JP2002206169A - カーボンナノチューブ接合体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基盤に対して、密着性が高いカーボンナノチ
ューブ接合体の提供。 【解決手段】 対向電極１３によって電界が形成され、
メタンガスが充填された領域中に、 Ｎｉ表面層を有す
る成長用基板１２と支持基板１とを対向配置し、成長し
たカーボンナノファイバー１２の先端に存在するＮｉ粒
子４が成長用基板１２に接触するまでカーボンナノチュ
ーブ２を成長させることで、カーボンナノチューブを支
持基板１に接合した後、成長用基板を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、カーボンナノチュ
ーブ接合体およびカーボンナノチューブ接合体の製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】直径が数ｎｍ程度のカーボンナノチュー
ブは、水素吸蔵機能を有する材料として、あるいは電解
放出型ディスプレイに用いられるエミッタ材料などの電
極材料として近年大きく注目されている。

【０００３】例えばエミッタ材料としてカーボンナノチ
ューブを使用した場合、一定面積のエミッタ形成部に複
数のカーボンナノチューブを配置される。カーボンナノ
チューブはその直径が極めて小さいために、その先端に
電解が集中しやすく効率よく電子を放出することが可能
である。

【０００４】従来、カーボンナノチューブを基板表面に
形成する場合、Ｎｉ粒子などの触媒粒子からカーボンナ
ノチューブを成長し、このカーボンナノチューブを一度
回収してペースト化した後基板の上にペーストを印刷す
る方法、または、Ｎｉなどの触媒粒子を含有する基板を
用い、直流プラズマＣＶＤにより直接この基板から垂直
方向に成長させる方法等がとられている。

【０００５】しかしながら、ペースト状にする方法で
は、カーボンナノチューブが電界方向に対してランダム
に配置されてしまうため、電子線の放出効率が悪いとい
う問題があった。また、基板表面に配置されるカーボン
ナノチューブの密度を高めることが困難であるという問
題があった。

【０００６】また、直流プラズマＣＶＤを用いる方法に
おいては、高密度に成長されたカーボンナノチューブの
方向を揃えることが可能であるが、この方法で得られる
カーボンナノチューブは最先端部に触媒であるＮｉ粒子
が存在するため、電子線の放出効率が悪いという問題が
あった。

【０００７】さらに、プラズマＣＶＤによって成長され
たカーボンナノチューブは基板上に堆積されているのみ
であることから、基板に対する密着性が悪く、製造過程
におけるハンドリングや、長時間の安定性が悪いという
問題もあった。

【０００８】これらの理由により、従来の技術では、高
効率で、長時間にわたって安定して電子線を放出し続け
る構造が作れないという問題があった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、基板
上にカーボンナノチューブを配置した場合、基板に対す
る密着性が低いという問題があった。

【００１０】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、基板に対し密着性が高く支持
されたカーボンナノチューブ接合体およびその製造方法
を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明のカーボンナノチ
ューブ接合体の製造方法は、カーボンナノチューブの成
長作用を持つ金属触媒を含有する成長用基板と接合面を
有する支持基板とを対向配置し、前記成長用基板および
前記支持基板間に電界を印加しながら前記成長用基板お
よび前記支持基板間に前記カーボンナノチューブの原料
ガスを導入して前記成長用基板表面から前記カーボンナ
ノチューブを前記支持基板に接触するまで成長させるこ
とで、前記カーボンナノチューブを前記支持基板に接合
し、前記成長用基板を除去することを特徴とする。

【００１２】前記成長用基板および前記支持基板の少な
くとも一方に所定の電位を供給して前記電界を形成する
ことも可能である。

【００１３】本発明のカーボンナノチューブ接合体は、
支持基板と、この支持基板表面に形成され、複数のカー
ボンナノチューブからなるカーボンナノチューブ層を有
するカーボンナノチューブ接合体において、前記支持基
板は接合面を有し、前記カーボンナノチューブのそれぞ
れの一端は、カーボンナノチューブ成長作用を持つ金属
触媒粒子を介して前記支持基板の接合面に接合してお
り、かつ、前記カーボンナノチューブのそれぞれの他端
は、前記支持基板からの距離が実質的に同一であること
を特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】図１に本発明のカーボンナノチュ
ーブ接合体の概略図を、図２にその製造工程を示す。

