JP2007150720A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】固体撮像装置において、画素の増幅トランジスタの出力に1/fノイズが含まれないようにして高いS/Nの画像を得る。また、画素出力信号の基準レベルと信号レベルの差分を取り出し、リセットノイズを低減した高いS/Nの画像を得る。
【解決手段】フォトダイオード11と、フォトダイオードで光電変換されて得られた信号電荷を検出部12に読み出す読み出しトランジスタ13と、検出部の電位を設定するリセットトランジスタ14と、検出部に読み出された信号を増幅して出力するバイポーラ型の増幅トランジスタ15とを有する画素を、半導体基板上にアレイ状に配置した固体撮像装置であって、リセットトランジスタの一端側に供給するリセット電位を所定のタイミングで第1のリセット電位から第2のリセット電位に切り換えるリセット電位発生回路22を有する。
【選択図】図1
【解決手段】フォトダイオード11と、フォトダイオードで光電変換されて得られた信号電荷を検出部12に読み出す読み出しトランジスタ13と、検出部の電位を設定するリセットトランジスタ14と、検出部に読み出された信号を増幅して出力するバイポーラ型の増幅トランジスタ15とを有する画素を、半導体基板上にアレイ状に配置した固体撮像装置であって、リセットトランジスタの一端側に供給するリセット電位を所定のタイミングで第1のリセット電位から第2のリセット電位に切り換えるリセット電位発生回路22を有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、固体撮像装置に係り、特に画像データのリセットノイズを低減化する回路に関するもので、例えば携帯機器用のイメージセンサに使用される。
従来、増幅回路を有する画素がアレイ状に配置されたイメージセンサにおいて、画素は、半導体基板上に、少なくともフォトダイオードと、フォトダイオードで光電変換されて得られた信号電荷を検出部に読み出す読み出しトランジスタと、検出部の電位を設定するリセットトランジスタと、検出部に読み出された信号を増幅して出力する増幅トランジスタを有する。
増幅トランジスタにMOSトランジスタを用いたイメージセンサは、MOSトランジスタのゲート電極下でSiとSiO2 膜との界面に電荷のトラップ準位が存在するので、1/fノイズが発生する。この1/fノイズは、増幅出力の基準レベルと信号レベルに混入し、画素部の出力信号のS/N(信号対雑音比)を低下させるという問題がある。
特許文献1には、増幅トランジスタとしてバイポーラトランジスタを用いてエミッタフォロア接続したイメージセンサが開示されている。このイメージセンサでは1/fノイズは発生しない。増幅トランジスタのベース(検出部)と、固定されたリセット電位のノードとの間にはリセットトランジスタが接続されており、さらにベースと接地ノードとの間には動作点設定用の容量が接続されている。
しかし、増幅トランジスタの選択、非選択方法が明記されていないため、必要な画素のみを有効に選択できないという問題がある。
特開平5−336314号公報
本発明は前記した従来の問題点を解決すべくなされたもので、画素の増幅トランジスタの出力に1/fノイズが含まれないようにして高いS/Nの画像を得ることができ、また、画素出力信号の基準レベルと信号レベルの差分を取り出し得るようにし、リセットノイズを低減した高いS/Nの画像を得ることができる固体撮像装置を提供することを目的とする。
本発明の固体撮像装置は、フォトダイオードと、前記フォトダイオードで光電変換されて得られた信号電荷を検出部に読み出す読み出しトランジスタと、前記検出部の電位を設定するリセットトランジスタと、前記検出部に読み出された信号を増幅して出力するバイポーラ型の増幅トランジスタとを有する画素を、半導体基板上にアレイ状に配置した固体撮像装置であって、前記リセットトランジスタの一端側に供給するリセット電位を所定のタイミングで第1のリセット電位から第2のリセット電位に切り換えるリセット電位発生回路を具備する。
本発明の固体撮像装置によれば、増幅出力にMOS型トランジスタに特有の1/fノイズが含まれないようにして画素出力信号の高S/N化を図ることができ、また、画素出力信号の基準レベルと信号レベルの差分を取り出し得るようにし、リセットノイズを低減した高いS/Nの画像を得ることができる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。この説明に際して、全図にわたり共通する部分には共通する参照符号を付す。
図1は、本発明の固体撮像装置の実施形態を示す回路図である。
図1において、複数の画素10は、半導体基板上にm行×n列の二次元状に配置されて画素アレイを構成している。各画素10は、フォトダイオード11と、フォトダイオード11で光電変換されて得られた信号電荷を検出部12に読み出す読み出しトランジスタ13と、検出部12の電位を設定するリセットトランジスタ14と、検出部12に読み出された信号を増幅して出力するバイポーラ型の増幅トランジスタ15とを有する。なお、本例では増幅トランジスタ15としてPNPトランジスタが用いられている。
各画素10のリセットトランジスタ14のゲートは、画素アレイ内で水平方向に延長された複数行のリセットゲート線16−1〜16−mのうち対応する行のリセットゲート線に共通に接続されている。同様に、各画素10の読み出しトランジスタ13のゲートは、画素アレイ内で水平方向に延長された複数行の読み出しゲート線17−1〜17−mのうち対応する行の読み出しゲート線に共通に接続されている。リセットゲート線16−1〜16−mおよび読み出しゲート線17−1〜17−mからなる各水平線は、垂直シフトレジスタ18により予め決められた垂直方向に順次に走査されて選択される。そして、選択された水平線には、タイミングジェネレータ(TG)19によって発生されたリセットゲートパルス、読み出しゲートパルスがセレクタ回路20を介して入力される。各画素10のリセットトランジスタ14のソースまたはドレインであるリセット電位供給ノードは、複数行のリセット電位供給線21−1〜21−mのうち対応する行のリセット電位供給線に共通に接続されている。複数行のリセット電位供給線21−1〜21−mには、リセット電位発生回路22で発生されるリセットドレイン電圧(リセット電圧)が入力される。
また、各画素10の増幅トランジスタ15のエミッタである信号出力ノードは、画素アレイ内で垂直方向に延長された複数列の垂直信号線23−1〜23−nのうち対応する列の垂直信号線に共通に接続されている。垂直信号線23−1〜23−nの各一端には、画素10内の増幅トランジスタ15と対をなして出力回路を構成する例えばPMOS型の負荷トランジスタ24−1〜24−nが対応して配置されている。各負荷トランジスタ24−1〜24−nのゲートは、共通配線によりバイアス電圧ノード25に接続されている。同様に、各負荷トランジスタ24−1〜24−nのソースは、共通配線によりソース電圧供給ノード26に接続されている。
各垂直信号線23−1〜23−nの各他端には、コラム型のアナログ/デジタル変換回路(コラムADC)27−1〜27−nが対応して接続されている。さらに、アナログ/デジタル変換回路27−1〜27−nにはラッチ回路28−1〜28−nが接続されている。アナログ/デジタル変換回路27−1〜27−nは、選択されている行の各画素10の出力信号を垂直信号線23−1〜23−nを介して取り込み、例えば10ビットのデジタルデータ値に変換する。ラッチ回路28−1〜28−nは、水平レジスタ(水平シフトレジスタ)29により予め決められた水平方向に順次走査されて選択され、それぞれ10ビットのデータを出力回路30へ転送する。出力回路30は、予め定めたタイミングにより10ビットのデータを出力し、次段回路に供給する。
図2は、図1中の各画素10の断面構造の一例を示している。P型基板40の表層部には、フォトダイオード11を構成するN型領域41およびフォトダイオード相互を分離するP+型領域42が形成されている。また、P型基板40の表層部には、増幅トランジスタ15のベース領域(検出部12に相当)を構成するN+型領域43が形成されている。また、N+型領域43の表層部の内部には、増幅トランジスタ15のエミッタ領域を構成するP+型領域44が形成されている。このP+型領域44は、図1中の複数の垂直信号線23−1〜23−nのいずれかに接続されている。P型基板40は、増幅トランジスタ15のコレクタ領域およびフォトダイオード11のアノード領域を兼ねており、本例では接地電位が与えられている。さらに、P型基板40の表層部には、リセットトランジスタ14のソースまたはドレインであるN+型領域45が形成されている。このN+型領域45は、図1中のリセット電位供給線21−1〜21−mのいずれかに接続されている。
なお、読み出しトランジスタ13は、P型基板40の表層部でフォトダイオード11を構成するN型領域41とN+型領域43との間をチャネル領域とするMOS型トランジスタにより構成されており、このチャネル領域上にゲート絶縁膜を介してゲート電極46が形成されている。このゲート電極46は、図1中の読み出しゲート線17−1〜17−mのいずれかに接続されている。
リセットトランジスタ14は、P型基板40の表層部でN+型領域43とN+型領域45との間をチャネル領域とするMOS型トランジスタにより構成されており、このチャネル領域上にゲート絶縁膜を介してゲート電極47が形成されている。このゲート電極47は、図1中のリセットゲート線16−1〜16−mのいずれかに接続されている。
ここで、まず、図1に示した各画素10の基本動作を説明しておく。アノードが接地電位に接続されたフォトダイオード11に入射した光は、光電変換され、信号電荷として蓄積される。この場合、画素10が選択されない期間は、リセット電位供給線21は第1のレベル(Hiレベル)、リセットトランジスタ14はオン状態にされており、検出部12の電位はリセットレベルに安定に保持されている。また、増幅トランジスタ15はオフ状態にされている。
次に、検出部12に信号電荷が読み出される前(画素10が選択される前)に、リセットトランジスタ14がオンしている状態の時にリセット電位供給線21が第2のレベル(Lowレベル)にされ、検出部12は基準レベル(増幅トランジスタ15のベース動作点)に設定される。この後、リセットゲート線16がLowレベルにされてリセットトランジスタ14がオフ状態にされ、検出部12が電位的にフローティング状態になる。そして、選択された画素10の読み出しゲート線17がHiレベルにされて読み出しトランジスタ13がオン状態にされることによって、フォトダイオード11の信号電荷が検出部12に読み出される。これにより、増幅トランジスタ15は検出部12の電位変化を増幅し、選択された画素10の信号を垂直信号線23に出力する。
図3は、図1の固体撮像装置における画素を駆動する信号のタイミングの一例を示している。ここでは、一例として同期パルスにより規定される垂直走査期間内の(k−1)ラインとkラインの水平期間に着目した動作を示しており、各水平期間は水平有効期間と水平BLK(ブランキング)期間とを含む。
以下、図3を参照しながら図1の固体撮像装置において(k−1)ラインの画素から信号を読み出す際の動作例を説明する。まず、(k−1)ラインの水平有効期間では、(k−1)ラインのリセットゲート線16−kの信号RESETをHiレベルに設定し、(k−1)ラインの画素のリセットトランジスタ14をオン状態にする。この時、(k−1)ラインのリセット電位供給線21−kからリセットトランジスタ14を介して検出部12に対しバイアス電位Vaを印加し続けることによって増幅トランジスタ15をオフ状態、つまり画素の非選択状態にしておく。
次に、kラインの水平BLK期間の前縁でリセット電位供給線21−kの電位をLowレベルに対応したVbに変化させ、(k−1)ラインのリセット電位供給線21−kからリセットトランジスタ14を介して検出部12にバイアス電位Vbを印加する。この際、検出部12の電位がVbに変化した時に、増幅トランジスタ15のエミッタに接続されている垂直信号線23の電位(V−Sig)がVcのレベルまで変化する。次に、(k−1)ラインのリセットゲート線16−kをLowレベルに設定すると、リセットトランジスタ14がオフ状態になり、増幅トランジスタ15がオン状態、つまり画素の選択状態になり、増幅トランジスタ15のベース、エミッタ間の容量結合によるカップリングによって、垂直信号線23の電位(V−Sig)がVdのレベルまで変化する。このVdレベルは、アナログ/デジタル変換回路27−1〜27−nに基準レベルとして取り込まれる。
上記した(k−1)ラインの画素の選択状態は、kラインの水平BLK期間内にわたって保たれ、kラインの水平BLK期間内で(k−1)ラインの読み出しゲート線17−kにHiレベルのパルスが印加されると、(k−1)ラインの全ての画素の読み出しトランジスタ13がオン状態になり、各フォトダイオード11の信号電荷が検出部12にそれぞれ読み出され、この信号電荷量に比例して検出部12の電位が変化する。これにより、増幅トランジスタ15の出力が変化し、垂直信号線23の電位が検出部12の電位に応じた電位Veに変化する。そして、各垂直信号線23の電位Veがアナログ/デジタル変換回路27−1〜27−nに取り込まれ、このレベルと先の基準レベルVdとの差分量が信号分としてAD変換される。
アナログ/デジタル変換回路27−1〜27−nから出力された10ビットのデータは、垂直線毎に配置されたラッチ回路27−1〜28−nに取り込まれる。各ラッチ回路28−1〜28−nは、水平レジスタ29により予め決められた方向に順次走査されて選択され、それぞれ10ビットのデータが出力回路30に転送される。そして、出力回路30から、予め定めたタイミングにより次段回路に供給される。
上記実施形態の固体撮像装置によれば、増幅トランジスタ15は、MOS型トランジスタではなく、バイポーラ型のトランジスタで構成されているので、MOS型トランジスタ特有の1/fノイズが発生せず、画素出力信号の高S/N化を図ることができる。また、リセット電位をパルス状に変化させるのは、全ての水平線ではなく、選択した水平線のみとしているので、リセット電位発生用の電源の消費電力の低減を図ることができる。
また、画素10内のバイポーラ型の増幅トランジスタ15のベースに、MOS型の読み出しトランジスタ13とリセットトランジスタ14の各一端を接続した構成により、増幅トランジスタ15の出力側、つまり垂直信号線23で、画素出力信号の基準レベルと信号レベルの差分をとることができるので、画素出力信号の高S/N化を図ることができる。
さらに、リセットトランジスタ14を介して増幅トランジスタ15のベース電位を設定し、画素の選択、非選択を制御しているので、選択画素と非選択画素の信号が同時に同一の垂直信号線に出力されることを防ぐことができる。特に、図2に示したように、P型基板40をコレクタ領域とするサブPNPトランジスタの場合は、画素内にアドレストランジスタを設けることによって選択、非選択を決定することが不可能であるので、画素の構成および動作上、非常に大きな効果がある。
なお、半導体基板および各半導体領域の導電型を図示とは逆にしても、前記実施形態と同様の効果が得られる。
10…画素、11…フォトダイオード、12…検出部、13…読み出しトランジスタ、14…リセットトランジスタ、15…バイポーラ型の増幅トランジスタ、16−1〜16−m…リセットゲート線、17−1〜17−m…読み出しゲート線、18…垂直シフトレジスタ、19…タイミングジェネレータ、20…セレクタ回路、21−1〜21−m…リセット電位供給線、22…リセット電位発生回路、23−1〜23−n…垂直信号線、24−1〜24−n…負荷トランジスタ、25…バイアス電圧ノード、26…ソース電圧供給ノード、27−1〜27−n…アナログ/デジタル変換回路、28−1〜28−n…ラッチ回路、29…水平レジスタ、30…出力回路。
Claims (5)
- フォトダイオードと、前記フォトダイオードで光電変換されて得られた信号電荷を検出部に読み出す読み出しトランジスタと、前記検出部の電位を設定するリセットトランジスタと、前記検出部に読み出された信号を増幅して出力するバイポーラ型の増幅トランジスタとを有する画素を、半導体基板上にアレイ状に配置した固体撮像装置であって、
前記リセットトランジスタの一端側に供給するリセット電位を所定のタイミングで第1のリセット電位から第2のリセット電位に切り換えるリセット電位発生回路を具備することを特徴とする固体撮像装置。 - 前記増幅トランジスタは、非選択期間には前記リセットトランジスタを介して第1のバイアス電位がベースに与えられてオフ状態にされ、選択期間には前記リセットトランジスタを介して第2のバイアス電位がベースに与えられてオン状態にされることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記非選択期間は撮像走査の水平有効期間を含み、前記選択期間は前記撮像走査の水平ブランキング期間の一部であることを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。
- 前記リセットトランジスタは、前記リセット電位が第2のリセット電位に切り換えられた後、オフ状態に制御されることを特徴とする請求項3記載の固体撮像装置。
- 前記読み出しトランジスタおよびリセットトランジスタは、それぞれMOS型のトランジスタで構成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
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Cited By (2)
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JP2009278236A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
US10321075B2 (en) | 2016-11-16 | 2019-06-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging apparatus and imaging system |
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2005
- 2005-11-28 JP JP2005342291A patent/JP2007150720A/ja active Pending
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