JP2007027662A - レーザトリミング評価方法およびレーザトリミング用レーザ強度設定方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 外観検査によらずトリミング跡の良否判定を確実に行うことができるレーザトリミング評価方法を提供する。レーザトリミング用薄膜抵抗体を適切にレーザトリミングすることができるレーザトリミング用レーザ強度設定方法を提供する。
【解決手段】 ウエハ１内に評価用薄膜抵抗体２を設け、レーザトリミング用薄膜抵抗体をレーザトリミングする前に、評価用薄膜抵抗体２に対し所定のレーザ強度のレーザビームにより完全に切り離すレーザトリミングを行った後に、評価用薄膜抵抗体２の絶縁抵抗値を測定した結果、十分な絶縁抵抗値が得られないと、レーザの高強度化、完全に切り離すレーザトリミング及び絶縁抵抗値の測定を十分な絶縁抵抗値が得られるまで行って、十分な絶縁抵抗値が得られた当該レーザ強度に基づいて、レーザトリミング用薄膜抵抗体をレーザトリミングする際のレーザビームのレーザ強度を設定する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、レーザトリミング評価方法およびレーザトリミング用レーザ強度設定方法に関するものである。

薄膜抵抗体をトリミングするためにレーザトリミングが使われている（例えば、特許文献１）。具体的には、例えば、図１０に示すようにＩＣチップにおいてシリコン基板１００の上面に絶縁膜１０１を介して薄膜抵抗体１０２が形成され、薄膜抵抗体１０２の両端部には電極１０３，１０４が形成されている。薄膜抵抗体１０２に対しレーザビームを照射してトリミング跡１０５を形成してトリミングする。図１０ではＬ字状のトリミング跡１０５を形成している。
特許番号第２６１８１３９号公報

図１１（ａ）は、ＩＣチップ内にある金属薄膜抵抗体１０２を、直線偏光のレーザビームでトリミングした例であり、Ｌ字状のトリミング跡１０５として、筋残りの出ない方向（図中のＹ方向）でトリミングされたトリミング跡１０５ａに比べ、筋残りの出る方向（図中のＸ方向）にトリミングされたトリミング跡１０５ｂにおいては結果的に筋残り１１０が発生している。この場合は、トリミング跡１０５ｂについては筋残り１１０があるため不良と判断できるが、トリミング跡１０５ａについては筋残り１１０が出ないため目視で判断できない。

図１１（ｂ）も、直線偏光のレーザビームでトリミングした例であり、ＩＣチップの出来映えの差によりトリミング跡１０５として、Ｙ方向のみがトリミングされた例である。この場合は、筋残りが出ない方向（Ｙ方向）でのトリミングのため、このトリミング跡はレーザ強度が不足しているのかどうかが目視では判断できない。

図１１（ｃ）は、円偏光のレーザビームでトリミングした例であり、Ｌ字状のトリミング跡１０５として、トリミング跡１０５ａ，１０５ｂの共に筋残りが出ないため、このトリミング跡はレーザ強度が不足しているのかどうかが目視では判断できない。

このように、筋残りが出ないトリミングの場合（円偏光のレーザビームを用いたＸ，Ｙの２方向のトリミングや直線偏光のレーザビームを用いた一方向のみのトリミング）は目視ではトリミングの切れ跡が薄くなるだけなので、品質上の問題有無の判断が極めて難しく、そのため、流出し納入先や市場で劣化し品質問題に繋がるという問題があった。

また、従来の薄膜レーザトリミングでは、レーザ強度不足（レーザビームのエネルギー不足）やフォーカスずれやＩＣチップのトリミングウインドウ（良好に切れるトリミングエネルギーの幅）の狭化等により、切れ残りが発生していてもトリミングする長さが長くなれば特性は合わせ込めてしまい電気的な切れ残りの検出は困難である。

