JP2007046124A - マグネトロンスパッタリング装置および薄膜形成方法 - Google Patents
マグネトロンスパッタリング装置および薄膜形成方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 ターゲット3と基板4との間に、移動自在なグリッド電極9が設けられている。グリッド電極9がターゲット3と基板4との間にある状態で、一定時間薄膜を形成した後、ターゲット3と基板4との間にグリッド電極9を介在させない状態で、さらに薄膜形成を行う。
【選択図】 図1
Description
ターゲット(3)、グリッド電極(9)および基板支持台(5)(基板(4))の相対距離を調整する(ステップ1(S1))。真空容器(2)に基板(4)を搬入する(ステップ2(S2))。ガス供給手段としてのガスリング(6)により真空容器(2)内にプロセスガスを導入してガス圧を調整する(ステップ3(S3))。磁場生成手段(8)の磁石保持板(21)を回転させ、所定輪郭形状とされた永久磁石(22)をターゲット(3)に対して偏心回転させる(ステップ4(S4))。プラズマ生成用電源(7)をONとして、ターゲット(3)と基板支持台(5)との間に直流電圧を印加して、プラズマを発生させ、プレスパッタを開始する(ステップ5(S5))。基板支持台(5)とグリッド電極(9)との間に設けられたシャッター(13)を開いて、グリッド電源(10)をONとし、グリッド電極(9)をターゲット(3)と基板(4)との間に介在させた状態での成膜である低ダメージ成膜を行う(ステップ6(S6))。グリッド電極(9)を退避させて、グリッド電極(9)をターゲット(3)と基板(4)との間に介在させない状態での成膜である高速成膜を行う(ステップ7(S7))。なお、低ダメージ成膜および高速成膜中に、必要に応じて、ターゲット(3)、グリッド電極(9)および基板支持台(5)(基板(4))の相対距離を調整する。プラズマ生成用電源(7)、プロセスガスおよび磁場生成手段(8)(磁石(22))の回転をOFFとして、プラズマをOFFにする(ステップ8(S8))。真空容器(2)を真空引きし、シャッター(13)を閉じて、グリッド電極(9)を元の位置に戻す(ステップ9(S9))。処理済みの基板(4)を真空容器(2)から搬出する(ステップ10(S10))。なお、ターゲット(3)、グリッド電極(9)および基板支持台(5)(基板(4))の相対距離を調整するステップは、必ずしも予め行っておく必要はなく、成膜中に適宜行ってもよい。
(2) 真空容器
(3) ターゲット
(4) 基板
(5) 基板支持台
(7) プラズマ生成用電源
(8) 磁場生成手段
(11) ターゲット移動手段(相対距離調整手段)
(12) グリッド電極移動手段(相対距離調整手段兼グリッド電極退避手段)
(21) 磁石保持板
(21a) 磁石配置孔
(22) 永久磁石
Claims (6)
- 真空容器内にターゲットと基板とが対向して設置され、ターゲット背面側に、真空容器内に発生したプラズマをターゲット近傍に封じる磁界を生成するための磁場生成手段が設けられているマグネトロンスパッタリング装置において、
ターゲットと基板との間に、移動自在なグリッド電極が設けられていることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。 - 薄膜形成中に一時的にターゲットと基板との間からグリッド電極を退避させるグリッド電極退避手段が設けられている請求項1に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- ターゲット、グリッド電極および基板間の相対距離を変更する相対距離調整手段がさらに設けられている請求項2に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- 磁場生成手段は、多数の磁石を自在に配置できる構造を有する磁石保持板と、磁石保持板のターゲット対向面に配置され全体としてターゲットの中心から偏心した所定輪郭形状に形成された複数の永久磁石とからなる請求項1から3までのいずれかに記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- 請求項1から4までのいずれかに記載のマグネトロンスパッタリング装置を使用して薄膜を形成する方法であって、グリッド電極がターゲットと基板との間にある状態で、一定時間薄膜を形成した後、ターゲットと基板との間にグリッド電極を介在させない状態で、さらに薄膜形成を行うことを特徴とする薄膜形成方法。
- ターゲット−グリッド電極間距離を10mm以上、グリッド電極−基板間距離を15mm以上、ターゲット−基板間距離を100mm以下とする請求項5に記載の薄膜形成方法。
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JP2005233000A JP2007046124A (ja) | 2005-08-11 | 2005-08-11 | マグネトロンスパッタリング装置および薄膜形成方法 |
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- 2005-08-11 JP JP2005233000A patent/JP2007046124A/ja active Pending
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