JP2007128896A - 電界放出装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、カーボンナノチューブ配列を利用する電界放出装置及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明にかかるカーボンナノチューブ配列を利用する電界放出装置の製造方法は、触媒層が形成された基板を提供する段階と、該基板に第二端部及び第一端部を有するカーボンナノチューブ配列を成長させる段階と、粘着層が形成された陰極ベースを提供する段階と、前記カーボンナノチューブ配列の前記第一端部を前記粘着層に埋める段階と、前記粘着層を固化して加工する段階と、前記基板を除去して前記カーボンナノチューブ配列の前記第二端部を露出させる段階と、を含む。本発明は前記製造方法により得られるカーボンナノチューブ配列を利用する電界放出装置を提供する。
【選択図】図５
【解決手段】本発明にかかるカーボンナノチューブ配列を利用する電界放出装置の製造方法は、触媒層が形成された基板を提供する段階と、該基板に第二端部及び第一端部を有するカーボンナノチューブ配列を成長させる段階と、粘着層が形成された陰極ベースを提供する段階と、前記カーボンナノチューブ配列の前記第一端部を前記粘着層に埋める段階と、前記粘着層を固化して加工する段階と、前記基板を除去して前記カーボンナノチューブ配列の前記第二端部を露出させる段階と、を含む。本発明は前記製造方法により得られるカーボンナノチューブ配列を利用する電界放出装置を提供する。
【選択図】図５
Description
本発明は、電界放出装置に関し、特にカーボンナノチューブを利用する電界放出装置の製造方法に関する。
非特許文献１を参照すると、カーボンナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎ Ｎａｎｏｔｕｂｅ， ＣＮＴ）は、新型のカーボン材料であり、日本の研究員飯島によって１９９１年に発見された。カーボンナノチューブは理想的な一次元構造を有し、優れた力学特性、電気特性、熱学特性などを有するので、材料科学、化学、物理などの科学分野、例えば、フィールドエミッタ（ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｔｔｅｒ）を応用した平面ディスプレイ、単一電子デバイス（ｓｉｎｇｌｅ−ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｄｅｖｉｃｅ）、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ， ＡＦＭ）のチップ、熱センサー、光センサー、フィルターなどに広く応用されている。従って、カーボンナノチューブの成長制御を可能にし、製造の低コストを実現することは、カーボンナノチューブの応用の推進に強く有利である。
代表的なカーボンナノチューブを利用する電界放出装置は、陰極ベースと、該ベースに形成されエミッタ材料であるカーボンナノチューブ層と、を含む。従来技術として、前記カーボンナノチューブ層を形成する方法は、直接成長法（例えば、化学気相堆積法（ＣＶＤ法））及びスクリーン印刷法（Ｓｃｒｅｅｎ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ Ｍｅｔｈｏｄｅ）がある。
「Ｈｅｌｉｃａｌ Ｍｉｃｒｏｔｕｂｕｌｅｓ ｏｆ Ｇｒａｐｈｉｔｉｃ Ｃａｒｂｏｎ」、Ｎａｔｕｒｅ、Ｓ．Ｉｉｊｉｍａ、１９９１年、第３５４巻、第２２０ページ
「Ｈｅｌｉｃａｌ Ｍｉｃｒｏｔｕｂｕｌｅｓ ｏｆ Ｇｒａｐｈｉｔｉｃ Ｃａｒｂｏｎ」、Ｎａｔｕｒｅ、Ｓ．Ｉｉｊｉｍａ、１９９１年、第３５４巻、第２２０ページ
前記直接成長法は、表面に触媒が形成された陰極ベースを提供する段階と、カーボンを含むガスを導入する段階と、ＣＶＤ法で前記陰極ベースにカーボンナノチューブ層を成長させる段階と、を含む。前記カーボンナノチューブ層は複数のカーボンナノチューブを含み、各カーボンナノチューブの端部がエミッタチップとして機能することができる。しかし、図８に示すように、前記複数のカーボンナノチューブの端部はもつれ合って分布しているので、電界放出の電流が不均一になる課題がある。
前記スクリーン印刷法は、カーボンナノチューブをランダムにペーストに混入する段階と、前記カーボンナノチューブが混入されたペーストを陰極ベースに塗布する段階と、前記ペーストを前記陰極ベースに固める段階と、を含む。しかし、図９に示すように、前記カーボンナノチューブが不規則に前記ペーストに混入されるので、カーボンナノチューブの端部が多方向を向いて、電界放出の電流が不均一になる課題もある。
従って、均一な電流が形成されるカーボンナノチューブを利用する電界放出装置を提供することが必要となる。
本発明によるカーボンナノチューブ配列を利用する電界放出装置の製造方法は、触媒層が形成された基板を提供する段階と、該基板に第二端部及び第一端部を有するカーボンナノチューブ配列を成長させる段階と、粘着層が形成された陰極ベースを提供する段階と、前記カーボンナノチューブ配列の前記第一端部を前記粘着層に埋める段階と、前記粘着層を固化して加工する段階と、前記基板を除去して前記カーボンナノチューブ配列の前記第二端部を露出させる段階と、を含む。
