JP2007096264A - 固体電解コンデンサ素子、その製造方法および固体電解コンデンサ - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 12
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 183
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 abstract description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 241000252073 Anguilliformes Species 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005430 electron energy loss spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0032—Processes of manufacture formation of the dielectric layer
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/02—Mountings
- H01G2/06—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
- H01G2/065—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support for surface mounting, e.g. chip capacitors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/07—Dielectric layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
【解決手段】この固体電解コンデンサでは、陽極1は、陽極リード1aと、ニオブ粒子の多孔質焼結体からなる基体1bとを有している。陽極1上には、基体1bの周囲を覆うように、Nb2O5からなる第1酸化物層2、NbO1.5を含む第2酸化物層3およびカーボン粒子を含む第1導電層4aと第1導電層4aの周囲を覆うように形成された銀粒子を含む第2導電層4bとの積層構造を有する陰極4が順次形成されている。陰極4の周囲のうち上面には、導電性接着剤層5を介して陰極端子6が形成されている。また、陽極リード1a上には、陽極端子7が接続されている。また、陰極端子6および陽極端子7の端部が外部に引き出されるように、陰極4、陰極端子6および陽極端子7の周囲には、モールド外装樹脂8が形成されている。
【選択図】図1
Description
この発明の1つの目的は、等価直列抵抗が小さく、製造プロセスの簡略化が可能な固体電解コンデンサ素子を提供することである。
図1は、本発明の実施例1による固体電解コンデンサの構造を説明するための断面図である。
まず、図2に示すように、陽極リード1aと約1μmの平均粒径を有するニオブ粒子の多孔質焼結体からなる約3.3mm×約2.7mm×約1.7mmの直方体状の基体1cとを備える陽極1を形成した。基体1cは、陽極リード1aの他方の端部を埋め込んだニオブ粒子からなる成形体を真空中で熱処理することにより形成した。
次に、陽極1を約60℃に保持した約0.1wt%のリン酸水溶液中において約20Vの定電圧で約10時間陽極酸化を行うことにより、図3に示すように、基体1bの周囲を覆うように、Nb2O5を含む第1酸化物層2を形成した。
次に、図4に示すように、第1酸化物層2が形成された陽極1を約1×10−3Paの減圧下で約200℃、約30分間熱処理を行うことにより、第1酸化物層2の表面から約25nmの深さの領域におけるNb2O5を還元し、NbO1.5を含む第2酸化物層3を第1酸化物層2上に形成した。ここで、第1酸化物層2は、電解質層として機能する。また、第2酸化物層3の膜厚および酸化ニオブNbOxの組成比xは、陽極1、第1酸化物層2および第2酸化物層3の断面を電子エネルギー分光法(EELS)で分析することにより確認することができる。なお、この熱処理の温度とは、加熱試料の近傍に設置した熱電対により測定した温度である。
次に、図5に示すように、第2酸化物層3の周囲を覆うように、第2酸化物層3上に、カーボンペーストを塗布し、約80℃で約30分間乾燥することによりカーボン粒子を含む第1導電層4aを形成した後、第1導電層4aの周囲を覆うように、第1導電層4a上に銀ペーストを塗布し、約170℃で約30分間乾燥することにより銀粒子を含む第2導電層4bを形成した。これにより、第2酸化物層3の周囲を覆うように第2酸化物層3上に第1導電層4aおよび第2導電層4bの積層構造を有する陰極4を形成した。これにより、陽極1上に第1酸化物層2、第2酸化物層3および陰極4が順次積層された固体電解コンデンサ素子Aが形成される。
次に、図6に示すように、表面をニッケルめっきした約0.1mmの厚さを有する鉄箔からなる陰極端子6上に導電性接着剤を約2mg塗布した後、この導電性接着剤を介して陰極4の周囲のうち上面に陰極端子6とを接着した。さらに、導電性接着剤を約60℃の温度で約30分間乾燥することにより、陰極4と陰極端子6とを接続する導電性接着剤層5を形成した。
最後に、図1に示したように、陰極端子6および陽極端子7の端部が外部に引き出されるように、固体電解コンデンサ素子Aと陰極端子6および陽極端子7との周囲にモールド外装樹脂8を形成した。このようにして、図1に示すように、実施例1による固体電解コンデンサを作製した。
実施例2では、実施例1のニオブ粒子の多孔質焼結体からなる基体1bに代えて、アルミニウムを約1wt%含むニオブ合金粒子の多孔質焼結体を用いる以外は、実施例1と同様の固体電解コンデンサを作製した。
比較例1では、実施例1のNbO1.5を含む第2酸化物層3に代えて、ポリピロールからなる導電性高分子層を用いる以外は、実施例1と同様の固体電解コンデンサを作製した。なお、この導電性高分子層の形成は、ピロールの電解重合により第1酸化物層上に行った。
比較例2では、実施例1のNbO1.5を含む第2酸化物層3に代えて、二酸化マンガン層を用いる以外は、実施例1と同様の固体電解コンデンサを作製した。なお、この二酸化マンガン層の形成は、約30wt%の硝酸マンガン水溶液中に第1酸化物層2が形成された陽極1を約30秒間浸漬した後、約400℃で約10分間熱処理する工程を5回繰り返すことにより行った。
まず、実施例1で作製した固体電解コンデンサ素子Aの第1酸化物層2および第2酸化物層3について、厚さ方向の組成分析を行った。図13は、実施例1で作製した固体電解コンデンサ素子Aの第1酸化物層2および第2酸化物層3のEELSによる測定結果を示す図である。なお、測定は、陰極4を形成する前に行った。図13において、縦軸は元素の存在比を示し、横軸は第2酸化物層3の表面からの深さを示す。
次に、本発明の実施例1の固体電解コンデンサの形成プロセスにおいて、第1酸化物層3を熱処理する温度の影響について検討を行った。
次に、作製した固体電解コンデンサに対して、約100kHzの周波数におけるESR測定を行った。ESRの測定は、LCRメータを用いて陰極端子8と陽極端子9との間に電圧を印加することにより行った。結果を実施例1で作製した固体電解コンデンサの測定結果と合わせて表2に示す。
次に、本発明の実施例1の固体電解コンデンサにおいて、陰極4の構造の影響について検討を行った。
次に、作製した固体電解コンデンサに対して、約100kHzの周波数におけるESR測定を行った。ESRの測定は、LCRメータを用いて陰極端子8と陽極端子9との間に電圧を印加することにより行った。結果を表3に示す。
1a 陽極リード
1b 基体
2 第1酸化物層
3 第2酸化物層
4 陰極
4a 第1導電層
4b 第2導電層
5 導電性接着剤層
6 陰極端子
7 陽極端子
8 モールド外装樹脂
Claims (5)
- 陽極上に形成されたNb2O5を含む第1酸化物層と、
前記第1酸化物層上に形成されたNbOx(1≦x≦2)を含む第2酸化物層と、
前記第2酸化物層上に形成された陰極とを備える、固体電解コンデンサ素子。 - 前記陰極は、前記第2酸化物層上に形成されたカーボン粒子を含む第1導電層と前記第1導電層上に形成された銀粒子を含む第2導電層との積層構造を有する、請求項1に記載の固体電解コンデンサ素子。
- ニオブを含む陽極を電解液中で陽極酸化することによりNb2O5を含む第1酸化物層を形成する工程と、
前記第1酸化物層を減圧下で熱処理することにより前記第1酸化物層上にNbOx(1≦x≦2)を含む第2酸化物層を形成する工程と、
前記第2酸化物層上に陰極を形成する工程とを備える、固体電解コンデンサ素子の製造方法。 - 前記第2酸化物層を形成する工程は、140℃以上250℃未満の温度で熱処理する工程を含む、請求項3に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。
- 陽極上に形成されたNb2O5を含む第1酸化物層と、
前記第1酸化物層上に形成されたNbOx(1≦x≦2)を含む第2酸化物層と、
前記第2酸化物層上に形成された陰極と、
前記陰極上に形成された外装体とを備える、固体電解コンデンサ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006166688A JP4804235B2 (ja) | 2005-08-29 | 2006-06-15 | 固体電解コンデンサ素子、その製造方法および固体電解コンデンサ |
US11/510,786 US7561409B2 (en) | 2005-08-29 | 2006-08-28 | Solid electrolytic capacitor element, manufacturing method of solid electrolytic capacitor element and solid electrolytic capacitor |
CN200610128609.2A CN1925075B (zh) | 2005-08-29 | 2006-08-29 | 固体电解电容器元件及其制造方法、固体电解电容器 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005248451 | 2005-08-29 | ||
JP2005248451 | 2005-08-29 | ||
JP2006166688A JP4804235B2 (ja) | 2005-08-29 | 2006-06-15 | 固体電解コンデンサ素子、その製造方法および固体電解コンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007096264A true JP2007096264A (ja) | 2007-04-12 |
JP4804235B2 JP4804235B2 (ja) | 2011-11-02 |
Family
ID=37802845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006166688A Expired - Fee Related JP4804235B2 (ja) | 2005-08-29 | 2006-06-15 | 固体電解コンデンサ素子、その製造方法および固体電解コンデンサ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7561409B2 (ja) |
JP (1) | JP4804235B2 (ja) |
CN (1) | CN1925075B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014531139A (ja) * | 2011-10-26 | 2014-11-20 | ハー.ツェー.スタルク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングH.C. Starck GmbH | Taシート/Nbシートにステンシル印刷された歪みのない陽極 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9959979B2 (en) * | 2013-02-19 | 2018-05-01 | Kemet Electronics Corporation | Low ESR capacitor |
CN113990669B (zh) * | 2021-10-29 | 2023-02-21 | 北京七一八友益电子有限责任公司 | 高耐压固体钽电解电容器的制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11265838A (ja) * | 1998-03-17 | 1999-09-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 固体電解質形成用ペースト組成物、これを用いた固体電解コンデンサ及びその製造法 |
JP2000188243A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Showa Denko Kk | コンデンサ |
JP2002373834A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-12-26 | Showa Denko Kk | ニオブコンデンサの製造方法。 |
JP2004111598A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | コンデンサ陽極体およびその製造方法 |
WO2004070749A1 (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-19 | Showa Denko K.K. | コンデンサおよび該コンデンサの製造方法 |
JP2004319970A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4780796A (en) * | 1987-01-13 | 1988-10-25 | The Japan Carlit Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
JPS63173313A (ja) | 1987-01-13 | 1988-07-16 | 日本カーリット株式会社 | 固体電解コンデンサ |
JP3196832B2 (ja) | 1998-05-15 | 2001-08-06 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
CA2360789C (en) * | 1998-12-15 | 2008-03-18 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Niobium capacitor and method of manufacture thereof |
CN101676217A (zh) * | 2003-05-19 | 2010-03-24 | 卡伯特公司 | 生产铌金属氧化物的方法和氧还原的铌氧化物 |
EP1505611B9 (de) * | 2003-07-22 | 2012-12-05 | H.C. Starck GmbH | Verfahren zur Herstellung von Kondensatoren |
TW200522109A (en) * | 2003-11-13 | 2005-07-01 | Showa Denko Kk | Solid electrolyte capacitor |
US7265965B2 (en) * | 2004-07-07 | 2007-09-04 | Showa Denko K.K. | Capacitor element and carbon paste |
-
2006
- 2006-06-15 JP JP2006166688A patent/JP4804235B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-28 US US11/510,786 patent/US7561409B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-29 CN CN200610128609.2A patent/CN1925075B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11265838A (ja) * | 1998-03-17 | 1999-09-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 固体電解質形成用ペースト組成物、これを用いた固体電解コンデンサ及びその製造法 |
JP2000188243A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Showa Denko Kk | コンデンサ |
JP2002373834A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-12-26 | Showa Denko Kk | ニオブコンデンサの製造方法。 |
JP2004111598A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | コンデンサ陽極体およびその製造方法 |
WO2004070749A1 (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-19 | Showa Denko K.K. | コンデンサおよび該コンデンサの製造方法 |
JP2004319970A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014531139A (ja) * | 2011-10-26 | 2014-11-20 | ハー.ツェー.スタルク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングH.C. Starck GmbH | Taシート/Nbシートにステンシル印刷された歪みのない陽極 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7561409B2 (en) | 2009-07-14 |
US20070045696A1 (en) | 2007-03-01 |
CN1925075B (zh) | 2012-05-30 |
JP4804235B2 (ja) | 2011-11-02 |
CN1925075A (zh) | 2007-03-07 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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