JPH11135726A - レーザトリミング方法及びレーザトリミング装置 - Google Patents

レーザトリミング方法及びレーザトリミング装置

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JPH11135726A
JPH11135726A JP9300728A JP30072897A JPH11135726A JP H11135726 A JPH11135726 A JP H11135726A JP 9300728 A JP9300728 A JP 9300728A JP 30072897 A JP30072897 A JP 30072897A JP H11135726 A JPH11135726 A JP H11135726A
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laser
trimming
film thickness
film
trimmed
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JP9300728A
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English (en)
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Takumi Kamiya
宅美 神谷
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Toyota Motor Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】信頼性及び生産性の向上とともに、作業負荷の
大幅な軽減を可能とするレーザトリミング方法及びレー
ザトリミング装置を提供する。 【解決手段】レーザ発振装置13から発振されたレーザ
光16は、ビームエキスパンダ17、Yミラー18、X
ミラー19、カッティングレンズ20、ミラー21を順
に介して載置台22上に載置されたウエハ1に照射さ
れ、同ウエハ1上のトリミングの対象となる薄膜体が溶
融除去される。制御装置12は、上記薄膜体の膜厚分布
データ23及びトリミング位置情報24に基づいてレー
ザ発振装置13,X−Y駆動装置14,載置台駆動装置
15に制御信号を出力する。膜厚分布データ23は上記
ウエハ1がマトリクス状に分割された膜厚データの集ま
りであり、上記制御装置12はこの膜厚分布データ23
に基づいたレーザパワーを発振する制御信号を上記レー
ザ発振装置13に出力する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば薄膜抵抗体
の抵抗値調整等に用いられるレーザトリミング方法及び
レーザトリミング装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、例えばシリコンウエハなどから
なる基板上に成膜された薄膜抵抗体の抵抗値を調整する
場合等には、レーザによって同薄膜抵抗体を溶融除去す
る技術、すなわちレーザトリミング技術が用いられてい
る。通常、こうしたレーザトリミング技術においては、
専用のレーザトリミング装置によって、トリミングの対
象となる薄膜抵抗体の抵抗値や電圧値等、及びトリミン
グ箇所がモニタされながら行われる。
【0003】そして、こうしたレーザトリミング装置と
しては従来、例えば特開平7−22585号公報や、特
開平2−177387号公報に記載されるものが知られ
ている。このうち、特開平7−22585号公報に記載
のレーザトリミング装置においては、トリミングの対象
となる薄膜抵抗体上に保護膜が積層される場合、その保
護膜の最上面に屈曲率の小さい酸化珪素膜(TEOS酸
化膜)を積層することにより、薄膜抵抗体に到達するレ
ーザー光の変動を押さえることを可能にしている。ま
た、上記特開平2−177387号公報に記載のレーザ
トリミング装置においては、まず、予めトリミングの対
象となる薄膜抵抗体の抵抗値が測定される。次に、この
測定された薄膜抵抗体の抵抗値、同薄膜抵抗体の寸法及
び設定された加工位置のデータに基づいて、所望の抵抗
値を得るための加工長さが算出される。そして、この算
出された加工長さに基づき上記薄膜抵抗体をレーザによ
って溶融除去することにより、所望の抵抗値にトリミン
グすることを可能にしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記特開平
7−22585号公報及び特開平2−177387号公
報に記載されるような従来のレーザトリミング装置にお
いては、トリミングの対象となる薄膜抵抗体の膜厚のバ
ラツキについては何の考慮もされていない。
【0005】一般に、上記薄膜抵抗体には、主にスパッ
タリングやCVD法等の方法によって基板上に成膜され
