JP2007059553A - 磁気抵抗素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁気抵抗素子1は、基板2上に複数の磁性膜3及び非磁性膜4を交互に積層することにより形成される。また、基板2の表面2aには、窒化膜5が形成されており、該窒化膜5には、逆スパッタリング処理が施される。そして、上記各磁性膜3及び非磁性膜4は、この逆スパッタリング処理後の窒化膜5上に順次形成される。
【選択図】 図1
Description
請求項3に記載の発明は、前記窒化膜上に成膜される最下層の前記磁性膜はNiFe膜であること、を要旨とする。
上記構成によれば、より高い磁気特性を有する磁気抵抗素子を得ることができる。
図1に示すように、本実施形態の磁気抵抗素子1は、基板2上に複数の磁性膜3及び非磁性膜4を交互に積層することにより形成されている。
図3(a)は、基板上に酸化膜が形成されたもの(逆スパッタ無)、図3(b)は、同酸化膜に逆スパッタリング処理を施したもの(逆スパッタ有)、図3(c)は、窒化膜に逆スパッタリング処理を施さないもの(逆スパッタ無)、そして、図3(d)は、本実施形態の磁気抵抗素子の磁気抵抗特性を示すグラフである。尚、同図中において、その磁気抵抗特性を表す「磁気抵抗率(磁気抵抗変化率)」は、非磁力印加時の抵抗値をR0、磁力印加時の抵抗値をRbとした場合に、((R0−Rb)/Rb)×100の式に表され、この値が高いほど高い磁気抵抗特性を有することを表している。
図4は、上記の下地(酸化膜又は窒化膜)及び表面処理条件(逆スパッタリング処理の有無)の各組み合わせについて行ったXDR(X線回折)分析の結果を示すグラフであり、同図中、領域αに示すピークは基板(Si)を、そして同図中、領域βに示すピークは、GMR膜(磁性膜及び非磁性膜の積層体)を示している。
(1)磁気抵抗素子1は、基板2上に複数の磁性膜3及び非磁性膜4を交互に積層することにより形成される。また、基板2の表面2aには、窒化膜5が形成されており、該窒化膜5には、逆スパッタリング処理が施される。そして、上記各磁性膜3及び非磁性膜4は、この逆スパッタリング処理後の窒化膜5上に順次形成される。
・本実施形態の磁気抵抗素子1は、検出対象物の回転に応じてマグネットと磁気抵抗素子との相対位置が変化する回転角センサに適用するとよい。即ち、このような回転角センサにおいては、マグネットの組付け公差により、磁気抵抗素子を通過する磁束の強度、及びその回転に応じた変化率にバラツキが出やすい。このため、その公差による影響を考慮して所定の閾値を設定する必要があり、これにより、その検出精度の向上が妨げられていた。しかしながら、本実施形態の磁気抵抗素子1では、より僅かな磁束変化を検出可能であるため、こうした問題が起こりにくい。従って、より高い精度の回転検出が可能になるとともに、併せてその組付けの容易化を図ることができる。
(イ)請求項1〜請求項3の何れか一項に記載の磁気抵抗素子を用いた回転角センサ。
Claims (4)
- 基板上に複数の磁性膜及び非磁性膜を交互に積層してなる磁気抵抗素子であって、
前記基板表面には窒化膜が形成されるとともに、該窒化膜には逆スパッタリング処理が施され、前記各磁性膜及び非磁性膜は、該逆スパッタリング処理後の窒化膜上に順次形成されてなること、を特徴とする磁気抵抗素子。 - 請求項1に記載の磁気抵抗素子において、
前記磁性膜はCoFe膜であり、前記非磁性膜はCu膜であること、
を特徴とする磁気抵抗素子。 - 請求項2に記載の磁気抵抗素子において、
前記窒化膜上に成膜される最下層の前記磁性膜はNiFe膜であること、
を特徴とする磁気抵抗素子。 - 基板上に複数の磁性膜及び非磁性膜を交互に積層してなる磁気抵抗素子の製造方法であって、
前記基板表面に窒化膜を形成するとともに、該窒化膜に逆スパッタリング処理を施し、該逆スパッタリング処理後の窒化膜上に前記各磁性膜及び非磁性膜を順次形成すること、を特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
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JP2005241598A JP2007059553A (ja) | 2005-08-23 | 2005-08-23 | 磁気抵抗素子及びその製造方法 |
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06200364A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-19 | Tdk Corp | 磁性多層膜および磁気抵抗効果素子 |
JPH07249806A (ja) * | 1994-03-09 | 1995-09-26 | Sony Corp | 磁気抵抗効果素子 |
WO1997005664A1 (fr) * | 1995-07-28 | 1997-02-13 | Migaku Takahashi | Element magnetoresistant et sa fabrication |
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2005
- 2005-08-23 JP JP2005241598A patent/JP2007059553A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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