JP2007138972A - プロセスガス制御弁の付着物除去方法及びプロセスガス制御弁の制御装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】弁体22を弁座6に当接又は離間させることによりプロセスガスの供給を制御するプロセスガス制御弁1にパージガスを流し、弁体22を弁座6に繰り返し衝突させる。このとき、プロセスガス制御弁1のボディ2をヒータ30で加熱してもよい。また、上記プロセスガス制御弁1の付着物除去方法を実行する付着物除去手段37を有する制御装置31をプロセスガス制御弁1に接続してもよい。
【選択図】 図2
Description
そのため、例えば、特許文献1に記載されるバルブは、ウエーブジェネレータがエネルギーを与えられて圧電アクチュエータに超音波を出し、フレキシブルプレートを超音波速度で振動させて残留物を取り除いている。
(1)プロセスガス制御弁の付着物除去方法であって、弁体を弁座に当接又は離間させることによりプロセスガスの供給を制御するプロセスガス制御弁にパージガスを流し、前記プロセスガス制御弁を高頻度で所定時間開閉弁動作させることを特徴とする。
(3)(2)に記載の発明において、前記可動鉄心が前記ソレノイド部側に衝突する部分に樹脂部材を配設したことを特徴とする。
(5)プロセスガス制御弁の制御装置であって、(1)乃至(4)の何れか1つに記載するプロセスガス制御弁の付着物除去方法を実行する付着物除去手段を有することを特徴とする。
特に、可動鉄心がソレノイド部側に衝突する部分に樹脂部材を設けた場合には、可動鉄心がソレノイド部側の金属に直接衝突して摩耗する不具合を減らし、パーティクル発生量を抑制することができる。
また、本発明のプロセスガス制御弁の制御装置は、上記プロセスガス制御弁の付着物除去方法を実行する付着物除去手段を備えているので、モード切替などによりプロセスガス制御弁の付着物除去を簡単に行うことができる。
図1は、電磁弁1の側面図である。
第1実施形態では、図1に示すフラッパ式の電磁弁1をプロセスガス制御弁として使用する。電磁弁1は、例えば、半導体製造工程のプロセスガスを制御するために用いられ、ボディ2にソレノイド部10を保持部材7を介して連結し、外観が構成されている。
電磁弁1のボディ2は、SUSなどの金属を直方体のブロック状に成形したものである。ボディ2は、取付孔3が図中上面から円柱状に穿設されている。また、ボディ2は、第1流路4が図中下面から取付孔3と同軸上に穿設されて取付孔3に連通しており、第1流路4が取付孔3の内壁に開口する開口部分に、弁座6が略円筒状に突設されている。また、ボディ2は、第2流路5が、弁座6より外側の取付孔3の内壁に開口するように図中下面から穿設されている。ボディ2の取付孔3には、弁座6の外側に段差が設けられ、板バネ23の基準面を設定している。
制御装置31は、中央演算装置(以下「CPU」という。)CPU32、入出力インターフェース33、ROM34、RAM35を備える周知の汎用コンピュータであるため、詳細な説明を省略する。ROM34には、付着物除去プログラム37が格納されている。付着物除去プログラム(付着物除去手段)37は、電磁弁1にパージガスを供給しながら電磁弁1を高頻度で所定時間開閉弁動作させることにより、プランジャ組立20や弁座6に付着した付着物を除去するものである。
電磁弁1は、プロセスガスの制御を行っていると、流路内に付着物が生成され、パーティクルの発生要因となったり、シール部分に付着した付着物により流体漏れを発生する恐れがある。そのため、電磁弁1は、制御装置31を流量制御モードから付着物除去モードに切り替えて付着物除去プログラム37を実行し、付着物の除去を行う。