た金属薄膜やポリシリコン等が用いられるが、こうした
方法によって成膜された薄膜抵抗体はその膜厚の均一性
に限界(バラツキ)がある。
【0006】したがって、この膜厚のバラツキによって
は、トリミング箇所を溶融除去しきれなかったり、下地
(基板や下層膜等)を傷つけてしまうおそれがある。ト
リミング箇所を溶融除去しきれない場合には、後工程に
て回路の電気特性を測定すればその不具合を発見するこ
とが可能であるが、下地を傷つけてしまった場合には、
薄膜抵抗体自体はその電気特性が正常であるためにその
不具合を発見することが困難であり、被加工物としての
信頼性を著しく低下させてしまうことになってしまう。
【0007】そのため、上記従来のレーザトリミング装
置においては、該トリミング箇所を顕微鏡等を用いて目
視して、トリミング状態を確認しながらトリミングする
必要があり、トリミング作業に時間がかかって生産性の
低下を招くとともに、作業者の負荷も無視できないもの
となっている。
【0008】本発明は、こうした実情に鑑みてなされた
ものであって、その目的は、信頼性及び生産性の向上と
ともに、作業負荷の大幅な軽減を可能とするレーザトリ
ミング方法及びレーザトリミング装置を提供することに
ある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項1に記載の発明では、成膜された被トリミ
ング体をレーザによってトリミングするレーザトリミン
グ方法であって、前記被トリミング体膜の膜厚を予めデ
ータとして保存し、該保存した膜厚データに基づき前記
レーザの出力条件を自動調整して前記被トリミング体の
トリミングを行うことをその要旨とする。
【0010】こうした方法によれば、上記成膜された被
トリミング体の膜厚に対する適切なレーザ出力条件が簡
単且つ確実に得られる。すなわち、該被トリミング体を
トリミングする際に、そのトリミング箇所を溶融除去し
きれなかったり、下地(基板や下層膜等)を傷つけてし
まうことがないため、信頼性及び生産性の向上はもとよ
り、同トリミングにかかる作業者の作業負荷も大幅に軽
減される。
【0011】請求項2に記載の発明では、請求項1に記
載のレーザトリミング装置において、前記膜厚データは
前記被トリミング体が成膜されたウエハ上の各位置に対
応した膜厚分布データとして保存されることをその要旨
とする。
【0012】こうした方法によれば、ウエハ上に成膜さ
れた複数の被トリミング体に対しても、それらの各膜厚
に対応した適切なレーザ出力条件にてトリミングするこ
とができ、さらに効率のよいレーザトリミングが可能と
なる。
【0013】請求項3に記載の発明では、請求項2に記
載のレーザトリミング装置において、膜厚分布データは
前記被トリミング体膜の膜厚を測定した値として保存さ
れることをその要旨とする。
【0014】こうした方法によれば、被トリミング体膜
の膜厚はその成膜条件等から推定することも可能である
が、特にこの膜厚を実際に測定することで、そのトリミ
ング精度並びに信頼性がさらに向上される。
【0015】請求項4に記載の発明では、請求項3に記
載のレーザトリミング方法において、前記膜厚の測定は
前記ウエハ上の任意に選択された代表部位に対してのみ
行われ、前記膜厚分布データは、その測定値を当該ウエ
ハの膜厚分布傾向にて補間したデータとして保存される
ことをその要旨とする。
【0016】こうした方法によれば、被トリミング体膜
の膜厚を測定する時間が短縮され、生産性がさらに向上
される。請求項5に記載の発明では、成膜された被トリ
ミング体にレーザを照射するレーザ出力装置と、前記成
膜された被トリミング体膜の膜厚がデータとして保存さ
れる第1の記憶手段と、前記被トリミング体膜の膜厚に
対応する前記レーザの出力条件がマップ登録された第2
の記憶手段と、前記第1の記憶手段に保存された膜厚デ
ータに対応して前記第2の記憶手段から読み出される出
力条件に基づき前記レーザ出力装置から照射されるレー
ザの出力条件を制御する制御手段とを備えることをその
要旨とする。
【0017】こうした構成によれば、上記成膜された被
トリミング体の膜厚に対する適切なレーザ出力条件が簡
単且つ確実に得られる。すなわち、該被トリミング体を
トリミングする際に、そのトリミング箇所を溶融除去し
きれなかったり、下地(基板や下層膜等)を傷つけてし
まうことがないため、信頼性及び生産性の向上はもとよ
り、同トリミングにかかる作業者の作業負荷も大幅に軽
減される。
【0018】請求項6に記載の発明では、請求項5に記
載のレーザトリミング装置において、前記第1の記憶手
段は前記膜厚データを前記被トリミング体が成膜された
ウエハ上の各位置に対応した膜厚分布データとして保存
することをその要旨とする。
【0019】こうした構成によれば、ウエハ上に成膜さ
れた複数の被トリミング体に対しても、それらの各膜厚
に対応した適切なレーザ出力条件にてトリミングするこ
とができ、さらに効率のよいレーザトリミングが可能と
なる。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した一実施
形態を図1〜図5に従って説明する。図1は本実施形態
にかかるレーザトリミング装置の概略図である。
【0021】図1に示すように、レーザトリミング装置
11は制御装置12を備え、この制御装置12から出力
される信号により、レーザ発振装置13、X−Y駆動装
置14、載置台駆動装置15がそれぞれ制御される。レ
ーザ発振装置13から発振されたレーザ光16は、ビー
ムエキスパンダ17、Yミラー18、Xミラー19、カ
ッティングレンズ20、ミラー21を順に介して載置台
22上に載置されたウエハ1に照射され、同ウエハ1上
のトリミングの対象となる薄膜体(薄膜抵抗体)が溶融
除去される。
【0022】上記制御装置12は、トリミング位置情報
位置情報24及び同情報に対応した上記薄膜体の膜厚分
布データ23に基づいて上記各装置13,14,15に
制御信号を出力する。
【0023】また、上記Yミラー18及びXミラー19
には上記X−Y駆動装置14が接続されており、同Yミ
ラー18及びXミラー19がX−Y駆動装置14によっ
て駆動されることにより、上記レーザ光16を図1に示
すY軸及びX軸方向へ移動させることを可能にしてい
る。また、上記載置台22には上記載置台駆動手段15
が接続されており、同載置台22は、この載置台駆動装
置15によって同図に示すX,Y,Z軸方向へ移動す
る。こうしたYミラー18、Xミラー19、及び載置台
22の移動によって、上記ウエハ1に対するレーザ光1
6の照射位置の変更を可能にしている。なお、本実施形
態において、Yミラー18及びXミラー19の移動によ
るレーザ光16の照射位置の変更は主に1つのトリミン
グ箇所に対してトリミング量やトリミング形状を調整す
る際に行われ、載置台22のX,Y軸方向への移動によ
るレーザ光16の照射位置の変更は主にトリミング箇所
の移動の際に行われる。
【0024】上記ウエハ1は主にシリコンを母材とする
略円形状薄板からなり、成膜工程において、その面上に
は、蒸着やスパッタリング等によって成膜された金属薄
膜、CVD法等によって成膜されたポリシリコンや酸化
皮膜などの薄膜体が積層形成される(図示略)。そし
て、その後工程にて行われるエッチング、不純物ドーピ
ング等を含むウエハプロセスによって、上記ウエハ1上
には複数のICチップが形成される。
【0025】なお、上記レーザトリミング装置によるト
リミング工程は、こうしたウエハプロセス終了後に行わ
れる。次に、膜厚分布データ23の測定態様を図2〜図
4に従って説明する。
【0026】図2はウエハの概略平面図であり、図3は
同ウエハ上に成膜されたトリミングの対象となる薄膜体
の膜厚分布データの格納態様を示すメモリイメージであ
る。例えば、上記ウエハ1上に図2に示すような配置で
64個のICチップが形成される場合には、同図に示す
ように、各ICチップとなる位置がチップNo.1〜6
4として位置づけされる。そして、このNo.1〜64
の各位置の膜厚は、光干渉膜厚測定器等によって順に測
定される。測定された各チップNo.毎の膜厚は、図3
に示すように、各チップNo.に対応した膜厚分布デー
タ23として上記制御装置12に入力される。すなわ
ち、上記膜厚分布データ23はマトリクス状に分割され
たウエハ1の該分割部位毎の膜厚データであり、その膜
厚データのマップが上記制御装置12に入力される。
【0027】なお、こうした膜厚測定は、上記トリミン
グ工程直前に行われる。続いて、上記制御装置12の制
御動作を図4及び図5に従って説明する。なお、図4
は、制御装置の処理を説明するための機能ブロック図で
ある。
【0028】図4に示すように、制御装置12は記憶部
31及び処理部41を備え、処理部41は記憶部31に
格納されたデータに基づいて処理を行う。記憶部31
は、上記膜厚分布データ23を記憶する膜厚データ記憶
部32及び、膜厚(T)とレーザパワー(F)との所定
関数(F=f(T))がマップ登録された関数記憶部3
3を備えている。処理部41では、こうした膜厚データ
記憶部32及び関数記憶部33、上記トリミング位置情
報24に基づいて第1処理部42〜第5処理部46によ
る処理が行われる。
【0029】まず、第1処理部(X,Y読み込み部)4
2において、トリミング位置情報24が読み込まれる。
トリミング位置情報24とは、予め設定された原点(例
えば上記ウエハ1の中心点)からのX軸及びY軸方向の
座標点であり、上記ウエハ1に対するトリミング位置が
順次設定された位置決めプログラムである。
【0030】次に、第2処理部(膜厚データTの検索
部)43において、上記第1処理部42にてトリミング
の対象として設定された位置のチップNo.に対応する
膜厚データTが、上記膜厚データ記憶部32から検索さ
れる。
【0031】続く第3処理部(F=f(T)の読み込み
部)44において、上記関数記憶部33に記憶された膜
厚データTとレーザパワーFとの関数(F=f(T))
が読み込まれ、さらに続く第4処理部(レーザパワーF
の算出部)45において、上記膜厚Tに基づくレーザパ
ワーFが算出(補間)される。なお、こうして算出され
る該膜厚データTに対するレーザパワーFの出力値の変
移(マップ態様)を、図5にグラフで示す。
【0032】そして、第5処理部(トリミング命令出力
部)46において、上記レーザ発振装置13、X−Y駆
動装置14、及び載置台駆動装置15に対してトリミン
グ命令が出力される。すなわち、上記レーザ発振装置1
3に対しては、該レーザ発振装置13が上記第4処理部
で算出されたレーザパワーFにて上記レーザ光16を発
振するための制御信号が出力され、上記X−Y駆動装置
14及び載置台駆動装置15に対しては、上記トリミン
グ位置情報24に基づいた位置への移動信号が出力され
る。
【0033】例えば図2に示すチップNo.1の位置に
ある薄膜体をトリミングする際には、上記所定位置に設
定された原点(0,0)を基準とする同薄膜体の座標
(X1,Y1)が上記トリミング位置情報24として上
記処理部41に読み込まれ、同チップNo.1の膜厚デ
ータT1が上記膜厚データ記憶部32から検索される。
そして、この膜厚データT1に基づくレーザパワーF1
が算出される。ここでチップNo.1の膜厚データT1
は図3に示すように100(μm)であるため、レーザ
パワーF1は図5に示すように20(W)となる。すな
わち、上記チップNo.1の位置にある薄膜体をトリミ
ングする際には、20(W)のレーザパワーのレーザ光
16を発振する制御信号が上記制御装置12から上記レ
ーザ発振装置13に対して出力される。そして、チップ
No.2〜64の位置にある薄膜体に対しても上記同様
にレーザパワーF2〜F64が算出され、各チップN
o.の位置にある薄膜体はそれぞれ自身の属するチップ
No.の膜厚データに応じたレーザパワーでトリミング
される。
【0034】以上詳述した本実施形態の効果を以下に総
括する。 ・ウエハ1上の任意の箇所に対して、その箇所の属する
チップNo.の膜厚データに基づいた最適なレーザ出力
でトリミングすることができる。すなわち、トリミング
する箇所の膜厚に応じた最適なレーザ出力にてトリミン
グすることができる。そのため、ウエハ1上に成膜され
たトリミング対象となる薄膜体の膜厚にバラツキがあっ
ても、そのトリミング箇所を溶融除去しきれなかった
り、下地(ウエハ1や下層膜等)を傷つけてしまったり
することを確実に防止することができる。したがって、
トリミング状態を顕微鏡等を用いて目視で確認しながら
トリミングことが不要となり、生産性を向上させること
ができる。また、レーザパワーの出力調整は、制御装置
12によって自動的に行われるため、信頼性をも向上さ
せることができる。さらには、作業者の作業負荷を大幅
に軽減することができる。
【0035】・上記従来のレーザトリミング装置におい
ては、ウエハ1上のトリミングの対象となる薄膜体全て
に対して一定のレーザパワーでトリミングを行うため、
膜厚のバラツキによってトリミング不良が頻発した際に
は、同薄膜体の成膜条件を変更してそのバラツキを低減
させている。通常、上記薄膜体の成膜条件が変更される
と、その抵抗値や温度特性も変化してしまう。そのた
め、それまで行っていた成膜条件における設計資産を使
用できなくなってしまい、製造の煩雑化を招くという問
題点もあった。しかしながら、本実施形態のレーザトリ
ミング装置11においては、上記各チップNo.毎の膜
厚データに応じたレーザパワーにてトリミングを行うた
め、上記薄膜体に膜厚のバラツキがあってもその成膜条
件の変更が不要となり、より生産性を向上させることが
可能となる。
【0036】・レーザパワーを調整することによって、
ウエハ1上に形成されるチップNo.毎の膜厚に応じた
トリミング制御を行っているため、同トリミング制御を
容易且つ確実に行うことができる。
【0037】・一般に、成膜工程にて所定膜厚に成膜さ
れた薄膜体は、成膜工程終了後に行われるエッチング工
程や不純物ドーピング工程によって、膜厚に変動が生じ
るおそれがある。しかしながら、本実施形態のレーザト
リミング装置11においては、ウエハ1上に形成された
各ICチップのトリミング対象となる薄膜体の膜厚測定
はトリミング工程の直前、すなわちウエハプロセス終了
後に行われるため、測定した膜厚測定値が変動すること
がない。したがって、該膜厚測定値に基づいて正確にト
リミングすることができる。
【0038】なお、上記実施形態は以下のように変更し
てもよく、その場合でも同様の作用および効果を得るこ
とができる。 ・上記実施形態では、ウエハ1上に形成された各ICチ
ップ毎にトリミングの対象となる薄膜体の膜厚を測定
し、その測定値を膜厚データ記憶部32に記憶するよう
にしている。これを、各ICチップ毎の同薄膜体の膜厚
を全て測定するのでなく、代表点(例えばチップNo.
1,24,41,37,64の5点くらい)を測定し、
その測定値からウエハ全体の膜厚分布を推測し、その推
測値を上記膜厚データ記憶部32に記憶させるようにし
てもよい。このようにすれば、膜厚測定時間を短縮でき
るため、生産性をより向上させることができる。但しこ
の場合には、成膜された薄膜体における膜厚のバラツキ
傾向を把握する必要がある。
【0039】・上記実施形態では膜厚測定をウエハプロ
セス終了後に行っているが、この膜厚測定を成膜直後に
行うようにする。一般に上記各薄膜体の成膜直後には、
プロセス管理のために膜厚(例えば上記ウエハ1の中心
部の膜厚)を測定しているため、このようにすれば、上
記プロセス管理とトリミングのための膜厚測定とを兼ね
ることができ、生産性をより向上させることができる。
なおこの場合には、上述した膜厚変動量(傾向)を把握
しておくことが望ましい。
【0040】・上記実施形態では、トリミングの対象と
なる薄膜体の膜厚を光干渉膜厚測定器等によって実測し
ているが、これを、同薄膜体をウエハ1上に成膜するた
めの成膜装置(CVD装置等)の成膜条件(原料ガスの
微妙な変動や、温度変化、ウエハの仕掛け量等)から推
測し、その推測値を上記膜厚データ記憶部32に記憶さ
せる。このようにすれば、膜厚を測定する工程を省くこ
とができるため、生産性をより向上させることができ
る。
【0041】・上記実施形態では、トリミングの対象と
なる薄膜体の膜厚に応じてレーザパワーを調整している
が、このレーザパワーの調整に代わる他の出力条件の調
整、すなわちレーザ発信周波数の調整、レーザ光の焦点
の調整、該薄膜体に対するレーザ照射時間の調整等を行
うようにしてもよい。
【0042】・上記実施形態では、膜厚分布データ23
として膜厚データ記憶部32に記憶されるトリミング対
象となる薄膜体の膜厚が、ウエハ1上に形成される各I
Cチップ単位で測定されるが、これを、トリミング箇所
毎に膜厚を測定してそれら測定値を膜厚分布データとし
て上記膜厚データ記憶部32に記憶させる。このように
すれば、同一のICチップ内で複数箇所トリミングする
際に同ICチップ内の膜厚のバラツキがあっても、より
正確にトリミングすることができるようになる。
【0043】・上記実施形態では、複数のトリミング箇
所を対象としたが、トリミング対象となる薄膜体が只1
つである場合でも、上記と同様に、生産性及び信頼性の
向上とともに、作業者の作業負荷の軽減を実現すること
ができる。
【0044】・上記実施形態では薄膜体のトリミングに
ついて具体化したが、これを、基板上に印刷等されて形
成される厚膜体のトリミングに具体化してもよい。通
常、厚膜体においても膜厚の均一性に限界があるため、
上記同等の効果を得ることができる。
【0045】
【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、上記成
膜された被トリミング体の膜厚に対する適切なレーザ出
力条件が簡単且つ確実に得られる。すなわち、該被トリ
ミング体をトリミングする際に、そのトリミング箇所を
溶融除去しきれなかったり、下地(基板や下層膜等)を
傷つけてしまうことがないため、信頼性及び生産性の向
上はもとより、同トリミングにかかる作業者の作業負荷
も大幅に軽減することができる。
【0046】請求項2に記載の発明によれば、ウエハ上
に成膜された複数の被トリミング体に対しても、それら
の各膜厚に対応した適切なレーザ出力条件にてトリミン
グすることができ、さらに効率よくレーザトリミングを
行うことができる。
【0047】請求項3に記載の発明によれば、被トリミ
ング体膜の膜厚はその成膜条件等から推定することも可
能であるが、特にこの膜厚を実際に測定することで、そ
のトリミング精度並びに信頼性をさらに向上させること
ができる。
【0048】請求項4に記載の発明によれば、被トリミ
ング体膜の膜厚を測定する時間を短縮することができ、
生産性をさらに向上させることができる。請求項5に記
載の発明によれば、上記成膜された被トリミング体の膜
厚に対する適切なレーザ出力条件が簡単且つ確実に得ら
れる。すなわち、該被トリミング体をトリミングする際
に、そのトリミング箇所を溶融除去しきれなかったり、
下地(基板や下層膜等)を傷つけてしまうことがないた
め、信頼性及び生産性の向上はもとより、同トリミング
にかかる作業者の作業負荷も大幅に軽減することができ
る。
【0049】請求項6に記載の発明によれば、ウエハ上
に成膜された複数の被トリミング体に対しても、それら
の各膜厚に対応した適切なレーザ出力条件にてトリミン
グすることができ、さらに効率よくレーザトリミングを
行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態にかかるレーザトリミング
装置の概略図。
【図2】一実施形態のウエハの概略平面図。
【図3】一実施形態のウエハ上に成膜されたトリミング
の対象となる薄膜体の膜厚分布を示す表。
【図4】一実施形態の制御装置の処理を説明するための
ブロック図。
【図5】一実施形態の被トリミング物の膜厚とレーザパ
ワーとの関係を示すグラフ。
【符号の説明】
1…ウエハ、11…レーザトリミング装置、12…制御
装置、13…レーザ発振装置、14…X−Y駆動装置、
15…載置台駆動装置、22…載置台、23…膜厚分布
データ、24…トリミング位置情報、31…記憶部、3
2…膜厚データ記憶部、33…関数記憶部、41…処理
部。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 成膜された被トリミング体をレーザによ
    ってトリミングするレーザトリミング方法であって、 前記被トリミング体膜の膜厚を予めデータとして保存
    し、該保存した膜厚データに基づき前記レーザの出力条
    件を自動調整して前記被トリミング体のトリミングを行
    うことを特徴とするレーザトリミング方法。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載のレーザトリミング装置
    において、 前記膜厚データは前記被トリミング体が成膜されたウエ
    ハ上の各位置に対応した膜厚分布データとして保存され
    ることを特徴とするレーザトリミング方法。
  3. 【請求項3】 請求項2に記載のレーザトリミング装置
    において、 膜厚分布データは前記被トリミング体膜の膜厚を測定し
    た値として保存されることを特徴とするレーザトリミン
    グ方法。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載のレーザトリミング方法
    において、 前記膜厚の測定は前記ウエハ上の任意に選択された代表
    部位に対してのみ行われ、前記膜厚分布データは、その
    測定値を当該ウエハの膜厚分布傾向にて補間したデータ
    として保存されることを特徴とするレーザトリミング方
    法。
  5. 【請求項5】 成膜された被トリミング体にレーザを照
    射するレーザ出力装置と、 前記成膜された被トリミング体膜の膜厚がデータとして
    保存される第1の記憶手段と、 前記被トリミング体膜の膜厚に対応する前記レーザの出
    力条件がマップ登録された第2の記憶手段と、 前記第1の記憶手段に保存された膜厚データに対応して
    前記第2の記憶手段から読み出される出力条件に基づき
    前記レーザ出力装置から照射されるレーザの出力条件を
    制御する制御手段とを備えることを特徴とするレーザト
    リミング装置。
  6. 【請求項6】 請求項5に記載のレーザトリミング装置
    において、 前記第1の記憶手段は前記膜厚データを前記被トリミン
    グ体が成膜されたウエハ上の各位置に対応した膜厚分布
    データとして保存することを特徴とするレーザトリミン
    グ装置。
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