本発明はこのような背景の下になされたものであり、第１の目的は、外観検査によらずトリミング跡の良否判定を確実に行うことができるレーザトリミング評価方法を提供することにある。第２の目的は、レーザトリミング用薄膜抵抗体を適切にレーザトリミングすることができるレーザトリミング用レーザ強度設定方法を提供することにある。

請求項１に記載の発明は、レーザトリミング用薄膜抵抗体を有する半導体装置におけるレーザトリミング評価方法であって、ウエハ内に評価用薄膜抵抗体を設け、この評価用薄膜抵抗体に対し完全に切り離すレーザトリミングを行った後に当該評価用薄膜抵抗体の絶縁抵抗値を測定して、当該測定結果からトリミング跡の良否判定を行うようにしたレーザトリミング評価方法をその要旨としている。

請求項１に記載の発明によれば、ウエハ内に設けた評価用薄膜抵抗体に対し完全に切り離すレーザトリミングを行った後に評価用薄膜抵抗体の絶縁抵抗値を測定して、当該測定結果からトリミング跡の良否判定を行うことにより、外観検査によらずトリミング跡の良否判定を確実に行うことができる。

ここで、請求項２に記載のように、請求項１に記載のレーザトリミング評価方法において、前記評価用薄膜抵抗体を、チップ内の回路用として等電位にされるパッド間に設けると、パッドを兼用することができる。

請求項３に記載の発明は、レーザトリミング用薄膜抵抗体を有する半導体装置におけるレーザトリミング用レーザ強度設定方法であって、ウエハ内に評価用薄膜抵抗体を設け、前記レーザトリミング用薄膜抵抗体をレーザトリミングする前に、前記評価用薄膜抵抗体に対し所定のレーザ強度のレーザビームにより完全に切り離すレーザトリミングを行った後に当該評価用薄膜抵抗体の絶縁抵抗値を測定した結果、十分な絶縁抵抗値が得られていると当該レーザ強度に基づいて、前記レーザトリミング用薄膜抵抗体をレーザトリミングする際のレーザビームのレーザ強度を設定するようにしたレーザトリミング用レーザ強度設定方法をその要旨としている。

請求項３に記載の発明によれば、レーザトリミング用薄膜抵抗体をレーザトリミングする前に、ウエハ内に設けた評価用薄膜抵抗体に対し所定のレーザ強度のレーザビームにより完全に切り離すレーザトリミングを行った後に評価用薄膜抵抗体の絶縁抵抗値を測定した結果、十分な絶縁抵抗値が得られていると当該レーザ強度に基づいて、レーザトリミング用薄膜抵抗体をレーザトリミングする際のレーザビームのレーザ強度を設定することにより、レーザトリミング用薄膜抵抗体を適切にレーザトリミングすることができる。

請求項４に記載の発明は、レーザトリミング用薄膜抵抗体を有する半導体装置におけるレーザトリミング用レーザ強度設定方法であって、ウエハ内に評価用薄膜抵抗体を設け、前記レーザトリミング用薄膜抵抗体をレーザトリミングする前に、前記評価用薄膜抵抗体に対し所定のレーザ強度のレーザビームにより完全に切り離すレーザトリミングを行った後に、当該評価用薄膜抵抗体の絶縁抵抗値を測定した結果、十分な絶縁抵抗値が得られないと、レーザの高強度化、前記完全に切り離すレーザトリミング及び絶縁抵抗値の測定を十分な絶縁抵抗値が得られるまで行って、十分な絶縁抵抗値が得られた当該レーザ強度に基づいて、前記レーザトリミング用薄膜抵抗体をレーザトリミングする際のレーザビームのレーザ強度を設定するようにしたレーザトリミング用レーザ強度設定方法をその要旨としている。

請求項４に記載の発明によれば、レーザトリミング用薄膜抵抗体をレーザトリミングする前に、ウエハ内に設けた評価用薄膜抵抗体に対し所定のレーザ強度のレーザビームにより完全に切り離すレーザトリミングを行った後に、当該評価用薄膜抵抗体の絶縁抵抗値を測定した結果、十分な絶縁抵抗値が得られないと、レーザの高強度化、前記完全に切り離すレーザトリミング及び絶縁抵抗値の測定を十分な絶縁抵抗値が得られるまで行って、十分な絶縁抵抗値が得られた当該レーザ強度に基づいて、レーザトリミング用薄膜抵抗体をレーザトリミングする際のレーザビームのレーザ強度を設定することにより、レーザトリミング用薄膜抵抗体を適切にレーザトリミングすることができる。

ここで、請求項５に記載のように、請求項３または４に記載のレーザトリミング用レーザ強度設定方法において、前記評価用薄膜抵抗体を、チップ内の回路用として等電位にされるパッド間に設けると、パッドを兼用することができる。

以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
図１は、本実施形態におけるウエハ１の平面図である。図２はウエハの一部領域における平面図である。図３には、図２のＡ−Ａ線での縦断面図を示す。

図２に示すように、製品でのレーザトリミング用薄膜抵抗体１８に加えて評価用薄膜抵抗体（ＴＥＧ）２が配置されている。この評価用薄膜抵抗体（ＴＥＧ）２は図１に示すようにウエハ１内において９個配置されている。評価用薄膜抵抗体２は、直線偏光のレーザビームによりトリミングを行った時にトリミングの切れ残りが発生しているか否かを電気的に判定するための専用パターンである。本実施形態においてはレーザトリミング用薄膜抵抗体（製品）１８および評価用薄膜抵抗体２として金属薄膜抵抗体を用いている。

図３において、ウエハ１におけるシリコン基板１０の上には絶縁膜１１を介して、レーザトリミング用薄膜抵抗体（製品）１８に加えて評価用薄膜抵抗体２が形成されている。
図３においてウエハ（シリコン基板１０）はＸＹテーブル２８上にチャックされ、ＸＹテーブル２８が水平方向（前後左右）に移動してウエハを移動させることができるようになっている。また、ＸＹテーブル２８の上方、即ち、ウエハ（シリコン基板１０）の上方においてレーザ装置２０が配置されている。レーザ装置２０にはレーザ発振器２１に加えて直線偏光器２２が備えられ、直線偏光器２２はレーザ発振器２１のレーザビームの光軸上に配置されている。そして、レーザ発振器２１から出力されたレーザビームが直線偏光器２２を通過する。このレーザビームＬｂが、薄膜抵抗体１８（２）に対し照射される。このとき、レーザ装置２０内においてレーザスキャナ（図示略）によりレーザビームＬｂが水平方向（ＸＹ方向）に走査されてトリミングが行われるようになっている。レーザスキャナとして、例えばガルバノメータスキャナを用いる。偏光子としての直線偏光器２２として偏光板を挙げることができる。

図２に示すように、レーザトリミング用薄膜抵抗体（製品）１８は矩形形をなし、Ｘ方向に延設されている。そして、レーザトリミング用薄膜抵抗体（製品）１８はＹ方向へのレーザトリミングによりＹ方向に延びるトリミング跡１９が形成される（シングルカットされる）。評価用薄膜抵抗体２は平面形状が長方形状をなし（抵抗形状が矩形形であり）、図２においてＸ方向に延びている。つまり、評価用薄膜抵抗体２は製品での薄膜抵抗体１８と同一方向に延設され、トリミング方向についても製品での薄膜抵抗体１８と同一のＹ方向にトリミングされるようになっている。図４で説明すると、評価用薄膜抵抗体２は評価用のトリミングにおいてＹ方向に延びる評価用トリミング跡１７ａが形成されるようになっている。Ｙ方向は、直線偏光のレーザビームを用いたトリミングを行う際に筋状の切れ残りが出ない方向である。

図２，３において評価用薄膜抵抗体２の両端部にはバリアメタル層１２ａ，１２ｂを介してアルミ電極１３，１４が形成されている。図３に示すように、薄膜抵抗体２，１８およびアルミ電極１３，１４は表面保護膜（ＳｉＯ_２膜等）９により被覆されている。図２，３において、アルミ電極１３，１４にはパッド１５，１６が一体的に連結されている。パッド１５，１６は、トリミングした後の評価用薄膜抵抗体２を電気的に測定するためのものである。図４に示すように、パッド１５，１６にはプローブ針２５，２６により電気的な接続を取ることができるようになっている。図４において計測器２７により、トリミングした後の評価用薄膜抵抗体２の絶縁抵抗値を電気的に測定することができるようになっている。

次に、作用について説明する。
レーザトリミング用薄膜抵抗体１８をレーザトリミングする前に、図４に示すように、パッド１５，１６にプローブ針２５，２６を当てた状態において、所定の強さのレーザビームＬｂを評価用薄膜抵抗体２に照射して評価用薄膜抵抗体２をフルカット、即ち、完全に切り離すトリミングを行って、トリミング跡１７ａを形成する。そして、計測器２７により評価用薄膜抵抗体２の電気的特性を測定する。具体的には、レーザエネルギーが０．２５μＪでトリミングを行った結果、評価用薄膜抵抗体２の絶縁抵抗値が１ｋΩであった。例えば、１００ＭΩ未満では切れ残りと判断すると、レーザ強度不足（エネルギー不足）で絶縁されていない。つまり、評価用薄膜抵抗体２に対し完全に切り離すレーザトリミングを行った後に絶縁抵抗値を測定して、測定結果からトリミング跡の良否判定を行う。さらに、この良否判定の原理を利用して以下のようにする。

上述のごとく絶縁抵抗値を測定した結果、十分な絶縁抵抗値が得られないと、図５に示すように、パッド１５，１６にプローブ針２５，２６を当てた状態で、レーザビームＬｂの強さを強くして評価用薄膜抵抗体２に照射して評価用薄膜抵抗体２を完全に切断するようにトリミングを行って、トリミング跡１７ｂを形成する。そして、計測器２７により評価用薄膜抵抗体２の電気的特性を測定する。具体的には、レーザエネルギーが０．３０μＪでトリミングを行った結果、評価用薄膜抵抗体２の絶縁抵抗値が１０ｋΩであった。１００ＭΩ未満では切れ残りがあり、レーザ強度不足（エネルギー不足）で絶縁されていない。

このように、絶縁抵抗値を測定した結果、十分な絶縁抵抗値がまだ得られないと、レーザビームＬｂの強さを更に大きくして評価用薄膜抵抗体２に照射して評価用薄膜抵抗体２を完全に切断するようにトリミングを行って、図５に符号１７ｃで示すトリミング跡を形成する。そして、計測器２７により評価用薄膜抵抗体２の電気的特性を測定する。具体的には、レーザエネルギーが０．３５μＪでトリミングを行った結果、評価用薄膜抵抗体２の絶縁抵抗値が１００ＭΩ以上であった。１００ＭΩ以上であることから切れ残りが発生しておらず絶縁状態にすることができたことになる。つまり、最初のレーザトリミング後の測定で十分な絶縁抵抗値が得られないと、レーザの高強度化、完全に切り離すレーザトリミング及び絶縁抵抗値の測定を十分な絶縁抵抗値が得られるまで（上述した場合は２回）行う。そして、この十分な絶縁抵抗値が得られたレーザ強度に基づいて、レーザトリミング用薄膜抵抗体１８をレーザトリミングする際のレーザビームＬｂのレーザ強度を設定することになる。

このようにして、評価用薄膜抵抗体２を完全に切断するようにトリミングを行ってトリミング跡１７ａを形成して、１回目のトリミングはレーザエネルギーが０．２５μＪであり、金属薄膜抵抗値を測定すると１ｋΩのため切れ残りがあり、レーザ強度不足（エネルギー不足）で絶縁されていない。そのため、レーザ強度（トリミングエネルギー）を上げてレーザエネルギーが０．３０μＪでトリミングを行って（２回目のレーザトリミングを行って）、その後に金属薄膜抵抗値を測定すると１０ｋΩのため切れ残りがありレーザ強度不足（エネルギー不足）で絶縁されていない。そのため再度、レーザ強度（トリミングエネルギー）を上げてレーザエネルギーが０．３５μＪでトリミングを行って金属薄膜抵抗値を測定した結果、１００ＭΩ以上となったため完全にオープンにすることができ、絶縁状態にすることができた。つまり、このチップは、０．３５μＪ以上でトリミングすれば切れ残りが出ないことが明らかになる。

このように、ＩＣチップ毎に製品特性を決めるトリミングを行う前に、即ち、図２の矩形形のレーザトリミング用薄膜抵抗体１８の両端に連結された各パッド（図示略）にそれぞれプローブ針を当てた状態で特性値を測定しながらトリミングを行う前に、上記のようなダミーの評価用薄膜抵抗体２をいろいろなレーザ強度（エネルギー）で、トリミングでの切断と絶縁抵抗値測定を繰り返すことで、最適なレーザ強度（トリミングエネルギー）を求め、そのレーザ強度（エネルギー）で製品特性を決めるトリミングを行うことで、切れ残りのない出来映えを保証することができる。

また、このトリミング跡の評価（切れ残りの有無の判定）、詳しくは、最適レーザ強度の決定は、図１の本実施形態では、ウエハ内の複数箇所（９点／ウエハ）で行い、そして、例えば、９箇所での最適レーザ強度のうちの最大値を当該ウエハでの最適レーザ強度とし、これを製品でのレーザトリミング用薄膜抵抗体１８のレーザ強度に設定してレーザトリミング用薄膜抵抗体１８についてトリミングを行う（ウエハ毎に最適レーザ強度でトリミングする）。これにより、確実に切れ残りを防止することができる。

なお、上述した例では評価用薄膜抵抗体（ＴＥＧ）２に対する３回のレーザトリミングにより（トリミング跡１７ａ，１７ｂ，１７ｃの形成により）１００ＭΩ以上となったが、１回のレーザトリミングにより１００ＭΩ以上となることもある。つまり、レーザトリミング用薄膜抵抗体１８をレーザトリミングする前に、評価用薄膜抵抗体２に対し所定のレーザ強度のレーザビームＬｂにより完全に切り離すレーザトリミングを行った後にこの絶縁抵抗値を測定した結果、十分な絶縁抵抗値が得られていると当該レーザ強度に基づいて、レーザトリミング用薄膜抵抗体１８をレーザトリミングする際のレーザビームＬｂのレーザ強度を設定することができる。

また、トリミング後の測定においてレーザ強度不足（エネルギー不足）であった場合の強度上昇の調整度合いは適宜設定すればよい。詳しくは、小刻みに強度を調整すればより正確に最適な強度に設定することができるがトリミング及び測定回数が多くなり、一方、大きく強度を調整すればトリミング及び測定回数は少なくてすむが最適な強度からずれやすい。

以上のごとく本実施形態は下記の特徴を有している。
レーザトリミング用薄膜抵抗体１８を有する半導体装置におけるレーザトリミング評価方法として、ウエハ１内に評価用薄膜抵抗体２を設け、この評価用薄膜抵抗体２に対し完全に切り離すレーザトリミングを行った後に当該評価用薄膜抵抗体２の絶縁抵抗値を測定して、当該測定結果からトリミング跡の良否判定を行うようにした。これにより、外観検査によらずトリミング跡の良否判定を確実に行うことができる。

つまり、従来、切れ残りが出にくい方向でのトリミングではレーザ強度不足（エネルギー不足）があっても外観での切れ残りの判断が困難である。これに対し、本実施形態においては、ウエハ面内に切れ残り評価用専用パターンを入れることで外観では検出困難な切れ残りを電気的に評価することができる。

また、この評価手法を利用してレーザ強度を設定する。つまり、レーザトリミング用薄膜抵抗体１８を有する半導体装置におけるレーザトリミング用レーザ強度設定方法として、ウエハ１内に評価用薄膜抵抗体２を設け、レーザトリミング用薄膜抵抗体１８をレーザトリミングする前に、評価用薄膜抵抗体２に対し所定のレーザ強度のレーザビームＬｂにより完全に切り離すレーザトリミングを行った後に当該評価用薄膜抵抗体２の絶縁抵抗値を測定した結果、十分な絶縁抵抗値が得られていると当該レーザ強度に基づいて、レーザトリミング用薄膜抵抗体１８をレーザトリミングする際のレーザビームＬｂのレーザ強度を設定するようにした。これにより、レーザトリミング用薄膜抵抗体１８を適切にレーザトリミングすることができる（レーザトリミング用薄膜抵抗体１８についてのレーザトリミングを行うときに切れ残りを防止することができる）。

もしくは、レーザトリミング用薄膜抵抗体１８を有する半導体装置におけるレーザトリミング用レーザ強度設定方法として、ウエハ１内に評価用薄膜抵抗体２を設け、レーザトリミング用薄膜抵抗体１８をレーザトリミングする前に、評価用薄膜抵抗体２に対し所定のレーザ強度のレーザビームＬｂにより完全に切り離すレーザトリミングを行った後に、評価用薄膜抵抗体２の絶縁抵抗値を測定した結果、十分な絶縁抵抗値が得られないと、レーザの高強度化、前記完全に切り離すレーザトリミング及び絶縁抵抗値の測定を十分な絶縁抵抗値が得られるまで行って、十分な絶縁抵抗値が得られた当該レーザ強度に基づいて、レーザトリミング用薄膜抵抗体１８をレーザトリミングする際のレーザビームＬｂのレーザ強度を設定するようにした。これにより、レーザトリミング用薄膜抵抗体１８を適切にレーザトリミングすることができる（レーザトリミング用薄膜抵抗体１８についてのレーザトリミングを行うときに切れ残りを防止することができる）。

その結果、最適レーザ強度（最適なトリミングエネルギー）でトリミングを行って、切れ残りのある製品（薄膜抵抗体１８）が流出するのを防止することができる。
つまり、従来の薄膜レーザトリミングでは、レーザ強度不足（レーザビームのエネルギー不足）やフォーカスずれやＩＣチップのトリミングウインドウの狭化等により、切れ残りが発生していてもトリミングする長さが長くなれば特性は合わせ込めてしまい電気的な切れ残りの検出は困難であった（トリミング中の電気特性やトリミング後の外観では切れ残りを検出できなかった）。これに対し本実施形態においては評価用専用パターンを用いてレーザ強度を変更しつつフルカットおよび絶縁抵抗値の測定を繰り返して外観では検出困難な切れ残りを電気的に評価することで最適なレーザ強度に設定されたレーザビームにより製品の薄膜抵抗体をトリミングして切れ残りのある製品（薄膜抵抗体１８）が流出するのを防止することができる。

以下、変形例を説明する。
レーザ強度の最適値の決定において、ウエハ内の複数箇所（９点／ウエハ）でエネルギー評価を行う際に、複数箇所の最適レーザ強度を元にウエハ面内でのそれぞれの最適トリミングのためのレーザ強度を計算し、ウエハ面内の位置によりレーザ強度を変えてトリミングしてもよい。

また、図１においては、ウエハ面内にＴＥＧとして評価用薄膜抵抗体２を複数箇所（９点／ウエハ）に配置したが、評価用薄膜抵抗体２はウエハ１上の全てのＩＣチップに形成して、チップ毎に最適レーザ強度を求めて当該レーザ強度にてチップ内の製品（レーザトリミング用薄膜抵抗体１８）をレーザトリミングしてもよい。

