JPH05179441A - マグネトロンスパッタリング装置 - Google Patents
マグネトロンスパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH05179441A JPH05179441A JP1829492A JP1829492A JPH05179441A JP H05179441 A JPH05179441 A JP H05179441A JP 1829492 A JP1829492 A JP 1829492A JP 1829492 A JP1829492 A JP 1829492A JP H05179441 A JPH05179441 A JP H05179441A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnet
- target
- center
- magnetic field
- magnetron sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マグネトロンスパッタリングに於けるターゲ
ットの利用率の向上を図り、より均一かつ均質な薄膜を
形成する。 【構成】 陽極と対面する円板状ターゲット２１の裏側
に、環状の第１磁石２３と第２磁石２４とからなる磁石
装置２２を配置する。第１磁石は、その中心Ａをターゲ
ットの中心Ｏに関して偏倚させ、かつその内側にターゲ
ット中心が入るように配置する。第２磁石は、第１磁石
の内側に配置され、かつ前記第１磁石とは逆の極性を有
する。この磁石装置を駆動手段によりターゲット中心に
関して回転させながら、ターゲット表面の広い範囲に亘
って一様な磁界を形成することによって、高密度のプラ
ズマ領域が形成される。
ットの利用率の向上を図り、より均一かつ均質な薄膜を
形成する。 【構成】 陽極と対面する円板状ターゲット２１の裏側
に、環状の第１磁石２３と第２磁石２４とからなる磁石
装置２２を配置する。第１磁石は、その中心Ａをターゲ
ットの中心Ｏに関して偏倚させ、かつその内側にターゲ
ット中心が入るように配置する。第２磁石は、第１磁石
の内側に配置され、かつ前記第１磁石とは逆の極性を有
する。この磁石装置を駆動手段によりターゲット中心に
関して回転させながら、ターゲット表面の広い範囲に亘
って一様な磁界を形成することによって、高密度のプラ
ズマ領域が形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マグネトロンスパッタ
リング装置に関し、特にターゲットに磁界を作用させる
ための新規な陰極の構造に関する。
リング装置に関し、特にターゲットに磁界を作用させる
ための新規な陰極の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ガラス、プラスチック、金属
そのほかの材料表面に金属の薄膜を付着させるための技
術として、低圧ガス雰囲気内で２個の電極間に電圧を加
え、グロー放電により発生した雰囲気ガスのイオンをタ
ーゲット材料に衝突させ、飛び出した金属原子を対面す
る基材表面に堆積させて金属薄膜を形成するスパッタリ
ング法が知られている。
そのほかの材料表面に金属の薄膜を付着させるための技
術として、低圧ガス雰囲気内で２個の電極間に電圧を加
え、グロー放電により発生した雰囲気ガスのイオンをタ
ーゲット材料に衝突させ、飛び出した金属原子を対面す
る基材表面に堆積させて金属薄膜を形成するスパッタリ
ング法が知られている。
【０００３】最近では、特に皮膜の形成速度・形成面積
が大きく、ステップカバレージに優れ、基板の温度上昇
が少ない等の利点を備えた、高速高効率のマグネトロン
スパッタリング装置が開発されている。図３は、このよ
うな従来のプレーナ型マグネトロンスパッタリング装置
の構成を概略的に示している。
が大きく、ステップカバレージに優れ、基板の温度上昇
が少ない等の利点を備えた、高速高効率のマグネトロン
スパッタリング装置が開発されている。図３は、このよ
うな従来のプレーナ型マグネトロンスパッタリング装置
の構成を概略的に示している。
【０００４】図３に於て、図示されない真空容器の内部
には、陽極１が上方に配置され、その上には薄膜を形成
するべき複数の基板２が保持されている。陽極１の下方
には、陰極である円板状のターゲット３が対面するよう
に配置されている。ターゲット３の直ぐ下側には、該タ
ーゲット表面に磁界を発生させるための磁石装置４が配
置されている。この磁石装置４は、ターゲット３の周辺
部に対応させて同心位置に配置された円環状の第１磁石
５と、ターゲット３の中心位置に配置された第２磁石６
とからなる。また、７、８はそれぞれターゲット３を冷
却するための冷却水取入管及び排出管であり、９はシー
ルド板である。
には、陽極１が上方に配置され、その上には薄膜を形成
するべき複数の基板２が保持されている。陽極１の下方
には、陰極である円板状のターゲット３が対面するよう
に配置されている。ターゲット３の直ぐ下側には、該タ
ーゲット表面に磁界を発生させるための磁石装置４が配
置されている。この磁石装置４は、ターゲット３の周辺
部に対応させて同心位置に配置された円環状の第１磁石
５と、ターゲット３の中心位置に配置された第２磁石６
とからなる。また、７、８はそれぞれターゲット３を冷
却するための冷却水取入管及び排出管であり、９はシー
ルド板である。
【０００５】第１及び第２磁石５、６の極性をそれぞれ
図示されるようにＮ、Ｓに設定すると、磁石装置４によ
ってターゲット３の表面には磁界が形成される。陽極１
及びターゲット３を外部の電源に接続して数百ボルトの
電圧を印加する。これにより、陽極１とターゲット３と
の間に画定される空間内に於て、前記真空容器内に導入
された約１０-2〜１０0 Torr程度のアルゴンガスに放電
を起こす。前記磁界と電界とが直交する部分では、放電
により電離した電子のマグネトロン運動によって、高密
度のプラズマが発生する。これにより、ターゲット３か
らスパッタされた原子が基板２の表面に堆積して薄膜が
形成される。
図示されるようにＮ、Ｓに設定すると、磁石装置４によ
ってターゲット３の表面には磁界が形成される。陽極１
及びターゲット３を外部の電源に接続して数百ボルトの
電圧を印加する。これにより、陽極１とターゲット３と
の間に画定される空間内に於て、前記真空容器内に導入
された約１０-2〜１０0 Torr程度のアルゴンガスに放電
を起こす。前記磁界と電界とが直交する部分では、放電
により電離した電子のマグネトロン運動によって、高密
度のプラズマが発生する。これにより、ターゲット３か
らスパッタされた原子が基板２の表面に堆積して薄膜が
形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来装置の構成では、図４に示すようにターゲット３
の周辺部から抜け出て中心部に入る磁力線１０によっ
て、磁界がトンネル状に形成される。磁場の水平方向成
分は、第１磁石５と第２磁石６との中間付近で最も大き
くかつ中心部及び周辺部に向けて小さくなるから、実際
にはこの中間部近傍に環状のプラズマ領域が形成される
ことになる。
た従来装置の構成では、図４に示すようにターゲット３
の周辺部から抜け出て中心部に入る磁力線１０によっ
て、磁界がトンネル状に形成される。磁場の水平方向成
分は、第１磁石５と第２磁石６との中間付近で最も大き
くかつ中心部及び周辺部に向けて小さくなるから、実際
にはこの中間部近傍に環状のプラズマ領域が形成される
ことになる。
【０００７】従って、Ａｒ+イオンがターゲット３の中
間部付近のみを打撃することになり、ターゲット３は、
前記環状プラズマ領域に対応した部分がスパッタされ
て、図４のような面積が狭く深いエロージョン領域１１
が形成される。このため、ターゲット材料の利用率が非
常に低く、生産性が低下し、製造コストが高くなるとい
う問題があった。また、エロージョン領域が深くなるに
つれてターゲットから飛び出す原子の角度が変化するた
め、基板に均一かつ均質な薄膜が形成されなくなる虞が
ある。
間部付近のみを打撃することになり、ターゲット３は、
前記環状プラズマ領域に対応した部分がスパッタされ
て、図４のような面積が狭く深いエロージョン領域１１
が形成される。このため、ターゲット材料の利用率が非
常に低く、生産性が低下し、製造コストが高くなるとい
う問題があった。また、エロージョン領域が深くなるに
つれてターゲットから飛び出す原子の角度が変化するた
め、基板に均一かつ均質な薄膜が形成されなくなる虞が
ある。
【０００８】そこで、本発明の目的は、ターゲット表面
に形成される磁場の分布を平均化し、ターゲットの消耗
即ちエロージョン領域の形成を均一にして、生産性を高
め、製造コストの低減化を図ると共に、より均一かつ均
質な薄膜の形成を可能にするマグネトロンスパッタリン
グ装置を提供することにある。
に形成される磁場の分布を平均化し、ターゲットの消耗
即ちエロージョン領域の形成を均一にして、生産性を高
め、製造コストの低減化を図ると共に、より均一かつ均
質な薄膜の形成を可能にするマグネトロンスパッタリン
グ装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、真空室
内に配置された陽極と、この陽極と対面するよう前記真
空室内に配置された陰極ターゲットと、前記陰極ターゲ
ットの表面近傍に磁界を発生させる磁石手段と、前記磁
石手段を前記陰極ターゲットの中心に対して回転させる
駆動手段とを備え、前記磁石手段は、その中心位置を前
記陰極ターゲットの中心に対して偏倚させ、かつ前記陰
極ターゲットの中心をその内側に含むように配置された
環状の第１磁石と、前記第１磁石の内側に配置された第
２磁石とを備えることを特徴とするマグネトロンスパッ
タリング装置が提供される。
内に配置された陽極と、この陽極と対面するよう前記真
空室内に配置された陰極ターゲットと、前記陰極ターゲ
ットの表面近傍に磁界を発生させる磁石手段と、前記磁
石手段を前記陰極ターゲットの中心に対して回転させる
駆動手段とを備え、前記磁石手段は、その中心位置を前
記陰極ターゲットの中心に対して偏倚させ、かつ前記陰
極ターゲットの中心をその内側に含むように配置された
環状の第１磁石と、前記第１磁石の内側に配置された第
２磁石とを備えることを特徴とするマグネトロンスパッ
タリング装置が提供される。
【００１０】
【作用】このように磁石手段を構成することによって、
該磁石手段の回転運動と共に磁界がターゲット表面に沿
って移動する。この場合に、ターゲットの中心は外側の
環状第１磁石の内側に位置しているので、常に磁界の中
に含まれることになる。このため、前記ターゲットのよ
り広い表面領域に亘って電子が捕捉されて高密度のプラ
ズマを発生させることができる。
該磁石手段の回転運動と共に磁界がターゲット表面に沿
って移動する。この場合に、ターゲットの中心は外側の
環状第１磁石の内側に位置しているので、常に磁界の中
に含まれることになる。このため、前記ターゲットのよ
り広い表面領域に亘って電子が捕捉されて高密度のプラ
ズマを発生させることができる。
【００１１】
【実施例】以下に、本発明の好適実施例について添付図
面を参照しつつ詳細に説明する。
面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１２】図１には、本発明のマグネトロンスパッタ
リング装置について使用される陰極構造の好適な実施例
が示されている。図示されていないが、その表面に薄膜
を形成するべき基板を保持する陽極が、図３の従来装置
と同様に真空室内に水平に配置され、かつその下方に
は、陰極としてスパッタ材料からなる円板形状のターゲ
ット２１が、前記陽極に対面させて水平に配置されてい
る。ターゲット２１の直ぐ下側には、該ターゲットの表
面に磁界を発生させる磁石装置２２が配設されている。
リング装置について使用される陰極構造の好適な実施例
が示されている。図示されていないが、その表面に薄膜
を形成するべき基板を保持する陽極が、図３の従来装置
と同様に真空室内に水平に配置され、かつその下方に
は、陰極としてスパッタ材料からなる円板形状のターゲ
ット２１が、前記陽極に対面させて水平に配置されてい
る。ターゲット２１の直ぐ下側には、該ターゲットの表
面に磁界を発生させる磁石装置２２が配設されている。
【００１３】磁石装置２２は、円環状の第１磁石２３
と、それと同心位置に配置された第２磁石２４とを有す
る。第１磁石２３は、ターゲット２１と同心状に配置さ
れた円形の支持台２５の上に、第１磁石２３の中心Ａを
Ｏ1から距離ｅをもって偏倚させた位置に取り付けられ
る。同時に、支持台２５のターゲット２１の中心Ｏに対
応する中心Ｏ1が、図示されるように第１磁石２３の内
側に入るように構成される。尚、本実施例では、第１磁
石２３及び第２磁石２４の双方を電磁石で構成したが、
永久磁石とすることもできる。
と、それと同心位置に配置された第２磁石２４とを有す
る。第１磁石２３は、ターゲット２１と同心状に配置さ
れた円形の支持台２５の上に、第１磁石２３の中心Ａを
Ｏ1から距離ｅをもって偏倚させた位置に取り付けられ
る。同時に、支持台２５のターゲット２１の中心Ｏに対
応する中心Ｏ1が、図示されるように第１磁石２３の内
側に入るように構成される。尚、本実施例では、第１磁
石２３及び第２磁石２４の双方を電磁石で構成したが、
永久磁石とすることもできる。
【００１４】支持台２５は、回転軸２６を介して図示さ
れない適当な駆動手段によって、中心Ｏ1即ちターゲッ
ト中心Ｏと同軸に回転可能である。本実施例では、支持
台２５を最大約１００ｒｐｍで回転させることができ
る。また、前記マグネトロンスパッタリング装置のその
他の部分は、図３の従来装置と同様の構造を有する。
れない適当な駆動手段によって、中心Ｏ1即ちターゲッ
ト中心Ｏと同軸に回転可能である。本実施例では、支持
台２５を最大約１００ｒｐｍで回転させることができ
る。また、前記マグネトロンスパッタリング装置のその
他の部分は、図３の従来装置と同様の構造を有する。
【００１５】第１磁石２３及び第２磁石２４の極性を、
図示されるようにターゲット２１側に於てそれぞれＮ極
及びＳ極となるように設定する。これにより、図２に示
すように、ターゲット表面を第１磁石２３の全周から出
て第２磁石２４の位置でターゲット２１に入る磁力線２
７によって磁界が形成される。上述したように第１磁石
２３を支持台２５の中心Ｏ1に対して偏心させ、かつ中
心Ｏ1を第１磁石２３の内側にくるように構成したこと
によって、この磁界の中にはターゲット中心Ｏが常に含
まれる。
図示されるようにターゲット２１側に於てそれぞれＮ極
及びＳ極となるように設定する。これにより、図２に示
すように、ターゲット表面を第１磁石２３の全周から出
て第２磁石２４の位置でターゲット２１に入る磁力線２
７によって磁界が形成される。上述したように第１磁石
２３を支持台２５の中心Ｏ1に対して偏心させ、かつ中
心Ｏ1を第１磁石２３の内側にくるように構成したこと
によって、この磁界の中にはターゲット中心Ｏが常に含
まれる。
【００１６】図２には、第１磁石２３及び第２磁石２４
がターゲット２１の断面図に関して最も左側の位置に実
線で表されている。磁石装置２２がこの位置にきた場合
は、従来装置について図４を用いて説明したように、タ
ーゲット２１には破線２８で示すようなエロージョンが
生じる。更に、磁石装置２２が回転して最も右側の位置
にきた場合が破線で示されている。この場合には、破線
２９で示されるようなエロージョンがターゲット２１に
生じることになる。
がターゲット２１の断面図に関して最も左側の位置に実
線で表されている。磁石装置２２がこの位置にきた場合
は、従来装置について図４を用いて説明したように、タ
ーゲット２１には破線２８で示すようなエロージョンが
生じる。更に、磁石装置２２が回転して最も右側の位置
にきた場合が破線で示されている。この場合には、破線
２９で示されるようなエロージョンがターゲット２１に
生じることになる。
【００１７】実際には、磁石装置２２の回転と共に磁界
が回転するので、第１磁石２３及び第２磁石２４のそれ
ぞれの回転位置に対応してターゲット２１が広い表面領
域に亘ってスパッタされる。従って、最終的には、各エ
ロージョンを重ねるようにして符号３０で示すような広
い面積の一様なエロージョン領域が形成される。
が回転するので、第１磁石２３及び第２磁石２４のそれ
ぞれの回転位置に対応してターゲット２１が広い表面領
域に亘ってスパッタされる。従って、最終的には、各エ
ロージョンを重ねるようにして符号３０で示すような広
い面積の一様なエロージョン領域が形成される。
【００１８】以上、本発明を特定の実施例について説明
したが、当業者であれば明らかなように、本発明は上記
実施例に様々な変更・変形を加えて実施することができ
る。例えば、第１磁石は必ずしも円環形状にする必要は
なく、矩形に形成することもできる。また、第１磁石及
び第２磁石の一方または双方を電磁石で構成した場合に
は、該電磁石に流す電流の向き、大きさ等を適当に、例
えば時間的に変化させて、ターゲット表面での磁界の強
さを制御し、プラズマ分布を必要に応じて変化させるこ
とができる。
したが、当業者であれば明らかなように、本発明は上記
実施例に様々な変更・変形を加えて実施することができ
る。例えば、第１磁石は必ずしも円環形状にする必要は
なく、矩形に形成することもできる。また、第１磁石及
び第２磁石の一方または双方を電磁石で構成した場合に
は、該電磁石に流す電流の向き、大きさ等を適当に、例
えば時間的に変化させて、ターゲット表面での磁界の強
さを制御し、プラズマ分布を必要に応じて変化させるこ
とができる。
【００１９】
【発明の効果】上述したように、本発明のマグネトロン
スパッタリング装置によれば、第１磁石と第２磁石とに
よってターゲットの表面に形成されるトンネル状の磁界
が、その中に常に前記ターゲットの中心が含まれるよう
にして、回転する磁石手段と共に前記ターゲット表面を
移動する。この結果、前記ターゲットの中心を含むより
広い表面領域に亘って磁界が作用し、高密度のプラズマ
領域が形成されるので、ターゲットの特定部分のみがス
パッタされることがなく、エロージョン領域が広くな
り、ターゲットの利用率が向上する。このため、基板の
薄膜形成に於ける生産性が向上し、製造コストの低減化
が図られる。
スパッタリング装置によれば、第１磁石と第２磁石とに
よってターゲットの表面に形成されるトンネル状の磁界
が、その中に常に前記ターゲットの中心が含まれるよう
にして、回転する磁石手段と共に前記ターゲット表面を
移動する。この結果、前記ターゲットの中心を含むより
広い表面領域に亘って磁界が作用し、高密度のプラズマ
領域が形成されるので、ターゲットの特定部分のみがス
パッタされることがなく、エロージョン領域が広くな
り、ターゲットの利用率が向上する。このため、基板の
薄膜形成に於ける生産性が向上し、製造コストの低減化
が図られる。
【図１】本発明によるプレーナマグネトロンスパッタリ
ング装置に使用するカソードを概略的に示す斜視図であ
る。
ング装置に使用するカソードを概略的に示す斜視図であ
る。
【図２】図１のスパッタリング装置に使用したターゲッ
トのエロージョン領域を示す断面図である。
トのエロージョン領域を示す断面図である。
【図３】従来のプレーナマグネトロンスパッタリング装
置の構成を概略的に示す断面図である。
置の構成を概略的に示す断面図である。
【図４】図３のスパッタリング装置に使用したターゲッ
トのエロージョン領域を示す断面図である。
トのエロージョン領域を示す断面図である。
１ 陽極 ２ 基板 ３ ターゲット ４ 磁石装置 ５ 第１磁石 ６ 第２磁石 ７ 冷却水供給管 ８ 冷却水排出管 ９ シールド板 １０ 磁力線 １１ エロージョン領域 ２１ ターゲット ２２ 磁石装置 ２３ 第１磁石 ２４ 第２磁石 ２５ 支持台 ２６ 回転軸 ２７ 磁力線 ２８、２９、３０ エロージョン領域
Claims (1)
- 【請求項１】真空室内に配置された陽極と、この陽極と
対面するよう前記真空室内に配置された陰極ターゲット
と、前記陰極ターゲットの表面近傍に磁界を発生させる
磁石手段と、前記磁石手段を前記陰極ターゲットの中心
に対して回転させる駆動手段とを備え、 前記磁石手段は、その中心位置を前記陰極ターゲットの
中心に対して偏倚させ、かつ前記陰極ターゲットの中心
をその内側に含むように配置された環状の第１磁石と、
前記第１磁石の内側に配置された第２磁石とを備えるこ
とを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1829492A JPH05179441A (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | マグネトロンスパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1829492A JPH05179441A (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | マグネトロンスパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05179441A true JPH05179441A (ja) | 1993-07-20 |
Family
ID=11967591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1829492A Withdrawn JPH05179441A (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | マグネトロンスパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05179441A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2379670A (en) * | 2001-09-12 | 2003-03-19 | Samsung Electronics Co Ltd | Sputtering Apparatus Using a Magnetic Field |
-
1992
- 1992-01-06 JP JP1829492A patent/JPH05179441A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2379670A (en) * | 2001-09-12 | 2003-03-19 | Samsung Electronics Co Ltd | Sputtering Apparatus Using a Magnetic Field |
| GB2379670B (en) * | 2001-09-12 | 2003-10-22 | Samsung Electronics Co Ltd | Sputtering apparatus for forming a metal film using a magnetic field |
| US6723215B2 (en) | 2001-09-12 | 2004-04-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Sputtering apparatus for forming a metal film using a magnetic field |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5795451A (en) | Sputtering apparatus with a rotating magnet array | |
| US5130005A (en) | Magnetron sputter coating method and apparatus with rotating magnet cathode | |
| US6113752A (en) | Method and device for coating substrate | |
| JP2000144399A (ja) | スパッタリング装置 | |
| US5865961A (en) | Magnetron sputtering apparatus and method | |
| JP4306958B2 (ja) | 真空スパッタ装置 | |
| JPH07166346A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JP2912864B2 (ja) | スパッタリング装置のマグネトロンユニット | |
| JP2000073167A (ja) | 真空チャンバ内で基板をコ―ティングするための装置 | |
| EP0555339B1 (en) | Magnetron sputter coating method and apparatus with rotating magnet cathode | |
| JPH11158625A (ja) | マグネトロンスパッタ成膜装置 | |
| US5328582A (en) | Off-axis magnetron sputter deposition of mirrors | |
| JPH1046334A (ja) | スパッタ成膜装置 | |
| JP2004346387A (ja) | スパッタ源、スパッタリング装置、及びスパッタリング方法 | |
| JP3056222B2 (ja) | スパッタ装置およびスパッタ方法 | |
| JPH05179441A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| US20030127322A1 (en) | Sputtering apparatus and magnetron unit | |
| JP2000319780A (ja) | スパッタリングカソード及びこれを備えたマグネトロン型スパッタリング装置 | |
| JPS6217175A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPS62167877A (ja) | プラズマ移動式マグネトロン型スパツタ装置 | |
| JP2005232554A (ja) | スパッタ装置 | |
| JPS63243272A (ja) | マグネトロン・スパツタリング方法 | |
| JPH04371575A (ja) | スパッタ装置 | |
| JPS63109163A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JP3237000B2 (ja) | マグネトロンスパッタ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |