JP2007048785A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 基板上に形成された、開口部を有する多孔質低誘電率膜と、
   前記多孔質低誘電率膜における前記開口部を構成する部分の表面に形成された、複数の微粒子が集積されてなる微粒子体膜とを備え、
   前記多孔質低誘電率膜における前記開口部を構成する部分の表面に曝露する空孔には、前記微粒子が充填されていることを特徴とする半導体装置。
2. 前記微粒子のサイズは、前記空孔のサイズと同等であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記複数の微粒子の各々の直径は、１ｎｍ以上であって且つ２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 前記開口部の内部には、前記多孔質低誘電率膜との間に前記微粒子体膜が介在するように、ビア又は配線となる導電性材料が埋め込まれていることを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
5. 少なくとも前記導電性材料と前記微粒子体膜との間には、バリア膜が介在していることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
6. 前記バリア膜は、ＴａＮ、ＴｉＮおよびＷＮのうちから選ばれた材料からなることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
7. 前記導電性材料はＣｕ、Ｗ、ＡｌおよびＡｕのうちから選ばれた材料からなることを特徴とする請求項４〜６のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
8. 前記微粒子は、フラーレン又は二酸化ケイ素よりなることを特徴とする請求項１〜７のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
9. 前記多孔質低誘電率膜は、メチル含有ポリシロキサン系材料を含むことを特徴とする請求項１〜８のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
10. 基板上に多孔質低誘電率膜を形成する工程（ａ）と、
    前記多孔質低誘電率膜に開口部を形成する工程（ｂ）と、
    前記多孔質低誘電率膜における前記開口部を構成する部分の表面に、複数の微粒子を含む溶液を塗布した後、前記溶液における溶媒を除去することにより、前記複数の微粒子が集積されてなる微粒子体膜を形成する工程（ｃ）とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
11. 前記工程（ｂ）において、
    前記開口部の表面に露出する前記多孔質低誘電率膜の空孔の孔径は、１ｎｍ以上であって且つ２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記工程（ｃ）において、
    前記複数の微粒子の各々の直径は、１ｎｍ以上であって且つ２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１０または１１に記載の半導体装置の製造方法。
13. 前記工程（ｃ）の後、
    前記開口部の内部に、前記多孔質低誘電率膜との間に前記微粒子体膜が介在するように、ビア又は配線となる導電性材料を埋め込む工程（ｄ）を備えることを特徴とする請求項１０〜１２のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
14. 前記工程（ｃ）と前記工程（ｄ）との間に、
    少なくとも前記導電性材料と前記微粒子体膜との間に介在するようにバリア膜を形成する工程（ｅ）をさらに備えることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。