JP2007134613A - 横型接合型電界効果トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ゲート領域層6とドレイン領域層7との間に、p型の第3半導体層8が設けられ、また、n型エピタキシャル層3からp-型エピタキシャル層2に達するように電位固定層4が設けられている。これにより、ゲート領域層6とドレイン領域層7との間の電界分布のバランスの改善が図られる。また、チャネル領域が、高電界のドリフト領域から引き離され、低オン低抵抗化を図るとともに、横型接合型電界効果トランジスタ100の小型化を図ることが可能となる。
【選択図】図2
Description
以下、図1および図2を参照して、本実施の形態における横型接合型電界効果トランジスタ100の構造について説明する。なお、図1は、本実施の形態における横型接合型電界効果トランジスタ100の構造を示す断面図であり、図2は、本実施の形態における横型接合型電界効果トランジスタ100に電圧を印加した状態での模式断面図である。
次に、図4を参照して、本実施の形態における横型接合型電界効果トランジスタ200の構造について説明する。なお、図4は、本実施の形態における横型接合型電界効果トランジスタ200の構造を示す断面図である。また、図4において、上記実施の形態における横型接合型電界効果トランジスタ100と、同一または相当部分については同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さないこととする。
Claims (4)
- 半導体基板上に位置する第1導電型不純物を含む第1半導体層と、
前記第1半導体層の上に位置し、第2導電型不純物を含む第2半導体層と、
前記第2半導体層において所定の間隔を隔てて設けられ、前記第2半導体層の不純物濃度よりも高い濃度の第2導電型不純物を含むソース領域層およびドレイン領域層と、
前記第2半導体層の前記ソース領域層と前記ドレイン領域層との間において、前記第2半導体層の不純物濃度よりも高い濃度の第1導電型不純物を含むゲート領域層と、
前記第2半導体層から前記第1半導体層に達するように設けられる電位固定層と、
前記ゲート領域層と前記ドレイン領域層との間において、前記ゲート領域層から分離するように設けられた第1導電型不純物を含む第3半導体層と、を備える横型接合型電界効果トランジスタ。 - 前記電位固定層と前記第3半導体層とは、同電位に設定される、請求項1に記載の横型接合型電界効果トランジスタ。
- 前記第3半導体層は、第1導電型不純物を含む第1不純物領域層と、この第1不純物領域層に接し前記第2半導体層の不純物濃度よりも高い濃度の第1導電型不純物を含む第2不純物領域層と、を有する請求項1または2に記載の横型接合型電界効果トランジスタ。
- 前記半導体基板は、SiC基板である、請求項1から3のいずれかに記載の横型接合型電界効果トランジスタ。
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