JP2005503273A - カンチレバーおよびカーボンナノワイヤのチップ上において、触媒によって引き起こされるカーボンナノチューブの成長 - Google Patents
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Abstract
ナノワイヤ、カンチレバー、導電性のマイクロ/ナノメートルの構造体、ウェハなどのチップの上に、触媒によって引き起こされるカーボンナノチューブ、ナノファイバ、および他のナノ構造体を成長させる方法について記述する。この方法は、走査型プローブ顕微鏡(AFM、EFMなど)の性能を大幅に向上させることができる、カーボンナノチューブを固定したカンチレバーの製造に用いることができる。本発明は、カーボンナノチューブ/ファイバを用いたマイクロおよび/またはナノ製造の他の多くの工程にも用いることができる。本発明の重要な構成要素には、(1)金属触媒の適切な選択、ならびに正確に基板のチップの位置での望ましい特定の触媒のプログラマブルなパルス式電解析出、(2)触媒を堆積させたチップでの触媒によって引き起こされるカーボンナノチューブ/ファイバの成長、(3)チップの形および成長条件の操作によるカーボンナノチューブ/ファイバの成長パターンの制御、(4)大量生産のための自動化が含まれる。
Description
【技術分野】
【0001】
連邦政府の助成に関する記載
米国政府は、米国エネルギー省とUT−Battelle、LLCの間の契約番号DE−AC05−00OR22725に従って、本発明に対し権利を有する。
【0002】
技術分野
本発明は、カーボンナノ構造体、およびそれを成長させる方法に関し、より詳細には、触媒ドットに付着させたカーボンナノ構造体、および触媒によって引き起こされる、カーボンナノ構造体を特にカンチレバー、ナノワイヤ、ウェハ、導電性マイクロ/ナノ構造体などのチップ上に成長させる方法に関する。
【背景技術】
【0003】
プログラマブルなナノメートルスケールの金属の電解析出および電解消耗
先に参照した従来の発明は、好ましい周囲温度および好ましい中性のpHにおいて、電界に従ったプログラマブルなパルス式の金属の電解析出または消耗により、液体中でナノ構造体をナノメートルスケールで析出および/または消耗させることについて記載している。
【0004】
プログラマブルな短い(ns〜msの時間スケールの)パルス直流電源を適用して、電解による金属還元析出工程によって析出される原子の数を制御する。下記の水溶性のヘキサクロロ白金酸塩を用いたカソードでの白金析出反応に示すように、供給される電子の数によって金属白金の形成を制御することができる。電解析出では、電流および電流の持続時間によって電子の数を制御することができる。
【0005】
[PtCl6]2-+4e-→Pt↓+6Cl-
適用可能であることが分かっている他の水溶性金属化合物には、それだけには限らないが、以下のものが含まれる。PtCl4、OsCl3、Na2[PtCl6]、Na2[OsCl6]、(NH4)2RuCl6、K3RuCl6、Na2PdCl6、Na2IrCl6、(NH4)3IrCl6、(NH4)3RhCl6、K2PdCl4、(NH4)2PdCl4、Pd(NH3)4Cl2、ReCl3、NiCl2、CoCl2、PtO2、PtCl2、Pt(NH3)4Cl2、(NH4)6Mo7O24、NaAuCl4、KAu(CN)2、K2[PtCl4]、およびK3Fe(CN)6。2種類以上の水溶性金属化合物の組み合わせを、逐次または同時に用いることができる。
【0006】
図1に示すように、プログラマブル電流源18を用いて、所望のナノメートルスケールの金属の電解析出を達成するために使用される電子の数を正確に制御する。非導電性基板10は、ナノワイヤおよびナノ電極とも呼ばれるナノメートルサイズの電極(カソード12およびアノード14)を支持している。電極は通常は金からなるが、他の金属または導電性材料とすることができる。1〜10μmの範囲であるナノ電極のチップ13、15の間隔により、多くの用途に適した結果がもたらされる。
【0007】
あらかじめ選択した金属16を、カソード12のチップ上に析出させる。金属16は通常Ptであるが、電解によって析出可能な任意の金属とすることができる。パルスを発生させることができるプログラマブル電流源18は、それぞれナノ電極12、14への電気的接続20、22を有する。バイパスセレクタスイッチ26および可変抵抗28を含む、バイパス回路24が示されている。
【0008】
ナノ電極12、14は、使用に適した微細な大きさの構造体(ナノ構造体)のサブセットである。電極として働くナノ構造体は、様々な大きさおよび形のものとすることができる。2つのナノ構造体の間隔は50μm、好ましくは20μm、より好ましくは10μm、最も好ましくは5μmを超えるべきではない。
【0009】
パルスを発生させることができるプログラマブル電流源18は、任意の適切な構造のものとすることができる。Keithley Model 220 プログラマブル電流源、または最新のソースメータのKeithley Model 2400シリーズ(Keithley Instruments Inc.、28775 Aurora Road、Cleveland、Ohaio 44139、またはインターネット上のwww.keithley.comより入手可能)は、最低でも1パルスあたり約9400個の電子を供給することが既に可能であり[500fA×3ms×電子/(1.60×10-19C)]、これは析出反応の化学量論に基づき、1パルスあたり2350個の白金原子が析出することに相当する。この量の白金が10nm×10nmの断面積を有するナノワイヤの末端に析出するとすれば、1パルスあたり2350個の白金原子は、1パルスあたり約1nmの金属(2.6層の白金原子)が堆積することに相当する。パルスを可能なプログラマブル電流源18は、1パルスあたり金属原子約1500個という正確なナノメートルの金属析出または消耗を達成することができるように工程を制御できるべきである。好ましい範囲は、1パルスあたり原子1500×1014個であると考えられるが、この範囲を超えてもこの方法が十分に有効であることが当業者には理解されよう。
【0010】
達成可能な析出または消耗(原子のモノレイヤーまたはサブモノレイヤーの追加または除去)をさらに正確に制御できるように、電子の流れを微調整するためのバイパス回路24を加えることが好ましい。1パルスごとに析出または消耗される金属原子を少なくするために、バイパス回路24を用いて一部の電流をナノ電極12、14からそらす。例えば、可変抵抗28のインピーダンスを、2つのナノ電極12、14の間のインピーダンスの50%に調整すると、バイパス回路24を通して1パルスあたり9400個の電子の3分の2を流出させることができる。この場合、金属の電解析出を、1パルスあたり白金原子780個(電子3130個)という正確なステップに制御することが可能であり、これは、カソードのナノ電極12のチップの10×10nmの表面に0.87層の白金原子16が堆積することに相当する。バイパス回路24を通ってさらに多くの割合の電流が流れるようにすると、1パルスあたり100個という正確な金属16の原子の析出を制御することが可能になる。このきわめて微細に制御された析出の好ましい範囲は、1パルスあたり原子100〜2500個であると考えられるが、この超微細な析出範囲を超えてもこの方法が十分に有効であることが当業者には理解されよう。
【0011】
バイパス回路24はまた、特にナノメートルの構造体が乾燥しているとき、構造体を静電気による損傷から保護することもできる。例えば、図1に示すように所望のプログラマブルな金属の電解析出が達成された後、パルスを発生させるプログラマブル電流源は取り外すことができるが、バイパス回路24はナノ構造体12および14に接続したままにすべきである。バイパス回路がナノ構造体12および14に接続されたままである限り、ナノ構造体の洗浄および乾燥中に生じる恐れがある静電荷が、この場合は閉スイッチ26、可変抵抗28、ならびにスイッチ26および可変抵抗28をナノ構造体12、14に接続するワイヤを含む、バイパス回路24を通って流れることができる。これは、いずれか一方の電極にもう一方の電極と比べて静電荷が蓄積することを防ぎ、したがって、ナノ電極12、14のチップ13、15の間のナノメートルのギャップに静電気による損傷が生じる可能性がなくなる。
【0012】
特別なナノ構造の配置を用いて、ナノメートルの結合の(1つまたは複数の)開始点を制御することができる。ナノワイヤ電極の特別な構造的配置を、様々なリソグラフィ技術(例えばフォトリソグラフィ、および電子ビームリソグラフィ)によって作成して、金属の電解析出の(1つまたは複数の)開始点を制御することができる。図2に示すように、複数のナノワイヤのカソード12、12’は、それぞれのチップ13、13’がナノワイヤのアノード14の各チップ15、15’を向いているべきであり、その結果、それらの間に非常に強い電界が存在するようになる。次式のように電界(E)は距離(r)に強く依存するベクトルであるため、所望のカソードの位置に金属16、16’が確実に析出するように複数のナノワイヤのカソード12、12’の間隔を調整すべきである。
【0013】
E∝r-2
図3に示すように、電解による金属溶解反応を適用して金属を消耗させ、ナノメートルのギャップを開き、ギャップの大きさを制御する。電解基質としてヘキサクロロ白金酸塩ではなく塩化ナトリウム溶液を用いて、金属析出反応の逆反応を行うことにより、以下の反応に従って制御可能な方法で、(1つまたは複数の)アノードのチップ16の金属白金を溶解によって電解消耗させることができる。
【0014】
Pt+6Cl-→[PtCl6]2-+4e-
この金属溶解反応により、ナノ電極のチップ13、15のギャップの大きさも制御できるべきである。金属の電解消耗の位置および範囲も、電界の所望の極性を適切に選択し、かつ本明細書に記載するようにバイパス回路を伴うプログラマブル電流源を用いることによって制御することができる。
【0015】
上述した方法の顕著な特徴は、完全に、または部分的に、または任意の組み合わせで適用することができる。任意の数のナノ構造体を特定の基板上で同時に結合または溶解させることができる。
【0016】
金属析出では、金属を析出させるナノ構造体が金属でなくてもよい。この方法を用いて、例えばナノチューブ、特にカーボンナノチューブなど任意の導電性ナノワイヤを接続することができる。これらはナノメートルの金属の電解析出が可能であるからである。
【0017】
金属消耗では、ナノ金属のイオンがCl-でなくてもよい。この方法の代替版として、電解によって金属(Pt、Pd、Auなど)を溶解させることができるF-やCN-など任意のアニオンを用いることができる。
【0018】
カーボンナノチューブ/ファイバ、および触媒によって引き起こされる2次元表面上での成長
ナノ触媒をドープした2次元表面上で、垂直方向に整列した個々のかつ複数のカーボンナノチューブならびにファイバがパターン化されて成長することは実験的に証明されている。Merkulov、V.I.、D.H.Lowndes、Y.Y.Wei、G.Eres、E.Voelkl(2000)「Patterned growth of individual and multiple vertically−aligned carbon nanotubes」、Appl. Phys. Lett. 76、3555頁を参照のこと。
【0019】
カーボンナノチューブはいくつかの特有の性質を有し、そのうちのいくつかにより、カーボンナノチューブは走査型プローブ顕微鏡(SPM)のプローブチップとしての使用に最適なものになっている。第1に、単層カーボンナノチューブは本質的に小さい直径(〜1.4nm)を有するため、一般に少なくとも10〜20nmの直径を有する通常のSi、SiNまたは他のチップと比べて、横の解像度を大幅に向上させることができる。第2に、カーボンナノチューブはきわめて高いアスペクト比AR(AR=長さ/直径)を有するため、深く垂直に近い形状、特に通常のチップを用いて正確に再現することができない側壁の傾斜を有する形状を測定することが可能である。第3に、カーボンナノチューブは高い機械的強度および可撓性を示し、したがって、SPMではかなりよく起こるアクシデントであるサンプル表面への衝突の際にも破損しにくい。第4に、カーボンナノチューブには導電性のものもあり、それらを高解像度の走査型トンネル顕微鏡(STM)に用いることができる。最後に、カーボンナノチューブは、その末端に有機(またはその他の)分子を結合させることによって化学的に選択的修飾を施すことができるため、これらを目的とする特定の性質または分子を検出するための機能性プローブとして用いることが可能になる。
【0020】
多層カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブより直径がやや大きいが、程度の差はあっても同じ性質を多く共有している。単層カーボンナノチューブおよび多層カーボンナノチューブは、主にその直径および形態が異なる。単層カーボンナノチューブは、六角形の黒鉛結晶構造に配列した1原子分の厚さの炭素原子のシートが巻かれ、その端が(端の原子を重ねて)継ぎ目なく結合されて円筒を形成したものと考えることができる。多層カーボンナノチューブは、2つ以上のこうした同心円筒からなる。
【0021】
カーボンナノファイバは、カーボンナノチューブと近い関係にある。カーボンナノファイバは、主にその結晶の完全性の点で単層カーボンナノチューブおよび多層カーボンナノチューブと異なっている。すなわち、黒鉛状の格子が多くの構造的欠陥を含み、したがって異なる層(多層化されたファイバ)が互いを遮ることもあれば結合することもある(あるいは両タイプの欠陥が、ファイバの長さに沿って、またはその周辺の異なる位置に生じることもある)。これらの欠陥による影響の1つは、カーボンナノファイバの電気的特性がカーボンナノチューブほど良好ではないことである。カーボンナノファイバは、カーボンナノチューブよりやや低い温度で合成され、その低い成長温度が、これらの欠陥の原因の一部になる。しかし、我々は最近、カーボンナノファイバも走査プローブにとって興味深い、十分に小さい直径で成長させることが可能であることを実証した。さらに将来的には、例えば十分に低い温度での成長がオンボードの電子回路に適合するなど、低い成長温度が望ましい状況が生まれるかもしれない。
【0022】
走査プローブとしてのカーボンナノチューブの利点が、通常のSiチップの末端にカーボンナノチューブを配置することによって実証された。カーボンナノチューブは、光学的または走査型電子顕微鏡に電気的および機械的手段でチップに付着させ、あるいは触媒による細孔形成と共に通常の高温の化学気相成長(CVD)を用いてチップ上に直接成長させていた。しかし、これらの処理にはいくつかの不都合がある。すなわち、(a)カーボンナノチューブをまず高温で成長させて、分離し洗浄しある長さに切断しなければならないこと、(b)ほとんどの場合、ナノチューブのチップの長さを調整し、強く信頼性のある付着を得ることが困難であること、ならびに(c)これらのカーボンナノチューブについての複雑な操作が、産業用の環境または大量生産には非実用的であることである。Dai、H.、J.H.Hafner、A.G.Rinzler、D.T.Colbert、R.E.Smalley、Nature 384、147頁(1996);Nishijima、H.、S.Kamo、Seiji Akita、Y.Nakayama、K.I,Hohmura、S.H.Yoshimura、K.Takeyasu,(1999) Appl. Phys. Lett. 74、4061頁;およびHafner、J.H.、C.Li Cheung、C.M.Lieber(1999) Nature 398、761頁を参照のこと。
【非特許文献1】
Merkulov、V.I.、D.H.Lowndes、Y.Y.Wei、G.Eres、E.Voelkl(2000)「Patterned growth of individual and multiple vertically−aligned carbon nanotubes」、Appl. Phys. Lett .76、3555頁
【非特許文献2】
Dai、H.、J.H.Hafner、A.G.Rinzler、D.T.Colbert、R.E.Smalley、Nature 384、147頁(1996)
【非特許文献3】
Nishijima、H.、S.Kamo、Seiji Akita、Y.Nakayama、K.I,Hohmura、S.H.Yoshimura、K.Takeyasu,(1999) Appl. Phys. Lett. 74、4061頁
【非特許文献4】
Hafner、J.H.、C.Li Cheung、C.M.Lieber(1999) Nature 398、761頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0023】
したがって、本発明の目的は、特に走査プローブのチップとして使用するためのカーボンナノ構造体を製造する方法、ならびに、チップの重要なパラメータ(形、位置および長さ)および機械的にきわめて強力な基板への結合を正確に制御して、垂直方向を向いたカーボンナノ構造体を走査プローブのカンチレバー、ナノワイヤ、導電性マイクロ/ナノ構造体、ウェハ基板などのチップ上に直接成長させる方法を提供することを含む。本発明の他の目的は、本明細書に含まれる記載から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【0024】
本発明の一態様によれば、前述の目的および他の目的は、
a.基板を提供するステップと、
b.基板上に触媒ドットを堆積させるステップと、
c.触媒ドット上にカーボンナノ構造体を成長させるステップとを含むカーボンナノ構造体を成長させる方法によって達成される。
【0025】
本発明の別の態様によれば、付着性の金属ドットがその上に堆積された基板を含む製品であって、金属ドットの上にカーボンナノ構造体が堆積されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【0026】
本発明、ならびに他の目的、その利点および可能性についてさらによく理解するには、添付の図面と共に以下の開示および添付の特許請求の範囲を参照されたい。
【0027】
本発明の好ましい実施形態について以下に図面を参照して説明する。
【0028】
ナノワイヤおよび/または導電性カンチレバーのチップにカーボンナノ構造体を成長させるための金属触媒を堆積させるために、前述した従来の発明を本発明の重要なステップの1つに用いることができる。図4は、基板上に堆積したそのチップ45、少量(ドット)の触媒33、およびそこから延びるカーボンナノ構造体35を有する基本の導電性基板31を示している。基板31は、ナノワイヤ、カンチレバー、マイクロ/ナノメートルの構造体、ウェハ、または任意の材料でできた他の任意の適切な構造体とすることができる。触媒「ドット」33は、所定の位置で単一のカーボンナノ構造体の触媒作用による成長を引き起こすために必要な材料である。触媒ドット33は、単一金属からなる材料、金属材料、非金属材料、または所望のカーボンナノ構造体の成長をもたらす任意の材料とすることができる。
【0029】
本発明は、一般に(単層カーボンナノチューブと多層カーボンナノチューブの両方を含めた)カーボンナノチューブに対して、またカーボンナノファイバ、ニードル、ウィスカーなどに対しても適用される。したがって、ナノスケールのカーボンの構造体すべてを、以降では「カーボンナノ構造体」という包括的な一般用語を用いて呼ぶ。
【0030】
本発明を用いて、例えば原子間力顕微鏡(AFM)、走査型トンネル顕微鏡(STM)など、通常の走査型プローブ顕微鏡の性能(解像度など)を大幅に向上させることができる、カーボンナノ構造体に固定したカンチレバーを製造することが可能である。本発明を、カーボンナノ構造体を用いたマイクロおよび/またはナノ製造の他の多くの工程にも用いることができる。
【0031】
本発明のいくつかの特徴としては、
1.例えばCo、Ni、Feなど(1種または複数の)金属触媒の適切な選択、ならびに正確にナノワイヤおよび/または導電性カンチレバーのチップの位置での望ましい特定の触媒の好ましくはプログラマブルなパルス式電解析出
2.触媒によって堆積させたチップでの触媒によって引き起こされるカーボンナノ構造体の成長
3.チップの形および成長条件の操作によるカーボンナノ構造体の成長パターンの制御
4.大量生産のための自動化
がある。
【0032】
本発明のこれらの特徴および他の特徴を、以下に説明する。
【0033】
触媒ドットの堆積
触媒ドット33の堆積は、液体AFMシステムの使用と共に、前述の従来の発明を適用することによって実施することが好ましい。図5に示すように、例えばNiCl2、CoCl2、Fe2+など所望の触媒の電解析出に適した少なくとも1種の金属触媒化合物の溶液を、液体AFMセル39の中に加える。液体AFMシステムの場合、導電性のAFMカンチレバー31のチップ45を、上向きのナノワイヤまたは他のカンチレバー43のチップ47と一列に並べることができる。カソードのチップ45からアノードのチップ47までの間隔は、容易に制御することができる。次式のように電界(E)は距離(r)に強く依存するベクトルであるため、金属触媒ドット33がカソードの所望の位置に確実に堆積するようにチップ45、47の間隔を調整すべきである。
【0034】
E∝r-2
本発明を用いるとナノ電極のチップ45、47の間隔が1〜10μmの範囲となり、適切な結果がもたらされる。上述のようにプログラマブル電流源18およびバイパス回路24を用いて、2つのチップ45、47の両端に正確に制御された微細電流の短い(ns〜ms)パルスを印加することにより、金属触媒33の電解析出が達成される。きわめて微細に制御された析出に好ましい範囲は、1パルスあたり原子100〜2500個であると考えられるが、この超微細な堆積範囲を超えても本発明が十分に有効であることが当業者には理解されよう。析出は1パルスあたり原子100個という微細なものとすることができるため、以下のニッケル析出反応で例示するような、きわめて微細な所望のナノメートルの金属触媒の堆積を、正確にカソードのチップ45の位置で達成することが可能になる。
【0035】
NiCl2+2e-→Ni↓+2Cl-
緩衝層
緩衝層は一般に、複数の目的の少なくとも1つのために、ある基板上に堆積させた薄膜材料である。その目的には以下のものが含まれる。
【0036】
1.カーボンナノ構造体の成長に適切な触媒作用ができなくなる程度に有害な、触媒と基板材料の間の反応を防ぐ。例えば、カーボンナノ構造体の成長に必要な高い温度でのNi2Siの生成を防ぐため、Niの触媒ドットを堆積させる前に、Si基板上にTiの緩衝層を堆積させてもよい。
【0037】
2.触媒ドットの基板への付着性を高める。例えば、Niの基板への付着性を大幅に向上させるため、Niの触媒ドットを堆積させる前に、Si基板上にTiの緩衝層を堆積させてもよい。
【0038】
したがって、緩衝層の材料は触媒ドットと比較的反応しないものとすべきであり、また基板にかなりよく付着するべきである。緩衝層の膜は、例えば電子ビーム蒸着、熱蒸着、イオンビームスパッタリング、および電気析出を含めた、ただしそれだけには限らない、使用される特定の材料に適した任意の方法で堆積させることができる。シリコン基板およびニッケル触媒ドットに適した緩衝層の例には、タングステン、モリブデン、またはチタンの膜、あるいはタングステン−チタン合金の膜が含まれ、後者は、緩衝層をシリコン基板に強く付着させるが、緩衝層の成分を触媒ドットに対して比較的不活性にするためにチタンを使用する例を示すものである。例えば、図7a、7bの顕微鏡写真は、Si基板上のTi緩衝層上に堆積したNi触媒ドットを示している。
【0039】
触媒ドット上でのカーボンナノ構造体の成長
次に図6aを参照すると、触媒ドット33上で触媒によって引き起こされるカーボンナノ構造体35の成長のために、反応チャンバ51内に触媒ドット33を有する基板31が配置されている。反応チャンバ51は、カソード/ヒータ兼用板53、ならびにアノード板55を含む。カソード/ヒータ兼用板53に取り付けられたラック57が、複数の基板31を支持していることが好ましい。ラック57は導電性のものでもよく、あるいはカソード/ヒータ兼用板53と基板31の間に別々の電気的接続(図示せず)を有する非導電性のものでもよい。ナノ構造体35を所望の方向(下方)に成長しやすくするために、基板31はドット33を下向きにして示してある。
【0040】
次に図6bを参照すると、カーボンナノ構造体35の成長は一般に特定の触媒を必要とするため、カーボンナノ構造体35の成長を基板31のチップ上に位置する触媒ドット33でのみ起こすことが可能であり、その結果、示したような望ましい形状になる。カーボンナノ構造体の成長は、(それだけには限らないが)炭素系ガスとエッチャントの混合物(例えばアセチレンとアンモニア−ヘリウムの混合物)を用いたプラズマ化学気相成長(PE−CVD)によって実施することができる。
【0041】
実施例1
図7a〜dに示すように、カーボンナノ構造体を、前述のように真空チャンバ内でプラズマ化学気相成長(PE−CVD)によって触媒ドット上に成長させた。カーボンナノ構造体の成長に必要な高い温度(≧600℃)でSi基板上のNi/Tiドットをアニールした後、Ti層はSiに付着したままである。しかし、臨界ドットサイズ以上になると、最初は連続的なディスク形のNi触媒ドットが球状化して、図7aに明るい点として示されている、さらに小さい複数のほぼ半球形の「サブドット」に分かれた。各サブドットはその後、個々のカーボンナノ構造体が成長するための、基板の別々の位置を提供した。図7cは、複数のサブドットから延びる複数のカーボンナノ構造体を示している。この形状はある用途には望ましいが、他の用途には望ましくないことがある。
【0042】
図7bに示すように、臨界のドットサイズより小さいと、単一のNiドットのみが形成され、その結果、図7dに示すように単一のカーボンナノ構造体が得られた。臨界のドットサイズ、およびその結果得られるNiの小滴は、主に触媒と基板の間の緩衝層の選択、用いた触媒金属のタイプおよび厚さ、ならびにカーボンナノ構造体のアニーリング/成長の温度に依存していた。
【0043】
Si上のTi緩衝層上で最初の厚さが15nmのNi触媒膜を用いて、700℃で単一のカーボンナノ構造体を成長させる場合、臨界のドットサイズ(直径)は通常、約350nmである。完成したNiドットの直径は、最初に形成されたNiドットの約3分の1まで小さくなり、すなわち、上記の例では〜100nmになる。直径の変化は主に、プラズマ加熱工程中にNiドットが「球状化」し、一般には最初の平坦なディスク状の形に代わって半球状になるために起こる。この工程中にドットからNiがほとんどまたは全く失われないことが当業者には理解されよう。もしそうであれば、他の場所に再度堆積させるように制御することができず、そのためカーボンナノ構造体が所望の場所以外に成長することがある。
【0044】
さらに小さい触媒ドットを得ることも可能である。高解像度の走査型プローブ顕微鏡(SPM)ではできるだけ小さくすべきであるカーボンナノ構造体の直径が、一般に触媒ドットのサイズ(直径)に支配されるので、このことは重要である。最初に30nm以下の直径を有する触媒ドットを作成することにより(電子ビームリソグラフィ(EBL)を用いれば容易に可能である)、約1.4nmと小さい直径を有する単層カーボンナノチューブを含めて、10nm未満の直径を有するカーボンナノ構造体を成長させることが可能である。プログラマブルなパルスによる電解析出技術は、1パルスあたり約100原子という微細な析出を行うことが可能であり、きわめて微細な(ナノメートルの)触媒ドットを基板上に析出させることができる。こうした微細なナノメートルの触媒ドットを使用して、約1.4nmと小さい直径を有する単層カーボンナノチューブを含めて、10nm未満の直径を有するカーボンナノ構造体を成長させることができるべきである。しかし、これらのきわめて微細なカーボンナノチューブの成長には、おそらくより高い成長温度(900〜1000℃)が必要であろう。
【0045】
カーボンナノ構造体を成長させるには、反応チャンバ51内でガス源として、炭素系ガスとエッチャントの混合物(例えばアセチレンとアンモニア−ヘリウムの混合物)を用いる。エッチャント(基本的に水素原子源)は、プラズマ放電からカーボンナノ構造体を成長させる間に絶えず形成される、黒鉛状炭素の膜をエッチング除去するために必要である。そうしないと余分な望ましくない炭素が触媒金属が不動態化され、そのため、それを除去しなければカーボンナノ構造体の形成が妨げられる。
【0046】
熱フィラメントPE−CVDを用いて基板を間接的に加熱する通常の加熱技術を用いるのとは対照的に、本発明の方法では、プラズマ放電のカソードとしても働くことができるヒータ板53上に基板31を配置することにより、基板31を直接加熱する。この技術の利点は、大面積の堆積にスケールアップしやすいこと、ならびに基板の温度を制御しやすいことである。例えば、上述のように一連のカンチレバー31をドット33でパターン付けし、次いで図6bに示すように、ヒータ板53上に配置してきわめて均質なカーボンナノ構造体35をすべて同時に成長させる。カーボンナノ構造体35の長さは、PE−CVD工程の継続時間を制御することによって制御することができる。
【0047】
カーボンナノ構造体を成長させる直前に、チャンバ51内にアンモニアを導入し、プラズマを生成させる。例えば、dcグロー放電、高周波(rf)、マイクロ波など、エネルギーを生成する任意のプラズマを用いることができる。プラズマを発生させた後、アセチレンを導入し、カーボンナノ構造体35の成長を開始させる。ただし、例えばメタン、窒素および水素ガスなど、他の炭素系およびエッチャントのガスを用いることもできる。図7a〜dに示すように、触媒ドット33のそれぞれが単一のカーボンナノ構造体の形成を引き起こす。カーボンナノ構造体が成長し、触媒作用による継続的な成長が行われるとき、触媒ドット33はカーボンナノ構造体の上端に存在している。カーボンナノ構造体は通常、基板に垂直な方向を向く。それらが垂直に整列するメカニズムは十分に理解されていないが、1つの可能性は、それらがプラズマ放電の方向(電場の方向)に沿って整列することである。しかし、基板での放電の方向を変える(例えば、基板を傾斜させる、またはアノードを傾斜/移動させる)ことにより、カーボンナノ構造体を基板に対して異なる角度で成長させることができる。
【0048】
実施例2
上述の2ステップの工程を用いて、市販のSiNのコンタクトモードAFMのカンチレバー上に、単一のカーボンナノ構造体の配列を直接成長させることに成功した。
【0049】
平坦化されたチップ上でのカーボンナノ構造体の成長
上述したように、図4に示すように好ましくはまっすぐ下方を向いた、非常にとがったチップ45の上に触媒ドット33を堆積させて、下方へのカーボンナノ構造体の成長を達成することができる。上方へのカーボンナノ構造体の成長は、図8a、8bに示すように、平坦なチップ83を用いたわずかに異なる技術によって最もうまく達成される。ナノ構造体を成長させるための加熱工程中に、とがったチップ45を逆さにする(チップを上方に向ける)と、触媒ドット33はカンチレバー31の側面を滑り落ちる傾向を有することがあり、その結果、カーボンナノ構造体が横方向に成長する。ドット33がわずかにずれただけでも、望ましくない結果を生じることがある。図8a、8bに示すように、平坦なチップ83上の触媒ドット33が反転したカンチレバー31の側面を滑り落ちることはまずない。平坦なチップ83は、配置を行ってから触媒ドット33を堆積させる自動化されたシステムに特に適した構造になり得ると考えられる。
【0050】
触媒の助けによる、垂直に整列したカーボンナノチューブ/ファイバの成長についての詳しい情報は、Merkulov、V.I.、D.H.Lowndes、Y.Y.Wei、G.Eres、E.Voelkl(2000)「Patterned growth of individual and multiple vertically−aligned carbon nanotubes」、Appl. Phys. Lett. 76、3555頁に見られる。
【0051】
大量生産のための自動化
上述の方法はすべて、走査型プローブ顕微鏡および他の需要に向けてカーボンナノ構造体を大量生産するために自動化することが可能である。例えば、上述したプログラマブルな正確な析出技術によるチップ45、83での(一般に数百から数千個の触媒原子の大きさの範囲を有する)触媒ドット33の析出を、数マイクロ秒以内に完了させることができる。
【0052】
図9は、先に示したものと同様であるが、自動化のために追加された機能を有するシステムを示している。非導電性のラック61は、接点63が基板31に通電してその上に触媒ドット33を堆積させる位置へと(矢印の方向に)基板31をうまく移動させる。図9に示すような自動化された工程を用いることにより、基板31の大規模な配列をわずかの間に析出チャンバの内外に移動させることができる。自動化されたプログラマブルな電解析出法を用いて、触媒ドット33を1時間あたり3000チップを上回る速度で基板のチップ45、83の上に配置できることが企画されている。
【0053】
基板のチップ45、83の上、および図6a、6b、8a、8bに示す反応チャンバ51よりずっと大きいバッチ式の反応チャンバ内で触媒ドット33を大量生産した後、触媒が堆積した数千のチップ上での触媒の助けによるカーボンナノ構造体の成長を、1バッチあたり約15分以内で完了させることができる。したがって本発明は、大量生産および商業上の利用に非常に適している。
【0054】
本発明は、走査型プローブ顕微鏡(AFM、EFMなど)の技術における現在の技術の性能(例えば解像度など)を大幅に向上させることができる、カーボンナノ構造体のカンチレバーの製造に用いることができる。
【0055】
本発明はまた、一般にマイクロおよび/またはナノメートルの構造体の導電性チップ上にカーボンナノ構造体を制御して配置する必要がある、任意のデバイスのマイクロメートルおよび/またはナノメートル製造に有用である。例えば、本発明を用いると、マイクロ/ナノメートルのセンサ、および/または電気機械デバイスの開発に使用可能なカーボンナノ構造体を作成することができる。図10は、例えば電子ビームリソグラフィ技術により、対向する対のナノ電極(73、73’、73”と、それぞれ75、75’、75”)を非導電性(例えば酸化シリコン)の基板71の上にあらかじめ作製した例である。次いで上述のように、触媒ドット33、33’、33”をナノ電極のチップ73、73’、73”の上に堆積させる。次いで、基板71をPE−CVD反応チャンバ内に配置し、そこでカーボンナノ構造体35、35’、35”をそれぞれドット33、33’、33”の上に成長させる。
【0056】
固定されたカーボンナノ構造体に(図10に矢印で示す)静的または動的な機械的撓みが電気的に引き起こされる可能性があること、ならびにカーボンナノ構造体の調和的な振動共鳴を用いてフェムトグラムからピコグラムの大きさの範囲内で個々の粒子を秤量することができることが実証されている。
【0057】
図10に示すようなカーボンナノ構造体をベースとするデバイスを用いて、分子の爆発、化学反応、または他のマイクロスケールまたはナノスケールの事象81を検出することが可能であり、このことは、例えば空港や他の施設での安全上の用途など、重要な用途を有する可能性がある。
【0058】
さらに、カーボンナノ構造体をベースとするデバイスを用いて、例えばエアゾール、化学的および生物的兵器の成分などを検出することができる。
【0059】
上述の例は、新しい種類のマイクロ/ナノメートルのセンサーおよびデバイスを作製するために、本発明に従って作製されたカーボンナノ構造体を制御可能な状態で使用することを示すものである。
【0060】
現在のところ本発明の好ましい実施形態と考えられるものを示し説明してきたが、添付の特許請求の範囲によって定める本発明の範囲から逸脱することなく、様々な変更および修正を加えることが可能であることが当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【0061】
【図1】金のナノ構造体上での白金(Pt)の析出を示す図である。
【図2】複数の金のナノ構造体上での白金(Pt)の析出を示す図である。
【図3】金のナノ構造体からの白金(Pt)の消耗を示す図である。
【図4】本発明の一実施形態による触媒が先端に付いたカンチレバーに付着したカーボンナノ構造体を示す図である。
【図5】本発明の一実施形態による導電性カンチレバーのチップ上へのナノ触媒(触媒ドット)のプログラマブルな正確な電解析出を示す図である。
【図6a】本発明の一実施形態による反応チャンバ内でのカンチレバーチップ上の触媒ドットを示す図である。
【図6b】本発明の一実施形態による、触媒ドット上で触媒によって引き起こされる垂直に整列したカーボンナノ構造体の成長を示す図である。
【図7a−7d】本発明の一実施形態による触媒ドットの堆積、およびその上でのカーボンナノ構造体の成長を実験的に示すSEM顕微鏡写真である。
【図8a】本発明の一実施形態による、カーボンナノ構造体成長チャンバ内で重力の方向に反して上方を向いた、わずかに平坦化され触媒を堆積させたカンチレバーおよび/またはナノワイヤのチップの配列を示す図である。
【図8b】本発明の一実施形態による、触媒ドット上で触媒によって引き起こされる垂直に整列したカーボンナノ構造体の上方への成長を示す図である。
【図9】本発明の一実施形態による、導電性カンチレバーのチップ上に触媒ドットをプログラマブルに電解析出させるための自動化システムを示す図である。
【図10】本発明の一実施形態による、カーボンナノ構造体をベースとするマイクロメートル/ナノメートルの電気機械センサーおよびデバイスを示す図である。
【0001】
連邦政府の助成に関する記載
米国政府は、米国エネルギー省とUT−Battelle、LLCの間の契約番号DE−AC05−00OR22725に従って、本発明に対し権利を有する。
【0002】
技術分野
本発明は、カーボンナノ構造体、およびそれを成長させる方法に関し、より詳細には、触媒ドットに付着させたカーボンナノ構造体、および触媒によって引き起こされる、カーボンナノ構造体を特にカンチレバー、ナノワイヤ、ウェハ、導電性マイクロ/ナノ構造体などのチップ上に成長させる方法に関する。
【背景技術】
【0003】
プログラマブルなナノメートルスケールの金属の電解析出および電解消耗
先に参照した従来の発明は、好ましい周囲温度および好ましい中性のpHにおいて、電界に従ったプログラマブルなパルス式の金属の電解析出または消耗により、液体中でナノ構造体をナノメートルスケールで析出および/または消耗させることについて記載している。
【0004】
プログラマブルな短い(ns〜msの時間スケールの)パルス直流電源を適用して、電解による金属還元析出工程によって析出される原子の数を制御する。下記の水溶性のヘキサクロロ白金酸塩を用いたカソードでの白金析出反応に示すように、供給される電子の数によって金属白金の形成を制御することができる。電解析出では、電流および電流の持続時間によって電子の数を制御することができる。
【0005】
[PtCl6]2-+4e-→Pt↓+6Cl-
適用可能であることが分かっている他の水溶性金属化合物には、それだけには限らないが、以下のものが含まれる。PtCl4、OsCl3、Na2[PtCl6]、Na2[OsCl6]、(NH4)2RuCl6、K3RuCl6、Na2PdCl6、Na2IrCl6、(NH4)3IrCl6、(NH4)3RhCl6、K2PdCl4、(NH4)2PdCl4、Pd(NH3)4Cl2、ReCl3、NiCl2、CoCl2、PtO2、PtCl2、Pt(NH3)4Cl2、(NH4)6Mo7O24、NaAuCl4、KAu(CN)2、K2[PtCl4]、およびK3Fe(CN)6。2種類以上の水溶性金属化合物の組み合わせを、逐次または同時に用いることができる。
【0006】
図1に示すように、プログラマブル電流源18を用いて、所望のナノメートルスケールの金属の電解析出を達成するために使用される電子の数を正確に制御する。非導電性基板10は、ナノワイヤおよびナノ電極とも呼ばれるナノメートルサイズの電極(カソード12およびアノード14)を支持している。電極は通常は金からなるが、他の金属または導電性材料とすることができる。1〜10μmの範囲であるナノ電極のチップ13、15の間隔により、多くの用途に適した結果がもたらされる。
【0007】
あらかじめ選択した金属16を、カソード12のチップ上に析出させる。金属16は通常Ptであるが、電解によって析出可能な任意の金属とすることができる。パルスを発生させることができるプログラマブル電流源18は、それぞれナノ電極12、14への電気的接続20、22を有する。バイパスセレクタスイッチ26および可変抵抗28を含む、バイパス回路24が示されている。
【0008】
ナノ電極12、14は、使用に適した微細な大きさの構造体(ナノ構造体)のサブセットである。電極として働くナノ構造体は、様々な大きさおよび形のものとすることができる。2つのナノ構造体の間隔は50μm、好ましくは20μm、より好ましくは10μm、最も好ましくは5μmを超えるべきではない。
【0009】
パルスを発生させることができるプログラマブル電流源18は、任意の適切な構造のものとすることができる。Keithley Model 220 プログラマブル電流源、または最新のソースメータのKeithley Model 2400シリーズ(Keithley Instruments Inc.、28775 Aurora Road、Cleveland、Ohaio 44139、またはインターネット上のwww.keithley.comより入手可能)は、最低でも1パルスあたり約9400個の電子を供給することが既に可能であり[500fA×3ms×電子/(1.60×10-19C)]、これは析出反応の化学量論に基づき、1パルスあたり2350個の白金原子が析出することに相当する。この量の白金が10nm×10nmの断面積を有するナノワイヤの末端に析出するとすれば、1パルスあたり2350個の白金原子は、1パルスあたり約1nmの金属(2.6層の白金原子)が堆積することに相当する。パルスを可能なプログラマブル電流源18は、1パルスあたり金属原子約1500個という正確なナノメートルの金属析出または消耗を達成することができるように工程を制御できるべきである。好ましい範囲は、1パルスあたり原子1500×1014個であると考えられるが、この範囲を超えてもこの方法が十分に有効であることが当業者には理解されよう。
【0010】
達成可能な析出または消耗(原子のモノレイヤーまたはサブモノレイヤーの追加または除去)をさらに正確に制御できるように、電子の流れを微調整するためのバイパス回路24を加えることが好ましい。1パルスごとに析出または消耗される金属原子を少なくするために、バイパス回路24を用いて一部の電流をナノ電極12、14からそらす。例えば、可変抵抗28のインピーダンスを、2つのナノ電極12、14の間のインピーダンスの50%に調整すると、バイパス回路24を通して1パルスあたり9400個の電子の3分の2を流出させることができる。この場合、金属の電解析出を、1パルスあたり白金原子780個(電子3130個)という正確なステップに制御することが可能であり、これは、カソードのナノ電極12のチップの10×10nmの表面に0.87層の白金原子16が堆積することに相当する。バイパス回路24を通ってさらに多くの割合の電流が流れるようにすると、1パルスあたり100個という正確な金属16の原子の析出を制御することが可能になる。このきわめて微細に制御された析出の好ましい範囲は、1パルスあたり原子100〜2500個であると考えられるが、この超微細な析出範囲を超えてもこの方法が十分に有効であることが当業者には理解されよう。
【0011】
バイパス回路24はまた、特にナノメートルの構造体が乾燥しているとき、構造体を静電気による損傷から保護することもできる。例えば、図1に示すように所望のプログラマブルな金属の電解析出が達成された後、パルスを発生させるプログラマブル電流源は取り外すことができるが、バイパス回路24はナノ構造体12および14に接続したままにすべきである。バイパス回路がナノ構造体12および14に接続されたままである限り、ナノ構造体の洗浄および乾燥中に生じる恐れがある静電荷が、この場合は閉スイッチ26、可変抵抗28、ならびにスイッチ26および可変抵抗28をナノ構造体12、14に接続するワイヤを含む、バイパス回路24を通って流れることができる。これは、いずれか一方の電極にもう一方の電極と比べて静電荷が蓄積することを防ぎ、したがって、ナノ電極12、14のチップ13、15の間のナノメートルのギャップに静電気による損傷が生じる可能性がなくなる。
【0012】
特別なナノ構造の配置を用いて、ナノメートルの結合の(1つまたは複数の)開始点を制御することができる。ナノワイヤ電極の特別な構造的配置を、様々なリソグラフィ技術(例えばフォトリソグラフィ、および電子ビームリソグラフィ)によって作成して、金属の電解析出の(1つまたは複数の)開始点を制御することができる。図2に示すように、複数のナノワイヤのカソード12、12’は、それぞれのチップ13、13’がナノワイヤのアノード14の各チップ15、15’を向いているべきであり、その結果、それらの間に非常に強い電界が存在するようになる。次式のように電界(E)は距離(r)に強く依存するベクトルであるため、所望のカソードの位置に金属16、16’が確実に析出するように複数のナノワイヤのカソード12、12’の間隔を調整すべきである。
【0013】
E∝r-2
図3に示すように、電解による金属溶解反応を適用して金属を消耗させ、ナノメートルのギャップを開き、ギャップの大きさを制御する。電解基質としてヘキサクロロ白金酸塩ではなく塩化ナトリウム溶液を用いて、金属析出反応の逆反応を行うことにより、以下の反応に従って制御可能な方法で、(1つまたは複数の)アノードのチップ16の金属白金を溶解によって電解消耗させることができる。
【0014】
Pt+6Cl-→[PtCl6]2-+4e-
この金属溶解反応により、ナノ電極のチップ13、15のギャップの大きさも制御できるべきである。金属の電解消耗の位置および範囲も、電界の所望の極性を適切に選択し、かつ本明細書に記載するようにバイパス回路を伴うプログラマブル電流源を用いることによって制御することができる。
【0015】
上述した方法の顕著な特徴は、完全に、または部分的に、または任意の組み合わせで適用することができる。任意の数のナノ構造体を特定の基板上で同時に結合または溶解させることができる。
【0016】
金属析出では、金属を析出させるナノ構造体が金属でなくてもよい。この方法を用いて、例えばナノチューブ、特にカーボンナノチューブなど任意の導電性ナノワイヤを接続することができる。これらはナノメートルの金属の電解析出が可能であるからである。
【0017】
金属消耗では、ナノ金属のイオンがCl-でなくてもよい。この方法の代替版として、電解によって金属(Pt、Pd、Auなど)を溶解させることができるF-やCN-など任意のアニオンを用いることができる。
【0018】
カーボンナノチューブ/ファイバ、および触媒によって引き起こされる2次元表面上での成長
ナノ触媒をドープした2次元表面上で、垂直方向に整列した個々のかつ複数のカーボンナノチューブならびにファイバがパターン化されて成長することは実験的に証明されている。Merkulov、V.I.、D.H.Lowndes、Y.Y.Wei、G.Eres、E.Voelkl(2000)「Patterned growth of individual and multiple vertically−aligned carbon nanotubes」、Appl. Phys. Lett. 76、3555頁を参照のこと。
【0019】
カーボンナノチューブはいくつかの特有の性質を有し、そのうちのいくつかにより、カーボンナノチューブは走査型プローブ顕微鏡(SPM)のプローブチップとしての使用に最適なものになっている。第1に、単層カーボンナノチューブは本質的に小さい直径(〜1.4nm)を有するため、一般に少なくとも10〜20nmの直径を有する通常のSi、SiNまたは他のチップと比べて、横の解像度を大幅に向上させることができる。第2に、カーボンナノチューブはきわめて高いアスペクト比AR(AR=長さ/直径)を有するため、深く垂直に近い形状、特に通常のチップを用いて正確に再現することができない側壁の傾斜を有する形状を測定することが可能である。第3に、カーボンナノチューブは高い機械的強度および可撓性を示し、したがって、SPMではかなりよく起こるアクシデントであるサンプル表面への衝突の際にも破損しにくい。第4に、カーボンナノチューブには導電性のものもあり、それらを高解像度の走査型トンネル顕微鏡(STM)に用いることができる。最後に、カーボンナノチューブは、その末端に有機(またはその他の)分子を結合させることによって化学的に選択的修飾を施すことができるため、これらを目的とする特定の性質または分子を検出するための機能性プローブとして用いることが可能になる。
【0020】
多層カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブより直径がやや大きいが、程度の差はあっても同じ性質を多く共有している。単層カーボンナノチューブおよび多層カーボンナノチューブは、主にその直径および形態が異なる。単層カーボンナノチューブは、六角形の黒鉛結晶構造に配列した1原子分の厚さの炭素原子のシートが巻かれ、その端が(端の原子を重ねて)継ぎ目なく結合されて円筒を形成したものと考えることができる。多層カーボンナノチューブは、2つ以上のこうした同心円筒からなる。
【0021】
カーボンナノファイバは、カーボンナノチューブと近い関係にある。カーボンナノファイバは、主にその結晶の完全性の点で単層カーボンナノチューブおよび多層カーボンナノチューブと異なっている。すなわち、黒鉛状の格子が多くの構造的欠陥を含み、したがって異なる層(多層化されたファイバ)が互いを遮ることもあれば結合することもある(あるいは両タイプの欠陥が、ファイバの長さに沿って、またはその周辺の異なる位置に生じることもある)。これらの欠陥による影響の1つは、カーボンナノファイバの電気的特性がカーボンナノチューブほど良好ではないことである。カーボンナノファイバは、カーボンナノチューブよりやや低い温度で合成され、その低い成長温度が、これらの欠陥の原因の一部になる。しかし、我々は最近、カーボンナノファイバも走査プローブにとって興味深い、十分に小さい直径で成長させることが可能であることを実証した。さらに将来的には、例えば十分に低い温度での成長がオンボードの電子回路に適合するなど、低い成長温度が望ましい状況が生まれるかもしれない。
【0022】
走査プローブとしてのカーボンナノチューブの利点が、通常のSiチップの末端にカーボンナノチューブを配置することによって実証された。カーボンナノチューブは、光学的または走査型電子顕微鏡に電気的および機械的手段でチップに付着させ、あるいは触媒による細孔形成と共に通常の高温の化学気相成長(CVD)を用いてチップ上に直接成長させていた。しかし、これらの処理にはいくつかの不都合がある。すなわち、(a)カーボンナノチューブをまず高温で成長させて、分離し洗浄しある長さに切断しなければならないこと、(b)ほとんどの場合、ナノチューブのチップの長さを調整し、強く信頼性のある付着を得ることが困難であること、ならびに(c)これらのカーボンナノチューブについての複雑な操作が、産業用の環境または大量生産には非実用的であることである。Dai、H.、J.H.Hafner、A.G.Rinzler、D.T.Colbert、R.E.Smalley、Nature 384、147頁(1996);Nishijima、H.、S.Kamo、Seiji Akita、Y.Nakayama、K.I,Hohmura、S.H.Yoshimura、K.Takeyasu,(1999) Appl. Phys. Lett. 74、4061頁;およびHafner、J.H.、C.Li Cheung、C.M.Lieber(1999) Nature 398、761頁を参照のこと。
【非特許文献1】
Merkulov、V.I.、D.H.Lowndes、Y.Y.Wei、G.Eres、E.Voelkl(2000)「Patterned growth of individual and multiple vertically−aligned carbon nanotubes」、Appl. Phys. Lett .76、3555頁
【非特許文献2】
Dai、H.、J.H.Hafner、A.G.Rinzler、D.T.Colbert、R.E.Smalley、Nature 384、147頁(1996)
【非特許文献3】
Nishijima、H.、S.Kamo、Seiji Akita、Y.Nakayama、K.I,Hohmura、S.H.Yoshimura、K.Takeyasu,(1999) Appl. Phys. Lett. 74、4061頁
【非特許文献4】
Hafner、J.H.、C.Li Cheung、C.M.Lieber(1999) Nature 398、761頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0023】
したがって、本発明の目的は、特に走査プローブのチップとして使用するためのカーボンナノ構造体を製造する方法、ならびに、チップの重要なパラメータ(形、位置および長さ)および機械的にきわめて強力な基板への結合を正確に制御して、垂直方向を向いたカーボンナノ構造体を走査プローブのカンチレバー、ナノワイヤ、導電性マイクロ/ナノ構造体、ウェハ基板などのチップ上に直接成長させる方法を提供することを含む。本発明の他の目的は、本明細書に含まれる記載から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【0024】
本発明の一態様によれば、前述の目的および他の目的は、
a.基板を提供するステップと、
b.基板上に触媒ドットを堆積させるステップと、
c.触媒ドット上にカーボンナノ構造体を成長させるステップとを含むカーボンナノ構造体を成長させる方法によって達成される。
【0025】
本発明の別の態様によれば、付着性の金属ドットがその上に堆積された基板を含む製品であって、金属ドットの上にカーボンナノ構造体が堆積されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【0026】
本発明、ならびに他の目的、その利点および可能性についてさらによく理解するには、添付の図面と共に以下の開示および添付の特許請求の範囲を参照されたい。
【0027】
本発明の好ましい実施形態について以下に図面を参照して説明する。
【0028】
ナノワイヤおよび/または導電性カンチレバーのチップにカーボンナノ構造体を成長させるための金属触媒を堆積させるために、前述した従来の発明を本発明の重要なステップの1つに用いることができる。図4は、基板上に堆積したそのチップ45、少量(ドット)の触媒33、およびそこから延びるカーボンナノ構造体35を有する基本の導電性基板31を示している。基板31は、ナノワイヤ、カンチレバー、マイクロ/ナノメートルの構造体、ウェハ、または任意の材料でできた他の任意の適切な構造体とすることができる。触媒「ドット」33は、所定の位置で単一のカーボンナノ構造体の触媒作用による成長を引き起こすために必要な材料である。触媒ドット33は、単一金属からなる材料、金属材料、非金属材料、または所望のカーボンナノ構造体の成長をもたらす任意の材料とすることができる。
【0029】
本発明は、一般に(単層カーボンナノチューブと多層カーボンナノチューブの両方を含めた)カーボンナノチューブに対して、またカーボンナノファイバ、ニードル、ウィスカーなどに対しても適用される。したがって、ナノスケールのカーボンの構造体すべてを、以降では「カーボンナノ構造体」という包括的な一般用語を用いて呼ぶ。
【0030】
本発明を用いて、例えば原子間力顕微鏡(AFM)、走査型トンネル顕微鏡(STM)など、通常の走査型プローブ顕微鏡の性能(解像度など)を大幅に向上させることができる、カーボンナノ構造体に固定したカンチレバーを製造することが可能である。本発明を、カーボンナノ構造体を用いたマイクロおよび/またはナノ製造の他の多くの工程にも用いることができる。
【0031】
本発明のいくつかの特徴としては、
1.例えばCo、Ni、Feなど(1種または複数の)金属触媒の適切な選択、ならびに正確にナノワイヤおよび/または導電性カンチレバーのチップの位置での望ましい特定の触媒の好ましくはプログラマブルなパルス式電解析出
2.触媒によって堆積させたチップでの触媒によって引き起こされるカーボンナノ構造体の成長
3.チップの形および成長条件の操作によるカーボンナノ構造体の成長パターンの制御
4.大量生産のための自動化
がある。
【0032】
本発明のこれらの特徴および他の特徴を、以下に説明する。
【0033】
触媒ドットの堆積
触媒ドット33の堆積は、液体AFMシステムの使用と共に、前述の従来の発明を適用することによって実施することが好ましい。図5に示すように、例えばNiCl2、CoCl2、Fe2+など所望の触媒の電解析出に適した少なくとも1種の金属触媒化合物の溶液を、液体AFMセル39の中に加える。液体AFMシステムの場合、導電性のAFMカンチレバー31のチップ45を、上向きのナノワイヤまたは他のカンチレバー43のチップ47と一列に並べることができる。カソードのチップ45からアノードのチップ47までの間隔は、容易に制御することができる。次式のように電界(E)は距離(r)に強く依存するベクトルであるため、金属触媒ドット33がカソードの所望の位置に確実に堆積するようにチップ45、47の間隔を調整すべきである。
【0034】
E∝r-2
本発明を用いるとナノ電極のチップ45、47の間隔が1〜10μmの範囲となり、適切な結果がもたらされる。上述のようにプログラマブル電流源18およびバイパス回路24を用いて、2つのチップ45、47の両端に正確に制御された微細電流の短い(ns〜ms)パルスを印加することにより、金属触媒33の電解析出が達成される。きわめて微細に制御された析出に好ましい範囲は、1パルスあたり原子100〜2500個であると考えられるが、この超微細な堆積範囲を超えても本発明が十分に有効であることが当業者には理解されよう。析出は1パルスあたり原子100個という微細なものとすることができるため、以下のニッケル析出反応で例示するような、きわめて微細な所望のナノメートルの金属触媒の堆積を、正確にカソードのチップ45の位置で達成することが可能になる。
【0035】
NiCl2+2e-→Ni↓+2Cl-
緩衝層
緩衝層は一般に、複数の目的の少なくとも1つのために、ある基板上に堆積させた薄膜材料である。その目的には以下のものが含まれる。
【0036】
1.カーボンナノ構造体の成長に適切な触媒作用ができなくなる程度に有害な、触媒と基板材料の間の反応を防ぐ。例えば、カーボンナノ構造体の成長に必要な高い温度でのNi2Siの生成を防ぐため、Niの触媒ドットを堆積させる前に、Si基板上にTiの緩衝層を堆積させてもよい。
【0037】
2.触媒ドットの基板への付着性を高める。例えば、Niの基板への付着性を大幅に向上させるため、Niの触媒ドットを堆積させる前に、Si基板上にTiの緩衝層を堆積させてもよい。
【0038】
したがって、緩衝層の材料は触媒ドットと比較的反応しないものとすべきであり、また基板にかなりよく付着するべきである。緩衝層の膜は、例えば電子ビーム蒸着、熱蒸着、イオンビームスパッタリング、および電気析出を含めた、ただしそれだけには限らない、使用される特定の材料に適した任意の方法で堆積させることができる。シリコン基板およびニッケル触媒ドットに適した緩衝層の例には、タングステン、モリブデン、またはチタンの膜、あるいはタングステン−チタン合金の膜が含まれ、後者は、緩衝層をシリコン基板に強く付着させるが、緩衝層の成分を触媒ドットに対して比較的不活性にするためにチタンを使用する例を示すものである。例えば、図7a、7bの顕微鏡写真は、Si基板上のTi緩衝層上に堆積したNi触媒ドットを示している。
【0039】
触媒ドット上でのカーボンナノ構造体の成長
次に図6aを参照すると、触媒ドット33上で触媒によって引き起こされるカーボンナノ構造体35の成長のために、反応チャンバ51内に触媒ドット33を有する基板31が配置されている。反応チャンバ51は、カソード/ヒータ兼用板53、ならびにアノード板55を含む。カソード/ヒータ兼用板53に取り付けられたラック57が、複数の基板31を支持していることが好ましい。ラック57は導電性のものでもよく、あるいはカソード/ヒータ兼用板53と基板31の間に別々の電気的接続(図示せず)を有する非導電性のものでもよい。ナノ構造体35を所望の方向(下方)に成長しやすくするために、基板31はドット33を下向きにして示してある。
【0040】
次に図6bを参照すると、カーボンナノ構造体35の成長は一般に特定の触媒を必要とするため、カーボンナノ構造体35の成長を基板31のチップ上に位置する触媒ドット33でのみ起こすことが可能であり、その結果、示したような望ましい形状になる。カーボンナノ構造体の成長は、(それだけには限らないが)炭素系ガスとエッチャントの混合物(例えばアセチレンとアンモニア−ヘリウムの混合物)を用いたプラズマ化学気相成長(PE−CVD)によって実施することができる。
【0041】
実施例1
図7a〜dに示すように、カーボンナノ構造体を、前述のように真空チャンバ内でプラズマ化学気相成長(PE−CVD)によって触媒ドット上に成長させた。カーボンナノ構造体の成長に必要な高い温度(≧600℃)でSi基板上のNi/Tiドットをアニールした後、Ti層はSiに付着したままである。しかし、臨界ドットサイズ以上になると、最初は連続的なディスク形のNi触媒ドットが球状化して、図7aに明るい点として示されている、さらに小さい複数のほぼ半球形の「サブドット」に分かれた。各サブドットはその後、個々のカーボンナノ構造体が成長するための、基板の別々の位置を提供した。図7cは、複数のサブドットから延びる複数のカーボンナノ構造体を示している。この形状はある用途には望ましいが、他の用途には望ましくないことがある。
【0042】
図7bに示すように、臨界のドットサイズより小さいと、単一のNiドットのみが形成され、その結果、図7dに示すように単一のカーボンナノ構造体が得られた。臨界のドットサイズ、およびその結果得られるNiの小滴は、主に触媒と基板の間の緩衝層の選択、用いた触媒金属のタイプおよび厚さ、ならびにカーボンナノ構造体のアニーリング/成長の温度に依存していた。
【0043】
Si上のTi緩衝層上で最初の厚さが15nmのNi触媒膜を用いて、700℃で単一のカーボンナノ構造体を成長させる場合、臨界のドットサイズ(直径)は通常、約350nmである。完成したNiドットの直径は、最初に形成されたNiドットの約3分の1まで小さくなり、すなわち、上記の例では〜100nmになる。直径の変化は主に、プラズマ加熱工程中にNiドットが「球状化」し、一般には最初の平坦なディスク状の形に代わって半球状になるために起こる。この工程中にドットからNiがほとんどまたは全く失われないことが当業者には理解されよう。もしそうであれば、他の場所に再度堆積させるように制御することができず、そのためカーボンナノ構造体が所望の場所以外に成長することがある。
【0044】
さらに小さい触媒ドットを得ることも可能である。高解像度の走査型プローブ顕微鏡(SPM)ではできるだけ小さくすべきであるカーボンナノ構造体の直径が、一般に触媒ドットのサイズ(直径)に支配されるので、このことは重要である。最初に30nm以下の直径を有する触媒ドットを作成することにより(電子ビームリソグラフィ(EBL)を用いれば容易に可能である)、約1.4nmと小さい直径を有する単層カーボンナノチューブを含めて、10nm未満の直径を有するカーボンナノ構造体を成長させることが可能である。プログラマブルなパルスによる電解析出技術は、1パルスあたり約100原子という微細な析出を行うことが可能であり、きわめて微細な(ナノメートルの)触媒ドットを基板上に析出させることができる。こうした微細なナノメートルの触媒ドットを使用して、約1.4nmと小さい直径を有する単層カーボンナノチューブを含めて、10nm未満の直径を有するカーボンナノ構造体を成長させることができるべきである。しかし、これらのきわめて微細なカーボンナノチューブの成長には、おそらくより高い成長温度(900〜1000℃)が必要であろう。
【0045】
カーボンナノ構造体を成長させるには、反応チャンバ51内でガス源として、炭素系ガスとエッチャントの混合物(例えばアセチレンとアンモニア−ヘリウムの混合物)を用いる。エッチャント(基本的に水素原子源)は、プラズマ放電からカーボンナノ構造体を成長させる間に絶えず形成される、黒鉛状炭素の膜をエッチング除去するために必要である。そうしないと余分な望ましくない炭素が触媒金属が不動態化され、そのため、それを除去しなければカーボンナノ構造体の形成が妨げられる。
【0046】
熱フィラメントPE−CVDを用いて基板を間接的に加熱する通常の加熱技術を用いるのとは対照的に、本発明の方法では、プラズマ放電のカソードとしても働くことができるヒータ板53上に基板31を配置することにより、基板31を直接加熱する。この技術の利点は、大面積の堆積にスケールアップしやすいこと、ならびに基板の温度を制御しやすいことである。例えば、上述のように一連のカンチレバー31をドット33でパターン付けし、次いで図6bに示すように、ヒータ板53上に配置してきわめて均質なカーボンナノ構造体35をすべて同時に成長させる。カーボンナノ構造体35の長さは、PE−CVD工程の継続時間を制御することによって制御することができる。
【0047】
カーボンナノ構造体を成長させる直前に、チャンバ51内にアンモニアを導入し、プラズマを生成させる。例えば、dcグロー放電、高周波(rf)、マイクロ波など、エネルギーを生成する任意のプラズマを用いることができる。プラズマを発生させた後、アセチレンを導入し、カーボンナノ構造体35の成長を開始させる。ただし、例えばメタン、窒素および水素ガスなど、他の炭素系およびエッチャントのガスを用いることもできる。図7a〜dに示すように、触媒ドット33のそれぞれが単一のカーボンナノ構造体の形成を引き起こす。カーボンナノ構造体が成長し、触媒作用による継続的な成長が行われるとき、触媒ドット33はカーボンナノ構造体の上端に存在している。カーボンナノ構造体は通常、基板に垂直な方向を向く。それらが垂直に整列するメカニズムは十分に理解されていないが、1つの可能性は、それらがプラズマ放電の方向(電場の方向)に沿って整列することである。しかし、基板での放電の方向を変える(例えば、基板を傾斜させる、またはアノードを傾斜/移動させる)ことにより、カーボンナノ構造体を基板に対して異なる角度で成長させることができる。
【0048】
実施例2
上述の2ステップの工程を用いて、市販のSiNのコンタクトモードAFMのカンチレバー上に、単一のカーボンナノ構造体の配列を直接成長させることに成功した。
【0049】
平坦化されたチップ上でのカーボンナノ構造体の成長
上述したように、図4に示すように好ましくはまっすぐ下方を向いた、非常にとがったチップ45の上に触媒ドット33を堆積させて、下方へのカーボンナノ構造体の成長を達成することができる。上方へのカーボンナノ構造体の成長は、図8a、8bに示すように、平坦なチップ83を用いたわずかに異なる技術によって最もうまく達成される。ナノ構造体を成長させるための加熱工程中に、とがったチップ45を逆さにする(チップを上方に向ける)と、触媒ドット33はカンチレバー31の側面を滑り落ちる傾向を有することがあり、その結果、カーボンナノ構造体が横方向に成長する。ドット33がわずかにずれただけでも、望ましくない結果を生じることがある。図8a、8bに示すように、平坦なチップ83上の触媒ドット33が反転したカンチレバー31の側面を滑り落ちることはまずない。平坦なチップ83は、配置を行ってから触媒ドット33を堆積させる自動化されたシステムに特に適した構造になり得ると考えられる。
【0050】
触媒の助けによる、垂直に整列したカーボンナノチューブ/ファイバの成長についての詳しい情報は、Merkulov、V.I.、D.H.Lowndes、Y.Y.Wei、G.Eres、E.Voelkl(2000)「Patterned growth of individual and multiple vertically−aligned carbon nanotubes」、Appl. Phys. Lett. 76、3555頁に見られる。
【0051】
大量生産のための自動化
上述の方法はすべて、走査型プローブ顕微鏡および他の需要に向けてカーボンナノ構造体を大量生産するために自動化することが可能である。例えば、上述したプログラマブルな正確な析出技術によるチップ45、83での(一般に数百から数千個の触媒原子の大きさの範囲を有する)触媒ドット33の析出を、数マイクロ秒以内に完了させることができる。
【0052】
図9は、先に示したものと同様であるが、自動化のために追加された機能を有するシステムを示している。非導電性のラック61は、接点63が基板31に通電してその上に触媒ドット33を堆積させる位置へと(矢印の方向に)基板31をうまく移動させる。図9に示すような自動化された工程を用いることにより、基板31の大規模な配列をわずかの間に析出チャンバの内外に移動させることができる。自動化されたプログラマブルな電解析出法を用いて、触媒ドット33を1時間あたり3000チップを上回る速度で基板のチップ45、83の上に配置できることが企画されている。
【0053】
基板のチップ45、83の上、および図6a、6b、8a、8bに示す反応チャンバ51よりずっと大きいバッチ式の反応チャンバ内で触媒ドット33を大量生産した後、触媒が堆積した数千のチップ上での触媒の助けによるカーボンナノ構造体の成長を、1バッチあたり約15分以内で完了させることができる。したがって本発明は、大量生産および商業上の利用に非常に適している。
【0054】
本発明は、走査型プローブ顕微鏡(AFM、EFMなど)の技術における現在の技術の性能(例えば解像度など)を大幅に向上させることができる、カーボンナノ構造体のカンチレバーの製造に用いることができる。
【0055】
本発明はまた、一般にマイクロおよび/またはナノメートルの構造体の導電性チップ上にカーボンナノ構造体を制御して配置する必要がある、任意のデバイスのマイクロメートルおよび/またはナノメートル製造に有用である。例えば、本発明を用いると、マイクロ/ナノメートルのセンサ、および/または電気機械デバイスの開発に使用可能なカーボンナノ構造体を作成することができる。図10は、例えば電子ビームリソグラフィ技術により、対向する対のナノ電極(73、73’、73”と、それぞれ75、75’、75”)を非導電性(例えば酸化シリコン)の基板71の上にあらかじめ作製した例である。次いで上述のように、触媒ドット33、33’、33”をナノ電極のチップ73、73’、73”の上に堆積させる。次いで、基板71をPE−CVD反応チャンバ内に配置し、そこでカーボンナノ構造体35、35’、35”をそれぞれドット33、33’、33”の上に成長させる。
【0056】
固定されたカーボンナノ構造体に(図10に矢印で示す)静的または動的な機械的撓みが電気的に引き起こされる可能性があること、ならびにカーボンナノ構造体の調和的な振動共鳴を用いてフェムトグラムからピコグラムの大きさの範囲内で個々の粒子を秤量することができることが実証されている。
【0057】
図10に示すようなカーボンナノ構造体をベースとするデバイスを用いて、分子の爆発、化学反応、または他のマイクロスケールまたはナノスケールの事象81を検出することが可能であり、このことは、例えば空港や他の施設での安全上の用途など、重要な用途を有する可能性がある。
【0058】
さらに、カーボンナノ構造体をベースとするデバイスを用いて、例えばエアゾール、化学的および生物的兵器の成分などを検出することができる。
【0059】
上述の例は、新しい種類のマイクロ/ナノメートルのセンサーおよびデバイスを作製するために、本発明に従って作製されたカーボンナノ構造体を制御可能な状態で使用することを示すものである。
【0060】
現在のところ本発明の好ましい実施形態と考えられるものを示し説明してきたが、添付の特許請求の範囲によって定める本発明の範囲から逸脱することなく、様々な変更および修正を加えることが可能であることが当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【0061】
【図1】金のナノ構造体上での白金(Pt)の析出を示す図である。
【図2】複数の金のナノ構造体上での白金(Pt)の析出を示す図である。
【図3】金のナノ構造体からの白金(Pt)の消耗を示す図である。
【図4】本発明の一実施形態による触媒が先端に付いたカンチレバーに付着したカーボンナノ構造体を示す図である。
【図5】本発明の一実施形態による導電性カンチレバーのチップ上へのナノ触媒(触媒ドット)のプログラマブルな正確な電解析出を示す図である。
【図6a】本発明の一実施形態による反応チャンバ内でのカンチレバーチップ上の触媒ドットを示す図である。
【図6b】本発明の一実施形態による、触媒ドット上で触媒によって引き起こされる垂直に整列したカーボンナノ構造体の成長を示す図である。
【図7a−7d】本発明の一実施形態による触媒ドットの堆積、およびその上でのカーボンナノ構造体の成長を実験的に示すSEM顕微鏡写真である。
【図8a】本発明の一実施形態による、カーボンナノ構造体成長チャンバ内で重力の方向に反して上方を向いた、わずかに平坦化され触媒を堆積させたカンチレバーおよび/またはナノワイヤのチップの配列を示す図である。
【図8b】本発明の一実施形態による、触媒ドット上で触媒によって引き起こされる垂直に整列したカーボンナノ構造体の上方への成長を示す図である。
【図9】本発明の一実施形態による、導電性カンチレバーのチップ上に触媒ドットをプログラマブルに電解析出させるための自動化システムを示す図である。
【図10】本発明の一実施形態による、カーボンナノ構造体をベースとするマイクロメートル/ナノメートルの電気機械センサーおよびデバイスを示す図である。
Claims (13)
- a.基板を提供するステップと、
b.前記基板上に触媒ドットを堆積させるステップと、
c.前記触媒ドット上にカーボンナノ構造体を成長させるステップとを含むカーボンナノ構造体を成長させる方法。 - 前記基板が、ナノワイヤ、カンチレバー、導電性マイクロ/ナノメートル構造体、およびウェハからなる群の少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記堆積させるステップが、
a.約50μm以下の間隔で配置された、少なくとも2つの導電性のナノ構造体をその上に有する基板を提供するステップと、
b.電界に従ったプログラマブルなパルス式金属電解析出により、前記ナノ構造体の少なくとも1つの上に触媒ドットを堆積させるステップとをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記成長させるステップがプラズマ化学気相成長法をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記カーボンナノ構造体を前記基板の表面に垂直な方向に成長させる、請求項1に記載の方法。
- 前記カーボンナノ構造体を、上向きの触媒ドットを有する先端が平坦な表面上に成長させる、請求項1に記載の方法。
- 前記カーボンナノ構造体が、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバ、カーボンニードル、およびカーボンウィスカーからなる群の少なくとも1つをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記堆積させるステップが、自動化された工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記成長させるステップが、自動化された工程をさらに含む、請求項1に記載の方法
- 触媒ドットが上面に配置された基板を含む製品であって、前記触媒ドット上にカーボンナノ構造体が配置されている製品。
- 前記基板が、ナノワイヤ、カンチレバー、導電性のマイクロ/ナノメートル構造体、およびウェハからなる群の少なくとも1つを含む、請求項10に記載の製品。
- カーボンナノ構造体が前記基板の表面に垂直な方向を向いている、請求項10に記載の製品。
- 前記カーボンナノ構造体が、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバ、カーボンニードル、およびカーボンウィスカーからなる群の少なくとも1つをさらに含む、請求項10に記載の製品。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/873,928 US6755956B2 (en) | 2000-10-24 | 2001-06-04 | Catalyst-induced growth of carbon nanotubes on tips of cantilevers and nanowires |
PCT/US2002/017237 WO2003027011A2 (en) | 2001-06-04 | 2002-06-03 | Catalyst-induced growth of carbon nanotubes on tips of cantilevers and nanowires |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005503273A true JP2005503273A (ja) | 2005-02-03 |
Family
ID=25362621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003530605A Pending JP2005503273A (ja) | 2001-06-04 | 2002-06-03 | カンチレバーおよびカーボンナノワイヤのチップ上において、触媒によって引き起こされるカーボンナノチューブの成長 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6755956B2 (ja) |
EP (1) | EP1399385A2 (ja) |
JP (1) | JP2005503273A (ja) |
AU (1) | AU2002356498A1 (ja) |
WO (1) | WO2003027011A2 (ja) |
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- 2001-06-04 US US09/873,928 patent/US6755956B2/en not_active Expired - Fee Related
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- 2002-06-03 JP JP2003530605A patent/JP2005503273A/ja active Pending
- 2002-06-03 EP EP20020799546 patent/EP1399385A2/en not_active Withdrawn
- 2002-06-03 WO PCT/US2002/017237 patent/WO2003027011A2/en not_active Application Discontinuation
- 2002-06-03 AU AU2002356498A patent/AU2002356498A1/en not_active Abandoned
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US8435601B2 (en) | 2008-10-29 | 2013-05-07 | University Of Tokyo | Method for forming carbon nanotube |
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---|---|
US6755956B2 (en) | 2004-06-29 |
US20020046953A1 (en) | 2002-04-25 |
AU2002356498A1 (en) | 2003-04-07 |
WO2003027011A2 (en) | 2003-04-03 |
EP1399385A2 (en) | 2004-03-24 |
WO2003027011B1 (en) | 2003-12-18 |
WO2003027011A3 (en) | 2003-10-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20041014 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060405 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060913 |