JP2007088035A - 工程制御システム、工程制御方法及び電子装置の製造方法 - Google Patents
工程制御システム、工程制御方法及び電子装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】製造装置16の装置情報をモニタするモニタユニット18と、製造工程を実施中にモニタユニット18から装置情報のモニタ値を収集する装置情報収集ユニット11と、試験ウェハに対する製造工程における、装置情報のモニタ値と、製造装置16を制御する処理パラメータ及び仕上り形状から得られる特徴量との相関を作成する相関作成ユニット11と、複数の参照ウェハに対する製造工程において、装置情報のモニタ値の分布における異常値を除いたモニタ値のそれぞれに対して相関に基づいて算出された特徴量の推定値の少なくとも一つと、対象ウェハの処理対象構造の寸法とに基づいて、製造工程の処理パラメータの設定値を算出する工程管理ユニット12と、設定値を処理ステップに記載した処理レシピに従って製造装置を制御する装置制御ユニット20とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明の第1の実施の形態に係る工程制御システムは、図1に示すように、装置情報収集ユニット10、相関作成ユニット11、工程管理ユニット12、生産管理システム14、製造装置16、モニタユニット18、装置制御ユニット20、品質管理装置22、装置情報データベース24、品質管理データベース26、及び制御情報データベース28等を備える。また、工程管理ユニット12、は、入力部30、判定部32、特徴量算出部34、目標値算出部36、パラメータ算出部38、出力部40、及び内部メモリ42等を備えている。
例えば、製造装置16を用いて半導体装置の製造工程が、装置制御ユニット20により制御されて実施される。装置制御ユニット20は、生産管理システム14から製造装置の処理パラメータの設定値等の製造工程の処理条件が記載された処理レシピを取得する。製造装置16には、例えば、反応性イオンエッチング(RIE)装置、化学気相成長(CVD)装置、蒸着装置、イオン注入装置、フォトリソグラフィシステム等が含まれる。処理パラメータとして、例えば、時間、温度、流量、圧力等が含まれる。
本発明の第2の実施の形態に係る工程制御システムは、図8に示すように、装置情報収集ユニット10、相関作成ユニット11、工程管理ユニット12a、生産管理システム14、製造装置16、モニタユニット18、装置制御ユニット20、品質管理装置22、装置情報データベース24、品質管理データベース26、及び制御情報データベース28等を備える。また、工程管理ユニット12a、は、入力部30、判定部32、分類部33、特徴量算出部34、目標値算出部36、パラメータ算出部38、出力部40、及び内部メモリ42等を備えている。
上記のように、本発明の第1及び第2の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者にはさまざまな代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
11…相関作成ユニット
12、12a…工程管理ユニット
14…生産管理システム
16…製造装置
18…モニタユニット
20…装置制御ユニット
22…品質管理装置
24…装置情報データベース
26…品質管理データベース
28…制御情報データベース
32…判定部
33…分類部
34…特徴量算出部
36…目標値算出部
38…パラメータ算出部
Claims (5)
- 製造装置の処理状態を表す装置情報をモニタするモニタユニットと、
製造工程を実施中に前記モニタユニットから前記装置情報のモニタ値を収集する装置情報収集ユニットと、
試験ウェハに対する試験製造工程における、前記装置情報の試験モニタ値と、前記製造装置を制御する処理パラメータ及び前記試験製造工程の仕上り形状から得られる特徴量との相関を作成する相関作成ユニットと、
複数の参照ウェハに対する参照製造工程において、前記装置情報の複数の参照モニタ値の分布における異常値を除いた前記複数の参照モニタ値のそれぞれに対して前記相関に基づいて算出された前記特徴量の複数の推定値の少なくとも一つと、対象ウェハに対する対象製造工程の処理対象構造の寸法とに基づいて、前記対象製造工程の前記処理パラメータの設定値を算出する工程管理ユニットと、
前記設定値を前記対象製造工程の処理ステップに記載した処理レシピに従って前記製造装置を制御する装置制御ユニット
とを備えることを特徴とする工程制御システム。 - 前記工程管理ユニットは、前記異常値の中で出現分布領域が再現する前記異常値を異常モードに分類することを特徴とする請求項1に記載の工程制御システム。
- 試験ウェハに対して試験製造工程を実施して、製造装置の処理状態を表す装置情報の試験モニタ値と、前記製造装置を制御する処理パラメータ及び前記試験製造工程の仕上り形状から得られる特徴量との相関を作成し、
複数の参照ウェハに対して参照製造工程を実施して、前記複数の参照ウェハのそれぞれに対する前記装置情報の複数の参照モニタ値を取得し、
前記複数の参照モニタ値の分布における異常値を判定し、
前記異常値を除いた前記複数の参照モニタ値のそれぞれに対応する前記特徴量の複数の推定値を前記相関に基づいて算出し、
対象ウェハに対する対象製造工程の処理対象構造の寸法と、前記複数の推定値の少なくとも一つとに基づいて、前記対象製造工程の前記処理パラメータの設定値を算出し、
前記設定値を前記対象製造工程の処理ステップに記載した処理レシピを作成する
ことを含むことを特徴とする工程制御方法。 - 前記異常値の中で出現分布領域が再現する前記異常値を異常モードに分類し、
前記異常モードに分類された第1の異常ウェハの前記異常値と、前記第1の異常ウェハの仕上がり形状に基いて算出される特徴量との新たな相関を作成し、
前記処理レシピに従って前記対象ウェハを処理しながら収集された前記装置情報の新たなモニタ値が異常と判定され、前記異常モードに分類された場合、前記新たなモニタ値に対応する前記特徴量の新たな推定値を前記新たな相関に基いて算出し、
前記処理対象構造の寸法及び前記新たな推定値に基いて前記処理パラメータの新たな設定値を算出し、
前記新たな設定値に基いて、前記処理レシピの処理ステップの前記設定値を変更する
ことを、更に含むことを特徴とする請求項3に記載の工程制御方法。 - 試験ウェハに対して試験製造工程を実施して、製造装置の処理状態を表す装置情報の試験モニタ値と、前記製造装置を制御する処理パラメータ及び前記試験製造工程の仕上り形状から得られる特徴量との相関を作成し、
複数の参照ウェハに対して参照製造工程を実施して、前記複数の参照ウェハのそれぞれに対する前記装置情報の複数の参照モニタ値を収集し、
前記複数の参照モニタ値の分布における異常値を判定し、
前記異常値を除いた前記複数の参照モニタ値のそれぞれに対応する前記特徴量の複数の推定値を前記相関に基づいて算出し、
対象ウェハに対する対象製造工程の処理対象構造の寸法と、前記複数の推定値の少なくとも一つとに基づいて、前記対象製造工程の前記処理パラメータの設定値を算出し、
前記設定値を前記対象製造工程の処理ステップに記載した処理レシピを作成し、
前記処理レシピに従って、前記製造装置により前記対象ウェハを加工する
ことを含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
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