前記基板は外力で引き抜かれ、又はエッチング法で除去されることができる。
レーザーで前記カーボンナノチューブ配列の前記第二端部に残る触媒を除去することが好ましい。
本発明に係るカーボンナノチューブ配列を利用する電界放出装置は、陰極ベースと、該陰極ベースに形成された粘着層と、第二端部及び第一端部を有し、第一端部が前記粘着層に埋められるカーボンナノチューブ配列と、を含む。ここで、前記粘着層及び前記陰極ベースは少なくとも一方が電気的伝導材料からなる。前記粘着層が絶縁材料からなる場合、前記カーボンナノチューブ配列の前記第二端部は前記粘着層を貫通して前記陰極ベースに接触される。
従来の技術と比べてると、本発明に係るカーボンナノチューブ配列を利用する電界放出の製造方法により、均一に電子を放出する電界放出装置を製造することができる。
図面１乃至図６を参照して、本発明に係るカーボンナノチューブを利用する電界放出装置について詳しく説明する。
図１に示すように、基板１０には触媒１２が形成され、該触媒１２にはカーボンナノチューブ配列２０が成長される。前記カーボンナノチューブ配列２０は、それぞれ前記基板１０に垂直で、相互に平行する複数のカーボンナノチューブからなる。前記各カーボンナノチューブは第一端部と、該第一端部の反対側に位置する第二端部と、を有する。前記複数のカーボンナノチューブの第一端部は前記カーボンナノチューブ配列２０の第一端部２２に構成され、それらの第二端部は前記カーボンナノチューブ配列２０の第二端部２４に構成される。前記カーボンナノチューブ配列２０の第二端部２４は全て前記触媒１２に連接し、前記カーボンナノチューブ配列２０の第一端部２２は前記触媒１２からなる方向に向けて成長される。一般に、前記カーボンナノチューブ配列２０の第二端部２４は前記触媒１２に埋められるので、前記第二端部２４は前記第一端部２２より均一に配列される。
本実施形態において、前記カーボンナノチューブ配列２０は、例えばＣＶＤ法で成長される。次に、二つの実施例により、前記カーボンナノチューブ配列２０の成長工程について説明する。
（実施例１）
まず、基板１０を準備する。前記基板１０は、シリコンシート、又は表面にＳｉＯＸ膜が塗布されるシリコンシートである。前記基板１０に成長されるカーボンナノチューブの第二端部が同一の平面に成長されるために、前記基板１０は化学又は機械研磨工程によって平滑度が１マイクロメートル以下程度に加工されることが好ましい。次に、スパッターで前記基板１０の表面に触媒膜を形成する。該触媒膜の厚さは数ナノメートル乃至数百ナノメートルレベルにされる。該触媒は、鉄、コバルト、ニッケル又はその合金からなる。前記触媒膜が形成された前記基板１０を３００℃〜４００℃で１０時間焼鈍した後、前記基板１０にはナノレベルの触媒粒子が形成される。次に、前記触媒粒子が形成された前記基板１０を反応容器に設置して、該反応容器に保護ガスを導入して５００℃〜７００℃まで加熱する。ここで、前記保護ガスはアルゴン、窒素、水素、アンモニアなどの不活性ガスを利用しても良い。最後に、前記反応容器にカーボンを含むガスを導入して、ＣＶＤ法で前記基板１０にカーボンナノチューブ配列を成長させる。ここで、前記カーボンを含むガスは、例えばメタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）などの炭化水素であっても良い。前記カーボンを含むガスの流量は３０ｓｃｃｍ（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｃｕｂｉｃ Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ ｐｅｒ Ｍｉｎｕｔｅ，ｓｃｃｍ）、前記保護ガスの流量は３００ｓｃｃｍに設定される。
まず、基板１０を準備する。前記基板１０は、シリコンシート、又は表面にＳｉＯＸ膜が塗布されるシリコンシートである。前記基板１０に成長されるカーボンナノチューブの第二端部が同一の平面に成長されるために、前記基板１０は化学又は機械研磨工程によって平滑度が１マイクロメートル以下程度に加工されることが好ましい。次に、スパッターで前記基板１０の表面に触媒膜を形成する。該触媒膜の厚さは数ナノメートル乃至数百ナノメートルレベルにされる。該触媒は、鉄、コバルト、ニッケル又はその合金からなる。前記触媒膜が形成された前記基板１０を３００℃〜４００℃で１０時間焼鈍した後、前記基板１０にはナノレベルの触媒粒子が形成される。次に、前記触媒粒子が形成された前記基板１０を反応容器に設置して、該反応容器に保護ガスを導入して５００℃〜７００℃まで加熱する。ここで、前記保護ガスはアルゴン、窒素、水素、アンモニアなどの不活性ガスを利用しても良い。最後に、前記反応容器にカーボンを含むガスを導入して、ＣＶＤ法で前記基板１０にカーボンナノチューブ配列を成長させる。ここで、前記カーボンを含むガスは、例えばメタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）などの炭化水素であっても良い。前記カーボンを含むガスの流量は３０ｓｃｃｍ（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｃｕｂｉｃ Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ ｐｅｒ Ｍｉｎｕｔｅ，ｓｃｃｍ）、前記保護ガスの流量は３００ｓｃｃｍに設定される。
（実施例２）
まず、基板１０を準備する。前記基板１０は、多孔性シリコンからなる。前記基板１０に成長されるカーボンナノチューブの第二端部が同一の平面に成長されるために、前記基板１０は化学又は機械研磨工程によって平滑度が１マイクロメートル以下程度に加工されることが好ましい。次に、電子線堆積法で前記基板１０の表面に触媒膜を形成する。前記触媒膜が形成された前記基板１０を３００℃で１２時間焼鈍しをした後、前記基板１０にはナノレベルの触媒粒子が形成される。次に、前記触媒粒子が形成された前記基板１０を反応容器に設置して、該反応容器に保護ガス（例えばアルゴン）を導入して６９０℃〜７１０℃まで加熱する。最後、前記反応容器にカーボンを含むガスを導入して、ＣＶＤ法で前記基板１０にカーボンナノチューブ配列を成長させる。ここで、前記カーボンを含むガスは、例えばエチレンである。前記カーボンを含むガスの流量は１４０ｓｃｃｍ（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｃｕｂｉｃ Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ ｐｅｒ Ｍｉｎｕｔｅ，ｓｃｃｍ）、前記保護ガスの流量は２６０ｓｃｃｍに設定される。
まず、基板１０を準備する。前記基板１０は、多孔性シリコンからなる。前記基板１０に成長されるカーボンナノチューブの第二端部が同一の平面に成長されるために、前記基板１０は化学又は機械研磨工程によって平滑度が１マイクロメートル以下程度に加工されることが好ましい。次に、電子線堆積法で前記基板１０の表面に触媒膜を形成する。前記触媒膜が形成された前記基板１０を３００℃で１２時間焼鈍しをした後、前記基板１０にはナノレベルの触媒粒子が形成される。次に、前記触媒粒子が形成された前記基板１０を反応容器に設置して、該反応容器に保護ガス（例えばアルゴン）を導入して６９０℃〜７１０℃まで加熱する。最後、前記反応容器にカーボンを含むガスを導入して、ＣＶＤ法で前記基板１０にカーボンナノチューブ配列を成長させる。ここで、前記カーボンを含むガスは、例えばエチレンである。前記カーボンを含むガスの流量は１４０ｓｃｃｍ（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｃｕｂｉｃ Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ ｐｅｒ Ｍｉｎｕｔｅ，ｓｃｃｍ）、前記保護ガスの流量は２６０ｓｃｃｍに設定される。
次に、本発明に係るカーボンナノチューブを利用する電界放出装置について説明する。まず、図２を参照すると、陰極ベース３０に粘着層３２を形成する。前記陰極ベース３０は例えばセラミック、ガラス、酸化ケイ素のような絶縁材料、又は金属やシリコンなどの導電材料からなる。前記粘着層３２は銀などの金属導電材料、又は他の絶縁材料からなる。前記粘着層３２は粘度が５〜２００ｃｐｓ（センチポアズ）の粘着材料が利用されることが好ましい。前記粘着層３２はスクリーン印刷法で前記陰極ベース３０に形成されることができる。
本実施例において、前記陰極ベース３０はガラスからなり、その表面に透明な電気伝導層である粘着層３２が形成される。前記粘着層３２はテルピネオール、エチル・セルロース、金属粉末、ガラス粉末が混合して形成されるものである。本実施例において、前記金属粉末は銀の粉末である。
次に、カーボンナノチューブ配列２０の第一端部２２を前記粘着層３２に埋める。前記粘着層３２が電気伝導材料からなる場合を図３に示す。まず、触媒層１２が形成された基板１０を陰極ベース３０と対向させて、前記カーボンナノチューブ配列２０を前記粘着層３２に向けるように設置する。前記第一端部２２を前記粘着層３２に接触させ、前記基板１０に外力を印加して、前記第一端部２２を前記粘着層３２に埋める状態になる。
図４を参照すると、前記粘着層３２が絶縁材料からなる場合、前記カーボンナノチューブ配列２０の第一端部２２は前記粘着層３２を貫通して前記陰極ベース３０に接触される。ここで、前記陰極ベースは電気伝導材料からなる。図４に示すように、前記カーボンナノチューブ配列２０において、より長いカーボンナノチューブは前記陰極ベース３０に接触して湾曲される。
次に、前記粘着層３２を固め、前記カーボンナノチューブ配列２０と前記陰極ベース３０とを密接させる。図５を参照すると、前記粘着層３２と前記カーボンナノチューブ配列２０の第一端部２２とを接触させた後、固化装置４０を利用して４００℃〜５００℃で前記粘着層３２を固める（固化された粘着層３２は粘着層３２０と番号を付け直す）。この結果、前記カーボンナノチューブ配列２０の第一端部２２は前記粘着層３２０に固定される。
最後に、図６を参照すると、前記触媒層１２と前記基板１０とを併せて除去して前記カーボンナノチューブ配列２０の第二端部２４を露出させて、電界放出装置１００が得られる。前記基板１０及び前記触媒１２を化学エッチング法で、又は外力で抜き引いて除去することができる。また、カーボンナノチューブ配列２０の安定性を高めるために、レーザーで前記カーボンナノチューブ配列２０の第二端部２４に残る触媒を除去する。
