KR20210019057A - 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 - Google Patents

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 Download PDF

Info

Publication number
KR20210019057A
KR20210019057A KR1020217000321A KR20217000321A KR20210019057A KR 20210019057 A KR20210019057 A KR 20210019057A KR 1020217000321 A KR1020217000321 A KR 1020217000321A KR 20217000321 A KR20217000321 A KR 20217000321A KR 20210019057 A KR20210019057 A KR 20210019057A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate processing
correlation curve
monitored
processing system
substrate
Prior art date
Application number
KR1020217000321A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102512456B1 (ko
Inventor
유키나오 카가
카즈요시 야마모토
히데모토 하야시하라
카즈히데 아사이
Original Assignee
가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 filed Critical 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭
Publication of KR20210019057A publication Critical patent/KR20210019057A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102512456B1 publication Critical patent/KR102512456B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B23/00—Testing or monitoring of control systems or parts thereof
    • G05B23/02—Electric testing or monitoring
    • G05B23/0205—Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults
    • G05B23/0218—Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults characterised by the fault detection method dealing with either existing or incipient faults
    • G05B23/0221—Preprocessing measurements, e.g. data collection rate adjustment; Standardization of measurements; Time series or signal analysis, e.g. frequency analysis or wavelets; Trustworthiness of measurements; Indexes therefor; Measurements using easily measured parameters to estimate parameters difficult to measure; Virtual sensor creation; De-noising; Sensor fusion; Unconventional preprocessing inherently present in specific fault detection methods like PCA-based methods
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B23/00—Testing or monitoring of control systems or parts thereof
    • G05B23/02—Electric testing or monitoring
    • G05B23/0205—Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults
    • G05B23/0218—Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults characterised by the fault detection method dealing with either existing or incipient faults
    • G05B23/0224—Process history based detection method, e.g. whereby history implies the availability of large amounts of data
    • G05B23/0227—Qualitative history assessment, whereby the type of data acted upon, e.g. waveforms, images or patterns, is not relevant, e.g. rule based assessment; if-then decisions
    • G05B23/0235—Qualitative history assessment, whereby the type of data acted upon, e.g. waveforms, images or patterns, is not relevant, e.g. rule based assessment; if-then decisions based on a comparison with predetermined threshold or range, e.g. "classical methods", carried out during normal operation; threshold adaptation or choice; when or how to compare with the threshold
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B23/00—Testing or monitoring of control systems or parts thereof
    • G05B23/02—Electric testing or monitoring
    • G05B23/0205—Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults
    • G05B23/0259—Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults characterized by the response to fault detection
    • G05B23/0267—Fault communication, e.g. human machine interface [HMI]
    • G05B23/027—Alarm generation, e.g. communication protocol; Forms of alarm
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)

Abstract

복수의 스텝으로 구성되는 프로세스 레시피를 기판 처리계에 실행시키는 제어부를 포함하고, 프로세스 레시피 실행 중에 미리 정해진 수집 조건을 충족하는 스텝에 대하여 기판 처리계에서의 감시 대상의 부품에 관한 부품 데이터를 수집하고, 수집한 부품 데이터의 상관 관계를 나타내는 상관 커브를 생성하고, 생성한 상관 커브와 미리 기억시킨 기준이 되는 초기 상관 커브를 비교하여 상관 커브와 초기 상관 커브의 차분이 미리 정해진 임계값을 초과하는지를 판정하고, 임계값을 초과한 경우에 알람을 발생시키는 구성이 제공된다.

Description

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
본 개시(開示)는 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램에 관한 것이다.
반도체 제조 분야에서는, 장치의 가동률이나 생산 효율의 향상을 도모하기 위해서, 장치의 정보를 축적하고 그 정보를 사용하여 장치의 이상(異常)의 해석이나 장치의 상태 감시를 수행한다. 예컨대 특허문헌 1에는 이상 해석에서 복수의 모니터 데이터를 이용하여 이상 요인을 특정하는 기술이 기재되어 있다. 또한 예컨대 특허문헌 2에는 이상 해석에서 복수의 모니터 데이터와 이벤트 데이터를 표시하는 기술이 기재되어 있다.
1: 일본 특개 2018-078271호 공보 2: 국제공개 제2017/168676호
하지만 이상 해석에서 단순히 복수 데이터를 이용해도 각 데이터의 상관 관계의 경시적인 변화에 의존하지 않으면 파악하기가 곤란한 이상이 있을 수 있다.
본 개시는 복수 데이터의 상관 관계의 경시 변화에 따른 기판의 불량 생산을 방지하여 생산 제품 비율을 향상시키는 것을 가능하게 하는 구성을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시의 일 형태에 따르면, 복수의 스텝으로 구성되는 프로세스 레시피를 실행하여 기판 처리계를 동작시키는 제어부를 포함하는 구성으로서, 상기 제어부는, 상기 프로세스 레시피 실행 중에 미리 정해진 수집 조건을 충족하는 스텝에 대하여 상기 기판 처리계에서의 감시 대상의 부품에 관한 부품 데이터를 수집하고, 수집한 상기 부품 데이터의 상관 관계를 나타내는 상관 커브를 생성하고, 생성한 상기 상관 커브와 미리 기억시킨 기준이 되는 초기 상관 커브를 비교하여 상기 상관 커브와 상기 초기 상관 커브의 차분(差分)이 미리 정해진 임계값을 초과하는지를 판정하고, 상기 임계값을 초과한 경우에 알람을 발생시키는 구성이 제공된다.
본 개시에 따르면, 복수 데이터의 상관 관계의 경시 변화에 따른 기판의 불량 생산을 방지하여 생산 제품 비율을 향상시키는 것을 가능하게 하는 기술을 제공할 수 있다.
도 1은 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치를 도시하는 사시도.
도 2는 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치를 도시하는 측단면도.
도 3은 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 제어부의 기능 구성을 도시하는 도면.
도 4는 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 메인 컨트롤러의 기능 구성을 도시하는 도면.
도 5는 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는, 감시 대상이 되는 부품을 포함하는 기판 처리계의 구성예를 도시하는 도면.
도 6은 일 실시 형태에서 실시되는 프로세스 레시피의 각 스텝에서, 수집되는 대상이 되는 부품, 부품 데이터의 수집 조건, 상관 데이터 생성을 위한 부품 데이터의 산출 방법을 설명하는 일 구체예를 도시하는 설명도.
도 7은 일 실시 형태에서 생성되는 상관 커브의 일 구체예를 도시시하는 설명도.
도 8은 일 실시 형태에서 표시되는 화면의 일 구체예를 도시시하는 설명도.
도 9는 일 실시 형태에서 이용당하는 각 센서 정보의 조합 패턴별 원인 판정표의 도시예.
도 10은 일 실시 형태의 변형예에서 바람직하게 이용되는, 감시 대상이 되는 부품을 포함하는 기판 처리계의 구성예를 도시하는 도면.
도 11은 일 실시 형태의 변형예에서 이용되는 각 센서 정보의 조합 패턴별 원인 판정표의 도시예.
<일 실시 형태>
이하, 본 개시의 일 실시 형태에 대해서 도 1 내지 도 9를 참조하면서 설명한다.
(1) 기판 처리 장치의 구성
우선 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성예에 대해서 도면을 이용하여 설명한다. 단, 이하의 설명에서 동일 구성 요소에는 동일부호를 첨부하고 반복 설명을 생략하는 경우가 있다. 또한 도면은 설명을 보다 명확하게 하기 위해서 실제 형태에 비해 각(各) 부(部)의 폭, 두께, 형상 등에 대해서 모식적으로 도시되는 경우가 있지만 어디까지나 일례이며, 본 발명의 해석을 한정하는 것이 아니다.
(기판 처리 장치의 개요)
도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이 본 개시가 적용되는 기판 처리 장치(이후, 단순히 장치라고도 부른다.)(1)는 광체(筐體)(2)를 구비하고, 상기 광체(2)의 정면 벽(3)의 하부에는 메인터넌스 가능하도록 설치된 개구부(開口部)(정면 메인터넌스 구)(4)가 개설되고, 상기 개구부(4)는 정면 메인터넌스 문(5)에 의해 개폐된다.
광체(2)의 정면 벽(3)에는 포드 반입반출구(6)가 광체(2)의 내외를 연통하도록 개설되고, 포드 반입반출구(6)는 프론트 셔터(7)에 의해 개폐되고, 포드 반입반출구(6)의 정면 전방측(前方側)에는 로드 포트(8)가 설치되고, 상기 로드 포트(8)는 재치된 포드(9)를 위치 맞추도록 구성된다. 상기 포드(9)는 밀폐식의 기판 반송 용기이며, 미도시의 공정 내 반송 장치에 의해 로드 포트(8) 상에 반입되고, 또한 상기 로드 포트(8) 상으로부터 반출되도록 이루어진다.
광체(2) 내의 전후 방향의 대략 중앙부에서의 상부에는 회전식 포드 선반(11)이 설치되고, 상기 회전식 포드 선반(11)은 복수 개의 포드(9)를 격납하도록 구성된다. 회전식 포드 선반(11)은 수직으로 입설(立設)되어 간헐 회전되는 지주(12)와, 상기 지주(12)에 상중하단의 각 위치에서 방사상으로 지지된 복수 단의 선반판(13)을 구비하고, 상기 선반판(13)은 포드(9)를 복수 개씩 재치한 상태에서 격납하도록 구성된다. 회전식 포드 선반(11)의 하방(下方)에는 포드 오프너(14)가 설치되고, 상기 포드 오프너(14)는 포드(9)를 재치하고, 또한 상기 포드(9)의 덮개를 개폐 가능한 구성을 포함한다.
로드 포트(8)와 회전식 포드 선반(11), 포드 오프너(14) 사이에는 포드 반송 기구(15)가 설치되고, 상기 포드 반송 기구(15)는 포드(9)를 보지(保持)하여 승강 가능, 수평 방향으로 진퇴 가능하도록 이루어지고, 로드 포트(8), 회전식 포드 선반(11), 포드 오프너(14) 사이에서 포드(9)를 반송하도록 구성된다.
광체(2) 내의 전후 방향의 대략 중앙부에서의 하부에는 서브 광체(16)가 후단에 걸쳐서 설치된다. 상기 서브 광체(16)의 정면 벽(17)에는 웨이퍼(이후, 기판이라고도 부른다.)(18)를 서브 광체(16) 내에 대하여 반입반출하기 위한 웨이퍼 반입반출구(19)가 한 쌍, 수직 방향으로 상하 2단으로 배열되어 개설되고, 상하단의 웨이퍼 반입반출구(19)에 대하여 포드 오프너(14)가 각각 설치된다.
포드 오프너(14)는 포드(9)를 재치하는 재치대(21)와, 포드(9)의 덮개를 개폐하는 개폐 기구(22)를 구비한다. 포드 오프너(14)는 재치대(21)에 재치된 포드(9)의 덮개를 개폐 기구(22)에 의해 개폐하는 것에 의해 포드(9)의 웨이퍼 출입구를 개폐하도록 구성된다.
서브 광체(16)는 포드 반송 기구(15)나 회전식 포드 선반(11)이 배설(配設)되는 공간(포드 반송 공간)으로부터 기밀로 이루어진 이재실(23)을 구성한다. 상기 이재실(23) 전측 영역에는 웨이퍼 이재 기구(기판 이재 기구)(24)가 설치되고, 상기 기판 이재 기구(24)는 기판(18)을 재치하는 소요 매수(도시에서는 5매)의 웨이퍼 재치 플레이트(25)를 구비하고, 상기 웨이퍼 재치 플레이트(25)는 수평 방향으로 직동(直動) 가능, 수평 방향으로 회전 가능 또한 승강 가능하도록 이루어진다. 기판 이재 기구(24)는 보트(기판 보지체)(26)에 대하여 기판(18)을 장전(裝塡) 및 불출(拂出)하도록 구성된다.
이재실(23)의 후측 영역에는 보트(26)를 수용해서 대기시키는 대기부(27)가 구성되고, 상기 대기부(27)의 상방(上方)에는 종형(縱型)의 처리로(28)가 설치된다. 상기 처리로(28)는 내부에 처리실(반응실)(29)을 형성하고, 상기 처리실(29)의 하단부는 노구부(爐口部)로 이루어지고, 상기 노구부는 노구 셔터(31)에 의해 개폐되도록 이루어진다.
광체(2)의 우측 단부(端部)와 서브 광체(16)의 대기부(27)의 우측단부 사이에는 보트(26)를 승강시키기 위한 승강 기구로서의 보트 엘리베이터(32)가 설치된다. 상기 보트 엘리베이터(32)의 승강대에 연결된 암(33)에는 개체로서의 씰 캡(34)이 수평하게 설치되고, 상기 개체(34)는 보트(26)를 수직으로 지지하고, 상기 보트(26)를 처리실(29)에 장입한 상태에서 노구부를 기밀하게 폐색(閉塞) 가능하도록 이루어진다.
보트(26)는 복수 매(예컨대 50매 내지 125매 정도)의 기판(18)을 그 중심을 맞춰서 수평 자세로 다단으로 보지하도록 구성된다.
보트 엘리베이터(32)측과 대향하는 위치에는 클린 유닛(35)이 배설되고, 상기 클린 유닛(35)은 청정화된 분위기 또는 불활성 가스인 클린 에어(36)를 공급하도록 공급 팬 및 방진 필터로 구성된다. 기판 이재 기구(24)와 클린 유닛(35) 사이에는 기판(18)의 원주 방향의 위치를 조정시키는 기판 정합 장치로서의 노치(notch) 맞춤 장치(미도시)가 설치된다.
클린 유닛(35)으로부터 취출(吹出)된 클린 에어(36)는 노치 맞춤 장치(미도시) 및 기판 이재 기구(24), 보트(26)에 유통된 후에 미도시의 덕트에 의해 흡입되어 광체(2)의 외부에 배기되거나, 혹은 클린 유닛(35)에 의해 이재실(23) 내에 취출되도록 구성된다.
다음으로 장치(1)의 작동에 대해서 설명한다. 포드(9)가 로드 포트(8)에 공급되면, 포드 반입반출구(6)가 프론트 셔터(7)에 의해 개방된다. 로드 포트(8) 상의 포드(9)는 포드 반송 장치(15)에 의해 광체(2)의 내부에 포드 반입반출구(6)를 통해서 반입되고, 회전식 포드 선반(11)의 지정된 선반판(13)에 재치된다. 포드(9)는 회전식 포드 선반(11)에서 일시적으로 보관된 후, 포드 반송 장치(15)에 의해 선반판(13)으로부터 어느 일방(一方)의 포드 오프너(14)에 반송되어 재치대(21)에 이재되거나, 혹은 로드 포트(8)로부터 직접 재치대(21)에 이재된다.