試験回路50は、圧力レギュレータ51、フィルタ52、入口開閉弁53、圧力計54、電磁弁1を直列に接続して構成した。試験では、電磁弁1を使用して、電磁弁1に付着物を生成させて内部リークを生じさせるようにし、その電磁弁1を試験回路50に組み付けた。そして、その電磁弁1に10Hzの電圧を印加して開閉弁動作させる動作時間、電磁弁1の第1流路4に供給するパージガスの流量、棒状ヒータ30によるヒーティングの有無などの試験条件を変えて電磁弁1の付着物除去を行った。そして、付着物除去作業終了後に、電磁弁1を全閉して試験回路に窒素ガスを170kPaまで加圧封入してから入口開閉弁53を全閉し、入口開閉弁53と電磁弁1との間の圧力変動量を圧力計54で計測した。
図中短い点線で示す初期条件(図中「初期」参照)では、動作時間が0minで、パージガスの供給及び棒状ヒータ30による加熱を行っていない。すなわち、初期条件では、付着物除去を行っていない。
また、図中二点鎖線で示す条件1では、棒状ヒータ30による加熱を行わない状態で、電磁弁1の第1流路4にパージガスを1SLMずつ供給し、電磁弁1を30分間開閉弁動作させた。
また、図中長い点線で示す条件2では、棒状ヒータ30による加熱を行わない状態で、電磁弁1の第1流路4にパージガスを5SLMずつ供給し、電磁弁1を30分間開閉弁動作させた。
また、図中実線で示す条件3では、棒状ヒータ30で電磁弁1のボディ2を150℃に加熱した状態で、電磁弁1の第1流路4にパージガスを1SLMずつ供給し、電磁弁1を30分間開閉弁動作させた。
また、図中一点鎖線で示す条件4では、棒状ヒータ30で電磁弁1のボディ2を150℃に加熱した状態で、電磁弁1の第1流路4にパージガスを5SLMずつ供給し、電磁弁1を30分間開閉弁動作させた。
また、図中太線で示す条件5では、棒状ヒータ30で電磁弁1のボディ2を150℃に加熱した状態で、電磁弁1の第1流路4にパージガスを5SLMずつ供給し、付着物除去モードの下で電磁弁1を60分間開閉弁動作させた。
図6に示すように、初期条件の電磁弁1は、圧力が急降下し、約3時間後には圧力が0kPaになってしまった。これに対して、パージガスを流しながら電磁弁1を高頻度で開閉弁動作させた条件1〜5は、付着物除去を実施しない初期と比べると、圧力降下率が小さく、約6時間経過しても圧力が0kPaになっていない。これらの試験結果より、パージガスを流しながら電磁弁1を高頻度で開閉弁動作させれば、弁部の付着物が除去され、流体漏れを生じにくくできることが判明した。これは、電磁弁1の開閉弁動作時に、弁部に衝撃が加えられ、付着物が弁部から剥がれ落ちるためと考えられる。
この試験では、付着物を生成させた電磁弁1について、150℃にヒーティングし、パージガスを1SLMずつ流しながら10Hzの電圧を印加し、電磁弁1を高頻度で開閉弁動作させる付着物除去を行った後、作用ガスを流した場合におけるパーティクル発生量と、付着物除去を行わずに作用ガスを流した場合のパーティクル発生量を測定した。
従って、電磁弁1の付着物除去を行うことにより、パーティクル発生量を20000個から3000個に減少させ、約85%の削減に成功した。また、1.0μm以上の大きなパーティクルに至っては、400個から2個に発生量を減らし、殆ど発生させないようにすることができた。
また、本実施形態の電磁弁1の付着物除去方法によれば、弁座6や弁シート22のシール面に付着する付着物を除去して、流体漏れを発生しにくくすることができる(図6の条件2〜5参照)。
上記電磁弁1を組み付けた半導体製造装置では、電磁弁1のパーティクル発生量が減少するため、歩留まりが向上するとともに、パーティクルを除去するためにガスラインのパージを行う際のパージガス消費量が減少し、また、電磁弁1の漏れ量が減少するため、プロセスガス消費量が減少し、この結果、ランニングコストを安価にすることができる。
また、本実施形態の電磁弁1の制御装置31は、上記電磁弁1の付着物除去方法を実行する付着物除去プログラム37を備えているので、電磁弁1の付着物除去を制御装置31に設けたモード切替スイッチの切り替え等により簡単に行うことができる。
次に、本発明のプロセスガス制御弁の付着物除去方法に係る第2実施形態について説明する。
本実施形態のプロセスガス制御弁の付着物除去方法も、図2に示す電磁弁1をプロセスガス制御弁として用いるが、電磁弁1のプランジャ21を樹脂部材19に衝突させて付着物を除去する点で第1実施形態と相違する。そこで、ここでは、第1実施形態と相違する点について説明し、その他の説明は割愛する。
特に、プランジャ21がソレノイド部10側に衝突する部分に樹脂部材19を設けているので、プランジャ21がソレノイド部10側の金属に直接衝突して摩耗する不具合を減らし、パーティクル発生量を抑制することができる。
例えば、上記実施の形態では、可動鉄心を非接触で移動させるフラッパ構造を備える電磁弁1をプロセスガス制御弁の一例として挙げたが、プロセスガス制御弁としてポペット構造を備える電磁弁、エアオペレイトバルブ、ダイアフラム弁、開閉弁などを使用してもよい。
例えば、上記実施形態では、棒状ヒータ30をヒータ挿入孔27に挿入してボディ2を加熱するようにしたが、テープ状ヒータをボディ2に巻き付けてもよいし、ヒータをボディ2の外側面に取り付けてもよい。
例えば、上記実施形態では、第1流路4から第2流路5へプロセスガス及びパージガスを流す場合を例に挙げて説明したが、第2流路5から第1流路4へプロセスガス及びパージガスを流す場合でも同様の効果が得られる。
例えば、上記実施形態では、付着物除去時に10Hzで電圧を印加したが、15Hzなど制御装置31が供給しうる、或いは、プロセスガス制御弁1が供給されうる最大周波数であれば、高周波数は10Hzに限定されない。
2 ボディ
6 弁座
10 ソレノイド部
11 コイル
12 コイルボビン
13 固定鉄心
19 樹脂部材
21 プランジャ(可動鉄心)
22 弁シート(弁体)
23 板バネ
30 棒状ヒータ(ヒータ)
31 制御装置
37 付着物除去プログラム(付着物除去手段)
Claims (5)
- 弁体を弁座に当接又は離間させることによりプロセスガスの供給を制御するプロセスガス制御弁にパージガスを流し、前記プロセスガス制御弁を高頻度で所定時間開閉弁動作させることを特徴とするプロセスガス制御弁の付着物除去方法。
- コイルを巻回したコイルボビンに固定鉄心を装填したソレノイド部を備え、前記固定鉄心に吸着される板状の可動鉄心に板バネと弁シートとを装着し、前記板バネのバネ力により前記弁シートを弁座に当接させており、前記コイルに電圧を印加したときに前記固定鉄心が励磁されて前記可動鉄心を前記板バネのバネ力に抗して吸引し、前記弁シートを前記弁座から離間させるプロセスガス制御弁に対して、パージガスを流し、前記コイルに電圧を高周波で印加することにより、前記可動鉄心を前記ソレノイド部側に高頻度で所定時間衝突させることを特徴とするプロセスガス制御弁の付着物除去方法。
- 請求項2に記載するプロセスガス制御弁の付着物除去方法において、
前記可動鉄心が前記ソレノイド部側に衝突する部分に樹脂部材を配設したことを特徴とするプロセスガス制御弁の付着物除去方法。 - 請求項1乃至請求項3の何れか1つに記載するプロセスガス制御弁の付着物除去方法において、
前記弁座が設けられたボディをヒータで加熱することを特徴とするプロセスガス制御弁の付着物除去方法。 - 請求項1乃至請求項4の何れか1つに記載するプロセスガス制御弁の付着物除去方法を実行する付着物除去手段を有することを特徴とするプロセスガス制御弁の制御装置。
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