JP2007067129A - 半導体装置の実装構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】はんだボールを介したマウント工程およびリフロー工程における半導体装置の反りによる接続不良を回避する。
【解決手段】はんだボール4を介して半導体装置1をマザー基板8にマウントする工程で、半導体装置1の反りを相殺するために、端部の半導体装置側ランド5のレジスト開口径Daを中央より小さくすることで、端部のはんだボール4の高さを中央部より増大させる。また、はんだのリフロー工程では、半導体装置1の中央部がマザー基板8から浮き上がるのを相殺するために、マザー基板8の中央部に配設された基板側ランド9のレジスト開口径Dbを端部より縮小する。
【選択図】図1
【解決手段】はんだボール4を介して半導体装置1をマザー基板8にマウントする工程で、半導体装置1の反りを相殺するために、端部の半導体装置側ランド5のレジスト開口径Daを中央より小さくすることで、端部のはんだボール4の高さを中央部より増大させる。また、はんだのリフロー工程では、半導体装置1の中央部がマザー基板8から浮き上がるのを相殺するために、マザー基板8の中央部に配設された基板側ランド9のレジスト開口径Dbを端部より縮小する。
【選択図】図1
Description
本発明は、はんだによって半導体装置をマザー基板に実装した半導体装置の実装構造に関するものである。
近年、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラを初めデジタル機器の軽薄短小化が進み、より省スペースに各部品を実装するために、より高密度実装が可能な様々な半導体装置が使用されている。半導体装置としては、CSP(Chip Size Package )、BGA(Ball Grid Array )が採用される傾向にある。CSPとはチップサイズと同等あるいは僅かに大きいパッケージの総称であり、BGAは外部接続端子にはんだボールを用いている半導体装置である。
一般的なBGAによる半導体装置101は、図5の(a)に示す構成を有する。すなわち、板状の配線基板102上に半導体素子103を接着剤等で固定し、例えば、半導体素子103上のAlパッド103aと配線基板102上のAuパッド103bをAuワイヤー103cにより接続する。もしくは、図6の(a)に示すように、半導体素子103上のAuバンプ103dと配線基板102上のAuパッド103bを熱圧着方式、超音波接続方式等により接続する。
Auワイヤー103cにて接続される半導体素子103においては、半導体素子103上がエポキシ系の樹脂107で覆われているものが一般的である。熱圧着方式等で半導体素子103上のAuバンプ103dと配線基板102上のAuパッド103bを接続するものは(図6参照)、アンダーフィルと呼ばれる樹脂107aを配線基板102と半導体素子103の隙間に流し込み硬化させて半導体素子103の表面を覆う。
そして、Auワイヤー103cにて半導体素子103を接続する半導体装置においても、半導体素子103が接着された箇所の反対面には、主に外部接続端子としてのはんだボール104が形成されている。同様に、熱圧着方式等で半導体素子103上のAuバンプ103dと配線基板102上のAuパッド103bを接続する半導体装置においても、半導体素子103が接着された箇所の反対面には、主に外部接続端子としてのはんだボール104が形成されている。
なお、本明細書において半導体装置とは、Si等で形成された半導体の動作を行う一般的に半導体チップと呼ばれている半導体素子に、外部接続用端子であるはんだボール等を形成させたもので半導体パッケージとも呼ばれる。そして、半導体装置101のはんだボール104とマザー基板(マザーボード)上のAuパッドをリフロー方式等により接合する。
近年の、さらなる高密度化、省スペース化の要望により、外部接続端子のはんだボールピッチは現状主流である0.65mmP、0.5mmPから、0.4mmP、0.3mmP、へと移行しつつある。
そして、より一層、実装スペースが削減できる3次元実装が注目されてきている。この3次元実装には大別して以下の2種類の方式がある。
1つは、特許文献1に開示されたように、CSP、BGA等の半導体装置内に、半導体素子を2段、3段と重ねているものである。これは、図5の(b)に示すように、一般的に複数の半導体素子103、113と配線基板102をAuワイヤー103c、103fにて接続する。あるいは、図6の(b)に示すように、配線基板102に最も近い半導体素子103は配線基板102上のAuパッド103bを用いて熱圧着方式等により接続する。そしてそれより上方に重ねる半導体素子113に関しては、Auワイヤー103fにて接続する。
もう一方は、半導体装置同士をインターポーザーと呼ばれる配線基板を介して積層した半導体装置である。これは、半導体素子を配線基板に接続した1つの半導体装置上に、さらに、配線基板を介して半導体パッケージ等を接続していく方法であり、一般に積層型半導体装置と呼ばれる。
図7は、2段の積層型半導体装置をマザー基板208に実装した構成を示す。上段の半導体装置211がはんだボール204cを外部接続端子として、インターポーザー212と接続されている。
まず、インターポーザー212上の外部接続端子に印刷方式にてはんだペーストを印刷し、その後、半導体装置211を、インターポーザー212上の外部接続端子に位置合わせ後マウントし、リフロー方式により接続する。その下に、半導体素子203を熱圧着方式等でAuバンプと配線基板202上のAuパッドをフリップチップ接続した半導体装置201を、半導体素子203が形成されている側のインターポーザー接続用のはんだボール204bにてインターポーザー212と接続している。
この接続も上記と同様にはんだペースト印刷後、マウントしリフロー方式にて接続する。これで、積層型半導体装置は完成する。
そして、図7の(c)に示すように、最下部にあるはんだボール204aとマザー基板208をリフロー方式等により接続する。半導体装置201、211は熱印加により、作製、接合が行われるため、構成材料の熱膨張係数の違いにより反りが発生することが確認されている。
前述のBGA、CSP等の半導体装置においては、上反り、下反りの両方の反り方向が確認されている。また、図7に示すような積層型半導体装置においては、その複雑な構造により、上反り、下反りの他にW型に反ることも確認されている。そして、このような反りの発生により、はんだの接合不良等の不具合が発生する可能性がある。
特開2000−188369号公報
従来の半導体装置の実装構造においては以下のような未解決の課題がある。
(1)半導体装置の反りによるマウント時の接触不良
図8の(a)に示すように、一般的なBGA、CSPタイプの半導体装置101は、ガラスエポキシ等で構成されている配線基板102の一方の面に半導体素子103が搭載され、表面は樹脂107で覆われている。配線基板102の他方の面には、外部接続端子であるはんだボール104が形成されている。半導体素子103と配線基板102はAuワイヤーによる接合、Auバンプによる接合等が実施されているが、説明を簡単にするために省略する。
図8の(a)に示すように、一般的なBGA、CSPタイプの半導体装置101は、ガラスエポキシ等で構成されている配線基板102の一方の面に半導体素子103が搭載され、表面は樹脂107で覆われている。配線基板102の他方の面には、外部接続端子であるはんだボール104が形成されている。半導体素子103と配線基板102はAuワイヤーによる接合、Auバンプによる接合等が実施されているが、説明を簡単にするために省略する。
半導体装置101は、各材料の熱膨張係数の違いから図8の(b)に示すように、上方向、または、下方向に反ることが多々ある。ここで、主な構成材料の熱膨張係数は、シリコン:3〜4ppm/℃、樹脂:8〜10ppm/℃、配線基板:15〜20ppm/℃である。
これらの値により、例えば、半導体装置101の端部が上側に反るような場合、中心から離れるにつれ、はんだボール104の高さは上方に移動し、平坦性を失うこととなる。
これにより、中心部のはんだボール104と端部のはんだボール104では、最下面からの距離の差ΔDが発生する。逆に、半導体装置の中心部が上側に反るような場合中心部のはんだボールの高さが上方に移動することとなる。
その結果、半導体装置101をマザー基板108にマウントする際、図8の(c)に示すように、半導体装置101の端部が上側に反るような場合は、端部のはんだボール104がマザー基板108のランドに接触しないこととなる。逆に、半導体装置の中心部が上側に反るような場合は中心部のはんだボールがマザー基板のランドに接触しなくなる。
また、図9の(a)に示すような積層型半導体装置においては、その複雑な積層状態により、中心部と端部が上側に反りW型になることが確認されている。これは、前述のように、半導体素子211をインターポーザー212に実装し、その後、半導体装置201をインターポーザー212の半導体素子211が実装された側とは反対側に実装し、積層型半導体装置としたものである。従って、図9の(b)に示すようにマザー基板208にマウントすると、中心部のはんだボール204aと端部のはんだボール204aがマザー基板208に接触しにくくなる。このように半導体装置のはんだボール204aがマザー基板208のランドに接触していないと、リフロー時に接合されず接合不良が発生する可能性がある。
以上の反りは、半導体装置が完成した時既に発生しているものである。これらの反りに関しては、前述したように各部材の熱膨張係数の違いにより発生するが、図7の配線基板102や図8のインターポーザー212が薄くなることによりさらに顕著に表れる。
今後、半導体装置のさらなる薄型化が加速すると、反り量は増加し、加えて、接合ピッチのファイン化によりさらに接合不良は増加する可能性がある。これらの接合不良を回避するためには、マウント時に半導体装置のはんだボールとマザー基板のランドが接触している必要がある。
(2)リフロー時の熱印加により発生する反りによる接合不良
上述したように、半導体装置はその構成部材の熱膨張係数の相異により、また、構成部材の薄型により製造時に既に反りが発生している。そして、その反り方向は、リフロー時の熱により、熱印加の前と比較して逆方向に反る場合があることが確認されている。
上述したように、半導体装置はその構成部材の熱膨張係数の相異により、また、構成部材の薄型により製造時に既に反りが発生している。そして、その反り方向は、リフロー時の熱により、熱印加の前と比較して逆方向に反る場合があることが確認されている。
例えば図8に示す半導体装置101においては、マウント時、つまり、リフロー前には上反りであったものが、図10に示すように、リフロー時の200℃近辺の温度ではやや下反りになる場合があることが確認されている。この挙動により、半導体装置101の中心部のはんだボール104は、マザー基板108と接合不良を起こす可能性がある。
また、図9に示す積層型半導体装置の場合では、マウント時にW型となっていたものが、図11に示すように、リフロー時の200℃近辺の温度では中心部が下側になるように上反りとなることが確認されている。この反りにより、積層型半導体装置は上側に反る箇所、つまり、端部のはんだボール204aに接合不良が発生する可能性がある。これらの接合不良を回避するためには、リフロー時に半導体装置のはんだボールとマザー基板のランドが接触している必要がある。
本発明は、上記従来の技術の有する未解決の課題に鑑みてなされたものであり、マウント時の接触不良とリフロー時の接合不良を効率的に回避することのできる半導体装置の実装構造を提供することを目的とするものである。
以下に解決する手段を示す。
本発明の半導体装置の実装構造は、半導体素子を搭載し、外部接続面に複数の半導体装置側ランドを有する半導体装置と、前記複数の半導体装置側ランドにそれぞれ対向する複数の基板側ランドを有し、ランド間にはんだを介して前記半導体装置を実装するマザー基板と、を備えており、前記半導体装置の反りに対応する前記外部接続面の第1の部位における各半導体装置側ランドのはんだ接合面積が、対向する各基板側ランドのはんだ接合面積より小であり、前記外部接続面の第2の部位における各半導体装置側ランドのはんだ接合面積が、対向する各基板側ランドのはんだ接合面積より大であることを特徴とする。
上記構成によれば、半導体装置の反りが原因となるマウント時の接触不良と、半導体装置の熱変形が原因となるリフロー時の接合不良の双方を効率的に回避することが可能となる。
本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1ないし図4は一実施例を示す。図1の(a)に示すように、半導体装置1は、両面に配線パターンが形成されたガラスエポキシ樹脂等からなる配線基板2を有し、その一方の面に半導体素子3が実装されている。配線基板2の他方の面(外部接続面)には、外部接続端子であるはんだボール4と電気的接続を行うための複数の半導体装置側ランド5が形成され、各半導体装置側ランド5はソルダーレジスト6aにより一部覆われている。
半導体素子3はエポキシ系の樹脂7により覆われており、マザー基板8の表面は一部を除きソルダーレジスト6bによって覆われている。半導体装置1を、はんだボール4を介して、マザー基板8のソルダーレジスト6bから露出する基板側ランド9と接続することで、半導体装置1をマザー基板8に実装した実装構造が得られる。なお、半導体装置1とマザー基板8は主にリフロー方式によりはんだ接合される。
図1の(b)に示すように、各半導体装置側ランド5のはんだ接合面を形成するレジスト開口径Daと、各基板側ランド9のはんだ接合面を形成するレジスト開口径Dbとは、一方が大で、他方が小となる大小の組み合わせになっている。例えば、半導体装置1の配線基板2の端部においては、半導体装置側ランド5のレジスト開口径Daが小さく、基板側ランド9のレジスト開口径Dbが大きい。逆に中央部においては半導体装置側ランド5のレジスト開口径Daが大きくて、基板側ランド9のレジスト開口径Dbが小さく設定されている。
半導体装置1がマザー基板8が接合される前の状態で、配線基板2、半導体素子3、樹脂7の熱膨張係数の違いによって上側、または下側に反ることが確認されている。
例えば、図2の(a)に示すように半導体装置1が下側に凸に反ると、はんだボール4が、半導体装置1の端部では、中心部と比較して20〜30μm上方に反り上がってしまう。そこで、図2の(b)に示すように、半導体装置側ランド5を露出するレジスト開口径Daを一つの半導体装置内で数サイズ設け、端部ではDa1(小)、中央部ではDa2(大)とする。これによって、はんだボール4の高さにΔHの差を設けることで、半導体装置1の反りを相殺させて、接触不良を防ぐ。そして、図3に示すように、マザー基板8の基板側ランド9のレジスト開口径Dbは、中央部で小、端部で大とする。
例えば、半導体装置の中央部においては、ランドサイズをφ0.3mmとして、レジスト開口径をφ0.28mmとする。このサイズでは、はんだボールと半導体装置側ランドの接合面積(はんだ接合面積)は0.06mm2 となり、低いはんだボールが形成される。一方半導体装置の端部においては、半導体装置側のランドサイズはφ0.3mmと同等であるが、レジスト開口径をφ0.2mmと縮小する。これによって、はんだボールと半導体装置側ランドの接合面積は0.03mm2 となり、レジスト開口径φ0.28mmの端部と比較して高いはんだボールが形成される。
図4の(a)は、0.5mmPのCSP型の半導体装置1の外部接続面全体を平面で示す。レジスト開口径Daがφ0.3mmで均一に形成されているものに対し、中心部より端部の方が上に反り上がる場合には、半導体装置側ランド5のレジスト開口径Daをφ0.28〜φ0.18mmの範囲で中心部から端部に向かって除々に減少させていく。
すなわち、はんだボール4と接合させる半導体装置側ランド5のはんだ接合面積は中心部が0.06mm2 で、端部に行くにつれ除々に減少し、端部では0.025mm2 にする。半導体装置側ランド5のレジスト開口径Daが小さくなれば、はんだボール4とのはんだ接合面積が減少する。従って、同サイズのはんだボールを使用していれば、半導体装置1からのはんだボール4の高さは端部に向かって除々に高くなり、上側に反っている端部の反りと相殺する。その結果、全体的に平坦となり、マウント時の接触不良が回避できる。
平坦度を保つためにはんだボールのサイズを変更する方法に比べて、同一径のはんだボールを使用できるという点で、コスト的にも非常に有利である。
積層型半導体装置においては、前述のようにW型に反ることが確認されており、その反り量は60〜80μmとなることが確認されている。このような反り形状においては、中心部と端部のレジスト開口径を小さくし、中心部、端部からそれぞれ除々に大きくして最も下側に反っている箇所のレジスト開口径を最大とすることで、マウント時の接触不良を回避できる。なお、積層型半導体装置においては、その反り量が大きいためレジスト開口サイズの大小差を大きくする必要がある。
このように、ランド部におけるレジスト開口径を中心部より端部にかけて除々に縮小させたり、下側に反っている箇所のレジスト開口径を大きくすることで、半導体装置のはんだ接合部の平坦性を向上させることによりマウント時の接触不良を回避する。
半導体装置1をマザー基板8へマウント後に、リフロー方式等によってはんだ接合する際には、リフロー時の加熱によって、半導体装置1はマウント時に反っていた方向と逆方向に反る場合がある。詳しく説明すると、半導体装置製造においては、樹脂封止、ダイボンド等熱印加を行う工程が多々ある。その工程において、半導体装置1の構成材料の物性(主として熱膨張係数)により、半導体装置1は作製完了時に既に上方向、または下方向に反っている。
そして、その反った半導体装置1はマザー基板8とのリフロー方式等による接合時に200℃以上の熱を印加される。それにより、ガラス転移温度を越えること、軟化すること、残留応力が開放されること等により、反りが軽減され、場合によっては逆方向に反ることが判明している。
この挙動によると、半導体装置1のレジスト開口径Daを中心部から端部にかけて、除々に縮小して、はんだボール4の取り付け高さを反り形状に合わせて調整したにも係わらず、半導体装置1の中心部のはんだボール4が上方にいってしまう。その結果、マザー基板8との接合不備が発生する可能性がある。そこで、基板側ランド9のレジスト開口径Dbを、相対する半導体装置側ランド5のレジスト開口径Daとは大小逆になるように設定する。
すなわち、半導体装置1のレジスト開口径Daが中心部より端部にかけて縮小する場合は、図3および図4の(b)に示すように、マザー基板8の半導体装置1に相対するレジスト開口径Dbを中心部から端部にかけて増大させる。
逆に半導体装置のレジスト開口径が中心部より端部にかけて増大させるのであれば、マザー基板の半導体装置に相対するレジスト開口径は中心部から端部にかけて縮小させていく。
さらに、積層型半導体装置はW型からリフロー時に下に凸に反ることが確認されているため、マザー基板の中心部のレジスト開口径を縮小し、端部を拡大する。
以上のように、半導体装置、マザー基板のレジスト開口径を調整することにより、マウント時の接触不良、リフロー時の接合不良の双方を効果的に回避することが可能となる。
半導体装置、マザー基板のレジスト開口径を個々に変更するのではなく、組み合わせて変更することにより、マウント時、リフロー時の不具合を両方回避し、高品質でしかも安価な半導体装置の実装構造を実現できる。
1 半導体装置
2 配線基板
3 半導体素子
4 はんだボール
5 半導体装置側ランド
6a、6b ソルダーレジスト
7 樹脂
8 マザー基板
9 基板側ランド
2 配線基板
3 半導体素子
4 はんだボール
5 半導体装置側ランド
6a、6b ソルダーレジスト
7 樹脂
8 マザー基板
9 基板側ランド
Claims (5)
- 半導体素子を搭載し、外部接続面に複数の半導体装置側ランドを有する半導体装置と、前記複数の半導体装置側ランドにそれぞれ対向する複数の基板側ランドを有し、ランド間にはんだを介して前記半導体装置を実装するマザー基板と、を備えており、前記半導体装置の反りに対応する前記外部接続面の第1の部位における各半導体装置側ランドのはんだ接合面積が、対向する各基板側ランドのはんだ接合面積より小であり、前記外部接続面の第2の部位における各半導体装置側ランドのはんだ接合面積が、対向する各基板側ランドのはんだ接合面積より大であることを特徴とする半導体装置の実装構造。
- 各半導体装置側ランドのはんだ接合面積が、前記半導体装置の中心部から端部に向かって除々に縮小することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の実装構造。
- 各基板側ランドのはんだ接合面積が、前記マザー基板の中心部から端部に向かって除々に増大することを特徴とする請求項2記載の半導体装置の実装構造。
- 各半導体装置側ランドのはんだ接合面積が、前記半導体装置の端部から中心部に向かって除々に変化することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の実装構造。
- 各基板側ランドのはんだ接合面積が、前記マザー基板の中心部から端部に向かって除々に変化することを特徴とする請求項4記載の半導体装置の実装構造。
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2005
- 2005-08-31 JP JP2005250512A patent/JP2007067129A/ja active Pending
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