前記電界放出装置１００は、前記粘着層３２０が形成された陰極ベース３０と、カーボンナノチューブ配列２０と、を含む。前記カーボンナノチューブ配列２０は第一端部２２と、第二端部２４と、を有する。前記カーボンナノチューブ配列２０と前記陰極ベース３０とを電気的に接続させるために、前記第一端部２２を前記粘着層３２０に埋めるように設置する。前記第二端部２４は前記陰極ベース３０から露出され、エミッタとして機能する。
代わりに、前記基板１０及び前記触媒１２はエッチング法で前記カーボンナノチューブ配列２０から除去することができる。
図７は前記電界放出装置１００からの放出電流の分布を示す図である。図８及び図９は、それぞれ従来技術であるＣＶＤ法及びスクリーン印刷でカーボンナノチューブ配列が成長される電界放出装置からの放出電流の配布を示す図である。図７と図８及び図９とを比べて参照すると、前記電界放出装置１００からの放出電流の配布はより均一に形成される。これは前記電界放出装置１００のカーボンナノチューブ配列２０が均一に成長することが原因である。
１０ 基板
１２ 触媒
２０ カーボンナノチューブ配列
２２ 第一端部
２４ 第二端部
３０ 陰極ベース
３２、３２０ 粘着層
１２ 触媒
２０ カーボンナノチューブ配列
２２ 第一端部
２４ 第二端部
３０ 陰極ベース
３２、３２０ 粘着層
Claims (4)
- 触媒層が形成された基板を提供する段階と、
該基板に第二端部及び第一端部を有するカーボンナノチューブ配列を成長させる段階と、
粘着層が形成された陰極ベースを提供する段階と、
前記カーボンナノチューブ配列の前記第一端部を前記粘着層に埋める段階と、
前記粘着層を固化して加工する段階と、
前記基板を除去して前記カーボンナノチューブ配列の前記第二端部を露出させる段階と、
を含むことを特徴とするカーボンナノチューブ配列を利用する電界放出装置の製造方法。 - 前記基板は外力で引き抜かれ、又はエッチング法で除去されることを特徴とする、請求項１に記載のカーボンナノチューブ配列を利用する電界放出装置の製造方法。
- レーザーで前記カーボンナノチューブ配列の前記第二端部に残る触媒を除去することを特徴とする、請求項１に記載のカーボンナノチューブ配列を利用する電界放出装置の製造方法。
- 陰極ベースと、
該陰極ベースに形成された粘着層と、
第二端部及び第一端部を有し、第一端部が前記粘着層に埋められるカーボンナノチューブ配列と、を含み、
前記粘着層及び前記陰極ベースは少なくとも一方が電気的伝導材料からなり、
前記粘着層が絶縁材料からなる場合、前記カーボンナノチューブ配列の前記第二端部は前記粘着層を貫通して前記陰極ベースに接触されることを特徴とするカーボンナノチューブ配列を利用する電界放出装置。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011509510A (ja) * | 2008-01-11 | 2011-03-24 | ライトラブ・スウェーデン・エービー | 電界放射ディスプレイ |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8951632B2 (en) | 2007-01-03 | 2015-02-10 | Applied Nanostructured Solutions, Llc | CNT-infused carbon fiber materials and process therefor |
| US8951631B2 (en) | 2007-01-03 | 2015-02-10 | Applied Nanostructured Solutions, Llc | CNT-infused metal fiber materials and process therefor |
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| WO2009101664A1 (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Fujitsu Limited | 半導体装置の製造方法 |
| KR100922399B1 (ko) * | 2008-02-29 | 2009-10-19 | 고려대학교 산학협력단 | 전자방출원, 이를 적용한 전자장치 및 전자방출원의제조방법 |
| CN101626674B (zh) * | 2008-07-11 | 2015-07-01 | 清华大学 | 散热结构及其制备方法 |
| US20100021736A1 (en) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | Slinker Keith A | Interface-infused nanotube interconnect |
| CN101712468B (zh) * | 2008-09-30 | 2014-08-20 | 清华大学 | 碳纳米管复合材料及其制备方法 |
| CN102333906B (zh) * | 2009-02-27 | 2015-03-11 | 应用纳米结构方案公司 | 使用气体预热法的低温cnt生长 |