【００１５】本発明のカーボンナノチューブ接合体は、
Ａｇ−Ｃｕ層などの平坦な接合面３を表面に有する支持
基板１の任意の領域に無数のカーボンナノチューブ２が
接合面から垂直方向に向かって形成されてカーボンナノ
チューブ層５が形成されている。

【００１６】カーボンナノチューブは、それぞれＮｉな
どのカーボンナノチューブ成長作用を有する金属元素か
らなる触媒粒子（以下、触媒粒子と呼ぶ）４を一端に有
しており、この触媒粒子を介して接合面に接合されてい
る。また、無数のカーボンナノチューブの他端は、支持
基板１から等距離の位置まで成長されており、他端によ
って平坦な面が形成されている。

【００１７】このようなカーボンナノチューブ接合体の
製造工程の一例を図２を参照して説明する。

【００１８】密閉容器１１を備える装置１０内には、Ａ
ｇ−Ｃｕ合金層表面を持つ支持基板１と、平坦なＮｉ表
面層を持つ成長用基板１２とが１μｍ〜１００μｍ程度
の間隙をもって対向配置されている。また、装置１０内
は、支持基板１および成長用基板１２間に電界が形成さ
れるように、直流電源１４が接続された一対の対向電極
１３が配置されている。密閉容器としては、石英などの
化学的に安定で反応性の低い材料のものを使用すればよ
い。（図２（ａ））。

【００１９】密閉容器１１内を５００℃〜９００℃程度
の温度範囲に加熱した状態で、この密閉容器１１内にメ
タンガスなどのカーボンナノチューブ原料ガスを導入す
ると、Ｎｉを触媒粒子４として原料ガスが分解されカー
ボンナノチューブ２を成長させる。この時カーボンナノ
チューブ２は、触媒粒子４を押し上げる形で、成長用基
板１２と触媒粒子４との間に成長する。また、触媒粒子
は電界方向に移動するため、各カーボンナノチューブ２
は略均一速度で平行に成長する（図２（ｂ））。

【００２０】さらに、燃料ガスを導入しつづけると、カ
ーボンナノチューブ２は成長し続け、やがてカーボンナ
ノチューブ２の先端にある触媒粒子４は支持基板１に接
触する。支持基板表面のＡｇ−Ｃｕ合金はカーボンナノ
チューブを成長させるための加熱により溶融しているた
め、この触媒粒子４はＡｇ−Ｃｕ合金によって支持基板
１表面にろう付け、すなわち接合される（図２
（ｃ））。

【００２１】この触媒粒子４が支持基板１に接触した後
に原料ガスの導入を停止し、支持基板１および成長用基
板１２を密閉容器１１から取り出し、両者を離間させる
と、図１に示すように支持基板１表面に触媒粒子４を介
してカーボンナノチューブ２が接合された接合体が得ら
れる。

【００２２】なお、カーボンナノチューブおよび触媒粒
子４間は接合力が強く、また触媒粒子４は支持基板にろ
う付けされているため、カーボンナノチューブと支持基
板との接合力を得ることができている。一方、カーボン
ナノチューブ２は、成長用基板１２表面には単に堆積し
ているに過ぎず両者間の接合力は極めて小さい。そのた
め、カーボンナノチューブ２を挟んで対向配置されてい
る支持基板１および成長用基板１２を離間すると、成長
用基板１２表面に成長したカーボンナノチューブ２は支
持基板へと転写され、その結果図１に示すようなカーボ
ンナノチューブ接合体が得られる。

【００２３】成長用触媒表面に成長したカーボンナノチ
ューブは、比較的均一な長さに成長するものの、各カー
ボンナノチューブの長さを厳密に均一にすることは極め
て困難であり、少なくとも２０％程度の長さのばらつき
が生じる。そのため、成長用基板表面に成長したカーボ
ンナノチューブ膜をそのまま表示用電子管などのエミッ
タ材料として使用すると、陽極と各カーボンナノチュー
ブの先端部の位置にばらつきが生じるため、素子毎の電
子放出特性にばらつきが生じる。しかしながら、上述し
た方法で得られたカーボンナノチューブ接合体は、カー
ボンナノチューブの先端部が接合用基板表面に準じた位
置となるので、支持基板表面から各カーボンナノチュー
ブの先端部までの距離はより均一なものとなり、エミッ
タ材として使用した際の素子毎の電子放出特性を均一に
することができる。

【００２４】本発明に係る支持基板は表面に接合面を有
するものであり、基体表面に接合層を形成した基板、あ
るいは接合性の良好な材料で形成された基板を使用する
ことができる。

【００２５】接合面は、カーボンナノチューブの合成温
度域において溶融し、あるいはカーボンナノチューブの
合成温度域において触媒粒子と反応して溶融し、室温ま
で冷却した際に固体化することで触媒粒子を基板に接合
できるものであれば特に限定されるものではない。たと
えば金属やガラスなどを使用することができるが、接合
体を電極などとして使用することを考えると、接合面は
導電性を有する金属を使用することが好ましい。例えば
Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｍｇなどは比較的融点が低く
接合面に使用する材料として適しているが、より、接合
性を高めることを考慮すると、Ａｇ−Ｃｕ系合金、ある
いはＡｌ−Ｓｉ系合金など、いわゆるろう材として使用
される合金を用いることが好ましい。

【００２６】接合層を支持する基体を用いる場合、基体
材料はカーボンナノチューブの合成温度に絶えられる耐
熱性を有するものであれば、特に限定されることなく、
例えばＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＭｇＯやガラス材など所望
の材料を選択することができる。また、基体表面に接合
層を形成する方法は、物理的蒸着法、化学的蒸着法、ペ
ースト法や、金属粒子の液相からの沈降法など、特に制
限されることなく採用できる。

【００２７】本発明に係る成長用基板は、カーボンナノ
チューブを成長させる作用を持つ元素を含有するものを
使用する。

【００２８】カーボンナノチューブを成長させる作用を
持つ触媒としては、例えばＮｉ、ＦｅあるいはＣｏなど
既知の金属元素が挙げられる。

【００２９】成長用基板は少なくともその表面に、これ
らの金属あるいはこれらの金属を含む合金が存在するも
のである。これらの金属あるいは合金は、基板表面全面
に存在していても良いし、粒子状物で基体表面に担持し
た基板を使用しても良い。また、初期状態では前述した
金属元素の酸化物であり、密閉容器中で還元された結
果、基板表面に金属触媒粒子を析出させても良い。また
基板表面に金属触媒層を形成して金属触媒粒子に代える
こともできる。この場合、カーボンナノチューブが成長
しやすくなるために凸状の成長部位を加工形成しておく
ことが望ましい。

【００３０】基体上に触媒を層形成、あるいは担持させ
る方法としては，例えば物理的、あるいは化学的な蒸着
方法、ペースト法、液相からの沈殿法などを挙げること
ができる。

【００３１】カーボンナノチューブ接合体を電界放射型
ディスプレイなどのエミッタとして使用する場合、エミ
ッタが形成されるべき領域のみにカーボンナノチューブ
膜を形成する必要がある。このような場合、例えば、基
体表面に触媒によって形成される膜をマスク材などを使
用して所望のエミッタ形状に形成することで、触媒の形
状と同形状のカーボンナノチューブ膜とすることができ
る。

【００３２】また、支持基板あるいは成長用基板として
メッシュ形状のものを使用することができる。例えば、
基体としてメッシュ形状のものを使用し、このメッシュ
状の基体表面に接合層や、触媒元素を含有する層を形成
したものを使用することができる。メッシュを形成する
繊維密度を調整することで、基板表面に形成されるカー
ボンナノチューブの密度を調整することができる。

【００３３】支持基板と成長用基板との両基板間の間隔
は、基本的に得られるカーボンナノチューブ層の膜厚と
なる。したがってカーボンナノチューブ接合体の使用用
途に応じて基板間の間隔を設定すればよい。

【００３４】ただし、その間隔は１μｍ〜１００μｍ程
度に設定することが望ましい。間隔が１μｍよりも小さ
いと、基板間隔を所望の値に保持することが困難であ
る。一方、１００μｍよりも長いカーボンナノチューブ
を製造することが技術的に困難なため、基板間隔が１０
０μｍよりも大きいとカーボンナノチューブが支持基板
に接触せず、カーボンナノチューブ接合体が得られなく
なる恐れがある。また、カーボンナノチューブ接合体を
エミッタとして使用する際には、基板間隔を１μｍ〜５
０μｍ程度とし、１μｍ〜５０μｍ程度のカーボンナノ
チューブ層を形成すればよい。

【００３５】本発明に係るカーボンナノチューブは、前
述した触媒に原料ガスを接触させることで成長する。

【００３６】カーボンナノチューブは、グラファイトの
ｃ面で構成された円筒形状をした炭素材料であり、その
直径が通常数ｎｍ〜数百ｎｍ程度のものを指す。

【００３７】原料ガスとしては、通常メタンガスなどの
炭化水素ガスや、一酸化炭素ガスなどの炭素含有ガスが
使用される。また、必要に応じこの炭素含有ガスと水素
ガスとの混合ガスとして使用しても良い。

【００３８】この原料ガスを前述の触媒と接触させるこ
とで、触媒表面で原料ガスの分解が起こり炭素を析出し
てカーボンナノチューブを成長させる。この分解反応は
通常加熱雰囲気下で生じ、例えば、５００℃〜９００℃
の加熱雰囲気下で成長させることが好ましい。加熱温度
が９００℃よりも高いと、炭素の熱分解が激しくなり、
カーボンナノチューブの径が粗大化したり、場合によっ
てはチューブ状のカーボンが析出しなくなる恐れがあ
る。加熱温度が５００℃よりも低いと触媒によって原料
ガスを分解できなくなる恐れが有り、ひいてはカーボン
ナノチューブを析出できなくなる恐れがある。さらに、
加熱温度が５００℃よりも低いと、支持基板表面の接合
面が溶融せず、触媒粒子と支持基板との接合が不十分に
なる恐れがある。

【００３９】また、支持基板と成長用基板との間にプラ
ズマを形成し、炭素の析出速度を制御することも可能で
ある。

【００４０】したがって、前述の密閉容器を有する装置
としては、いわゆる熱ＣＶＤ装置、あるいはプラズマＣ
ＶＤ装置を使用すればよい。

【００４１】原料ガスの導入量は、原料ガスの種類によ
って多少異なるが、通常１０ｍｌ／ｍｉｎ〜１０００ｍ
ｌ／ｍｉｎ程度で導入すればよい。導入量が１０ｍｌ／
ｍｉｎよりも少ないと、カーボンナノチューブの成長速
度が遅くなり量産性が低下する。導入量が１０００ｍｌ
／ｍｉｎよりも多くても、得られるカーボンナノチュー
ブの成長量は殆ど変わらず、原料ガスに対するカーボン
ナノチューブの成長効率が低下する。

【００４２】基板間の間隔の制御は、例えば、基板間に
所望の間隔と同粒径の適当な粒子を挟み、これをスペー
サーとすることで、簡単に制御することができる。

【００４３】また、基板間に形成される電界強度として
は、５００Ｖ／ｍ〜１ｋＶ／ｍ程度とすれば、通常成長
する各カーボンナノファイバーが基板面と垂直方向に成
長すると共に、均一長さに成長する。

【００４４】図３は、カーボンナノチューブ接合体の製
造装置の変形例を示す一例である。

【００４５】図３に示す装置はプラズマＣＶＤ装置であ
り、直流電源４に、交流電源３１およびマッチングボッ
クス３２とを直列に接続し、密閉容器１１内をプラズマ
状態にすることができるようになっている。

【００４６】また、図１の装置においては一対の対向電
極間に支持基板１および成長用基板を配置したが、図３
の装置においては成長用基板１２に直接電源を接続し
て、成長用基板１２を電極として使用し、成長用基板１
２と対向電極１３とによって電界を形成している。成長
用基板１２が導電性材料である場合このように支持基板
を電極として使用できるし、また同様に支持基板１が導
電性材料の場合支持基板１を電極として使用することも
可能である。

【００４７】

【実施例】実施例１ 図３に示すようなプラズマＣＶＤ装置を用い、以下のよ
うにしてカーボンナノチューブ接合体を作製した。

【００４８】膜厚１ｍｍのガラス基体表面に１μｍ厚の
Ｎｉ薄膜を形成し、成長用基板を作製した。また５０μ
ｍピッチのメッシュ状のＣｕ基板からなる支持基板を準
備した。成長用基板と支持基板との間にスペーサーとし
ての直径５μｍのアルミナ製微粒子を挟み、５μｍの間
隙を設けて両基板を平行に固定した。

【００４９】このようにして重ねられた両基板を密閉容
器中に配置した。なお支持基板は直流電源と接続し、負
極として兼用した。また、支持基板は正極に対して平行
で、正極と支持基板との間が１０μｍとなるように、支
持基板および成長用基板とを配置した。

【００５０】密閉容器内を減圧した後、メタンガスと窒
素ガスの混合ガス（モル比で１：１）を５０ｍｌ／ｍｉ
ｎで導入し、さらに容器内に２０ｍＡ／ｃｍ²のプラズ
マを発生させると共に、正極および支持基板（負極）間
に２００Ｖの電圧をかけることで、成長用基板表面から
カーボンナノチューブを成長させた。なお、成長中の支
持基板の温度が８００℃となるように、支持基板にヒー
ターを配置して加熱を行った。

【００５１】カーボンナノチューブを成長させ始めてか
ら３０分経過後に交流、直流量電源を切り、また原料ガ
スの導入を止め、カーボンナノチューブの成長を終了し
た。

【００５２】密閉容器から支持基板および成長用基板を
取り出し視認したところ、カーボンナノチューブは支持
基板に接するまで成長していた。

【００５３】さらに支持基板および成長用基板を離間し
たところ、カーボンナノチューブは成長用基板から剥離
し、支持基板に転写された。すなわち、支持基板表面に
カーボンナノチューブを接合した接合体を得た。

【００５４】得られた接合体を陰極とし、接合体のカー
ボンナノチューブ層が形成された側に接合体と平行に間
隙を空けて陽極を配置した。

【００５５】接合体と陽極との間に電圧を印加し、電子
線の放出特性を評価したところ、１ｍＡ／ｃｍ²のエミ
ッション電流が、４．５Ｖ／μｍの電界で得られた。こ
の条件で１０時間連続して電子を放出しつづけることが
できた。

【００５６】また、カーボンナノチューブが接合された
支持基板を水中に浸漬し、超音波の振動を加え、カーボ
ンナノチューブと支持基板との接合性を調べたがカーボ
ンナノチューブの支持基板からの剥離は認められなかっ
た。

【００５７】比較例１ 支持基板を使用しないことを除き、実施例１と同様にし
て成長用基板表面にカーボンナノチューブを成長させ
た。

【００５８】カーボンナノチューブが形成された成長用
基板を陰極として用いたことを除き、実施例１と同様に
して電子放出特性を評価したところ、１ｍＡ／ｃｍ²の
エミッション電流が、７Ｖ／μｍの電界で得られた。こ
の条件で５時間以上連続して電子を放出しつづけること
はできなかった。

【００５９】また、実施例１と同様にして、カーボンナ
ノチューブと成長用基板との接合性を調べたところ、成
長用基板から剥離したカーボンナノチューブが飛散して
しまった。

【００６０】実施例２ 図２に示すような熱ＣＶＤ装置を用い、以下のようにし
てカーボンナノチューブ接合体を作製した。

【００６１】膜厚１ｍｍのガラス基体表面に１μｍ厚の
Ｎｉ薄膜を形成し、成長用基板を作製した。膜厚１ｍｍ
のＭｏ製の基体表面に１μｍ厚のＡｇ−Ｃｕ薄膜を形成
し、成長用基板を作製した。成長用基板と支持基板との
間にスペーサーとしての直径５μｍのアルミナ製微粒子
を挟み、５μｍの間隙を設けて両基板を平行に固定し
た。このようにして重ねられた両基板を密閉容器中に配
置した。なお、熱ＣＶＤ装置の正極と負極とは５ｍｍの
間隔を空けて平行に配置されており、両基板も正極およ
び負極と平行に配置した。

【００６２】密閉容器内を１０^-3ｔｏｒｒ台まで減圧し
た後、メタンガスと水素ガスとの混合ガス（モル比で
１：１）を５００ｍｌ／ｍｉｎ導入し、また、密閉容器
の周囲にヒーターを配置し、密閉容器内の温度が８００
℃となるように、加熱した。さらに正極および負極との
間に１００Ｖの電圧を印加し、成長用基板表面にカーボ
ンナノチューブを成長させた。

【００６３】カーボンナノチューブを成長させ始めてか
ら１５分経過後に、ヒーターでの加熱を停止すると共
に、原料ガスの導入を止め、カーボンナノチューブの成
長を終了した。

【００６４】密閉容器から支持基板および成長用基板を
取り出し視認したところ、カーボンナノチューブは支持
基板に接するまで成長していた。

【００６５】さらに支持基板および成長用基板を離間し
たところ、カーボンナノチューブは成長用基板から剥離
し、支持基板に転写された。すなわち、支持基板表面に
カーボンナノチューブを接合した接合体を得た。

【００６６】以降、実施例１と同様にして電子放出特性
を調べたところ、１ｍＡ／ｃｍ²のエミッション電流
が、４Ｖ／μｍの電界で得られた。この条件で１０時間
以上連続して電子を放出しつづけることができた。

【００６７】また、実施例１と同様にしてカーボンナノ
チューブと支持基板との接合性を調べたが、カーボンナ
ノチューブの剥離は観察されなかった。

【００６８】

【発明の効果】上述したように、本発明によれば、基板
に対し密着性高く支持されたカーボンナノチューブ接合
体を提供することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明のカーボンナノチューブ接合体の概略
断面図。

【図２】 カーボンナノチューブ接合体の製造方法の一
例を示す図。

【図３】 カーボンナノチューブ接合体の製造装置を示
す図。

【符号の説明】

１…支持基板 ２…カーボンナノチューブ接合体 ３…接合層 ４…触媒粒子 ５…カーボンナノチューブ層 １０…カーボンナノチューブ接合体の製造装置 １１…密閉容器 １２…成長用基板 １３…対向電極 １４…直流電源 ３１…交流電源 ３２…マッチングボックス

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｂ８２Ｂ 1/00 Ｂ８２Ｂ 3/00 3/00 Ｈ０１Ｊ 1/30 Ｆ (72)発明者 五戸 康広 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 元井 雄一 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 Ｆターム(参考） 4G046 CA02 CB01 CB09 CC06 CC08 4K030 AA09 AA18 BA27 CA06 FA03 FA10 HA04 LA00

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】カーボンナノチューブの成長作用を持つ金
   属触媒を含有する成長用基板と接合面を有する支持基板
   とを対向配置し、 前記成長用基板および前記支持基板間に電界を印加しな
   がら前記成長用基板および前記支持基板間に前記カーボ
   ンナノチューブの原料ガスを導入して前記成長用基板表
   面から前記カーボンナノチューブを前記支持基板に接触
   するまで成長させることで、前記カーボンナノチューブ
   を前記支持基板に接合し、 前記成長用基板を除去することを特徴とするカーボンナ
   ノチューブ接合体の製造方法。
2. 【請求項２】前記成長用基板および前記支持基板の少な
   くとも一方に所定の電位を供給して前記電界を形成する
   ことを特徴とする請求項１記載のカーボンナノチューブ
   接合体の製造方法。
3. 【請求項３】支持基板と、この支持基板表面に形成さ
   れ、複数のカーボンナノチューブからなるカーボンナノ
   チューブ層を有するカーボンナノチューブ接合体におい
   て、 前記支持基板は接合面を有し、前記カーボンナノチュー
   ブのそれぞれの一端は、前記カーボンナノチューブの成
   長作用を持つ金属触媒粒子を介して前記支持基板の接合
   面に接合しており、かつ、前記カーボンナノチューブの
   それぞれの他端は、前記支持基板からの距離が実質的に
   同一であることを特徴とするカーボンナノチューブ接合
   体。