JP2007115753A - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents
窒化物半導体発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007115753A JP2007115753A JP2005303037A JP2005303037A JP2007115753A JP 2007115753 A JP2007115753 A JP 2007115753A JP 2005303037 A JP2005303037 A JP 2005303037A JP 2005303037 A JP2005303037 A JP 2005303037A JP 2007115753 A JP2007115753 A JP 2007115753A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- well layer
- well
- light emitting
- gallium nitride
- type gallium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 131
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 81
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 24
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 107
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 90
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 101000708009 Homo sapiens Sentrin-specific protease 8 Proteins 0.000 description 1
- 102100031407 Sentrin-specific protease 8 Human genes 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】窒化物半導体発光素子11では、発光領域17は、量子井戸構造19を有しており、n型窒化ガリウム系半導体領域13とp型窒化ガリウム系半導体領域15との間に位置する。量子井戸構造19は、InXGa1−XNからなる複数の第1の井戸層21、InYGa1−YNからなる一または複数の第2の井戸層23、およびバリア層25を含む。第1および第2の井戸層21、23とバリア層25とは交互の配列されている。第2の井戸層23は、第1の井戸層21とp型窒化ガリウム系半導体領域15との間に位置している。第2の井戸層23のインジウム組成Yは第1の井戸層21のインジウム組成Xより小さく、また第2の井戸層23の厚さDW2は第1の井戸層21の厚さDW1より厚い。
【選択図】図1
Description
図1は、本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子の主要部を示す図面である。図2は、窒化物半導体発光素子の構造を示す図面である。窒化物半導体発光素子11は、n型窒化ガリウム系半導体領域13と、p型窒化ガリウム系半導体領域15と、発光領域17とを含む。発光領域17は、量子井戸構造19を有する。量子井戸構造19は、n型窒化ガリウム系半導体領域13とp型窒化ガリウム系半導体領域15との間に設けられている。n型窒化ガリウム系半導体領域13からは、発光領域17に電子Eが供給される。p型窒化ガリウム系半導体領域15からは、発光領域17に正孔Hが供給される。量子井戸構造19は、InXGa1−XNからなる複数の第1の井戸層21、InYGa1−YNからなる一または複数の第2の井戸層23、およびバリア層25を含む。第1および第2の井戸層21、23とバリア層25とは交互の配列されている。第2の井戸層23は、第1の井戸層21とp型窒化ガリウム系半導体領域15との間に位置している。第2の井戸層23のインジウム組成Yは第1の井戸層21のインジウム組成Xより小さく、また第2の井戸層23の厚さDW2は第1の井戸層21の厚さDW1より厚い。
図3(A)から図3(C)に示されるような発光ダイオードA、B、Cを準備する。発光ダイオードA、B、Cは窒化ガリウム支持基体を用いている。
発光ダイオードAの構造は
バッファ層41:Al0.12Ga0.88N、50nm
n型窒化ガリウム系半導体領域43:GaN、2マイクロメートル
量子井戸構造の井戸層45a:In0.14Ga0.86N、3nm
量子井戸構造の障壁層45b:In0.01Ga0.99N、15nm
p型窒化ガリウム系半導体領域47:20nm
p型n型窒化ガリウム系コンタクト層49:50nm
である。
バッファ層51:Al0.12Ga0.88N、50nm
n型窒化ガリウム系半導体領域53:GaN、2マイクロメートル
量子井戸構造の井戸層55a:In0.11Ga0.89N、5nm
量子井戸構造の障壁層55b:In0.01Ga0.99N、15nm
p型窒化ガリウム系半導体領域57:20nm
p型n型窒化ガリウム系コンタクト層59:50nm
である。
バッファ層61:Al0.12Ga0.88N、50nm
n型窒化ガリウム系半導体領域63:GaN、2マイクロメートル
量子井戸構造の第1の井戸層65a:In0.14Ga0.86N、3nm
量子井戸構造の障壁層65b:In0.01Ga0.99N、15nm
量子井戸構造の第2の井戸層65c:In0.11Ga0.89N、5nm
p型窒化ガリウム系半導体領域67:20nm
p型n型窒化ガリウム系コンタクト層69:50nm
である。第1の井戸層65aからの光の波長が第2の井戸層65cからの光の波長とほぼ一致するように、第1の井戸層65aの組成および厚み並びに第2の井戸層65bの組成および厚みが調整される。
第1の理由:井戸層を厚くすると、井戸層のためのInGaNの結晶性が悪くなる。井戸層の成長を繰り返すことによって、量子井戸構造に導入される欠陥が結果的に増加する。この欠陥の増加にため、非発光再結合の影響に敏感な低い電流密度において発光効率が低下する。
第2の理由:井戸層の厚みが大きくなるにつれて、ピエゾ電界の影響が強くなり、電子とホールとの空間的な分離が大きく生じ、発光効率が低下する。このピエゾ電界は、発光領域への注入電流が増えると、注入されたキャリアによるスクリーニングが生じ、高注入では発光効率が上昇する。
図7(A)および図7(B)に示されるような発光ダイオードD、Eを準備する。発光ダイオードDおよび発光ダイオードEはサファイア支持基体28を用いている。発光ダイオードD、Eの製造工程は以下の通りである。サファイア基板を水素(H2)の雰囲気で熱処理する。続いて、サファイア基板上にn型GaNバッファ膜およびn型GaN膜(シリコンドープ)を順に成長する。この後には、発光ダイオードA、B、Cの製造工程と同様に、6周期からなる量子井戸構造の発光領域を作製する。この後に、発光領域上にp型Al0.18Ga0.82N膜(Mgドープ)およびp型GaN膜(Mgドープ)を順に成長する。エッチングにより露出されたn型GaN膜上にTi/Al電極38を作製し、p型GaN膜上にNi/Au電極を作製する。Ni/Au電極36上には、さらにTi/Auパッド電極を作製する。