이때 웨이퍼 반입반출구(19)는 개폐 기구(22)에 의해 닫히고, 이재실(23)은 클린 에어(36)가 유통되어 충만된다. 이재실(23)에는 클린 에어(36)로서 질소 가스가 충만되기 때문에 이재실(23)의 산소 농도는 광체(2)의 내부의 산소 농도보다 낮다.
재치대(21)에 재치된 포드(9)는 그 개구측 단면이 서브 광체(16)의 정면벽(17)에서의 웨이퍼 반입반출구(19)의 개구 연변부(緣邊部)에 압부(押付)되는 것과 함께 덮개가 개폐 기구(22)에 의해 제거되어 웨이퍼 출입구가 개방된다.
포드(9)가 포드 오프너(14)에 의해 개방되면, 기판(18)은 포드(9)로부터 기판 이재 기구(24)에 의해 취출되고, 노치 맞춤 장치(미도시)에 이송되고 상기 노치 맞춤 장치로 기판(18)을 조정한 후, 기판 이재 기구(24)는 기판(18)을 이재실(23)의 후방에 있는 대기부(27)에 반입하고 보트(26)에 장전(charging)한다.
보트(26)에 기판(18)을 수도(受渡)한 기판 이재 기구(24)는 포드(9)에 돌아가고, 다음 기판(18)을 보트(26)에 장전한다. 일방(상단 또는 하단)의 포드 오프너(14)에서의 기판 이재 기구(24)에 의해 기판(18)의 보트(26)로의 장전 작업 중에 타방(他方)(하단 또는 상단)의 포드 오프너(14)에는 회전식 포드 선반(11)으로부터 다른 포드(9)가 포드 반송 장치(15)에 의해 반송되어 이재되고, 타방의 포드 오프너(14)에 의한 포드(9)의 개방 작업이 동시 진행된다.
미리 지정된 매수의 기판(18)이 보트(26)에 장전되면 노구 셔터(31)에 의해 닫힌 처리로(28)의 노구부가 노구 셔터(31)에 의해 개방된다. 계속해서 보트(26)는 보트 엘리베이터(32)에 의해 상승되고, 처리실(29)에 반입(로딩)된다.
로딩 후는 씰 캡(34)에 의해 노구부가 기밀하게 폐색된다. 또한 본 실시 형태에서 이 타이밍에(로딩 후), 처리실(29)이 불활성 가스로 치환되는 퍼지 공정(프리 퍼지 공정)을 포함한다.
처리실(29)이 원하는 압력(진공도)이 되도록 진공 펌프 등의 가스 배기 기구(미도시)에 의해 진공 배기된다. 또한 처리실(29)이 원하는 온도 분포가 되도록 히터 구동부(미도시)에 의해 소정 온도까지 가열된다. 또한 가스 공급 기구(미도시)에 의해 소정의 유량으로 제어된 처리 가스가 공급되고, 처리 가스가 처리실(29)을 유통하는 과정에서 기판(18)의 표면과 접촉하고, 기판(18)의 표면 상에 소정의 처리가 실시된다. 또한 반응 후의 처리 가스는 가스 배기 기구에 의해 처리실(29)로부터 배기된다.
미리 설정된 처리 시간이 경과하면, 가스 공급 기구에 의해 불활성 가스 공급원(미도시)으로부터 불활성 가스가 공급되고, 처리실(29)이 불활성 가스로 치환되는 것과 함꼐 처리실(29)의 압력이 상압으로 복귀된다(애프터 퍼지 공정). 그리고 보트 엘리베이터(32)에 의해 씰 캡(34)을 개재하여 보트(26)가 강하된다.
처리 후의 기판(18)의 반출에 대해서는 상기 설명과 반대의 순서로 기판(18) 및 포드(9)는 광체(2)의 외부에 불출된다. 미처리의 기판(18)이 또한 보트(26)에 장전되고, 기판(18)의 처리가 반복된다.
(제어부의 기능 구성)
다음으로 도 3을 참조하여 조작부로서의 메인 컨트롤러(201)를 중심으로 한 제어부(제어 시스템)(200)의 기능 구성에 대해서 설명한다. 도 3에 도시하는 바와 같이 제어부(200)는 메인 컨트롤러(201)와, 반송 제어부로서의 반송계 컨트롤러(211)와, 처리 제어부로서의 프로세스계 컨트롤러(212)와, 데이터 감시부로서의 장치 관리 컨트롤러(215)를 구비한다. 장치 관리 컨트롤러(215)는 데이터 수집 컨트롤러로서 기능하고, 장치(1) 내외의 장치 데이터를 수집하여 장치(1) 내의 장치 데이터(DD)의 건전성을 감시한다. 본 실시 형태에서는 제어부(200)는 장치(1) 내에 수용된다. 또한 반송계 컨트롤러(211), 프로세스계 컨트롤러(212), 장치 관리 컨트롤러(215)는 메인 컨트롤러(201)의 구성과 마찬가지이다.
여기서 장치 데이터(DD)란 장치(1)가 기판(18)을 처리할 때의 처리 온도, 처리 압력, 처리 가스의 유량 등 기판 처리에 관한 데이터(이후, 제어 파라미터라고도 부른다.)나, 제조한 제품 기판의 품질(예컨대 성막한 막 두께 및 상기 막 두께의 누적값 등)에 관한 데이터나, 장치(1)의 구성 부품(석영 반응관, 히터, 밸브, 매스 플로우 컨트롤러(이후, MFC) 등]에 관한 부품 데이터[예컨대 설정값, 실측값)등, 장치(1)가 기판(18)을 처리할 때 각 구성 부품을 동작시키는 것에 의해 발생하는 데이터이다.
메인 컨트롤러(201)는 예컨대 100BASE-T 등의 LAN 회선(LAN1)에 의해 반송계 컨트롤러(211) 및 프로세스계 컨트롤러(212)와 전기적으로 접속되기 때문에 각 장치 데이터(DD)의 송수신이나 각 파일의 다운로드 및 업로드 등이 가능한 구성으로 이루어진다.
메인 컨트롤러(201)에는 외부의 상위 컴퓨터(300)나 관리 장치(310)가 예컨대 100BASE-T 등의 통신 네트워크(LAN2)를 개재하여 접속된다. 이로 인해 장치(1)가 클린 룸 내에 설치된 경우에도 상위 컴퓨터(300)나 관리 장치(310)가 클린 룸 외의 사무소 등에 배치되는 것이 가능하다.
장치 관리 컨트롤러(215)는 메인 컨트롤러(201)와 LAN 회선으로 접속되고, 메인 컨트롤러(201)로부터 장치 데이터(DD)를 수집하여 장치의 가동 상태를 정량화해서 화면에 표시하도록 구성된다. 또한 장치 관리 컨트롤러(215)에 대해서는 상세를 후술한다.
반송계 컨트롤러(211)는 주로 회전식 포드 선반(11), 보트 엘리베이터(32), 포드 반송 장치(15), 기판 이재 기구(24), 보트(26) 및 회전 기구(미도시)에 의해 구성되는 기판 반송계(211A)에 접속된다. 반송계 컨트롤러(211)는 회전식 포드 선반(11), 보트 엘리베이터(32), 포드 반송 장치(15), 기판 이재 기구(24), 보트(26) 및 회전 기구(미도시)의 반송 동작을 각각 제어하도록 구성된다.
프로세스계 컨트롤러(212)는 온도 컨트롤러(212a), 압력 컨트롤러(212b), 가스 유량 컨트롤러(212c), 시퀀서(212d)를 구비한다. 이들 온도 컨트롤러(212a), 압력 컨트롤러(212b), 가스 유량 컨트롤러(212c), 시퀀서(212d)는 서브 컨트롤러를 구성하고, 프로세스계 컨트롤러(212)와 전기적으로 접속되기 때문에 각 장치 데이터(DD)의 송수신이나 각 파일의 다운로드 및 업로드 등이 가능하도록 이루어진다.
온도 컨트롤러(212a)에는 주로 히터 및 온도 센서 등에 의해 구성되는 가열 기구(212A)가 접속된다. 온도 컨트롤러(212a)는 처리로(28)의 히터의 온도를 제어하는 것에 의해 처리로(28) 내의 온도를 조절하도록 구성된다. 또한 온도 컨트롤러(212a)는 사이리스터의 스위칭(ON/OFF) 제어를 수행하고, 히터 소선에 공급하는 전력을 제어하도록 구성된다. 압력 컨트롤러(212b)에는 주로 압력 센서 압력 밸브로서의 APC 밸브 및 진공 펌프에 의해 구성되는 가스 배기 기구(212B)가 접속된다. 압력 컨트롤러(212b)는 압력 센서에 의해 검지된 압력값에 기초하여 처리실(29)의 압력이 원하는 타이밍에 원하는 압력이 되도록 APC 밸브의 개도(開度) 및 진공 펌프의 스위칭(ON/OFF)을 제어하도록 구성된다. 가스 유량 컨트롤러(212c)는 MFC(212c)에 의해 구성된다. 시퀀서(212d)는 처리 가스 공급관이나 퍼지 가스 공급관으로부터의 가스의 공급이나 정지를 밸브(212D)를 개폐시키는 것에 의해 제어하도록 구성된다.
이러한 구성의 프로세스계 컨트롤러(212)는 처리실(29)에 공급하는 가스의 유량이 원하는 타이밍에 원하는 유량이 되도록 MFC(212c), 밸브(212D)를 제어하도록 구성된다.
또한 본 실시 형태에 따른 메인 컨트롤러(201), 반송계 컨트롤러(211), 프로세스계 컨트롤러(212), 장치 관리 컨트롤러(215)는 전용의 시스템에 한정되지 않고, 통상의 컴퓨터 시스템을 이용하여 실현 가능하다. 예컨대 범용 컴퓨터에 전술한 처리를 실행하기 위한 프로그램을 격납한 기록 매체(USB 키 등)로부터 상기 프로그램을 인스톨하는 것에 의해 소정의 처리를 실행하는 각 컨트롤러를 구성할 수 있다.
그리고 메인 컨트롤러(201), 반송계 컨트롤러(211), 프로세스계 컨트롤러(212), 장치 관리 컨트롤러(215) 등을 포함하는 각 컨트롤러는 제공된 프로그램을 기동하고, OS의 제어 하에서 다른 어플리케이션 프로그램과 마찬가지로 실행하는 것에 의해 소정의 처리를 실행할 수 있다.
(메인 컨트롤러의 구성)
다음으로 메인 컨트롤러(201)의 구성을 도 4를 참조하면서 설명한다. 메인 컨트롤러(201)는 메인 컨트롤러 제어부(220), 메인 컨트롤러 기억부로서의 하드 디스크(222), 각종 정보를 표시하는 표시부와, 조작자로부터의 각종 지시를 접수하는 입력부를 포함하는 조작 표시부(227), 장치(1) 내외와 통신하는 메인 컨트롤러 통신부로서의 송수신 모듈(228)을 포함하도록 구성된다. 메인 컨트롤러 제어부(220)는 CPU(중앙 처리 장치)(224)나, 일시 기억부로서의 메모리(RAM, ROM 등)(226)를 포함하고, 시계 기능(미도시)을 구비한 컴퓨터로서 구성된다.
하드 디스크(222)에는 기판의 처리 조건 및 처리 순서가 정의된 레시피 등의 각 레시피 파일, 이들 각 레시피 파일을 실행시키기 위한 제어 프로그램 파일, 레시피를 실행하기 위한 파라미터가 정의된 파라미터 파일, 또한 에러 처리 프로그램파일 및 에러 처리의 파라미터 파일 외에, 프로세스 파라미터를 입력하는 입력 화면을 포함하는 각종 화면 파일, 각종 아이콘 파일 등(모두 미도시)이 격납된다.
또한 조작 표시부(227)의 조작 화면에는 도 3에 도시하는 기판 반송계(211A), 가열 기구(212A), 가스 배기 기구(212B) 및 가스 공급계(212C)로의 동작 지시를 입력하는 입력부로서의 각 조작 버튼을 설치하는 것도 가능하다.