また、パッド１５，１６は専用に設けてもよいが、これに限ることなく、ＩＣチップ内の製品パッドで兼用できる場合は兼用してもよい。図６を用いて詳しく説明する。
図６は、兼用できた例であり、デジタル回路における接地用パッド３０とアナログ回路における接地用パッド３１は、ＩＣチップ内に大電流を流しても問題ないように形成されている。パッド３０，３１は接地用パッド（ＧＮＤパッド）ではなく電源パッドでもよい。このように、パッド３０，３１は、ＩＣ回路上はそれぞれ別々の回路のグラント端子（もしくは電源端子）に接続されている。接地用パッド３０と接地用パッド３１はＩＣチップ内では評価用薄膜抵抗体２でのみ接続されている。

以上のように、評価用薄膜抵抗体２を、チップ内の回路用として等電位にされるパッド３０，３１間に設けると、パッドを兼用することができる（評価用薄膜抵抗体を使用する場合において、その電極（パッド）として、ＩＣの電源もしくはグランドパッドと兼用することができる）。

一方、評価を行った後（最適レーザ強度を求めた後）においては、ボンディングワイヤー３２，３３により、パッド３０，３１と、接地端子用リードフレーム３４（あるいは電源端子用リードフレーム）を電気的に接続する。このように、ＩＣチップ内でトリミングにより電気的に絶縁されても２つのパッド３０，３１からボンディングワイヤー３２，３３で一つのリードフレーム３４に接続する。こうすることで、パッド３０とリードフレーム３４とを第１のワイヤーでつなぐとともに、パッド３０とパッド３１とを第２のワイヤーでつなぐ場合に比べ、デジタル回路での電圧変動はワイヤー３２（抵抗成分）に乗るが、ワイヤー３３にまでは伝播されにくく、アナログ回路に悪影響を及ぼすことを極力回避することができる。

また、評価用薄膜抵抗体は、製品のトリミングする方向に合わせて配置してもよい。例えば、図７（ａ）に示すように製品において薄膜抵抗体１８にＬ字のトリミング跡１９ａ，１９ｂ、即ち、Ｙ方向に延びるトリミング跡１９ａとＸ方向に延びるトリミング跡１９ｂとを形成する場合（トリミング形状がＬカットの場合）においては、図５に示したＸ方向に延びる評価用薄膜抵抗体２（Ｙ方向に延びるトリミング跡１７ａ等）と図８に示すようにＹ方向に延びる評価用薄膜抵抗体２（Ｘ方向に延びるトリミング跡１７ａ等）とを用いる。これにより、図１１（ａ），（ｂ）を用いて説明したように、Ｌ字にカットする場合、直線偏光のレーザビームの向きの影響でＸ，Ｙの方向によりレーザトリミングの切れ跡が異なり、筋残りが出ない方向でのトリミングではレーザ強度が不足している否かを目視では判断できないが、上述した手法を用いて外観検査によらずにトリミング跡の良否判定を行って最適なレーザ強度を設定することができる。

あるいは、図７（ｂ）に示すように製品において薄膜抵抗体１８に、Ｙ方向に延びるトリミング跡１９ａとＸ方向に延びるトリミング跡１９ｂとα方向に延びるトリミング跡１９ｃを形成する場合においては、図５に示したＸ方向に延びる評価用薄膜抵抗体２（Ｙ方向に延びるトリミング跡１７ａ等）と図８に示すようにＹ方向に延びる評価用薄膜抵抗体２（Ｘ方向に延びるトリミング跡１７ａ等）と図９に示すようにα方向に直交する方向に延びる評価用薄膜抵抗体２（α方向に延びるトリミング跡１７ａ等）とを用いる。

また、これまでの説明においては薄膜抵抗体に照射するレーザビームは直線偏光のレーザビームであったが、円偏光のレーザビームを照射する場合も同様である。つまり、図１１（ｃ）のように円偏光のレーザビームでトリミングした場合において、Ｌ字状のトリミング跡１０５においてトリミング跡１０５ａ，１０５ｂの共に筋残りが出ないためトリミング跡はエネルギーが不足しているのかどうかが目視では判断できない。これに対し、本実施形態のように評価用薄膜抵抗体２に対し完全に切り離すレーザトリミングを行った後に当該評価用薄膜抵抗体２の絶縁抵抗値を測定して、当該測定結果からトリミング跡の良否判定を行うことにより、エネルギーが不足しているのかどうかを判断することができる。

本実施形態におけるウエハの平面図。 ウエハの一部領域における平面図。 図２のＡ−Ａ線での縦断面図。 評価用薄膜抵抗体の平面図。 評価用薄膜抵抗体の平面図。 別例の評価用薄膜抵抗体の平面図。 （ａ），（ｂ）は製品での薄膜抵抗体の平面図。 評価用薄膜抵抗体の平面図。 評価用薄膜抵抗体の平面図。 背景技術を説明するための薄膜抵抗体の平面構造および縦断面構造を示す図。 （ａ）〜（ｃ）は薄膜抵抗体の平面図。

符号の説明

１…ウエハ、２…評価用薄膜抵抗体、１７ａ，１７ｂ，１７ｃ…トリミング跡、１８…レーザトリミング用薄膜抵抗体、３０…パッド、３１…パッド、Ｌｂ…レーザビーム。

Claims (5)

1. レーザトリミング用薄膜抵抗体（１８）を有する半導体装置におけるレーザトリミング評価方法であって、
   ウエハ（１）内に評価用薄膜抵抗体（２）を設け、この評価用薄膜抵抗体（２）に対し完全に切り離すレーザトリミングを行った後に当該評価用薄膜抵抗体（２）の絶縁抵抗値を測定して、当該測定結果からトリミング跡の良否判定を行うようにしたことを特徴とするレーザトリミング評価方法。
2. 前記評価用薄膜抵抗体（２）を、チップ内の回路用として等電位にされるパッド（３０，３１）間に設けたことを特徴とする請求項１に記載のレーザトリミング評価方法。
3. レーザトリミング用薄膜抵抗体（１８）を有する半導体装置におけるレーザトリミング用レーザ強度設定方法であって、
   ウエハ（１）内に評価用薄膜抵抗体（２）を設け、前記レーザトリミング用薄膜抵抗体（１８）をレーザトリミングする前に、前記評価用薄膜抵抗体（２）に対し所定のレーザ強度のレーザビーム（Ｌｂ）により完全に切り離すレーザトリミングを行った後に当該評価用薄膜抵抗体（２）の絶縁抵抗値を測定した結果、十分な絶縁抵抗値が得られていると当該レーザ強度に基づいて、前記レーザトリミング用薄膜抵抗体（１８）をレーザトリミングする際のレーザビーム（Ｌｂ）のレーザ強度を設定するようにしたことを特徴とするレーザトリミング用レーザ強度設定方法。
4. レーザトリミング用薄膜抵抗体（１８）を有する半導体装置におけるレーザトリミング用レーザ強度設定方法であって、
   ウエハ（１）内に評価用薄膜抵抗体（２）を設け、前記レーザトリミング用薄膜抵抗体（１８）をレーザトリミングする前に、前記評価用薄膜抵抗体（２）に対し所定のレーザ強度のレーザビーム（Ｌｂ）により完全に切り離すレーザトリミングを行った後に、当該評価用薄膜抵抗体（２）の絶縁抵抗値を測定した結果、十分な絶縁抵抗値が得られないと、レーザの高強度化、前記完全に切り離すレーザトリミング及び絶縁抵抗値の測定を十分な絶縁抵抗値が得られるまで行って、十分な絶縁抵抗値が得られた当該レーザ強度に基づいて、前記レーザトリミング用薄膜抵抗体（１８）をレーザトリミングする際のレーザビーム（Ｌｂ）のレーザ強度を設定するようにしたことを特徴とするレーザトリミング用レーザ強度設定方法。
5. 前記評価用薄膜抵抗体（２）を、チップ内の回路用として等電位にされるパッド（３０，３１）間に設けたことを特徴とする請求項３または４に記載のレーザトリミング用レーザ強度設定方法。

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