JP2007039723A - 電解用の貴金属電極とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Ti電極基材の上にPt層を有する、アルカリイオン整水器用の電極において、従来品よりも薄いPt層でありながら、寿命が延長された電極と、その製造方法を提供すること。
【解決手段】
Ti電極基材をスパッタリング装置に入れ、Arガスを用いたエッチングにより表面に存在するTiO2を除去したのち、Tiターゲットを用いてTiのスパッタリングを行なってTiスパッタ層を形成し、つぎに雰囲気にアセチレンおよび窒素ガスを導入してTiCNのスパッタ層を形成し、最後にPtのスパッタリングを行なってPt表面層を形成する。下記の表面層構成を有する電極が得られる。
(内部) (表面)
Ti電極基材/Tiスパッタ層/TiCNスパッタ層/Ptスパッタ層
【選択図】 図1
Description
電極活物質層/Taへの白金族金属の拡散層/Taスパッタ層/Ti基体
となる構造をつくったものが提案されている。スパッタリングによりTi基材の表面に形成されたTa層は、電極活物質を表面に担持する際の熱処理により、結晶構造がβ相からα相に変化し、電極活物質とTaとの合金層が形成される(特許文献1)。
(内部) (表面)
Ti電極基材/TiPVD層/Ti(C,N)PVD層/貴金属PVD層
ここで「Ti(C,N)」は、TiC、TiNおよびTiCNのさまざまな割合の混合物を意味し、組成としては、TiCxNy(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y=1)と表わすことができる。
Ti層:0.01〜0.10μm
Ti(C,N)層:0.05〜0.50μm
Pt層:基本的には任意であるが、0.05〜2.0μm
Ti層は、電極基体のTiとTi(C,N)層とを密着させる活性な金属層でなければならず、そのためには10nm(0.01μm)以上の厚さをもつ必要がある。それ以上であれば、0.10μmを超える厚い層であってもかまわないが、コスト面からは薄い方が有利である。Ti(C,N)層は、この電極を陽極として使用したときにTi層が酸化されないよう、0.05μm以上の厚さをもつ必要がある。この層は、厚いことが好ましいが、やはりコストの問題で0.50μmという一応の限度を設けた。Pt層の厚さは、電極に期待する寿命を考慮して決定すべきであって、前述したように、使用条件が、陽極用は相対的に過酷であり陰極用は穏和であるから、前者は厚めにし、後者は薄めでよい。
雰囲気 圧力(Torr) 時間(分) ターゲット
清浄化工程 Ar 2×10-2 10 −
Ti層形成 Ar 3×10-3 2 Ti
Ti(C,N)層形成 Ar:N2:C2H2 3.5×10-3 5 Ti
ガス成分比 40:8:3
Pt層形成 Ar 1.5×10-3 30 Pt
陽極用(μm) 陰極用(μm)
実施例 0.13 0.13
比較例 0.13 0.14
従来例 0.22 0.21
2 Tiスパッタ層
3 Ti(C,N)スパッタ層
4 Ptスパッタ層
Claims (5)
- 下記の表面層構成を有する電解用の貴金属電極。
(内部) (表面)
Ti電極基材/TiPVD層/Ti(C,N)PVD層/貴金属PVD層 - Ti(C,N)PVD層の組成が、TiCxNy(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y=1)である請求項1の貴金属電極。
- 各層の厚さが下記の範囲にある請求項1の貴金属電極。
TiPVD層: 0.01〜0.10μm
Ti(C,N)PVD層:0.05〜0.50μm
貴金属PVD: 0.05〜2.00μm - 貴金属がPtである、アルカリイオン整水器に用いる請求項1の貴金属電極。
- Ti電極基材をPVD装置に入れ、Arガスを用いたエッチングにより表面に存在する酸化被膜を除去したのち、TiのPVDを行なってTi電極基材上にTiPVD層を形成し、つぎに雰囲気にアセチレンおよび窒素ガスを導入してTi(C,N)のPVD層を形成し、最後に貴金属のPVDを行なって貴金属表面層を形成することからなる電解用の貴金属電極の製造方法。
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