조작 표시부(227)에는 장치(1)를 조작하기 위한 조작 화면이 표시되도록 구성된다. 조작 표시부(227)는 조작 화면을 개재하여 장치(1) 내에서 생성되는 장치 데이터(DD)에 기초한 정보를 조작 화면에 표시한다. 조작 표시부(227)의 조작 화면은 예컨대 액정을 이용한 터치패널이다. 조작 표시부(227)는 조작 화면에서의 작업자의 입력 데이터(입력 지시)를 접수하고, 입력 데이터를 메인 컨트롤러(201)에 송신한다. 또한 조작 표시부(227)는 메모리(RAM)(226) 등에 전개된 레시피 또는 하드 디스크(222)에 격납된 복수의 레시피 중 임의의 기판 처리 레시피(이후, 프로세스 레시피라고도 부른다.)를 실행시키는 지시(제어 지시)를 접수하고, 메인 컨트롤러 제어부(220)에 송신한다.
또한 본 실시 형태에서는 장치 관리 컨트롤러(215)가 기동 시에 각종 프로그램 등을 실행하는 것에 의해 격납된 각 화면 파일 및 데이터 테이블을 전개하고, 장치 데이터(DD)를 판독하는 것에 의해 장치의 가동 상태가 나타나는 각 화면이 조작 표시부(227)에 표시되도록 구성된다.
메인 컨트롤러 통신부(228)에는 스위칭 허브 등이 접속되고, 메인 컨트롤러(201)가 네트워크를 개재하여 외부의 컴퓨터(300)나 장치(1) 내의 다른 컨트롤러(211, 212, 215) 등과 데이터의 송신 및 수신을 수행하도록 구성된다.
또한 메인 컨트롤러(201)는 미도시의 네트워크를 개재하여 외부의 상위 컴퓨터(300), 예컨대 호스트 컴퓨터에 대하여 장치(1)의 상태 등 장치 데이터(DD)를 송신한다. 또한 장치(1)의 기판 처리 동작은 메인 컨트롤러 기억부(222)에 기억된 각 레시피 파일, 각 파라미터 파일 등에 기초하여 제어부(200)에 의해 제어된다.
(2) 기판 처리 방법의 순서
다음으로 본 실시 형태에 따른 장치(1)를 이용하여 실시하는 소정의 처리 공정을 포함하는 기판 처리 방법에 대해서 설명한다. 여기서 소정의 처리 공정은 반도체 디바이스의 제조 공정의 일 공정인 기판 처리 공정을 실시한 경우를 예로 든다.
기판 처리 공정의 실시하는 데 있어서, 프로세스 레시피가 예컨대 프로세스계 컨트롤러(212) 내의 RAM 등의 메모리에 전개된다. 그리고 필요에 따라 메인 컨트롤러(201)로부터 프로세스계 컨트롤러(212)나 반송계 컨트롤러(211)에 동작 지시가 주어진다. 이와 같이 하여 실시되는 기판 처리 공정은 반입 공정과 성막 공정과 반출 공정을 적어도 포함한다.
(이재 공정)
메인 컨트롤러(201)로부터는 반송계 컨트롤러(211)에 대하여 기판 이재 기구(24)의 구동(驅動) 지시가 내려진다. 그리고 반송계 컨트롤러(211)로부터의 지시에 따르면서 기판 이재 기구(24)는 재치대(21) 상의 포드(9)로부터 보트(26)로의 기판(18)의 이재 처리를 시작한다. 이 이재 처리는 예정된 모든 기판(18)의 보트(26)로의 장전(웨이퍼 차지)이 완료될 때까지 수행된다.
(반입 공정)
소정 매수의 기판(18)이 보트(26)에 장전되면, 보트(26)는 반송계 컨트롤러(211)로부터의 지시에 따라 동작하는 보트 엘리베이터(32)에 의해 상승되어 처리로(28) 내에 형성되는 처리실(29)에 장입(裝入)(보트 로드)된다. 보트(26)가 완전히 장입되면, 보트 엘리베이터(32)의 씰 캡(34)은 처리로(28)의 매니폴드의 하단을 기밀하게 폐색한다.
(성막 공정)
다음으로 처리실(29) 내는 압력 제어부(212b)로부터의 지시에 따르면서 소정의 성막 압력(진공도)이 되도록 진공 펌프 등의 진공 배기 장치에 의해 진공 배기된다. 또한 처리실(29) 내는 온도 제어부(212a)로부터의 지시에 따르면서 소정의 온도가 되도록 히터에 의해 가열된다. 계속해서 반송계 컨트롤러(211)로부터의 지시에 따르면서 회전 기구에 의한 보트(26) 및 기판(18)의 회전을 시작한다. 그리고 소정의 압력, 소정의 온도로 유지된 상태에서 보트(26)에 보지된 복수 매의 기판(18)에 소정의 가스(처리 가스)를 공급하고, 기판(18)에 소정의 처리(예컨대 성막 처리)가 이루어진다. 또한 다음 반출 공정 전에 처리 온도(소정의 온도)로부터 온도를 강하시키는 경우가 있다.
(반출 공정)
보트(26)에 재치된 기판(18)에 대한 성막 공정이 완료되면, 반송계 컨트롤러(211)로부터의 지시에 따르면서, 그 후 회전 기구에 의한 보트(26) 및 기판(18)의 회전을 정지시 보트 엘리베이터(32)에 의해 씰 캡(34)을 하강시켜서 매니폴드의 하단을 개구시키는 것과 함께 처리 완료된 기판(18)을 보지한 보트(26)를 처리로(28)의 외부에 반출(보트 언로드) 한다.
(회수 공정)
그리고 처리 완료된 기판(18)을 보지한 보트(26)는 클린 유닛(35)으로부터 취출되는 클린 에어(36)에 의해 극히 효과적으로 냉각된다. 그리고 예컨대 150℃ 이하로 냉각되면, 보트(26)로부터 처리 완료된 기판(18)을 탈장(脫裝)(웨이퍼 디스차지)해서 포드(9)에 이재한 후에 새로운 미처리 기판(18)의 보트(26)로의 이재가 수행된다.
(3) 장치 상태의 감시 처리
다음으로 기판 처리 공정을 실시하는 과정에서 제어부(200)가 수행하는 제어 처리에 대해서 여기서는 성막 공정을 수행할 때 제어부(200)의 장치 관리 컨트롤러(215)가 수행하는 장치 상태의 감시 처리를 예로 들어 구체적으로 설명한다.
성막 공정에서는 도 5에 도시하는 바와 같이 복수 종류의 처리 가스(N2-1, N2-2, N2-3)가, 각각에 대응하는 가스 유량 컨트롤러(MFC)(212c)로 유량이 조정된 상태에서 각각에 대해서 설정된 타이밍으로 기판(18)이 반입된 처리실(반응실)(29)에 공급된다. 복수 종류의 처리 가스(N2-1, N2-2, N2-3)로서는 예컨대 원료 가스인 제1 원소 함유 가스, 반응 가스 또는 개질 가스인 제2 원소 함유 가스, 퍼지 가스로서 작용하는 불활성 가스 등이 있다. 또한 처리실(29)로부터는 가스 배기 기구(212B)의 APC 밸브(이후, 단순히 밸브라고도 부른다.)(212B-1) 및 진공 펌프(이후, 단순히 펌프라고도 부른다.)(212B-2)에 의해 가스가 배기되고, 반응실(29) 내의 압력이 조정된다. 반응실(29)의 압력은 압력 센서(PG1)에 의해 검지된다.
즉 반응실(29)에 반입된 기판(18)은 적어도 반응실(29), MFC(212c), 밸브(212B-1), 펌프(212B-2), 압력 센서(PG1) 등을 구비한 기판 처리계에 의해 처리된다. 그리고 성막 공정에서 프로세스계 컨트롤러(212)는 반응실(29)에 공급하는 각종 가스의 유량이 원하는 타이밍에 원하는 유량이 되도록 MFC(212c), 밸브(212B-1) 및 펌프(212B-2)를 제어한다.
이때 장치 관리 컨트롤러(215)는 데이터 수집 컨트롤러로서 기능하고, 장치(1) 내외의 장치 데이터(DD)를 수집하는 것이 가능하다. 더욱 구체적으로는 장치 관리 컨트롤러(215)는 장치 데이터(DD)로서 적어도 각 MFC(212c)의 동작 상태를 감시하기 위해서 각 MFC(212c)에서의 유량 조정 후의 각종 가스의 토탈 실유량(實流量)(단위: slm)에 관한 데이터를 각 MFC(212c)로부터 취득하는 것과 함께, 밸브(212B-1) 및 펌프(212B-2)의 동작 상태를 감시하기 위해서 반응실(29)의 실압력(實壓力)(단위: Pa)에 관한 데이터를 압력 센서(PG1)로부터 취득하는 것이 가능하다.
즉 적어도 반응실(29)의 가스 공급측의 부품과 반응실(29)의 가스 배기측의 부품이 각각 하나 이상 감시 대상의 부품으로서 선택된다. 구체적으로는 가스 공급측의 부품인 각 MFC(212c)와, 가스 배기측의 부품인 밸브(212B-1) 및 펌프(212B-2)의 동작 상태에 직접적인 영향을 받는 압력 센서(PG1)가 각각 감시 대상의 부품으로서 선택된다. 그리고 장치 관리 컨트롤러(215)는 각 MFC(212c)로 얻어지는 토탈 실유량에 관한 데이터와, 압력 센서(PG1)로 얻어지는 실압력에 관한 데이터를 감시 대상의 부품에 관한 부품 데이터로서 수집하도록 이루어진다.
단, 장치 관리 컨트롤러(215)에 의한 부품 데이터의 수집은 필요에 따라 수행하면 좋다. 본 실시 형태에서는 이하에 설명하는 바와 같이, 프로세스 레시피 실행 중에 미리 정해진 수집 조건을 충족하는 스텝에 대해서만, 부품 데이터의 수집을 수행한다.
구체적으로는 성막 공정을 포함하는 기판 처리 공정을 실행할 때의 순서나 조건 등이 규정되는 프로세스 레시피는 도 6에 도시하는 바와 같이 복수의 스텝으로 구성된다(도면 중의 레시피 스텝# 참조). 그 경우에 장치 관리 컨트롤러(215)는 미리 정해진 수집 조건을 충족하는 스텝에 대해서만 부품 데이터의 수집을 수행하도록 이루어진다.
미리 정해진 수집 조건은 예컨대 실행하는 프로세스 레시피를 구성하는 각 스텝의 처리 시간, 밸브(212B-1)의 개폐 상태 및 펌프(212B-2)의 동작 상태를 포함한다. 더욱 구체적으로는 장치 관리 컨트롤러(215)는 예컨대 스텝의 처리 시간이 소정 시간(본 실시 형태에서는 5초) 이상이며(도면 중의 시간[sec] 참조), 밸브(212B-1)가 열림(Open) 상태이며(도면 중의 Valve 참조), 또한 펌프(212B-2)가 동작(ON) 상태인(도면 중의 펌프 참조) 경우에 부품 데이터로서 스텝마다 각 MFC(212c)로 얻어지는 토탈 실유량에 관한 데이터와, 압력 센서(PG1)로 얻어지는 실압력에 관한 데이터를 수집한다(도면 중의 굵은 선 범위 내 참조).
이와 같이 하여 수집 조건을 충족하는 각 스텝의 부품 데이터를 수집하면, 장치 관리 컨트롤러(215)는 계속해서 도 7에 도시하는 바와 같이, 수집한 부품 데이터끼리의 상관 관계를 나타내는 상관 커브를 생성한다. 여기서 본 명세서에서 상관 커브란 반응실(29)의 입력측의 부품 데이터와 반응실(29)의 출력측의 부품 데이터의 관계를 도시하는 관계식을 나타낸다. 특히 본 실시 형태에서는 반응실(29)에 공급되는 각 MFC(212c)로 유량 제어된 실제 가스 유량과 반응실(29)의 압력을 검출하는 압력 센서(PG1)의 관계식을 나타낸다. 도 7에 도시하는 상관 커브는 압력 센서(PG1)의 실측값이 세로축에, 반응실(29)에 공급된 가스의 실유량이 가로축에 각각 플롯되어 구성된다. 즉 장치 관리 컨트롤러(215)는 압력 센서(PG1)의 실측값을 세로축으로 하고, 반응실(29)로의 가스 실유량을 가로축으로 하는 좌표 공간에서, 수집 조건을 충족하는 각 스텝에서 수집한 각 MFC(212c)에 의한 토탈 실유량에 관한 데이터와 압력 센서(PG1)에 의한 실압력에 관한 데이터를 서로 대응시켜서 플롯하는 것에 의해 상관 커브를 생성하도록 이루어진다. 또한 프로세스 레시피에 따라서는 대량의 데이터가 수집되는 경우가 있으며, 단순히 데이터를 플롯해서는 상관 커브가 잘 그려지지 않는 경우가 있다. 이러한 경우도 있기 때문에 미리 장치 관리 컨트롤러(215)는 예컨대 최소 제곱법을 이용하여 근사 곡선을 구하는 것에 의해 상관 커브(관계식)를 생성하도록 구성되어도 좋다. 그리고 이렇게 생성된 상관 커브를 참조하는 것에 의해 장치 관리 컨트롤러(215)는, 스텝마다 압력 센서(PG1)에 의한 실압력에 관한 데이터[즉 압력 센서(PG1)의 실측값]에 대한 각 MFC(212c)에 의한 토탈 실유량에 관한 데이터[즉 반응실(29)로의 가스 실유량]를 산출하는 것이 가능해진다.
상관 커브의 생성은 프로세스 레시피를 실행할 때마다 수행한다. 상관 커브를 생성하면, 장치 관리 컨트롤러(215)는 계속해서 생성한 상관 커브와 미리 기억시킨 기준이 되는 초기 상관 커브를 비교한다. 초기 상관 커브와의 비교에 대해서도 프로세스 레시피를 실행할 때마다 수행한다.
여기서 초기 상관 커브는 생성되는 상관 커브의 이상(상관 커브의 변화의 유무)을 판정하기 위한 기준이 되는 상관 커브다. 상기 초기 상관 커브는 반응실(29) 등을 포함하는 기판 처리부가 소정의 성막 성능을 발휘하고 있는 상태(즉 기준이 되는 뱃치(batch)에서 예컨대 기판 처리부가 문제없이 성막 성능을 발휘하고 있는 상태)로 생성되는 상관 커브에 상당하는 것이다. 초기 상관 커브는 미리 장치 관리 컨트롤러(215)가 액세스 가능한 기억부[예컨대 메인 컨트롤러(201)의 메인 컨트롤러 기억부(222)]에 기억된 것으로 한다.
그리고 장치 관리 컨트롤러(215)는 상관 커브와 초기 상관 커브의 차분이 미리 정해진 임계값을 초과했는지에 대한 여부를 판정한다. 구체적으로는 예컨대 임의의 유량에서의 반응실(29) 내의 압력에 대해서 상관 커브로부터 산출되는 값과 초기 상관 커브로부터 산출되는 값의 차분을 구하고, 그 차분이 미리 정해진 임계값을 초과했는지에 대한 여부를 판정한다. 이때 임의의 유량은 반드시 한 점인 필요는 없고, 복수 점에 대해서여도 좋다. 그 경우에는 각 점에서의 차분을 각각 구하고, 각각의 차분의 합계값이 미리 정해진 임계값을 초과했는지에 대한 여부를 판정하게 된다. 또한 판정의 기초가 되는 임계값에 대해서도 초기 상관 커브와 마찬가지로 미리 장치 관리 컨트롤러(215)가 액세스 가능한 기억부(222)에 기억된 것으로 한다.
판정 결과, 상관 커브와 초기 상관 커브의 차분이 임계값을 초과한 경우에 장치 관리 컨트롤러(215)는 알람을 발생시키도록 메인 컨트롤러(201)에 의뢰한다. 이를 받아서 메인 컨트롤러(201)는 조작 표시부(227)의 화면상에서의 알람 출력을 수행하거나 또는 네트워크를 개재하여 외부의 컴퓨터(300)에 대한 알람 출력을 수행한다. 또한 장치 관리 컨트롤러(215)는 상관 커브와 초기 상관 커브의 차분이 임계값 내에 있는 경우는 정상이라고 판정한다.
알람 출력의 구체적인 형태에 대해서 도 8을 이용하여 설명한다. 도 8에 따르면, 어느 부품에 에러가 발생하고 있는지를 장치 개요도로서 색을 구분하여 표시할 수 있다.
도 8에 도시하는 바와 같이 감시 대상의 부품을 포함하는 각 구성 요소에 대해서는 이것들이 모식적인 구성도(장치 개요도)로서 화면상에 표시되고, 감시 대상의 부품에 대해서는 목록 형식의 테이블표(부품 관리 테이블 등)에 의해 화면상에 표시된다. 그리고 그 표시 화면상에서 상관 커브의 변화의 원인이라고 단정한 개소(箇所)를 예컨대 표시색을 변경하는 것에 의해 다른 개소와 식별 가능하게 한다.
구체적으로는 예컨대 MFC 제로점 전압에 어긋남이 발생한 경우나 MFC 유량 편차 이상이 발생한 경우라면, 그 MFC의 도안이나 해당 란 등의 표시색을 소정 색(예컨대 에러 표시색인 노란색)으로 변경하여 다른 개소와 식별 가능하게 한다. 또한 예컨대 펌프 이상이 발생한 경우라면, 그 펌프의 도안이나 해당 란 등의 표시색을 소정 색(예컨대 에러 표시색인 노란색)으로 변경하여 다른 개소와 식별 가능하게 한다.
또한 알람 출력의 구체적인 형태에 대해서는 여기서 제시한 예에 한정되지 않고, 미리 설정된 형태에 따른 것이라면 다른 형태에 따른 것이어도 좋다. 예컨대 전술한 바와 같이 표시색을 변경하지 않고, 주의 환기를 촉구하는 소정 도안(예컨대 느낌표)을 함께 표시한 것이어도 좋다.
또한 도 8에 도시하는 바와 같이 표시 변경을 한 개소(알람 발생 부분)를 나타내는 아이콘(예컨대 느낌표)을 터치하면, 그 개소의 이상 이력의 정보 표시 화면으로 변이하도록 구성된다.
이러한 알람 출력을 수행하는 것에 의해 장치(1)의 조작자들은 수리 또는 메인터넌스가 필요한 개소를 인식할 수 있다. 예컨대 경시 변화에 따라 발생할 수 있는 기판(18)의 불량 생산의 대책으로서 수리 또는 메인터넌스를 수행하는 경우에도 장치(1)의 다운타임을 최대한 단축시키는 것이 가능해진다.
또한 이러한 알람 출력을 수행하는 것에 의해 장치(1)의 조작자들은 초기 상관 커브로 규정되는 경우에 비해 복수의 부품 데이터의 사이에서의 상관 관계에 경시적인 변화가 발생하고 있음을 인식할 수 있다. 따라서 예컨대 경시 변화에 따라 기판(18)의 불량 생산이 발생할 수 있는 상황이 되어도, 그 사실이 프로세스 레시피를 실행할 때마다 판정되고 인식할 수 있게 되므로, 기판(18)의 불량 생산을 미연에 방지하여 생산 제품 비율을 향상시키는 것이 가능해진다.
(4) 알람 원인의 판정 처리
다음으로 전술한 장치 상태의 감시 처리에서 알람 출력을 수행한다고 판정한 경우에 한층 더 장치 관리 컨트롤러(215)가 수행하는 알람 원인의 판정 처리에 대해서 구체적으로 설명한다.
전술한 바와 같은 알람 출력을 수행하면, 장치(1)의 조작자들은 상관 커브의 경시적인 변화를 인식할 수 있게 된다. 하지만 알람 출력만으로는 상관 커브가 변화된 원인을 특정하기가 곤란하다. 그래서 본 실시 형태에서는 알람 출력에 더해 상관 커브가 변화된 원인을 특정하기 위한 판정 처리를 수행하도록 이루어진다.
구체적으로는 알람 원인의 판정 처리를 위해서 각 센서 정보의 조합 패턴별 원인 판정표(이후, 단순히 원인 판정표라고도 부른다.)를 미리 준비해둔다. 원인 판정표는 도 9에 도시하는 바와 같이 감시 대상의 부품에 관한 에러 항목의 조합 패턴이 정의된 테이블에 의해 구성된 것으로, 장치 관리 컨트롤러(215)가 액세스 가능한 기억부(222)에 기억된 것으로 한다.
이러한 원인 판정표(테이블)에서는, 감시 대상의 부품에 관한 에러 항목으로서, 반응실(29)의 가스 공급측의 부품에 관련되는 에러 항목과 반응실(29)의 가스 배기측의 부품에 관련되는 에러 항목이 각각 설치된다. 더욱 구체적으로는, 가스 공급측의 부품에 관련되는 에러 항목으로서, 예컨대 각 MFC(212c)의 제로점 전압과, 각 MFC(212c)에서의 설정 유량과 실유량의 편차를 들 수 있다. 또한 반응실(29)의 가스 배기측의 부품에 관련되는 에러 항목으로서 예컨대 압력 센서(PG1)에 의한 검출 결과로부터 알 수 있는 반응실(29)의 리크 레이트를 들 수 있다. 그리고 각 MFC(212c)의 제로점 전압, 각 MFC(212c)에서의 설정 유량과 실유량의 편차 및 반응실(29)의 리크 레이트의 조합으로, 원인 판정표가 구성된다.
장치 관리 컨트롤러(215)는 상관 커브와 초기 상관 커브의 차분이 임계값을 초과한 경우에 전술한 바와 같이 알람을 발생시키는 한편, 감시 대상의 부품마다 에러 항목의 발생(예컨대 변화 있음 / 변화 없음의 구별)을 확인한다. 각 에러 항목은 대응하는 감시 대상의 부품으로의 센서 정보를 감시하는 것에 의해 확인할 수 있다. 그리고 그 확인 결과를 원인 판정표(테이블)의 해당되는 조합 패턴과 대조하여 이상이 발생한 감시 대상의 부품을 특정하는 것에 의해 알람의 발생 원인에 관한 판정 처리를 수행하도록 구성된다.
구체적으로는 예컨대 도 9중의 Case1에 도시하는 바와 같이 MFC 제로점 전압에만 이상이 있고, 그 외에 변화가 발견되지 않는 경우, 장치 관리 컨트롤러(215)는 상관 커브의 변화의 원인(전술한 알람의 원인)은 MFC 제로점 전압의 변화에 의한 공급 가스 실유량의 변화라고 단정할 수 있다. 이와 마찬가지로 예컨대 도 9 중의 Case2에 도시하는 바와 같이 MFC 편차에만 이상이 있고, 그 외에 변화가 발견되지 않는 경우, 장치 관리 컨트롤러(215)는 상관 커브의 변화(알람)의 원인은 MFC 고장에 의한 공급 가스 실유량의 변화라고 단정할 수 있다. 또한 예컨대 도 9 중의 Case3에 도시하는 바와 같이 리크 레이트에만 이상이 있고, 그 외에 이상이 발견되지 않는 경우, 장치 관리 컨트롤러(215)는 상관 커브의 변화(알람)의 원인은 노(爐) 내 리크량 변화라고 단정할 수 있다. 또한 예컨대 도 9 중의 Case4에 도시하는 바와 같이 어느 것에도 이상이 발견되지 않는 경우, 장치 관리 컨트롤러(215)는 상관 커브의 변화의 원인은 펌프(212B-2)의 열화 또는 부생성물에 의한 배기 배관 폐색 발생이라고 단정할 수 있다.
도 9에서는 생략되었지만, 다른 케이스(Case)로서 MFC 제로점 전압과 MFC 편차의 양방(兩方)의 에러 항목이 발생한 경우, 장치 관리 컨트롤러(215)는 MFC 고장이라고 단정하고, 이상이 발생한 MFC를 정지시키도록 메인 컨트롤러(201)에 지시한다(정지 신호를 송신한다). 또한 MFC 제로점 전압과 리크 레이트의 양방의 에러 항목이 발생한 경우, 알람의 원인이 이들 양방에 있다고 단정한다. MFC 편차와 리크 레이트의 경우도 마찬가지이다.
현상에서는 배기측의 부품을 포함하는 에러 항목의 조합에 의한 이상 원인이 불분명하다. 따라서 도 9의 Case4와 같이 MFC(212c)이나 반응실(29)의 리크 레이트 이외의 원인이 생각될 때, 펌프(212B-2)의 열화 또는 부생성물에 의한 배기 배관 폐색 발생이라고 단정한다. 본 실시 형태의 원인 판정표는 일례이며, 에러 항목을 추가할 수 있고, 장래적(將來的)(으로, 밸브(212B-1)나 펌프(212B-2)에 관한 에러 항목의 추가에도 대응할 수 있다. 이와 같이 에러 항목의 조합 패턴이 늘어나면, 온갖 이상에도 원인 판정표에 의한 요인 판정이 가능해지고, 더불어 복구 처리 등의 대응을 할 수 있게 된다.
이와 같이 원인 판정표에 기초하여 단정된 원인에 대해서 장치 관리 컨트롤러(215)는 알람 출력과 함께 리포트를 보고하도록 메인 컨트롤러(201)에 의뢰한다. 이를 받고 메인 컨트롤러(201)는 조작 표시부(227)의 화면상에서 리포트 보고를 수행하거나 또는 네트워크를 개재하여 외부의 컴퓨터(300)에 대한 리포트 보고를 수행한다.
리포트 보고의 구체적인 형태로서는 예컨대 도 8에 도시하는 화면을 이용할 수 있다. 구체적으로는 예컨대 MFC 제로점 전압에 어긋남이 발생한 경우라면, 그 MFC의 도안이나 해당 란 등의 표시색을 소정 색(예컨대 에러 표시색인 노란색)으로 변경하여 다른 개소와 식별 가능하게 하면서, 상관 커브의 변화의 원인이 밝혀지면 장치 개요도에서의 MFC(의 도안)로의 터치 조작에 따라 그 제로점 어긋남의 원인을 포함하는 정보가 표시되도록 한다. 또한 예컨대 펌프 이상이 발생하고 있는 경우라면, 그 펌프의 도안이나 해당 란 등의 표시색을 소정 색(예컨대 에러 표시색인 노란색)으로 변경하여 다른 개소와 식별 가능하게 하면서, 상관 커브의 변화의 원인이 밝혀지면 장치 개요도에서의 펌프(의 도안)로의 터치 조작에 따라 그 펌프 이상의 원인을 포함하는 정보가 표시되도록 한다. 또한 리포트 보고의 구체적인 형태에 대해서는 여기서 제시한 예에 한정되지 않고, 미리 설정된 형태에 따른 것이라면 다른 형태에 따른 것이어도 좋다. 예컨대 미도시의 장치(1)로부터 이간된 장소(예컨대 사무소)에 설치된 컴퓨터 장치(PC)에 데이터 송신되도록 해도 좋다. 또한 원인이 특정된 부품(예컨대 상기 MFC나 펌프 등)의 에러가 해제되면, 장치 개요도나 부품 관리 테이블 상에 표시된 식별 가능한 표시가 원래대로 복구되도록 구성해도 좋다.
이러한 리포트 보고를 수행하는 것에 의해 장치(1)의 조작자들은 수리 또는 메인터넌스의 내용을 신속하게 또한 정확하게 실행할 수 있다. 따라서 예컨대 경시 변화에 따라 발생할 수 있는 기판(18)의 불량 생산의 대책으로서 수리 또는 메인터넌스를 수행하는 경우에도 장치(1)의 다운타임을 최대한 단축시키는 것이 가능해진다.
(5) 본 실시 형태에 따른 효과
본 실시 형태에 따르면, 이하에 나타내 1개 또는 복수의 효과를 얻을 수 있다.
(a) 본 실시 형태에 따르면, 프로세스 레시피 실행 중에 수집한 각 부품 데이터의 상관 관계를 나타내는 상관 커브를 생성하고, 그 상관 커브와 기준이 되는 초기 상관 커브의 차분이 미리 정해진 임계값을 초과한 경우에 알람을 발생시키도록 이루어진다. 따라서 각 부품 데이터(복수 데이터)의 상관 관계의 경시 변화에 따른 기판(18)의 불량 생산을 미연에 방지하여 기판(18)의 생산 제품 비율을 향상시키는 것이 가능해진다.
(b) 또한 본 실시 형태에서는 상관 커브의 생성에 필요한 각 부품 데이터의 수집을, 미리 정해진 수집 조건을 충족하는 스텝에 대하여 수행한다. 따라서 상관 커브에 대한 영향이 크다고 생각되는 스텝만 데이터 수집을 수행하면 좋고, 데이터 수집을 위한 처리 부하 경감을 도모할 수 있게 된다.
(c) 본 실시 형태에 따르면, 테이블 형식의 원인 판정표를 미리 준비해두고, 상관 커브와 초기 상관 커브의 차분이 임계값을 초과한 경우에 감시 대상의 부품마다 에러 항목의 발생을 확인해서 원인 판정표의 조합 패턴과 대조하는 것에 의해 알람을 발생시키는 이상의 발생 원인을 특정하는 판정 처리를 수행하게도록 이루어진다. 따라서 이상 발생 원인(즉 수리 또는 메인터넌스가 필요한 개소)을 신속하게 또한 정확하게 인식할 수 있고, 예컨대 경시 변화에 따른 이상 발생 개소의 수리 또는 메인터넌스를 수행하는 경우에도 장치(1)의 다운타임을 최대한 단축시켜 그 결과로서 장치 가동률을 향상시키는 것이 가능해진다.
<변형예>
다음으로 본 실시 형태의 변형예를 도 10 및 도 11을 참조하면서 설명한다. 또한 여기서는 전술한 실시 형태와 다른 부분만 이하에 설명하고, 같은 부분에 대해서는 설명을 생략한다.
여기서 설명하는 변형예는 압력 센서를 각 개소에 복수 설치하고, 부생성물에 의한 배기 배관 폐색 개소의 범위 축소를 수행하는 것을 가능하게 한 예다. 구체적으로는 도 10에 도시하는 바와 같이 전술한 실시 형태의 경우와 마찬가지로 반응실(29) 내의 실압력을 직접 측정하는 압력 센서(PG1)에 더해, 반응실(29)과 밸브(212B-1) 사이에 설치된 압력 센서(PG2)와, 밸브(212B-1)와 펌프(212B-2) 사이의 상류측에 설치된 압력 센서(PG3)와, 밸브(212B-1)와 펌프(212B-2) 사이의 상류측에 설치된 압력 센서(PG4)가 설치된다. 이러한 구성에 의해 반응실(29) 내의 실압력에 더해, 배기 배관 내의 각 개소에서의 실압력에 대해서도 측정할 수 있도록 이루어진다.
이와 같이 압력 센서(PG1 내지 PG4)를 각 개소에 복수 설치한 경우에는 알람 원인의 판정 처리를 위한 원인 판정표(테이블)에 대해서도 이에 대응한 것을 미리 준비해둔다. 구체적으로는 원인 판정표로서 도 11에 도시하는 바와 같이 전술한 실시 형태에서 설명한 각 에러 항목에 더해, 각 압력 센서(PG1 내지 PG4)에 의한 검출 결과에 대해서도 에러 항목으로서 규정되고, 이 조합으로 구성된 것을 준비해 둔다.
이러한 원인 판정표를 이용하면, 장치 관리 컨트롤러(215)는 이하와 같은 알람 원인에 관한 판정 처리를 수행할 수 있다. 예컨대 도 11 중의 Case1에서는 MFC 제로점 전압의 변화에 의한 공급 가스 실유량의 변화, 도 11 중의 Case2에서는 MFC 고장에 의한 공급 가스 실유량의 변화, 도 11 중의 Case3에서는 노 내 리크량 변화가 각각 상관 커브 변화의 원인이라고 단정할 수 있다. 또한 도 11 중의 Case4에서는 부생성물퇴적에 의한 배관 폐색이 반응실(29)과 압력 센서(PG2) 사이에 발생하고 있는 것이 상관 커브 변화의 원인이라고 단정할 수 있다. 또한 도 11 중의 Case5에서는 압력 센서(PG2)와 압력 센서(PG3) 사이, 도 11 중의 Case6에서는 압력 센서(PG3)와 압력 센서(PG4) 사이에서 각각 발생한 부생성물 퇴적에 의한 배관 폐색이 상관 커브 변화의 원인이라고 단정할 수 있다. 또한 도 11 중의 Case7에서는 압력 센서(PG4)와 펌프(212B-2) 사이에 발생한 부생성물퇴적에 의한 배관 폐색 또는 펌프(212B-2)의 열화가 상관 커브 변화의 원인이라고 단정할 수 있다.
이와 같이 여기서 설명하는 변형예에 따르면, 압력 센서(PG1 내지 PG4)를 각 개소에 복수 설치하는 것과 함께, 이에 대응하는 원인 판정표를 미리 준비해두는 것에 의해 알람 원인의 판정 처리를 하는 데 있어서 부생성물에 의한 배관 폐색의 개소를 좁힐 수 있다. 따라서 한층 더 다운타임 단축이 가능해지고, 장치 가동률을 향상시키는 데 있어서 상당히 바람직한 것이 된다.
<다른 실시 형태>
이상, 본 발명의 일 실시 형태 및 그 변형예에 대해서 구체적으로 설명했지만 본 발명은 전술한 실시 형태 또는 변형예에 한정되지 않고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다. 예컨대 장래적인 부품의 자동 관리에 관해서 이하에 간결하게 기재한다.
예컨대 장치 관리 컨트롤러(215)가 미리 준비된 원인 판정표(도 9)에 대하여, 가스 공급측의 부품인 각 MFC와, 가스 배기측의 부품인 APC 밸브 및 진공 펌프의 동작 상태에 직접적인 영향을 받는 압력 센서(PG1)를 각각 감시 대상의 부품으로서 자동적으로 선택하고, 그리고 장치 관리 컨트롤러(215)가, 선택된 감시 대상의 부품에 관한 초기 상관 커브의 작성 또는 선택 및 이 초기 상관 커브에 대한 임계값의 설정을 수행하고, 본 실시예에서의 상관 커브를 작성하기 위한 부품 데이터 수집 조건을 자동적으로 설정하도록 구성하는 것을 생각해볼 수 있다.
이와 같이 하면, 원인 판정표에 따라 장치 관리 컨트롤러(215)가 감시 대상 부품의 선택, 수집된 부품 데이터 수집, 상관 커브의 작성 및 상관 커브와 초기 상관 커브의 비교를 각각 수행하는 것에 의해 감시 대상의 부품을 자동적으로 감시할 수 있다. 기판 처리 장치(1)를 구성하는 부품으로 최적인 부품을 선택하고, 필요한 부품의 관리를 효율적으로 수행할 수 있다.
전술한 실시 형태 또는 변형예에서는 주로 반도체 제조 공정으로 이용되는 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 대해서 설명했지만 본 발명은 이것들에 한정되지 않고, 예컨대 액정 표시(LCD) 장치와 같은 유리 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 그 제조 방법에도 적용 가능하다.
또한 성막 공정에 대해서는 액체 원료를 기화한 상태에서 처리로(28) 내의 처리실(반응실)(29)에 공급하여 기판(웨이퍼)(18)의 면상(面上)으로의 성막을 수행하는 것이라면 좋고, 성막하는 막종이 특히 한정되지 않는다. 예컨대 성막 공정에서 성막하는 막종은 실리콘 화합물(SiN, Si등)을 포함하는 막이어도, 금속 화합물(W, Ti, Hf 등)을 포함하는 막이어도 어느 경우에도 바람직하게 적용 가능하다.
또한 성막 공정에서 수행하는 성막 처리에는 예컨대 CVD(Chemical Vapor Deposition), PVD(Physical Vapor Deposition), 산화막, 질화막을 형성하는 처리, 금속을 포함하는 막을 형성하는 처리 등을 포함한다.
또한 전술한 실시 형태 또는 변형예에서는 성막 처리를 수행하는 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 대해서 설명했지만 본 발명은 이것들에 한정되지 않고, 예컨대 기타의 기판 처리 장치(노광 장치, 리소그래피 장치, 도포 장치, 플라즈마를 이용한 CVD 장치 등)에도 적용할 수 있다.
1: 기판 처리 장치 18: 기판(웨이퍼)
29: 처리실(반응실) 200: 제어부
201: 메인 컨트롤러 212B: 가스 배기 기구
212B-1: APC 밸브 212B-2: 진공 펌프
212c: 가스 유량 컨트롤러(MFC) 215: 장치 관리 컨트롤러
DD: 장치 데이터 PG1 내지 PG4: 압력 센서

Claims (15)

  1. 복수의 스텝으로 구성되는 프로세스 레시피를 실행하여 기판 처리계를 동작시키는 제어부를 포함하는 기판 처리 장치로서,
    상기 제어부는,
    상기 프로세스 레시피 실행 중에 미리 정해진 수집 조건을 충족하는 스텝에 대하여 상기 기판 처리계에서의 감시 대상의 부품에 관한 부품 데이터를 수집하고,
    수집한 상기 부품 데이터의 상관 관계를 나타내는 상관 커브를 생성하고,
    생성한 상기 상관 커브와 미리 기억시킨 기준이 되는 초기 상관 커브를 비교하여 상기 상관 커브와 상기 초기 상관 커브의 차분(差分)이 미리 정해진 임계값을 초과하는지를 판정하고,
    상기 임계값을 초과한 경우에 알람을 발생시키도록 구성되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 감시 대상의 부품에 관한 에러 항목의 조합 패턴이 정의된 테이블을 포함하고,
    상기 임계값을 초과한 경우에 상기 감시 대상의 부품마다 수집한 상기 부품 데이터로부터 상기 에러 항목의 발생을 확인하고, 상기 테이블의 해당되는 조합 패턴과 대조하고, 이상이 발생한 상기 감시 대상의 부품과 상기 부품에 발생한 이상의 원인을 특정하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 감시 대상의 부품은, 적어도 상기 기판 처리계에 포함되는 반응실의 가스 공급측의 부품과 상기 반응실의 가스 배기측의 부품이 각각 하나 이상 선택되도록 구성되는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 감시 대상의 부품은 유량 제어기와 압력 센서인 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 미리 정해진 수집 조건은 상기 스텝의 처리 시간, 상기 기판 처리계에 포함되는 배기 밸브의 개폐 상태 및 상기 기판 처리계에 포함되는 배기 장치의 동작 상태를 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 상관 커브는, 상기 기판 처리계에 포함되는 압력 센서의 실측값이 세로축에, 상기 기판 처리계에 포함되는 반응실에 공급된 가스의 실유량이 가로축에 각각 플롯되어 구성되는 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 스텝마다 상기 수집 조건과 일치하는지 확인하고, 일치하는 스텝에서 상기 반응실의 압력을 측정하는 압력 센서의 실측값에 대한 상기 반응실에 공급되는 가스의 실유량을 산출하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 초기 상관 커브는 상기 기판 처리부가 소정의 성막 성능을 발휘하는 상태에서의 상기 상관 커브에 상당하는 기판 처리 장치.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 감시 대상의 부품에 관한 에러 항목으로서, 상기 기판 처리계에 포함되는 상기 반응실의 가스 공급측의 부품에 관련되는 에러 항목과 상기 반응실의 가스 배기측의 부품에 관련되는 에러 항목이 각각 설치되는 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 감시 대상의 부품에 관한 에러 항목은, 상기 기판 처리계에 포함되는 매스 플로우 컨트롤러의 제로점 전압, 상기 매스 플로우 컨트롤러에서의 설정 유량과 실유량의 편차 및 상기 반응실의 리크 레이트의 조합으로 구성되는 기판 처리 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 프로세스 레시피를 실행시킬 때마다 상기 상관 커브를 생성하여 상기 초기 상관 커브와의 비교를 수행하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제어부는 임의의 복수 점의 상기 실유량에서의 상기 실측값의 차분의 합계가 상기 임계값을 초과했을 때 알람을 발생시키도록 구성되는 기판 처리 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 감시 대상의 부품을 일람 형식의 테이블표로서 상기 감시 대상의 부품을 포함하는 상기 기판 처리계를 장치 개요도로서 화면상에 표시하도록 구성되는 표시부를 구비하고,
    상기 제어부는 상기 임계값을 초과한 경우에 알람을 발생시키는 것과 함께 상기 알람을 발생시킨 이상을 발생시킨 감시 대상의 부품과 상기 이상이 발생하지 않은 부품과 식별 가능하도록 상기 표시부에 표시시키도록 구성되는 기판 처리 장치.
  14. 복수의 스텝으로 구성되는 프로세스 레시피를 실행하여 기판 처리계를 동작시키는 기판 처리 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    상기 기판 처리 공정은,
    상기 프로세스 레시피 실행 중에 미리 정해진 수집 조건을 충족하는 스텝에 대하여 상기 기판 처리계에서의 감시 대상의 부품에 관한 부품 데이터를 수집하는 공정;
    수집한 상기 부품 데이터의 상관 관계를 나타내는 상관 커브를 생성하는 공정;
    생성한 상기 상관 커브와 미리 기억시킨 기준이 되는 초기 상관 커브를 비교하여 상기 상관 커브와 상기 초기 상관 커브의 차분이 미리 정해진 임계값을 초과하는지를 판정하는 공정; 및
    상기 임계값을 초과한 경우에 알람을 발생시키는 공정
    을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 복수의 스텝으로 구성되는 프로세스 레시피를 실행하여 기판 처리계를 동작시키는 순서;
    상기 프로세스 레시피 실행 중에 미리 정해진 수집 조건을 충족하는 스텝에 대하여 상기 기판 처리계에서의 감시 대상의 부품에 관한 부품 데이터를 수집하는 순서;
    수집한 상기 부품 데이터의 상관 관계를 나타내는 상관 커브를 생성하는 순서;
    생성한 상기 상관 커브와 미리 기억시킨 기준이 되는 초기 상관 커브를 비교하여 상기 상관 커브와 상기 초기 상관 커브의 차분이 미리 정해진 임계값을 초과하는지를 판정하는 순서; 및
    상기 임계값을 초과한 경우에 알람을 발생시키는 순서
    를 컴퓨터를 개재하여 기판 처리 장치에 실행시키는 프로그램.
KR1020217000321A 2018-09-18 2018-09-18 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 KR102512456B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2018/034419 WO2020059011A1 (ja) 2018-09-18 2018-09-18 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210019057A true KR20210019057A (ko) 2021-02-19
KR102512456B1 KR102512456B1 (ko) 2023-03-20

Family

ID=69887049

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217000321A KR102512456B1 (ko) 2018-09-18 2018-09-18 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7186236B2 (ko)
KR (1) KR102512456B1 (ko)
CN (1) CN112740358B (ko)
WO (1) WO2020059011A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114200879A (zh) * 2021-12-08 2022-03-18 长江存储科技有限责任公司 气体泄露监测方法及装置、计算机存储介质
JP2023103123A (ja) * 2022-01-13 2023-07-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 適正判定装置および適正判定方法
JP2023132914A (ja) * 2022-03-11 2023-09-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置管理システム、管理装置、基板処理装置、基板処理装置管理方法および基板処理装置管理プログラム

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007088035A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Toshiba Corp 工程制御システム、工程制御方法及び電子装置の製造方法
KR20070090959A (ko) * 2004-12-28 2007-09-06 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤 반도체 제조 장치, 당해 반도체 제조 장치에 있어서의 이상검출, 이상 원인의 특정 혹은 이상 예측을 행하는 방법,및 당해 방법을 실시하기 위한 컴퓨터 프로그램을 기록한기억 매체
JP2011014658A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Canon Anelva Corp 電子部品製造装置、アラーム通知プログラム、及びアラーム通知システム
KR20160072044A (ko) * 2014-12-12 2016-06-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 처리 방법 및 베벨 에칭 장치
WO2017168676A1 (ja) 2016-03-31 2017-10-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、装置管理コントローラ及び記録媒体
JP2018078271A (ja) 2016-10-31 2018-05-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置、監視プログラム及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004152999A (ja) * 2002-10-30 2004-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
JP4882239B2 (ja) * 2005-02-16 2012-02-22 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置、コンピュータプログラム及び記憶媒体
KR20150055180A (ko) * 2013-11-12 2015-05-21 (주)플러스비젼 유량 제어 모니터링 장치 및 그 방법
JP6484525B2 (ja) * 2015-08-03 2019-03-13 東芝三菱電機産業システム株式会社 警報装置およびプロセス制御システム

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070090959A (ko) * 2004-12-28 2007-09-06 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤 반도체 제조 장치, 당해 반도체 제조 장치에 있어서의 이상검출, 이상 원인의 특정 혹은 이상 예측을 행하는 방법,및 당해 방법을 실시하기 위한 컴퓨터 프로그램을 기록한기억 매체
JP2007088035A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Toshiba Corp 工程制御システム、工程制御方法及び電子装置の製造方法
JP2011014658A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Canon Anelva Corp 電子部品製造装置、アラーム通知プログラム、及びアラーム通知システム
KR20160072044A (ko) * 2014-12-12 2016-06-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 처리 방법 및 베벨 에칭 장치
WO2017168676A1 (ja) 2016-03-31 2017-10-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、装置管理コントローラ及び記録媒体
JP2018078271A (ja) 2016-10-31 2018-05-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置、監視プログラム及び半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2020059011A1 (ja) 2021-08-30
KR102512456B1 (ko) 2023-03-20
CN112740358B (zh) 2024-03-08
JP7186236B2 (ja) 2022-12-08
CN112740358A (zh) 2021-04-30
WO2020059011A1 (ja) 2020-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7291255B2 (ja) 処理装置、装置管理コントローラ、及びプログラム並びに半導体装置の製造方法
US20120226475A1 (en) Substrate processing system, management apparatus, data analysis method
JP2015115540A (ja) 管理装置、基板処理装置の管理方法および基板処理システム並びに記録媒体
CN108885970B (zh) 基板处理装置、装置管理控制器以及记录介质
KR102512456B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
JP6833048B2 (ja) 基板処理装置、基板処理装置の異常監視方法、及びプログラム
JP4607576B2 (ja) 半導体製造装置
JP2013033967A (ja) 基板処理装置の異常検出方法、及び基板処理装置
TWI796622B (zh) 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法、及程式
JP5142353B2 (ja) 基板処理装置、基板処理装置の異常検出方法、基板処理システム、基板処理装置の異常検出プログラム及び半導体装置の製造方法
JP6864705B2 (ja) 基板処理装置、制御システム及び半導体装置の製造方法
JP7227351B2 (ja) 半導体装置の製造方法、予兆検知プログラム、及び基板処理装置
JP6961834B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP5273961B2 (ja) 基板処理システムおよび基板処理方法
JP7324853B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び予兆検知プログラム

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant