JP2007122853A - 半導体メモリ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SRAMのメモリコア集積部1には、テスト回路2が接続されており、メモリコア集積部1の試験を行う際には、TEST信号をHighにセットする。このとき、テスト回路2からメモリコア集積部1のビット線BLまたは反ビット線BL_のいずれか一方の線が書き込み用となり、データがセットされる。もう片方の線は読み取り用となり、正常動作時は書き込まれたデータが反転してセットされる。ビット線BLにセットされたデータと、反転ビット線BL_にセットされたデータとが互いに反転していることをEOR22で確認することでメモリコアが正常であると判定する。
【選択図】図4
Description
メモリコアのアドレスを示すアドレスデータ、読み出しのために出力を行うかを指定する(OEN信号)がSRAMへ入力される。読み出しの動作においても、書き込み時と同様にアドレスデータからビット線BL、反ビット線BL_およびワード線Wがメモリコア集積部1において指定され、このうち指定されたワード線WがHighにセットされる。
図8に、メモリコア集積部1及びテスト回路2の全体の回路図を概略的に示す。メモリコア集積部1は、複数列のメモリコアを含む。
Claims (3)
- 複数のメモリコアと、
前記メモリコアの行アドレスを指定する複数のワード線と、
前記行アドレスを指定して前記ワード線を選択する行アドレス指定手段と、
前記メモリコアに書き込むデータが加えられると共に、前記メモリコアのデータが読み出される二重ビット線と、
を具備する半導体メモリにおいて、
前記行アドレス指定手段で前記ワード線を指定し、前記二重ビット線の一方に、第1の論理レベルを加え、前記二重ビット線の他方のデータが前記第1の論理レベルに対応するデータであるか否かを判定する判定手順を行い、次いで、前記二重ビット線の一方に、第2の論理レベルのデータを加え、前記二重ビット線の他方のデータが前記第2の論理レベルに対応するデータであるか否かを判定する判定手順を行い、上記動作を全ワード線について実行するテスト回路を設けたことを特徴とする半導体メモリ。 - 複数のメモリコアと、
前記メモリコアの行アドレスを指定する複数のワード線と、
前記行アドレスを指定して前記ワード線を選択する行アドレス指定手段と、
前記メモリコアに書き込むデータが加えられると共に、前記メモリコアのデータが読み出される二重ビット線と、
を具備する半導体メモリにおいて、
前記ワード線を指定するワード線指定回路を有し、前記ワード線指定回路で前記ワード線を指定し、前記二重ビット線の一方に、第1の論理レベルを加え、前記二重ビット線の他方のデータが前記第1の論理レベルに対応するデータであるか否かを判定する判定手順を行い、次いで、前記二重ビット線の一方に、第2の論理レベルのデータを加え、前記二重ビット線の他方のデータが前記第2の論理レベルに対応するデータであるか否かを判定する判定手順を行い、上記動作を全ワード線について実行するテスト回路を設けたことを特徴とする半導体メモリ。 - 前記テスト回路の判定手順は、前記二重ビット線の双方のデータに排他的論理和演算を行い、前記排他的論理和演算の演算結果に基づいて判定を行うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体メモリ。
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JP2006265117A JP2007122853A (ja) | 2005-09-29 | 2006-09-28 | 半導体メモリ |
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Family Applications (1)
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JP (1) | JP2007122853A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2006
- 2006-09-28 JP JP2006265117A patent/JP2007122853A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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