バッファ層71:GaN、25nm
n型窒化ガリウム系半導体領域73:SiドープGaN、5マイクロメートル
量子井戸構造の井戸層75a:In0.14Ga0.86N、3nm
量子井戸構造の障壁層75b:In0.01Ga0.99N、15nm
p型窒化ガリウム系半導体領域77:20nm
p型n型窒化ガリウム系コンタクト層79:50nm
である。
バッファ層81:GaN、25nm
n型窒化ガリウム系半導体領域83:SiドープGaN、5マイクロメートル
量子井戸構造の第1の井戸層85a:In0.14Ga0.86N、3nm
量子井戸構造の障壁層85b:In0.01Ga0.99N、15nm
量子井戸構造の第2の井戸層85c:In0.11Ga0.89N、5nm
p型窒化ガリウム系半導体領域87:20nm
p型n型窒化ガリウム系コンタクト層89:50nm
である。第1の井戸層85aからの光の波長が第2の井戸層85cからの光の波長とほぼ一致するように、第1の井戸層85aの組成および厚み並びに第2の井戸層85bの組成および厚みが調整される。
71…バッファ層、73…n型窒化ガリウム系半導体領域、75a…量子井戸構造の井戸層、75b…量子井戸構造の障壁層、77…p型窒化ガリウム系半導体領域、79…p型n型窒化ガリウム系コンタクト層、81…バッファ層、83…n型窒化ガリウム系半導体領域、85a…量子井戸構造の第1の井戸層、85b…量子井戸構造の障壁層、85c…量子井戸構造の第2の井戸層、87…p型窒化ガリウム系半導体領域、89…p型n型窒化ガリウム系コンタクト層
Claims (7)
- n型窒化ガリウム系半導体領域と、
p型窒化ガリウム系半導体領域と、
前記n型窒化ガリウム系半導体領域と前記p型窒化ガリウム系半導体領域との間に設けられた量子井戸構造を有する発光領域と
を備え、
前記量子井戸構造は、InXGa1−XNからなる複数の第1の井戸層、InYGa1−YNからなる一または複数の第2の井戸層、およびInZGa1−ZN(0≦Z<1、Z<X、Z<Y)からなるバリア層を含み、
前記第2の井戸層の厚さは前記第1の井戸層の厚さより厚く、
前記バリア層と前記第1および第2の井戸層とは交互に配列されており、
前記第1の井戸層の発光波長は、当該窒化物半導体素子へ印加される電流の電流密度のある値において前記第2の井戸層の発光波長と略等しい、ことを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - n型窒化ガリウム系半導体領域と、
p型窒化ガリウム系半導体領域と、
前記n型窒化ガリウム系半導体領域と前記p型窒化ガリウム系半導体領域との間に設けられた量子井戸構造を有する発光領域と
を備え、
前記量子井戸構造は、InXGa1−XNからなる複数の第1の井戸層、InYGa1−YNからなる一または複数の第2の井戸層、およびInZGa1−ZN(0≦Z<1、Z<X、Z<Y)からなるバリア層を含み、
前記バリア層と前記第1および第2の井戸層とは交互に配列されており、
前記第2の井戸層は、前記第1の井戸層と前記p型窒化ガリウム系半導体領域との間に位置しており、
前記第2の井戸層のインジウム組成は前記第1の井戸層のインジウム組成より小さく、
前記第2の井戸層の厚さは前記第1の井戸層の厚さより厚い、ことを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - 前記第1の井戸層の厚さは、4ナノメートル未満であり、
前記第2の井戸層の厚さは、4ナノメートル以上である、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載された窒化物半導体発光素子。 - 前記第2の井戸層の数は前記第1の井戸層の数より少ない、ことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載された窒化物半導体発光素子。
- 当該窒化物半導体発光素子の発光波長は、400nm以上550nm以下の範囲にある、ことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載された窒化物半導体発光素子。
- 第1の面と該第1の面の反対側の第2の面とを有するIII族窒化物基板を更に備え、
前記n型窒化ガリウム系半導体領域、前記発光領域および前記p型窒化ガリウム系半導体領域は、前記III族窒化物基板の前記第1の面上に順に配列されており、
前記n型窒化ガリウム系半導体領域の貫通転位密度は、1×107cm−2以下である、ことを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載された窒化物半導体発光素子。 - 前記III族窒化物基板は窒化ガリウム基板である、ことを特徴とする請求項6に記載された窒化物半導体発光素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005303037A JP5011699B2 (ja) | 2005-10-18 | 2005-10-18 | 窒化物半導体発光素子 |
US11/874,908 US7884351B2 (en) | 2005-10-18 | 2007-10-19 | Nitride semiconductor light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005303037A JP5011699B2 (ja) | 2005-10-18 | 2005-10-18 | 窒化物半導体発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007115753A true JP2007115753A (ja) | 2007-05-10 |
JP5011699B2 JP5011699B2 (ja) | 2012-08-29 |
Family
ID=38097696
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005303037A Expired - Fee Related JP5011699B2 (ja) | 2005-10-18 | 2005-10-18 | 窒化物半導体発光素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7884351B2 (ja) |
JP (1) | JP5011699B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010539686A (ja) * | 2007-09-10 | 2010-12-16 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光構造 |
KR101046109B1 (ko) * | 2008-11-26 | 2011-07-01 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화물 반도체 소자 |
JP2012204839A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
US20120286237A1 (en) * | 2011-05-13 | 2012-11-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and wafer |
JP2012244163A (ja) * | 2012-04-16 | 2012-12-10 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びウェーハ |
JP2013183032A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
KR20140040386A (ko) * | 2012-09-26 | 2014-04-03 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
WO2014061692A1 (ja) * | 2012-10-19 | 2014-04-24 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP2014175426A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2017143152A (ja) * | 2016-02-09 | 2017-08-17 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP2019004160A (ja) * | 2018-08-08 | 2019-01-10 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10304997B2 (en) * | 2010-11-02 | 2019-05-28 | Lumileds Llc | III-nitride light emitting device with a region including only ternary, quaternary, and/or quinary III-nitride layers |
TWI555226B (zh) * | 2011-07-12 | 2016-10-21 | 晶元光電股份有限公司 | 具有多層發光疊層的發光元件 |
US8927958B2 (en) * | 2011-07-12 | 2015-01-06 | Epistar Corporation | Light-emitting element with multiple light-emitting stacked layers |
KR102098591B1 (ko) | 2014-01-16 | 2020-04-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002176198A (ja) * | 2000-12-11 | 2002-06-21 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 多波長発光素子 |
JP2005217059A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体素子 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3543498B2 (ja) | 1996-06-28 | 2004-07-14 | 豊田合成株式会社 | 3族窒化物半導体発光素子 |
US5684309A (en) * | 1996-07-11 | 1997-11-04 | North Carolina State University | Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes |
US6608330B1 (en) * | 1998-09-21 | 2003-08-19 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2001160627A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-12 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
US6995389B2 (en) * | 2003-06-18 | 2006-02-07 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Heterostructures for III-nitride light emitting devices |
JP4206086B2 (ja) * | 2004-08-03 | 2009-01-07 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子を製造する方法 |
US7095052B2 (en) * | 2004-10-22 | 2006-08-22 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method and structure for improved LED light output |
JP5196160B2 (ja) * | 2008-10-17 | 2013-05-15 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
-
2005
- 2005-10-18 JP JP2005303037A patent/JP5011699B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-10-19 US US11/874,908 patent/US7884351B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002176198A (ja) * | 2000-12-11 | 2002-06-21 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 多波長発光素子 |
JP2005217059A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体素子 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010539686A (ja) * | 2007-09-10 | 2010-12-16 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光構造 |
KR101046109B1 (ko) * | 2008-11-26 | 2011-07-01 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화물 반도체 소자 |
JP2012204839A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
US20120286237A1 (en) * | 2011-05-13 | 2012-11-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and wafer |
JP2013183032A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2012244163A (ja) * | 2012-04-16 | 2012-12-10 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びウェーハ |
KR20140040386A (ko) * | 2012-09-26 | 2014-04-03 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
KR101960791B1 (ko) | 2012-09-26 | 2019-03-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
WO2014061692A1 (ja) * | 2012-10-19 | 2014-04-24 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
US9318645B2 (en) | 2012-10-19 | 2016-04-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light-emitting element |
JPWO2014061692A1 (ja) * | 2012-10-19 | 2016-09-05 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP2014175426A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2017143152A (ja) * | 2016-02-09 | 2017-08-17 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP2019004160A (ja) * | 2018-08-08 | 2019-01-10 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5011699B2 (ja) | 2012-08-29 |
US20080035910A1 (en) | 2008-02-14 |
US7884351B2 (en) | 2011-02-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5011699B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
KR100541104B1 (ko) | 질화물계 반도체 발광소자 | |
JP2009055023A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP2006527500A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP4110222B2 (ja) | 発光ダイオード | |
JP2008526014A (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP2007305851A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
KR20120118055A (ko) | 우물 두께가 다른 다수의 양자 우물 구조체를 갖는 3족 질화물계 발광 다이오드 구조체 | |
JP2008004970A (ja) | 縦型窒化インジウムガリウムled | |
JP2007318085A (ja) | 窒化物系発光素子 | |
JP2010114403A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
KR20040008216A (ko) | 질화물 반도체소자 | |
JP2007201195A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
US7851808B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting diode | |
KR100946034B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 | |
JP4884826B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
US7053418B2 (en) | Nitride based semiconductor device | |
KR20070122078A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 | |
JP3543809B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
JP3903988B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
JPH11112109A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP4958288B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
JP2007081182A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2002111056A (ja) | 発光素子 | |
JP2004247682A (ja) | 半導体積層構造及びそれを備えた半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070822 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100420 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101026 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110621 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110822 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120508 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120521 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150615 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |