JP2007153712A - 自立した窒化ガリウム単結晶基板とその製造方法、および窒化物半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面(Ga面)2が鏡面に研磨され、かつ裏面(N面)3の算術平均粗さRaをラップ後のエッチング処理により1μm以上、10μm以下(気相成長装置の基板ホルダーと面接触する粗さ)としたGaN自立基板1を用いて、窒化物半導体素子を気相成長法により製造する。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態に係る窒化ガリウム半導体単結晶基板の構成図である。
次に、本実施の形態に係るGaN自立基板の製造工程を、従来の製造工程と比較しながら説明する。
次に、本実施の形態に係る窒化物半導体素子の製造方法を説明する。
上記の本発明の実施の形態によれば、下記の効果を奏する。
(1)GaN自立基板の裏面を所定の算術平均粗さとすることで、GaN自立基板上の窒化物半導体素子の良品歩留率を向上させることができる。すなわち、基板ホルダーとの密着度が低い従来のGaN自立基板面内においては温度のむらが生じるが、本実施の形態のGaN自立基板においては裏面の粗さをエッチングにより所定の算術平均粗さにしているため、GaN自立基板と基板ホルダーとは面による接触になり密着度がよくなるので、基板ホルダーからGaN自立基板への熱伝導が両鏡面のGaN自立基板に比べて良くなる。これにより、GaN自立基板面内の温度分布のばらつきが小さくなり、エピタキシャル成長後の特性が均一になる。
(2)GaN自立基板の裏面をエッチング処理することにより、GaN自立基板の反りを減少できるため、GaN自立基板上の窒化物半導体素子の良品歩留率を向上させることができる。
(3)GaN自立基板の裏面の粗さを鏡面化する場合に比べて粗くしていることにより光が散乱されて、GaN自立基板の裏面は白濁するため、GaN自立基板の表裏を容易に判別することができる。
(4)裏面をポリッシュする工程は枚数が限られてくるが、裏面のエッチング工程は多量の枚数を1度に処理することができるため量産に適している。そのため、コスト削減など利点が多く存在する。
2:表面(鏡面研磨)
3:裏面(ラップ後エッチング)
101:GaN自立基板
102:n型AlGaN(Al0.1Ga0.9N)クラッド層
110:InGaN系活性層
111:InGaN(In0.15Ga0.85N)井戸層
112:GaN障壁層
121:p型AlGaN(Al0.1Ga0.9N)クラッド層
122:p型GaNコンタクト層
131:p型電極
132:n型電極
Claims (7)
- 表面(Ga面)が鏡面に研磨された、自立した窒化ガリウム単結晶基板において、裏面(N面)の算術平均粗さRaが1μm以上、10μm以下であることを特徴とする自立した窒化ガリウム半導体単結晶基板。
- 表面(Ga面)を鏡面に研磨する表面処理工程と、裏面(N面)を研削(ラップ)後、エッチングする裏面処理工程とを含むことを特徴とする自立した窒化ガリウム半導体単結晶基板の製造方法。
- 前記裏面処理工程は、前記裏面(N面)の算術平均粗さRaを1μm以上、10μm以下とする工程であることを特徴とする請求項2記載の自立した窒化ガリウム半導体単結晶基板の製造方法。
- 請求項2又は請求項3記載の製造方法により製造された自立した窒化ガリウム単結晶基板を用いて、窒化物半導体素子を気相成長法により製造することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
- 自立した窒化ガリウム単結晶基板を用いて気相成長装置により窒化物半導体素子を製造する方法であって、
前記気相成長装置の基板ホルダーに前記窒化ガリウム単結晶基板を保持する前に、前記窒化ガリウム単結晶基板の裏面(N面)の算術平均粗さRaを前記基板ホルダーと面接触する粗さに調整する工程を含むことを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。 - 前記算術平均粗さRaを調整する工程は、エッチングする工程を含むことを特徴とする請求項5記載の窒化物半導体素子の製造方法。
- 前記算術平均粗さRaを調整する工程は、前記算術平均粗さRaを1μm以上、10μm以下に調整する工程を含むことを特徴とする請求項5記載の窒化物半導体素子の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005354454A JP4696886B2 (ja) | 2005-12-08 | 2005-12-08 | 自立した窒化ガリウム単結晶基板の製造方法、および窒化物半導体素子の製造方法 |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005354454A JP4696886B2 (ja) | 2005-12-08 | 2005-12-08 | 自立した窒化ガリウム単結晶基板の製造方法、および窒化物半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007153712A true JP2007153712A (ja) | 2007-06-21 |
JP4696886B2 JP4696886B2 (ja) | 2011-06-08 |
Family
ID=38130975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005354454A Expired - Fee Related JP4696886B2 (ja) | 2005-12-08 | 2005-12-08 | 自立した窒化ガリウム単結晶基板の製造方法、および窒化物半導体素子の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070131967A1 (ja) |
JP (1) | JP4696886B2 (ja) |
CN (1) | CN1979887B (ja) |
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US10024809B2 (en) | 2006-04-07 | 2018-07-17 | Sixpoint Materials, Inc. | Group III nitride wafers and fabrication method and testing method |
US10316431B2 (en) | 2006-04-07 | 2019-06-11 | Sixpoint Materials, Inc. | Method of growing group III nitride crystals |
US10156530B2 (en) | 2006-04-07 | 2018-12-18 | Sixpoint Materials, Inc. | Group III nitride wafers and fabrication method and testing method |
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JP2015529626A (ja) * | 2012-08-28 | 2015-10-08 | シックスポイント マテリアルズ, インコーポレイテッド | Iii族窒化物ウエハおよびその生産方法 |
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JP2014088318A (ja) * | 2014-01-24 | 2014-05-15 | Mitsubishi Chemicals Corp | Iii族窒化物結晶半導体基板の製造方法、及びiii族窒化物結晶半導体基板 |
JP2016058651A (ja) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2017149634A (ja) * | 2016-02-23 | 2017-08-31 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Ramo4基板およびその製造方法 |
DE112021003545T5 (de) | 2020-09-17 | 2023-04-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Halbleitersubstrat von einem Nitrid eines Elements der Gruppe III |
US11862689B2 (en) | 2020-09-17 | 2024-01-02 | Ngk Insulators, Ltd. | Group-III element nitride semiconductor substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1979887B (zh) | 2014-09-17 |
JP4696886B2 (ja) | 2011-06-08 |
US20070131967A1 (en) | 2007-06-14 |
CN1979887A (zh) | 2007-06-13 |
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