| US20100227134A1 (en) | 2009-03-03 | 2010-09-09 | Lockheed Martin Corporation | Method for the prevention of nanoparticle agglomeration at high temperatures |
| US20100260998A1 (en) * | 2009-04-10 | 2010-10-14 | Lockheed Martin Corporation | Fiber sizing comprising nanoparticles |
| CN102421704A (zh) * | 2009-04-30 | 2012-04-18 | 应用纳米结构方案公司 | 用于碳纳米管合成的紧密接近催化的方法和系统 |
| US8969225B2 (en) | 2009-08-03 | 2015-03-03 | Applied Nano Structured Soultions, LLC | Incorporation of nanoparticles in composite fibers |
| IN2012DN03346A (ja) * | 2009-09-18 | 2015-10-23 | Univ Akron | |
| DE102010013359A1 (de) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Substrat mit Kohlenstoffnanoröhrchen, Verwendung dazu und Verfahren zur Übertragung von Kohlenstoffnanoröhrchen |
| CN101880035A (zh) | 2010-06-29 | 2010-11-10 | 清华大学 | 碳纳米管结构 |
| FR2962590B1 (fr) * | 2010-07-09 | 2013-05-17 | Thales Sa | Cathode froide emettrice d'electrons a pointes renversees |
| US8784937B2 (en) | 2010-09-14 | 2014-07-22 | Applied Nanostructured Solutions, Llc | Glass substrates having carbon nanotubes grown thereon and methods for production thereof |
| US8815341B2 (en) | 2010-09-22 | 2014-08-26 | Applied Nanostructured Solutions, Llc | Carbon fiber substrates having carbon nanotubes grown thereon and processes for production thereof |
| CN103187217B (zh) | 2011-12-27 | 2015-11-25 | 清华大学 | 碳纳米管发射体 |
| CN103487140B (zh) * | 2012-06-12 | 2015-07-29 | 清华大学 | 光强分布的测量方法 |
| CN103487143B (zh) * | 2012-06-12 | 2015-07-29 | 清华大学 | 光强分布的检测系统 |
| US9241115B2 (en) * | 2012-06-26 | 2016-01-19 | Raytheon Company | Infrared scene projector |
| CN103515170B (zh) * | 2012-06-28 | 2016-04-27 | 清华大学 | 碳纳米管场发射体的制备方法 |
| US8471132B1 (en) * | 2012-10-01 | 2013-06-25 | Tsinghua University | Method for measuring intensity distribution of light |
| US10734166B2 (en) * | 2013-03-15 | 2020-08-04 | Zapgo Ltd | Structure for electric energy storage using carbon nanotubes |
| US10546698B2 (en) | 2013-03-15 | 2020-01-28 | Zapgo Ltd | Structure for electric energy storage using carbon nanotubes |
| US10800658B2 (en) | 2015-03-31 | 2020-10-13 | Lintec Of America, Inc. | Laminated body |
| JP6704229B2 (ja) | 2015-09-14 | 2020-06-03 | リンテック オブ アメリカ インコーポレーテッドＬｉｎｔｅｃ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ， Ｉｎｃ． | 柔軟性シート、熱伝導部材、導電性部材、帯電防止部材、発熱体、電磁波遮蔽体、及び柔軟性シートの製造方法 |
| JP6419362B1 (ja) | 2016-06-10 | 2018-11-07 | リンテック オブ アメリカ インコーポレーテッドＬｉｎｔｅｃ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ， Ｉｎｃ． | ナノファイバーシート |
| US10248015B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-02 | Raytheon Company | Dynamic blackbody scene display |
| US10590539B2 (en) | 2017-02-24 | 2020-03-17 | Lintec Of America, Inc. | Nanofiber thermal interface material |
| CN108735561B (zh) * | 2017-04-14 | 2020-02-07 | 北京师范大学 | 高场发射电流密度碳纳米管阵列冷阴极及其制备方法 |
| CN112242279B (zh) * | 2019-07-16 | 2022-03-18 | 清华大学 | 碳纳米管场发射体及其制备方法 |
| CN112242276B (zh) | 2019-07-16 | 2022-03-22 | 清华大学 | 场发射中和器 |
| CN112242280B (zh) * | 2019-07-16 | 2022-03-22 | 清华大学 | 碳纳米管场发射体及其制备方法 |
| CN114171359B (zh) * | 2021-12-06 | 2023-06-23 | 国家纳米科学中心 | 一种碳纳米管冷阴极电子源及其对位焊接方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000223005A (ja) * | 1999-01-25 | 2000-08-11 | Lucent Technol Inc | カ―ボンナノチュ―ブを含む物を製造するための方法および切り取られたカ―ボンナノチュ―ブを含むデバイス |
| JP2001146409A (ja) * | 1999-10-11 | 2001-05-29 | Cheol Jin Lee | 炭素ナノチューブのチップオープン方法及び精製方法 |
| JP2002206169A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-26 | Toshiba Corp | カーボンナノチューブ接合体およびその製造方法 |
| JP2004127737A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Hitachi Zosen Corp | カーボンナノチューブ導電性材料およびその製造方法 |
| JP2004140288A (ja) * | 2002-10-21 | 2004-05-13 | Nishizumi Hiroshi | 電極、電極製造装置、電極の製造方法、及び熱発電装置 |
| JP2004281388A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-10-07 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 電界放出型冷陰極の製造方法 |
| JP2004284938A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-14 | Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi | 炭素ナノチューブの製造方法 |
| JP2004338982A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 先端開口配向性カーボンナノチューブ膜の製造方法 |
| JP2005097003A (ja) * | 2000-05-31 | 2005-04-14 | Nec Corp | カーボンナノチューブの固着方法 |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4439178A (en) | 1982-12-30 | 1984-03-27 | International Business Machines Corporation | Sealless centrifuge processing channel and tube system |
| US5622652A (en) * | 1995-06-07 | 1997-04-22 | Img Group Limited | Electrically-conductive liquid for directly printing an electrical circuit component onto a substrate, and a method for making such a liquid |
| US6183714B1 (en) | 1995-09-08 | 2001-02-06 | Rice University | Method of making ropes of single-wall carbon nanotubes |
| KR100365444B1 (ko) * | 1996-09-18 | 2004-01-24 | 가부시끼가이샤 도시바 | 진공마이크로장치와이를이용한화상표시장치 |
| JP3658194B2 (ja) | 1998-07-10 | 2005-06-08 | キヤノン株式会社 | リング共振器型レーザ |
| US6232706B1 (en) | 1998-11-12 | 2001-05-15 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Self-oriented bundles of carbon nanotubes and method of making same |
| US6827979B2 (en) | 1999-01-07 | 2004-12-07 | Northwestern University | Methods utilizing scanning probe microscope tips and products therefor or produced thereby |
| US6250984B1 (en) * | 1999-01-25 | 2001-06-26 | Agere Systems Guardian Corp. | Article comprising enhanced nanotube emitter structure and process for fabricating article |
| US6312303B1 (en) | 1999-07-19 | 2001-11-06 | Si Diamond Technology, Inc. | Alignment of carbon nanotubes |
| JP3913442B2 (ja) | 1999-12-02 | 2007-05-09 | 株式会社リコー | カーボンナノチューブ及びその作製方法、電子放出源 |
| US6590322B2 (en) | 2000-01-07 | 2003-07-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Low gate current field emitter cell and array with vertical thin-film-edge emitter |
| KR100763890B1 (ko) | 2001-08-06 | 2007-10-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | Ｃｎｔ를 적용한 전계방출표시소자의 제조방법 |
| JP2003286017A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-07 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 配向性カーボンナノチューブ膜の転写方法 |
| US7233101B2 (en) | 2002-12-31 | 2007-06-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate-supported array having steerable nanowires elements use in electron emitting devices |
| CN1290763C (zh) * | 2002-11-29 | 2006-12-20 | 清华大学 | 一种生产碳纳米管的方法 |
| CN1286715C (zh) * | 2002-12-21 | 2006-11-29 | 清华大学 | 一种碳纳米管阵列结构及其生长方法 |
| WO2004063091A1 (ja) * | 2003-01-09 | 2004-07-29 | Sony Corporation | 筒状炭素分子の製造方法および筒状炭素分子、記録装置の製造方法および記録装置、電界電子放出素子の製造方法および電界電子放出素子、ならびに表示装置の製造方法および表示装置 |
| JP2004241295A (ja) | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Hitachi Zosen Corp | カーボンナノチューブを用いた電子放出素子用電極材料およびその製造方法 |
| US7150801B2 (en) * | 2003-02-26 | 2006-12-19 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Process for producing cold field-emission cathodes |
| CN100345239C (zh) * | 2003-03-26 | 2007-10-24 | 清华大学 | 碳纳米管场发射显示装置的制备方法 |
| CN100437876C (zh) * | 2003-03-27 | 2008-11-26 | 清华大学 | 一种场发射元件 |
| CN100405519C (zh) * | 2003-03-27 | 2008-07-23 | 清华大学 | 一种场发射元件的制备方法 |
| JP2005129406A (ja) | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Hitachi Zosen Corp | カーボンナノチューブの転写方法 |
| CN1293649C (zh) * | 2004-01-08 | 2007-01-03 | 西安交通大学 | 一种用于场发射显示器阴极的大面积碳纳米管薄膜制备方法 |
| US7118440B2 (en) * | 2004-01-09 | 2006-10-10 | Teco Nanotech Co., Ltd. | Spray with carbon nanotubes and method to spray the same |
| JP2005286653A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像表示方法、画像表示装置及び画像表示プログラム |
| JP2006008473A (ja) | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 配向性カーボンナノチューブのパターン化された柱形状集合体および電界放出型冷陰極の製造方法 |
| KR20060047144A (ko) * | 2004-11-15 | 2006-05-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 카본나노튜브, 이를 포함한 전자 방출원 및 이를 구비한전자 방출 소자 |
-
2005
- 2005-11-04 CN CN2005101010251A patent/CN1959896B/zh active Active
-
2006
- 2006-07-21 US US11/490,810 patent/US7811149B2/en active Active
- 2006-11-06 JP JP2006300841A patent/JP4773317B2/ja active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000223005A (ja) * | 1999-01-25 | 2000-08-11 | Lucent Technol Inc | カ―ボンナノチュ―ブを含む物を製造するための方法および切り取られたカ―ボンナノチュ―ブを含むデバイス |
| JP2001146409A (ja) * | 1999-10-11 | 2001-05-29 | Cheol Jin Lee | 炭素ナノチューブのチップオープン方法及び精製方法 |
| JP2005097003A (ja) * | 2000-05-31 | 2005-04-14 | Nec Corp | カーボンナノチューブの固着方法 |
| JP2002206169A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-26 | Toshiba Corp | カーボンナノチューブ接合体およびその製造方法 |
| JP2004127737A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Hitachi Zosen Corp | カーボンナノチューブ導電性材料およびその製造方法 |
| JP2004140288A (ja) * | 2002-10-21 | 2004-05-13 | Nishizumi Hiroshi | 電極、電極製造装置、電極の製造方法、及び熱発電装置 |
| JP2004281388A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-10-07 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 電界放出型冷陰極の製造方法 |
| JP2004284938A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-14 | Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi | 炭素ナノチューブの製造方法 |
| JP2004338982A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 先端開口配向性カーボンナノチューブ膜の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011509510A (ja) * | 2008-01-11 | 2011-03-24 | ライトラブ・スウェーデン・エービー | 電界放射ディスプレイ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7811149B2 (en) | 2010-10-12 |
| CN1959896A (zh) | 2007-05-09 |
| US20070103048A1 (en) | 2007-05-10 |
| CN1959896B (zh) | 2011-03-30 |
| JP4773317B2 (ja) | 2011-09-14 |
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