の直角三角形端部の斜辺とは互いに対向しているように構成できる。
また、前記入力電極及び前記出力電極の突出端部の大きさは、互いに同一であるか又は互いに異なるように構成できる。
また、前記入力電極の隣接する突出端部は互いに接触しており、前記出力電極の隣接する突出端部は互いに接触しているように構成できる。
また、前記入力電極の隣接する突出端部は互いに所定の間隔をおいて位置しており、前記出力電極の隣接する突出端部は互いに所定の間隔をおいて位置するように構成できる。
また、前記入力電極の隣接する突出端部は互いに接触しており、前記出力電極の隣接する突出端部は互いに接触しているように構成できる。
また、前記入力電極の隣接する突出端部は互いに所定の間隔をおいて位置しており、前記出力電極の隣接する突出端部は互いに所定の間隔をおいて位置するように構成できる。
また、前記入力電極の台形端部と前記出力電極の台形端部とは互いに対称に位置するように形成することが好ましい。
また、前記出力電極に接続されている画素電極、前記画素電極と対向する共通電極、そして前記画素電極と前記共通電極との間に形成される有機発光部材をさらに含むことが好ましい。
また、前記出力電極に接続されている画素電極、前記画素電極と対向する共通電極、そして前記画素電極と前記共通電極との間に形成される有機発光部材をさらに含むことが好ましい。
また、本発明の１つの実施形態による表示装置は、基板、前記基板上に互いに交差して形成される第１及び第２信号線、前記基板上に形成され、第１電圧を伝達する駆動電圧線、前記第１信号線及び前記第２信号線に接続されている第１薄膜トランジスタ、そして前記第１薄膜トランジスタ及び前記駆動電圧線に接続されている第２薄膜トランジスタを含み、前記第２薄膜トランジスタは、前記基板上に形成されている制御電極、前記基板上に形成されており、前記制御電極を中心にして互いに分離されている入力電極及び出力電極、前記入力電極及び前記出力電極と接触する半導体、そして前記制御電極と前記半導体との間に形成される絶縁膜を含み、互いに対向する前記入力電極の辺と前記出力電極の辺のうちの少なくともいずれか１つの辺には、複数の突出端部がエッチングされて形成されていることが好ましい。
また、前記第１及び第２薄膜トランジスタ上に形成される保護膜、前記保護膜上に形成され、前記第２薄膜トランジスタに接続されている第１電極、第２電圧の印加を受け、前記第１電極と対向する第２電極、そして前記第１電極と前記第２電極との間に形成される発光部材をさらに含むことが好ましい。
また、本発明の１つの実施形態による表示装置の製造方法は、基板上に制御電極を形成する段階、前記基板及び制御電極上に絶縁膜を形成する段階、前記絶縁膜上の前記制御電極に対応する位置に半導体を形成する段階、そして写真エッチング工程を利用して前記半導体上に、前記制御電極を中心にして分離される入力電極及び出力電極を形成する段階を含み、互いに対向する前記入力電極の辺と前記出力電極の辺のうちの少なくともいずれか１つの辺には、複数の突出端部がエッチングされて形成されることが好ましい。
また、本発明の１つの実施形態による表示装置の製造方法は、基板上に制御電極を形成する段階、前記基板及び制御電極上に絶縁膜を形成する段階、前記絶縁膜上の前記制御電極に対応する位置に半導体を形成する段階、そして写真エッチング工程を利用して前記半導体上に、前記制御電極を中心にして分離される入力電極及び出力電極を形成する段階を含み、互いに対向する前記入力電極の辺と前記出力電極の辺のうちの少なくともいずれか１つの辺には、複数の突出端部がエッチングされて形成されることが好ましい。
また、前記突出端部は、エンボシング形状に形成されることが好ましい。
また、前記入力電極の突出端部と前記出力電極の突出端部は交差するように形成されることが好ましい。
また、前記入力電極の突出端部と前記出力電極の突出端部は交差するように形成されることが好ましい。
本発明による有機発光表示装置は、多様な形状のチャンネルを形成することにより、チャンネルの長さがスキュー現象によって長くなることを防止することができ、チャンネルの幅が大きくなる効果も有する。
以下、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように、本発明の実施形態について添付した図面を参照して詳細に説明する。しかし、本発明は多様な相違した形態で実現でき、ここで説明する実施形態に限定されない。
図面においては、いろいろな層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体を通じて類似する部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上にある”とすれば、これは他の部分の直上にある場合のみでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の“直上にある”とすれば、中間に他の部分がないことを意味する。
図面においては、いろいろな層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体を通じて類似する部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上にある”とすれば、これは他の部分の直上にある場合のみでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の“直上にある”とすれば、中間に他の部分がないことを意味する。
まず、本発明の１つの実施形態による有機発光表示装置について、図１を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の１つの実施形態による有機発光表示装置の等価回路図である。
図１に示すように、本実施形態による有機発光表示装置は、複数の信号線１２１、１７１、１７２と、これらに接続されており、ほぼ行列（matrix）の形態に配列された複数の画素（ＰＸ）とを含む。
図１は、本発明の１つの実施形態による有機発光表示装置の等価回路図である。
図１に示すように、本実施形態による有機発光表示装置は、複数の信号線１２１、１７１、１７２と、これらに接続されており、ほぼ行列（matrix）の形態に配列された複数の画素（ＰＸ）とを含む。
信号線は、ゲート信号（又は走査信号）を伝達する複数のゲート線１２１、データ信号を伝達する複数のデータ線１７１、及び駆動電圧を伝達する複数の駆動電圧線１７２を含む。ゲート線１２１はほぼ行方向に延びており、互いにほぼ平行であり、データ線１７１と駆動電圧線１７２はほぼ列方向に延びており、互いにほぼ平行である。
各画素（ＰＸ）は、スイッチングトランジスタ（switching transistor）（Ｑｓ）、駆動トランジスタ（driving transistor）（Ｑｄ）、ストレージキャパシタ（storage capacitor）（Ｃｓｔ）、及び有機発光ダイオード（organic light emitting diode, OLED）（ＬＤ）を含む。
各画素（ＰＸ）は、スイッチングトランジスタ（switching transistor）（Ｑｓ）、駆動トランジスタ（driving transistor）（Ｑｄ）、ストレージキャパシタ（storage capacitor）（Ｃｓｔ）、及び有機発光ダイオード（organic light emitting diode, OLED）（ＬＤ）を含む。
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）は、制御端子（control terminal）、入力端子（input terminal）及び出力端子（output terminal）を有するが、制御端子はゲート線１２１に接続されており、入力端子はデータ線１７１に接続されており、出力端子は駆動トランジスタ（Ｑｄ）に接続されている。スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）は、ゲート線１２１に印加される走査信号に応答して、データ線１７１に印加されるデータ信号を駆動トランジスタ（Ｑｄ）に伝達する。
駆動トランジスタ（Ｑｄ）もまた、制御端子、入力端子及び出力端子を有するが、制御端子はスイッチングトランジスタ（Ｑｓ）に接続されており、入力端子は駆動電圧線１７２に接続されており、出力端子は有機発光ダイオード（ＬＤ）に接続されている。駆動トランジスタ（Ｑｄ）は、制御端子と出力端子との間にかかる電圧によってその大きさが変わる出力電流（ＩＬＤ）を流す。
キャパシタ（Ｃｓｔ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子と入力端子との間に接続されている。このキャパシタ（Ｃｓｔ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に印加されるデータ信号を充電し、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）がターンオフされた後にもこれを維持する。
有機発光ダイオード（ＬＤ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力端子に接続されているアノードと共通電圧（Ｖｓｓ）に接続されているカソードとを有する。有機発光ダイオード（ＬＤ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力電流（ＩＬＤ）に基づく異なる強さで発光することによって映像を表示する。
有機発光ダイオード（ＬＤ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力端子に接続されているアノードと共通電圧（Ｖｓｓ）に接続されているカソードとを有する。有機発光ダイオード（ＬＤ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力電流（ＩＬＤ）に基づく異なる強さで発光することによって映像を表示する。
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）及び駆動トランジスタ（Ｑｄ）は、ｎ−チャンネル電界効果トランジスタ（field effect transistor, FET）である。しかし、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）と駆動トランジスタ（Ｑｄ）のうちの少なくとも１つはｐ−チャンネル電界効果トランジスタを用いることができる。また、トランジスタ（Ｑｓ、Ｑｄ）、キャパシタ（Ｃｓｔ）及び有機発光ダイオード（ＬＤ）の接続関係を変えることもできる。
以下では、図１に示した有機発光表示装置の詳細構造について、図２〜図４を参照して詳細に説明する。
図２は、本発明の１つの実施形態による有機発光表示装置の配置図であり、図３は、図２のＡ部分を拡大した図であり、図４及び図５は、各々、図２の有機発光表示装置のIV-IV線及びV-V線による断面図である。
図２は、本発明の１つの実施形態による有機発光表示装置の配置図であり、図３は、図２のＡ部分を拡大した図であり、図４及び図５は、各々、図２の有機発光表示装置のIV-IV線及びV-V線による断面図である。
透明なガラス又はプラスチックなどで作られた絶縁基板１１０上に、第１制御電極１２４ａを含む複数のゲート線１２１及び複数の第２制御電極１２４ｂを含む複数のゲート導電体が形成されている。
ゲート線１２１はゲート信号を伝達し、主に図の横方向に延びている。各ゲート線１２１は、他の層又は外部駆動回路との接続のために幅が拡張された端部１２９を含み、第１制御電極１２４ａはゲート線１２１から図の上方向に延びている。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）が基板１１０上に集積されている場合、ゲート線１２１が延長されてゲート駆動回路に直接接続することができる。
ゲート線１２１はゲート信号を伝達し、主に図の横方向に延びている。各ゲート線１２１は、他の層又は外部駆動回路との接続のために幅が拡張された端部１２９を含み、第１制御電極１２４ａはゲート線１２１から図の上方向に延びている。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）が基板１１０上に集積されている場合、ゲート線１２１が延長されてゲート駆動回路に直接接続することができる。
第２制御電極１２４ｂはゲート線１２１と分離されており、図の下方向に延長されその途中から右方向に若干方向を変え、さらに上に長く延びた維持電極１２７を含む。
ゲート導電体１２１、１２４ｂは、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、及びチタニウム（Ｔｉ）などで形成することができる。しかし、これらは、物理的性質が異なる２つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造とすることもできる。このうちの１つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減少できるように比抵抗（resistivity）が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで形成される。これとは異なって、他の導電膜は他の物質、特に、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）及びＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えば、モリブデン系金属、クロム、チタニウム、タンタルなどで形成される。このような組み合わせの良い例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート導電体１２１、１２４ｂは、その他にも多様な金属又は導電体で形成することができる。
ゲート導電体１２１、１２４ｂは、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、及びチタニウム（Ｔｉ）などで形成することができる。しかし、これらは、物理的性質が異なる２つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造とすることもできる。このうちの１つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減少できるように比抵抗（resistivity）が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで形成される。これとは異なって、他の導電膜は他の物質、特に、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）及びＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えば、モリブデン系金属、クロム、チタニウム、タンタルなどで形成される。このような組み合わせの良い例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート導電体１２１、１２４ｂは、その他にも多様な金属又は導電体で形成することができる。
ゲート導電体１２１、１２４ｂの側面は基板１１０面に対して傾いており、その傾斜角は約３０゜〜約８０゜であることが好ましい。
ゲート導電体１２１、１２４ｂ上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などで構成されるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（hydrogenated amorphous silicon）（非晶質シリコンは略称ａ−Ｓｉとする）又は多結晶シリコン（polysilicon）などで形成された複数の第１及び第２島型半導体１５４ａ、１５４ｂが形成されている。第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂは、各々、第１及び第２制御電極１２４ａ、１２４ｂ上に位置する。
ゲート導電体１２１、１２４ｂ上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などで構成されるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（hydrogenated amorphous silicon）（非晶質シリコンは略称ａ−Ｓｉとする）又は多結晶シリコン（polysilicon）などで形成された複数の第１及び第２島型半導体１５４ａ、１５４ｂが形成されている。第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂは、各々、第１及び第２制御電極１２４ａ、１２４ｂ上に位置する。
第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂ上には、各々、複数対の第１抵抗性接触部材１６３ａ、１６５ａと、複数対の第２抵抗性接触部材１６３ｂ、１６５ｂとが形成されている。抵抗性接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂは島状であり、リンなどのｎ型不純物が高濃度でドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質で形成することができ、またシリサイド（silicide）で形成することもできる。第１抵抗性接触部材１６３ａ、１６５ａは、対を成して第１半導体１５４ａ上に配置されており、第２抵抗性接触部材１６３ｂ、１６５ｂもまた、対を成して第２半導体１５４ｂ上に配置されている。
抵抗性接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１と複数の駆動電圧線１７２と複数の第１及び第２出力電極１７５ａ、１７５ｂを含む複数のデータ導電体が形成されている。
データ線１７１はデータ信号を伝達し、主に図の縦方向に延びてゲート線１２１と交差する。各データ線１７１は、第１制御電極１２４ａに向かって延びた複数の第１入力電極１７３ａと、他の層又は外部駆動回路との接続のために幅が拡張された端部１７９とを含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）が基板１１０上に集積されている場合、データ線１７１を延長してデータ駆動回路に直接接続することができる。
データ線１７１はデータ信号を伝達し、主に図の縦方向に延びてゲート線１２１と交差する。各データ線１７１は、第１制御電極１２４ａに向かって延びた複数の第１入力電極１７３ａと、他の層又は外部駆動回路との接続のために幅が拡張された端部１７９とを含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）が基板１１０上に集積されている場合、データ線１７１を延長してデータ駆動回路に直接接続することができる。
駆動電圧線１７２は駆動電圧を伝達し、主に図の縦方向に延びてゲート線１２１と交差する。各駆動電圧線１７２は、第２制御電極１２４ｂに向かって延びた複数の第２入力電極１７３ｂを含む。駆動電圧線１７２は維持電極１２７と重なっている。
第１及び第２出力電極１７５ａ、１７５ｂは互いに分離されており、データ線１７１及び駆動電圧線１７２とも分離されている。第１入力電極１７３ａと第１出力電極１７５ａは第１制御電極１２４ａを中心にして互いに対向し、第２入力電極１７３ｂと第２出力電極１７５ｂは第２制御電極１２４ｂを中心にして互いに対向している。
第１及び第２出力電極１７５ａ、１７５ｂは互いに分離されており、データ線１７１及び駆動電圧線１７２とも分離されている。第１入力電極１７３ａと第１出力電極１７５ａは第１制御電極１２４ａを中心にして互いに対向し、第２入力電極１７３ｂと第２出力電極１７５ｂは第２制御電極１２４ｂを中心にして互いに対向している。
図３に示すように、互いに平行に対向する第２入力電極１７３ｂの辺と第２出力電極１７５ｂの辺には、複数の三角形端部７３ａ、７５ａが形成されている。第２入力電極１７３ｂの辺に形成された三角形端部７３ａと、これに対向する第２出力電極１７５ｂの辺に形成された三角形端部７５ａは、交互に噛み合うように位置している。
データ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂは、モリブデン、クロム、タンタル、及びチタニウムなど耐火性金属又はこれらの合金で形成されることが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造とすることもできる。多重膜構造の例としては、クロム又はモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。しかし、データ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂは、その他にも多様な金属又は導電体で形成することができる。
データ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂは、モリブデン、クロム、タンタル、及びチタニウムなど耐火性金属又はこれらの合金で形成されることが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造とすることもできる。多重膜構造の例としては、クロム又はモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。しかし、データ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂは、その他にも多様な金属又は導電体で形成することができる。
ゲート導電体１２１、１２４ｂと同様に、データ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂもまた、その側面が基板１１０面に対して３０゜〜８０゜程度の傾斜角で傾いていることが好ましい。
抵抗性接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂは、その下の半導体１５４ａ、１５４ｂとその上のデータ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂとの間にのみ存在し、接触抵抗を低くする。半導体１５４ａ、１５４ｂには、入力電極１７３ａ、１７３ｂと出力電極１７５ａ、１７５ｂとの間を始めとして、データ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂで覆われずに露出された部分がある。
抵抗性接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂは、その下の半導体１５４ａ、１５４ｂとその上のデータ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂとの間にのみ存在し、接触抵抗を低くする。半導体１５４ａ、１５４ｂには、入力電極１７３ａ、１７３ｂと出力電極１７５ａ、１７５ｂとの間を始めとして、データ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂで覆われずに露出された部分がある。
データ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂ及び露出された半導体１５４ａ、１５４ｂ部分の上には、保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）や酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物、有機絶縁物、低誘電率絶縁物などで形成される。有機絶縁物と低誘電率絶縁物の誘電定数は４.０以下であることが好ましく、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）で形成されるａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｏ、ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｆなどがその例である。有機絶縁物のうちの感光性を有するもので保護膜１８０を形成することができ、保護膜１８０の表面を平坦に構成することができる。しかし、保護膜１８０は、有機膜の優れた絶縁特性を生かしながらも露出された半導体１５４ａ、１５４ｂ部分が損傷しないように、下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造とすることができる。
保護膜１８０には、データ線１７１の端部１７９と第１及び第２出力電極１７５ｂを各々露出する複数の接触孔１８２、１８５ａ、１８５ｂが形成されており、保護膜１８０、遮断層１８６とゲート絶縁膜１４０には、ゲート線１２１の端部１２９と第２入力電極１２４ｂを各々露出する複数の接触孔１８１、１８４が形成されている。
保護膜１８１上には、複数の画素電極１９１、複数の連結部材８５及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。これらは、ＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀又はその合金などの反射性金属で形成することができる。
保護膜１８１上には、複数の画素電極１９１、複数の連結部材８５及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。これらは、ＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀又はその合金などの反射性金属で形成することができる。
画素電極１９１は、接触孔１８５ｂを介して第２出力電極１７５ｂと物理的・電気的に接続されており、連結部材８５は、接触孔１８４、１８５ａを介して第２制御電極１２４ｂ及び第１出力電極１７５ａに接続されている。
接触補助部材８１、８２は、各々、接触孔１８１、１８２を介してゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９に接続される。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。
接触補助部材８１、８２は、各々、接触孔１８１、１８２を介してゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９に接続される。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。
保護膜１８１上には隔壁３６１が形成されている。隔壁３６１は、画素電極１９１の周縁周辺を堤防（bank）のように囲んで開口部（opening）３６５を定義し、有機絶縁物又は無機絶縁物で形成される。隔壁３６１はまた、黒色顔料を含む感光剤で形成することができるが、この場合、隔壁３６１は遮光部材の役割を果たし、その形成工程が簡単である。
隔壁３６１が定義する画素電極１９１上の開口部３６５内には、有機発光部材３７０が形成されている。有機発光部材３７０は、赤色、緑色、青色の三原色など基本色のうちのいずれか１つの光を固有に発する有機物質で作られる。有機発光表示装置は、有機発光部材３７０が発する基本色色光の空間的な合計で所望の映像を表示する。
有機発光部材３７０は、光を発する発光層（図示せず）以外に、発光層の発光効率を向上するための付属層（図示せず）を含む多層構造を有することができる。付属層には、電子と正孔との均衡をとるための電子輸送層（図示せず）及び正孔輸送層（図示せず）と、電子と正孔の注入を強化するための電子注入層（図示せず）及び正孔注入層（図示せず）などがある。
有機発光部材３７０は、光を発する発光層（図示せず）以外に、発光層の発光効率を向上するための付属層（図示せず）を含む多層構造を有することができる。付属層には、電子と正孔との均衡をとるための電子輸送層（図示せず）及び正孔輸送層（図示せず）と、電子と正孔の注入を強化するための電子注入層（図示せず）及び正孔注入層（図示せず）などがある。
有機発光部材３７０上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０は共通電圧（Ｖｓｓ）の印加を受け、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム、銀などを含む反射性金属、又はＩＴＯもしくはＩＺＯなどの透明な導電物質で形成される。
このような有機発光表示装置で、ゲート線１２１に接続されている第１制御電極１２４ａ、データ線１７１に接続されている第１入力電極１７３ａ及び第１出力電極１７５ａは、第１半導体１５４ａと共にスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）を成し、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）のチャンネルは、第１入力電極１７３ａと第１出力電極１７５ａとの間の第１半導体１５４ａに形成される。第１出力電極１７５ａに接続されている第２制御電極１２４ｂ、駆動電圧線１７２に接続されている第２入力電極１７３ｂ及び画素電極１９１に接続されている第２出力電極１７５ｂは、第２半導体１５４ｂと共に駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）を成し、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャンネルは、所定の長さ（Ｌ）及び所定の幅（Ｗ）で、第２入力電極１７３ｂと第２出力電極１７５ｂとの間の第２半導体１５４ｂに形成される。
このような有機発光表示装置で、ゲート線１２１に接続されている第１制御電極１２４ａ、データ線１７１に接続されている第１入力電極１７３ａ及び第１出力電極１７５ａは、第１半導体１５４ａと共にスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）を成し、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）のチャンネルは、第１入力電極１７３ａと第１出力電極１７５ａとの間の第１半導体１５４ａに形成される。第１出力電極１７５ａに接続されている第２制御電極１２４ｂ、駆動電圧線１７２に接続されている第２入力電極１７３ｂ及び画素電極１９１に接続されている第２出力電極１７５ｂは、第２半導体１５４ｂと共に駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）を成し、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャンネルは、所定の長さ（Ｌ）及び所定の幅（Ｗ）で、第２入力電極１７３ｂと第２出力電極１７５ｂとの間の第２半導体１５４ｂに形成される。
この時、図３に示したように、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャンネルは、第２入力電極１７３ｂに形成された三角形端部７３ａと第２出力電極１７５ｂに形成された三角形端部７５ａとによって、チャンネルの幅（Ｗ）が広くなる効果を有する。
画素電極１９１、有機発光部材３７０及び共通電極２７０は有機発光ダイオード（ＬＤ）を成し、画素電極１９１がアノード、共通電極２７０がカソードになるか、反対に、画素電極１９１がカソード、共通電極２７０がアノードになる。互いに重なっている維持電極１２７と駆動電圧線１７２はストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）を構成する。
画素電極１９１、有機発光部材３７０及び共通電極２７０は有機発光ダイオード（ＬＤ）を成し、画素電極１９１がアノード、共通電極２７０がカソードになるか、反対に、画素電極１９１がカソード、共通電極２７０がアノードになる。互いに重なっている維持電極１２７と駆動電圧線１７２はストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）を構成する。
このような有機発光表示装置は、基板１１０の上方又は下方に光を排出して映像を表示する。不透明な画素電極１９１と透明な共通電極２７０は、基板１１０の上方向に映像を表示する前面発光（top emission）方式の有機発光表示装置に適用し、透明な画素電極１９１と不透明な共通電極２７０は、基板１１０の下方向に映像を表示する背面発光（bottom emission）方式の有機発光表示装置に適用する。
一方、半導体１５４ａ、１５４ｂが多結晶シリコンである場合には、制御電極１２４ａ、１２４ｂと対向する真性領域（intrinsic region）（図示せず）とその両側に位置する不純物領域（extrinsic region）（図示せず）とを含む。不純物領域は、入力電極１７３ａ、１７３ｂ及び出力電極１７５ａ、１７５ｂと電気的に接続され、抵抗性接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂは省略することができる。
また、制御電極１２４ａ、１２４ｂを半導体１５４ａ、１５４ｂ上に形成することができ、この場合にもゲート絶縁膜１４０は半導体１５４ａ、１５４ｂと制御電極１２４ａ、１２４ｂの間に位置して形成する。この時、データ導電体１７１、１７２、１７３ｂ、１７５ｂはゲート絶縁膜１４０上に位置し、ゲート絶縁膜１４０に形成された接触孔（図示せず）を介して半導体１５４ａ、１５４ｂと電気的に接続することができる。これとは異なって、データ導電体１７１、１７２、１７３ｂ、１７５ｂが半導体１５４ａ、１５４ｂ下に位置して、その上の半導体１５４ａ、１５４ｂと電気的に接触するように構成できる。
以下では、図２〜図５に示した有機発光表示装置を製造する方法について、図６〜図１７を参照して詳細に説明する。
図６、図９、図１２及び図１５は、図２〜図５の有機発光表示装置を本発明の１つの実施形態によって製造する方法の中間段階での配置図であり、図７及び図８は、図６の有機発光表示装置のVII-VII線及びVIII-VIII線による断面図であり、図１０及び図１１は、図９の有機発光表示装置のX-X線及びXI-XI線による断面図であり、図１３及び図１４は、図１２の有機発光表示装置のXIII-XIII線及びXIV-XIV線による断面図であり、図１６及び図１７は、図１５の有機発光表示装置のXVI-XVI線及びXVII-XVII線による断面図である。
図６、図９、図１２及び図１５は、図２〜図５の有機発光表示装置を本発明の１つの実施形態によって製造する方法の中間段階での配置図であり、図７及び図８は、図６の有機発光表示装置のVII-VII線及びVIII-VIII線による断面図であり、図１０及び図１１は、図９の有機発光表示装置のX-X線及びXI-XI線による断面図であり、図１３及び図１４は、図１２の有機発光表示装置のXIII-XIII線及びXIV-XIV線による断面図であり、図１６及び図１７は、図１５の有機発光表示装置のXVI-XVI線及びXVII-XVII線による断面図である。
図６〜図８に示したように、基板１１０上に、第１制御電極１２４ａ及び端部１２９を含む複数のゲート線１２１及び維持電極１２７を含む複数の第２制御電極１２４ｂを含むゲート導電体を形成する。
次に、図９〜図１１に示したように、ゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層及び不純物非晶質シリコン層の３層の膜を連続して積層し、不純物非晶質シリコン層及び真性非晶質シリコン層を写真エッチングして、複数の第１及び第２不純物半導体（図示せず）と第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂを形成する。
次に、図９〜図１１に示したように、ゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層及び不純物非晶質シリコン層の３層の膜を連続して積層し、不純物非晶質シリコン層及び真性非晶質シリコン層を写真エッチングして、複数の第１及び第２不純物半導体（図示せず）と第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂを形成する。
次に、第１入力電極１７３ａと端部１７９を含む複数のデータ線１７１、第２入力電極１７３ｂを含む駆動電圧線１７２及び複数の第１及び第２出力電極１７５ａ、１７５ｂを含むデータ導電体を、写真エッチング工程を利用して形成する。
この時、図３に示したように、第２入力電極１７３ｂに形成された三角形端部７３ａと第２出力電極１７５ｂに形成された三角形端部７５ａの頂点（Ｈ）は、エッチング工程によりスキューが多く発生するが、三角形端部７３ａ、７５ａの谷間（Ｇ）はスキューがほとんど発生しない。
この時、図３に示したように、第２入力電極１７３ｂに形成された三角形端部７３ａと第２出力電極１７５ｂに形成された三角形端部７５ａの頂点（Ｈ）は、エッチング工程によりスキューが多く発生するが、三角形端部７３ａ、７５ａの谷間（Ｇ）はスキューがほとんど発生しない。
これは、三角形端部の頂点（Ｈ）はエッチング液と接触する面積が広いために多くエッチングされるが、三角形端部の谷間（Ｌ）はエッチング液と接触する面積が狭いためにエッチングが少なく行われるからである。また、三角形端部の谷間（Ｌ）に対応する感光膜パターンは、三角形端部の谷間（Ｌ）と完全に同一の形状に形成するのが難しくて緩やかな模様に形成されるので、これに対応した面はエッチングが少なく行われる。
したがって、このような形状にチャンネルを形成することにより、チャンネルの長さがスキュー現象によって長くなることを防止するという目的を達成でき、チャンネルの幅が大きくなるという効果も有する。
次に、データ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂで覆われずに露出された不純物半導体部分を除去することによって、抵抗性接触部材１６３ａ、１６５ａ、１６３ｂ、１６５ｂを完成する一方、その下の第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂの一部分を露出する。
次に、データ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂで覆われずに露出された不純物半導体部分を除去することによって、抵抗性接触部材１６３ａ、１６５ａ、１６３ｂ、１６５ｂを完成する一方、その下の第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂの一部分を露出する。
次に、図１２〜図１４に示したように、化学気相蒸着又は印刷方法などで保護膜１８０を積層し、写真エッチングして、複数の接触孔１８１、１８２、１８４、１８５ａ、１８５ｂを形成する。接触孔１８１、１８２、１８４、１８５ａ、１８５ｂは、ゲート線１２１の端部１２９、データ線１７１の端部１７９、第２制御電極１２４ｂ、第１出力電極１７５ａ及び第２出力電極１７５ｂを露出する。
次に、保護膜１８０上に複数の画素電極１９１、複数の連結部材８５、及び複数の接触補助部材８１、８２を形成する。
次に、図１５〜図１７に示したように、感光性有機絶縁膜をスピンコーティングで塗布し、露光及び現像して、画素電極１９１上に開口部３６５を有する隔壁３６１を形成する。
次に、図１５〜図１７に示したように、感光性有機絶縁膜をスピンコーティングで塗布し、露光及び現像して、画素電極１９１上に開口部３６５を有する隔壁３６１を形成する。
次に、画素電極１９１上に位置した開口部３６５に正孔輸送層（図示せず）及び発光層（図示せず）を含んだ発光部材３７０を形成する。発光部材３７０は、インクジェット印刷方法のような溶液工程又は蒸着によって形成することができ、そのうち、インクジェットヘッド（図示せず）を移動させながら開口部３６５に溶液を滴下するインクジェット印刷方法が好ましく、この場合、各層の形成後、乾燥段階を実施する。
次に、図２〜図６に示したように、隔壁３６１及び発光部材３７０上に共通電極２７０を形成する。
一方、対向する第２入力電極１７３ｂと第２出力電極１７５ｂの形状によって決定されるチャンネルの形状は、第２入力電極１７３ｂと第２出力電極１７５ｂの形状を変形することによって多様な形態に変形することが可能である。
一方、対向する第２入力電極１７３ｂと第２出力電極１７５ｂの形状によって決定されるチャンネルの形状は、第２入力電極１７３ｂと第２出力電極１７５ｂの形状を変形することによって多様な形態に変形することが可能である。
図１８は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置のチャンネルの形状を拡大した図である。
図１８に示したように、第２入力電極１７３ｂの辺には、複数の直角三角形端部７３ｂが形成されており、第２出力電極１７５ｂの辺７５ｂは直線で構成されている。この場合、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャンネルは、第２入力電極１７３ｂに形成された三角形端部７３ｂによってチャンネルの幅（Ｗ）が広くなる効果を有する。
図１８に示したように、第２入力電極１７３ｂの辺には、複数の直角三角形端部７３ｂが形成されており、第２出力電極１７５ｂの辺７５ｂは直線で構成されている。この場合、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャンネルは、第２入力電極１７３ｂに形成された三角形端部７３ｂによってチャンネルの幅（Ｗ）が広くなる効果を有する。
図１９は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置のチャンネルの形状を拡大した図である。
図１９に示す例では、互いに対向する第２入力電極１７３ｂの辺と第２出力電極１７５ｂの辺には、複数の直角三角形端部７３ｃ、７５ｃが形成されており、第２入力電極１７３ｂの直角三角形端部７３ｃと対向する第２出力電極１７５ｂの直角三角形端部７５ｃは、交差して位置している。この時、直角三角形端部７３ｃ、７５ｃの斜辺は互いに対向している。
図１９に示す例では、互いに対向する第２入力電極１７３ｂの辺と第２出力電極１７５ｂの辺には、複数の直角三角形端部７３ｃ、７５ｃが形成されており、第２入力電極１７３ｂの直角三角形端部７３ｃと対向する第２出力電極１７５ｂの直角三角形端部７５ｃは、交差して位置している。この時、直角三角形端部７３ｃ、７５ｃの斜辺は互いに対向している。
図２０は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置のチャンネルの形状を拡大した図である。
図２０に示す例では、互いに対向する第２入力電極１７３ｂの辺と第２出力電極１７５ｂの辺には、複数の直角三角形端部７３ｄ、７５ｄが形成されており、第２入力電極１７３ｂの直角三角形端部７３ｄと対向する第２出力電極１７５ｂの三角形端部７５ｄは交差して位置している。この時、第２入力電極１７３ｂの直角三角形端部７３ｄの斜辺（Ｐ１）は、第２出力電極１７５ｂの直角三角形端部７５ｄの垂直辺（Ｐ２）と互いに対向しており、第２入力電極１７３ｂの直角三角形端部７３ｄの垂直辺（Ｐ３）は、第２出力電極１７５ｂの直角三角形端部７５ｄの斜辺（Ｐ４）と互いに対向している。
図２０に示す例では、互いに対向する第２入力電極１７３ｂの辺と第２出力電極１７５ｂの辺には、複数の直角三角形端部７３ｄ、７５ｄが形成されており、第２入力電極１７３ｂの直角三角形端部７３ｄと対向する第２出力電極１７５ｂの三角形端部７５ｄは交差して位置している。この時、第２入力電極１７３ｂの直角三角形端部７３ｄの斜辺（Ｐ１）は、第２出力電極１７５ｂの直角三角形端部７５ｄの垂直辺（Ｐ２）と互いに対向しており、第２入力電極１７３ｂの直角三角形端部７３ｄの垂直辺（Ｐ３）は、第２出力電極１７５ｂの直角三角形端部７５ｄの斜辺（Ｐ４）と互いに対向している。
図２１は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置のチャンネルの形状を拡大した図である。
図２１に示す例では、互いに対向する第２入力電極１７３ｂの辺と第２出力電極１７５ｂの辺には、複数の台形端部７３ｅ、７５ｅが形成されており、台形端部の側辺（Ｑ１）は、隣接する台形端部の側辺（Ｑ２）に直接連続している。そして、第２入力電極１７３ｂの台形端部７３ｅと、これに対向する第２出力電極１７５ｂの台形端部７５ｅは、互いに対称となる位置に形成されている。
図２１に示す例では、互いに対向する第２入力電極１７３ｂの辺と第２出力電極１７５ｂの辺には、複数の台形端部７３ｅ、７５ｅが形成されており、台形端部の側辺（Ｑ１）は、隣接する台形端部の側辺（Ｑ２）に直接連続している。そして、第２入力電極１７３ｂの台形端部７３ｅと、これに対向する第２出力電極１７５ｂの台形端部７５ｅは、互いに対称となる位置に形成されている。
図２２は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置のチャンネルの形状を拡大した図である。
図２２に示す例では、互いに対向する第２入力電極１７３ｂの辺と第２出力電極１７５ｂの辺には、複数の台形端部７３ｆ、７５ｆが形成されており、台形端部の側辺（Ｑ１）は、隣接する台形端部の側辺（Ｑ２）と所定の間隔をおいて位置している。そして、第２入力電極１７３ｂの台形端部７３ｆと対向する第２出力電極１７５ｂの台形端部７５ｆは互いに対称となる位置に形成されている。
図２２に示す例では、互いに対向する第２入力電極１７３ｂの辺と第２出力電極１７５ｂの辺には、複数の台形端部７３ｆ、７５ｆが形成されており、台形端部の側辺（Ｑ１）は、隣接する台形端部の側辺（Ｑ２）と所定の間隔をおいて位置している。そして、第２入力電極１７３ｂの台形端部７３ｆと対向する第２出力電極１７５ｂの台形端部７５ｆは互いに対称となる位置に形成されている。
図２３は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置のチャンネルの形状を拡大した図である。
図２３に示す例では、互いに対向する第２入力電極１７３ｂの辺と第２出力電極１７５ｂの辺には、複数の台形端部７３ｇ、７５ｇが形成されており、台形端部の側辺（Ｑ１）は、隣接する台形端部の側辺（Ｑ２）と所定の間隔をおいて位置している。そして、第２入力電極１７３ｂの台形端部７３ｇと、これに対向する第２出力電極１７５ｂの台形端部７５ｇは、交互に噛み合うように配置されている。
図２３に示す例では、互いに対向する第２入力電極１７３ｂの辺と第２出力電極１７５ｂの辺には、複数の台形端部７３ｇ、７５ｇが形成されており、台形端部の側辺（Ｑ１）は、隣接する台形端部の側辺（Ｑ２）と所定の間隔をおいて位置している。そして、第２入力電極１７３ｂの台形端部７３ｇと、これに対向する第２出力電極１７５ｂの台形端部７５ｇは、交互に噛み合うように配置されている。
図２４は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置のチャンネルの形状を拡大した図である。
図２４に示す例では、互いに対向する第２入力電極１７３ｂの辺と第２出力電極１７５ｂの辺には、複数の三角形端部７３ｈ、７５ｈが形成されており、三角形端部の側辺（Ｒ１）は、隣接する三角形端部の側辺（Ｒ２）と所定の間隔をおいて位置している。第２入力電極１７３ｂの辺の三角形端部７３ｈと対向する第２出力電極１７５ｂの辺の三角形端部７５ｈは交差して位置している。この時、第２入力電極１７３ｂの辺の三角形端部７３ｈと対向する第２出力電極１７５ｂの辺の三角形端部７５ｈの大きさは互いに同一である。
図２４に示す例では、互いに対向する第２入力電極１７３ｂの辺と第２出力電極１７５ｂの辺には、複数の三角形端部７３ｈ、７５ｈが形成されており、三角形端部の側辺（Ｒ１）は、隣接する三角形端部の側辺（Ｒ２）と所定の間隔をおいて位置している。第２入力電極１７３ｂの辺の三角形端部７３ｈと対向する第２出力電極１７５ｂの辺の三角形端部７５ｈは交差して位置している。この時、第２入力電極１７３ｂの辺の三角形端部７３ｈと対向する第２出力電極１７５ｂの辺の三角形端部７５ｈの大きさは互いに同一である。
図２５は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置のチャンネルの模様を拡大した図である。
図２５の実施形態は図２４の実施形態とほぼ同様であるが、第２入力電極１７３ｂの辺に設けられる三角形端部７３ｉの大きさと、これに対向する第２出力電極１７５ｂの辺に設けられる三角形端部７５ｉの大きさとが互いに異なっている。
図２５の実施形態は図２４の実施形態とほぼ同様であるが、第２入力電極１７３ｂの辺に設けられる三角形端部７３ｉの大きさと、これに対向する第２出力電極１７５ｂの辺に設けられる三角形端部７５ｉの大きさとが互いに異なっている。
図２６は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置のチャンネルの形状を拡大した図である。
図２６に示す例では、互いに対向する第２入力電極１７３ｂの辺と第２出力電極１７５ｂの辺には、複数の半円形端部７３ｊ、７５ｊが形成されていて、全体的にエンボシング形状を成す。このような第２入力電極１７３ｂの辺に形成される半円形端部７３ｊと、これに対向する第２出力電極１７５ｂの辺に形成される三角形端部７５ｊとは互いに噛み合う位置に配置されている。
図２６に示す例では、互いに対向する第２入力電極１７３ｂの辺と第２出力電極１７５ｂの辺には、複数の半円形端部７３ｊ、７５ｊが形成されていて、全体的にエンボシング形状を成す。このような第２入力電極１７３ｂの辺に形成される半円形端部７３ｊと、これに対向する第２出力電極１７５ｂの辺に形成される三角形端部７５ｊとは互いに噛み合う位置に配置されている。
図２７は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の配置図であり、図２８は、図２７の有機発光表示装置のXXVIII-XXVIII線による断面図である。
図２７及び図２８に示すように、本実施形態による有機発光表示装置の積層構造は、図４及び図５に示した薄膜トランジスタ表示板の積層構造とほぼ同一である。
第１制御電極１２４ａを含む複数のゲート線１２１及び複数の第２制御電極１２４ｂを含む複数のゲート導電体が基板１１０上に形成されており、その上にはゲート絶縁膜１４０、第１及び第２島型半導体１５４ａ、１５４ｂ、そして抵抗性接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂが順に形成されている。
図２７及び図２８に示すように、本実施形態による有機発光表示装置の積層構造は、図４及び図５に示した薄膜トランジスタ表示板の積層構造とほぼ同一である。
第１制御電極１２４ａを含む複数のゲート線１２１及び複数の第２制御電極１２４ｂを含む複数のゲート導電体が基板１１０上に形成されており、その上にはゲート絶縁膜１４０、第１及び第２島型半導体１５４ａ、１５４ｂ、そして抵抗性接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂが順に形成されている。
抵抗性接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ及びゲート絶縁膜１４０上には、第１入力電極１７３ａを含む複数のデータ線１７１、第２入力電極１７３ｂを含む複数の駆動電圧線１７２及び複数の第１及び第２出力電極１７５ａ、１７５ｂを含む複数のデータ導電体が形成されており、その上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０は接触孔１８１を有し、保護膜１８０は複数の接触孔１８２、１８４、１８５ａ、１８５ｂを有する。保護膜１８０上には、画素電極１９１、連結部材８５及び接触補助部材８１、８２が形成されており、その上には、開口部３６５を有する隔壁３６１が形成されている。開口部３６５及び隔壁３６１には、有機発光部材３７０と共通電極２７０が形成されている。
しかし、図２〜図５の有機発光表示装置とは異なって、第１入力電極１７３ａは、第１制御電極１２４ａと重なっているデータ線１７１の一部とゲート線１２１と重なっており、駆動電圧線１７２に向かって延びている部分を含む。したがって、第１出力電極１７５ａの２つの辺が第１入力電極１７３ａと対向する。
第２制御電極１２４ｂは非常に大きく、第２入力電極１７３ｂと第２出力電極１７５ｂの対向する辺及び駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャンネルの形態が異なる。
第２制御電極１２４ｂは非常に大きく、第２入力電極１７３ｂと第２出力電極１７５ｂの対向する辺及び駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャンネルの形態が異なる。
互いに対向する第２入力電極１７３ｂと第２出力電極１７５ｂとの間に露出した半導体１５４ｂ部分、つまり、チャンネルが蛇行する形状で構成されている。この場合、チャンネルの幅は広くなる効果を有する。また、連結部材８５は、下方向に延長される途中に右方向に若干方向を変え、また上方向に長く延びた維持電極８７を含む。ここで、維持電極８７は駆動電圧線１７２と重なっている。
また、複数の島型半導体１５６が、ゲート線１２１と駆動電圧線１７２が交差する部分に形成されている。島型半導体１５６は表面のプロファイルを滑らかにすることによって駆動電圧線１７２の断線を防止する。
前述では有機発光表示装置のチャンネルについて説明したが、前述した特徴は液晶表示装置に対しても適用可能である。
前述では有機発光表示装置のチャンネルについて説明したが、前述した特徴は液晶表示装置に対しても適用可能である。
図２９は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図３０及び図３１は、各々、図２９の液晶表示装置のXXX-XXX線及びXXXI-XXXI線による断面図である。
透明なガラス又はプラスチックなどで作られた絶縁基板１１０上に、複数のゲート線１２１及び複数の維持電極線１３１が形成されている。
ゲート線１２１はゲート信号を伝達するものであって、主に図の横方向に延びている。各ゲート線１２１は、下方に突出した複数のゲート電極１２４と、他の層又は外部駆動回路との接続のために幅が拡張された端部１２９とを含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に取り付けられる可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着することができ、基板１１０上に直接装着することもでき、基板１１０に集積することもできる。ゲート駆動回路を基板１１０上に集積する場合、ゲート線１２１を延長してこれに直接接続することができる。
透明なガラス又はプラスチックなどで作られた絶縁基板１１０上に、複数のゲート線１２１及び複数の維持電極線１３１が形成されている。
ゲート線１２１はゲート信号を伝達するものであって、主に図の横方向に延びている。各ゲート線１２１は、下方に突出した複数のゲート電極１２４と、他の層又は外部駆動回路との接続のために幅が拡張された端部１２９とを含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に取り付けられる可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着することができ、基板１１０上に直接装着することもでき、基板１１０に集積することもできる。ゲート駆動回路を基板１１０上に集積する場合、ゲート線１２１を延長してこれに直接接続することができる。
維持電極線１３１は所定の電圧の印加を受け、ゲート線１２１とほぼ平行に延びた幹線と、これから分かれた複数対の維持電極１３３ａ、１３３ｂとを含む。各維持電極線１３１はそれぞれ隣接した２つのゲート線１２１の間に位置し、幹線は２つのゲート線１２１のうちの下側に近接して配置される。維持電極１３３ａ、１３３ｂの各々は、幹線に接続された固定端とその反対側の自由端とを有している。一方の維持電極１３３ｂの固定端は面積が広く、その自由端は、直線部分と曲線部分の二つの部分に分かれる。しかし、維持電極線１３１の形状及び配置は多様に変更することができる。
ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、及びチタニウム（Ｔｉ）などで形成することができる。しかし、これらは物理的性質が異なる２つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造とすることもできる。このうちの１つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減少できるように比抵抗が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで形成することができる。他の導電膜は他の物質、特に、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）及びＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えば、モリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどで形成することができる。このような組み合わせの良い例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、その他にも多様な金属又は導電体で形成することができる。
ゲート線１２１及び維持電極線１３１の側面は基板１１０面に対して傾いており、その傾斜角は約３０゜〜約８０゜であることが好ましい。
ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などで構成されたゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンは略称ａ−Ｓｉとする）又は多結晶シリコンなどで作られた複数の線状半導体１５１が形成されている。線状半導体１５１は主に図の縦方向に延びており、ゲート電極１２４に向かって延びる複数の突出部１５４を含む。線状半導体１５１はゲート線１２１及び維持電極線１３１の付近で幅が広くなって、これらを幅広く覆っている。
ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などで構成されたゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンは略称ａ−Ｓｉとする）又は多結晶シリコンなどで作られた複数の線状半導体１５１が形成されている。線状半導体１５１は主に図の縦方向に延びており、ゲート電極１２４に向かって延びる複数の突出部１５４を含む。線状半導体１５１はゲート線１２１及び維持電極線１３１の付近で幅が広くなって、これらを幅広く覆っている。
半導体１５１上には、複数の線状及び島型抵抗性接触部材１６１、１６５が形成されている。抵抗性接触部材１６１、１６５は、リン（Ｐ）などのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質で形成することができ、シリサイドで形成することもできる。線状抵抗性接触部材１６１は複数の突出部１６３を有しており、この突出部１６３と島型抵抗性接触部材１６５は、対を成して半導体１５１の突出部１５４上に配置されている。
半導体１５１と抵抗性接触部材１６１、１６５の側面もまた基板１１０面に対して傾いており、傾斜角は３０゜〜８０゜程度である。
抵抗性接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１と複数のドレーン電極１７５が形成されている。
データ線１７１はデータ信号を伝達し、主に図の縦方向に延びてゲート線１２１と交差する。各データ線１７１はまた、維持電極線１３１と交差するとともに、隣接した維持電極１３３ａ、１３３ｂの間に平行に延長されている。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かって延びた複数のソース電極１７３と、他の層又は外部駆動回路との接続のために幅が拡張された端部１７９とを含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に取り付けられる可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着することができ、基板１１０上に直接装着することもでき、基板１１０に集積することもできる。データ駆動回路を基板１１０上に集積する場合、データ線１７１を延長してこれに直接接続することができる。
抵抗性接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１と複数のドレーン電極１７５が形成されている。
データ線１７１はデータ信号を伝達し、主に図の縦方向に延びてゲート線１２１と交差する。各データ線１７１はまた、維持電極線１３１と交差するとともに、隣接した維持電極１３３ａ、１３３ｂの間に平行に延長されている。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かって延びた複数のソース電極１７３と、他の層又は外部駆動回路との接続のために幅が拡張された端部１７９とを含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に取り付けられる可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着することができ、基板１１０上に直接装着することもでき、基板１１０に集積することもできる。データ駆動回路を基板１１０上に集積する場合、データ線１７１を延長してこれに直接接続することができる。
ドレーン電極１７５はデータ線１７１と分離されており、ゲート電極１２４を中心にしてソース電極１７３と対向する。各ドレーン電極１７５は、幅が拡張された一方の端部と、棒状の他方の端部とを有している。一方の端部は維持電極線１３１と重なっており、棒状の他方の端部は、Ｕ字型で曲がったソース電極１７３で一部が囲まれている。互いに対向するソース電極１７３の辺とドレーン電極１７５の辺には、複数の半円形端部７３ｋ、７５ｋが形成されている。ソース電極１７３の辺に形成された半円形端部７３ｋと、これに対向するドレーン電極１７５の辺に形成された半円形端部７５ｋとは、交互に噛み合うような位置に配置されている。
１つのゲート電極１２４、１つのソース電極１７３及び１つのドレーン電極１７５は、半導体１５１の突出部１５４と共に１つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を成し、薄膜トランジスタのチャンネルは、ソース電極１７３とドレーン電極１７５との間の突出部１５４に形成される。このような薄膜トランジスタのチャンネルは、ソース電極１７３に形成された半円形端部７３ｋと、ドレーン電極１７５に形成された半円形端部７５ｋとにより、チャンネルの幅（Ｗ）が広くなる効果を有する。
データ線１７１は、モリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなど耐火性金属又はこれらの合金で形成されることが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造とすることができる。多重膜構造の例としては、クロム又はモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。しかし、データ線１７１及びドレーン電極１７５はその他にも多様な金属又は導電体で形成することができる。
データ線１７１及びドレーン電極１７５もまた、その側面が基板１１０面に対して３０゜〜８０゜程度の傾斜角で傾いていることが好ましい。
抵抗性接触部材１６１、１６５は、その下の半導体１５１とその上のデータ線１７１及びドレーン電極１７５の間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。大部分の所では線状半導体１５１の幅がデータ線１７１の幅より小さいが、前述のように、ゲート線１２１と交差する部分で幅を広く形成することによって、表面の断面形状を滑らかにし、データ線１７１が断線することを防止する。半導体１５１には、ソース電極１７３とドレーン電極１７５の間を始めとして、データ線１７１及びドレーン電極１７５で覆われずに露出された部分がある。
抵抗性接触部材１６１、１６５は、その下の半導体１５１とその上のデータ線１７１及びドレーン電極１７５の間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。大部分の所では線状半導体１５１の幅がデータ線１７１の幅より小さいが、前述のように、ゲート線１２１と交差する部分で幅を広く形成することによって、表面の断面形状を滑らかにし、データ線１７１が断線することを防止する。半導体１５１には、ソース電極１７３とドレーン電極１７５の間を始めとして、データ線１７１及びドレーン電極１７５で覆われずに露出された部分がある。
データ線１７１、ドレーン電極１７５及び露出された半導体１５４部分上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は、無機絶縁物又は有機絶縁物などで形成され、表面を平坦に構成することができる。無機絶縁物の例としては、窒化ケイ素と酸化ケイ素が挙げられる。有機絶縁物は感光性を有するものを使用でき、その誘電定数は約４.０以下であることが好ましい。しかし、保護膜１８０は、有機膜の優れた絶縁特性を生かしながらも露出された半導体１５１部分が損傷されないように、下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造とすることができる。
保護膜１８０には、データ線１７１の端部１７９とドレーン電極１７５とを各々露出する複数の接触孔１８２、１８５が形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０には、ゲート線１２１の端部１２９を露出する複数の接触孔１８１、第１維持電極１３３ａ固定端付近の維持電極線１３１の一部を露出する複数の接触孔１８３ａ、そして第１維持電極１３３ａ自由端の突出部を露出する複数の接触孔１８３ｂが形成されている。
保護膜１８０上には、複数の画素電極１９１、複数の連結橋８４及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。これらはＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀又はその合金などの反射性金属で作られることができる。
画素電極１９１は、接触孔１８５を介してドレーン電極１７５と物理的・電気的に接続されており、ドレーン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧が印加された画素電極１９１は、共通電圧の印加を受ける他の表示板（図示せず）の共通電極（図示せず）と共に電場を生成することによって、２つの電極との間の液晶層（図示せず）の液晶分子の方向を決定する。画素電極１９１と共通電極はキャパシタ（以下、“液晶キャパシタ”という）を構成し、薄膜トランジスタがターンオフした後にも印加された電圧を維持する。
画素電極１９１は、接触孔１８５を介してドレーン電極１７５と物理的・電気的に接続されており、ドレーン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧が印加された画素電極１９１は、共通電圧の印加を受ける他の表示板（図示せず）の共通電極（図示せず）と共に電場を生成することによって、２つの電極との間の液晶層（図示せず）の液晶分子の方向を決定する。画素電極１９１と共通電極はキャパシタ（以下、“液晶キャパシタ”という）を構成し、薄膜トランジスタがターンオフした後にも印加された電圧を維持する。
画素電極１９１及びこれに接続されたドレーン電極１７５は、維持電極１３３ａ、１３３ｂを始めとする維持電極線１３１と重なっており、画素電極１９１の左側及び右側の辺は、維持電極１３３ａ、１３３ｂよりはデータ線１７１に隣接する。画素電極１９１及びこれと電気的に接続されたドレーン電極１７５が維持電極線１３１と重なって構成するキャパシタをストレージキャパシタといい、ストレージキャパシタは液晶キャパシタの電圧維持能力を強化する。
接触補助部材８１、８２は各々、接触孔１８１、１８２を介して、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９に接続される。接触補助部材８１、８２はデータ線１７１及びゲート線１２１の端部１７９、１２９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。
連結橋８３はゲート線１２１を横切り、ゲート線１２１を隔てて反対側に位置する接触孔１８３ａ、１８３ｂを介して維持電極線１３１の露出された部分と、維持電極１３３ｂ自由端の露出された端部とに接続されている。維持電極１３３ａ、１３３ｂを始めとする維持電極線１３１は、連結橋８３と共に、ゲート線１２１やデータ線１７１又は薄膜トランジスタの欠陥を修理することに使用することができる。
連結橋８３はゲート線１２１を横切り、ゲート線１２１を隔てて反対側に位置する接触孔１８３ａ、１８３ｂを介して維持電極線１３１の露出された部分と、維持電極１３３ｂ自由端の露出された端部とに接続されている。維持電極１３３ａ、１３３ｂを始めとする維持電極線１３１は、連結橋８３と共に、ゲート線１２１やデータ線１７１又は薄膜トランジスタの欠陥を修理することに使用することができる。
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、これより多様な変形及び均等な他実施形態が可能であるという点が理解できる。したがって、本発明の権利範囲はこれに限定されるわけではなく、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者のいろいろな変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。
８１、８２ 接触補助部材
８５ 連結部材
１１０ 基板
１２１、１２９ ゲート線
１２４ａ 第１制御電極
１２４ｂ 第２制御電極
１４０ ゲート絶縁膜
１２７ 維持電極
１５４ａ 第１島型半導体
１５４ｂ 第２島型半導体
１６３ａ、１６５ａ 第１抵抗性接触部材
１６３ｂ、１６５ｂ 第２抵抗性接触部材
１７１、１７９ データ線
１７２ 駆動電圧線
１７３ａ 第１入力電極
１７３ｂ 第２入力電極
１７５ａ 第１出力電極
１７５ｂ 第２出力電極
１７５ ドレーン電極
１８０ 保護膜
１８１、１８２、１８４、１８５ａ、１８５ｂ 接触孔
１９１ 画素電極
２７０ 共通電極
３６１ 隔壁
３６５ 開口部
３７０ 有機発光部材
８５ 連結部材
１１０ 基板
１２１、１２９ ゲート線
１２４ａ 第１制御電極
１２４ｂ 第２制御電極
１４０ ゲート絶縁膜
１２７ 維持電極
１５４ａ 第１島型半導体
１５４ｂ 第２島型半導体
１６３ａ、１６５ａ 第１抵抗性接触部材
１６３ｂ、１６５ｂ 第２抵抗性接触部材
１７１、１７９ データ線
１７２ 駆動電圧線
１７３ａ 第１入力電極
１７３ｂ 第２入力電極
１７５ａ 第１出力電極
１７５ｂ 第２出力電極
１７５ ドレーン電極
１８０ 保護膜
１８１、１８２、１８４、１８５ａ、１８５ｂ 接触孔
１９１ 画素電極
２７０ 共通電極
３６１ 隔壁
３６５ 開口部
３７０ 有機発光部材
Claims (19)
- 基板と、
前記基板上に形成されている制御電極と、
前記基板上に形成されており、前記制御電極を中心にして互いに分離されており、対向する辺を有する入力電極及び出力電極と、
前記入力電極及び前記出力電極と接触する半導体と、
前記制御電極と前記半導体との間に形成される絶縁膜と、
を含み、互いに対向する前記入力電極の辺と前記出力電極の辺のうちの少なくともいずれか１つの辺には、複数の突出端部がエッチングされて形成されている表示装置。 - 前記突出端部は三角形端部である、請求項１に記載の表示装置。
- 前記入力電極及び前記出力電極の三角形端部は、垂直辺及び斜辺を有する直角三角形端部である、請求項２に記載の表示装置。
- 前記入力電極の直角三角形端部の垂直辺と前記出力電極の直角三角形端部の斜辺とは互いに対向している、請求項３に記載の表示装置。
- 前記入力電極の直角三角形端部の斜辺と前記出力電極の直角三角形端部の斜辺とは互いに対向している、請求項３に記載の表示装置。
- 前記突出端部は台形端部である、請求項１に記載の表示装置。
- 前記台形端部は、前記入力電極と前記出力電極との間の中心線を対称軸として対称である、請求項６に記載の表示装置。
- 前記突出端部は半円形端部である、請求項１に記載の表示装置。
- 前記入力電極の突出端部と前記出力電極の突出端部とは互いに交差して位置している、請求項１に記載の表示装置。
- 前記入力電極及び前記出力電極の突出端部の大きさは互いに同一である、請求項１に記載の表示装置。
- 前記入力電極及び前記出力電極の突出端部の大きさは互いに異なる、請求項１に記載の表示装置。
- 前記入力電極の隣接する突出端部は互いに接触しており、前記出力電極の隣接する突出端部は互いに接触している、請求項１に記載の表示装置。
- 前記入力電極の隣接する突出端部は互いに所定の間隔をおいて位置しており、前記出力電極の隣接する突出端部は互いに所定の間隔をおいて位置している、請求項１に記載の表示装置。
- 前記出力電極に接続されている画素電極と、
前記画素電極に対向する共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極との間に形成される有機発光部材と、
をさらに含む、請求項１に記載の表示装置。 - 基板と、
前記基板上に互いに交差して形成される第１及び第２信号線と、
前記基板上に形成され、第１電圧を伝達する駆動電圧線と、
前記第１信号線及び前記第２信号線に接続されている第１薄膜トランジスタと、
前記第１薄膜トランジスタ及び前記駆動電圧線に接続されている第２薄膜トランジスタと、
を含み、前記第２薄膜トランジスタは、
前記基板上に形成されている制御電極と、
前記基板上に形成されており、前記制御電極を中心にして互いに分離されている入力電極及び出力電極と、
前記入力電極及び前記出力電極と接触する半導体と、
前記制御電極と前記半導体との間に形成される絶縁膜と、
を含み、互いに対向する前記入力電極の辺と前記出力電極の辺のうちの少なくともいずれか１つの辺には、複数の突出端部がエッチングされて形成されている表示装置。 - 前記第１及び第２薄膜トランジスタ上に形成される保護膜と、
前記保護膜上に形成され、前記第２薄膜トランジスタに接続されている第１電極と、
第２電圧の印加を受け、前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に形成される発光部材と、
をさらに含む、請求項１５に記載の表示装置。 - 基板上に制御電極を形成する段階と、
前記基板及び制御電極上に絶縁膜を形成する段階と、
前記絶縁膜上の前記制御電極に対応する位置に半導体を形成する段階と、
写真エッチング工程を利用して前記半導体上に、前記制御電極を中心に分離される入力電極及び出力電極を形成する段階と、
を含み、
互いに対向する前記入力電極の辺と前記出力電極の辺のうちの少なくともいずれか１つの辺には、複数の突出端部がエッチングされて形成される表示装置の製造方法。 - 前記突出端部はエンボシング形状に形成される、請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
- 前記入力電極の突出端部と前記出力電極の突出端部は交差するように形成される、請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
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