JPS63172406A - 抵抗器の抵抗値調整法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は抵抗器の抵抗値調整法に関し、特に厚膜抵抗器
の抵抗値を調整する場合に利用されるものである。

従来の技術 従来、この種の抵抗値調整法は、第６図に示す様にトリ
ミングステージ９の基板位置決め装置上に抵抗値修正す
べき抵抗素子を形成した基板１が準備され、基板１上の
抵抗素子に向けて垂直方向からレーザービーム６を照射
・スキャンしながら抵抗値を修正し、修正が終了した時
点でレーザービーム６を停止させる。基板１上に抵抗素
子が複数個ある場合は、複数個全部抵抗値調整を行なう
。

基板１内の抵抗値調整が終了した時点で自動収納装置６
にて、トリミングステージｅ上から抵抗値調整済基板８
を収納する収納ストッカー７に運ぶ。

収納が終了すると、自動供給装置２で抵抗値未調整基板
４が収納しである供給ストッカー３から抵抗値未調整基
板４をトリミングステージ９へ供給し、抵抗値調整を開
始する。同一抵抗パターンを形成する基板が全て終了し
た時点で、自動的に品種を切り替えて抵抗値を調整する
方法が一般的である。

発明が解決しようとする問題点 このような従来の構成では、抵抗値修正に必要な情報を
全てコンピューターメモリ一部に記憶させ、前記手続き
が終了した時点で、無人状態で自動的に抵抗値修正を行
なうため、途中でレーザービームの出力が低下した場合
、目的とする抵抗値に修正ができない。あるいは、レー
ザービームの出力を停止させた状態（Ｑ−１！ＷＯＦＦ
）　　にもかかわらず、ビームがレーザー発振器から漏
れたりすると、抵抗素子上をレーザービームで抵抗修正
し、レーザービームが停止（Ｑ−ｓｗ、ｏ　Ｆ　Ｆ　）
となった直後は目的とする抵抗値に修正されているがレ
ーザービームの光軸が次の抵抗素子に移動する時も抵抗
素子上に漏れたレーザービームが照射されるため、抵抗
値が高くなり大量の抵抗値不良品、あ不いは特性不良品
を生産してしまうという問題点があった。

本発明は、このような問題点を解決するもので、抵抗値
修正する際にレーザービーム制御部（Ｑ　−ｓｗ　、反
射ミラーなど）に不具合はないかを自動的にチェックし
、抵抗値不良を最低域させることを目的とするものであ
る。

問題点を解決するための手段 この問題点を解決するために本発明は、電極間の抵抗体
素子上を電流が流れる方向に対して直角、かつ、抵抗体
素子幅より長くレーザービームが出力停止（Ｑ−ｓｖｔ
がＯＦＦの状態）の状態でスキャン（ガルバノメーター
を移動する）シ、スキャンが終了した時点で、スキャン
前後の抵抗値を比較し、抵抗値が同一であればレーザー
ビームがレーザー発振器から漏れていないと判定して次
の検出へと進み、抵抗値が一致しない場合は、レーザー
ビームが漏れていると判定しレーザー発振装置内にある
メカニカルシャッターでビーム経路を遮断し設備を停止
させ、次の検出は、前記抵抗素子を同経路でレーザービ
ームを連続出力（Ｑ−ｓｗを連続ＯＮ）の状態でスキャ
ンしスキャンが終了した時点で抵抗値を計測し、抵抗値
が無限大であれば適切、無限大でなければレーザービー
ムを照射した部分の抵抗体が完全に蒸発していないので
通常生産時、抵抗体の特性不良の危険性があるため不適
切と判定し、適切な場合は次のステップ（通常は生産）
に、不適切な場合は設備を停止させる。

このように、抵抗値修正する際にレーザービームの制御
・出力が適正か否かを抵抗素子をダミーとして用い抵抗
値修正したものである。尚、チェックされる素子は同一
抵抗パターンを形成する基板の最初の抵抗体を用い、数
量は任意である。

作用 この構成により、正確な抵抗値修正が可能となり、また
、万一レーザー発振器系統の異常が発生しても、最少限
の不良数に押えることが可能となる。

実施例 第１図は、本発明の一実施例による抵抗修正法のレーザ
ービームスキャン状態図であり、第１図において１１は
絶縁性基板、１２は電極、１３は抵抗素子、１４はレー
ザービーム、１６は溝である。ビームを停止（Ｑ−ｇｗ
ｏｙｙ）　　の状態でレーザービーム１４の光軸をム点
からＢ点まで移動し、移動する直前と直後の抵抗値を比
較し抵抗値が同一であれば次のステップに進み同一でな
い場合はレーザービームが漏れているため、第１図のＣ
方向から見た断面図である第２図の抵抗素子１３表面の
漏れたビームが照射された部分に溝１６ができる。この
時点で、ある目的値に抵抗修正を連続で行なっても不良
品を製造するものであり火災の危険性もあるため、レー
ザー発振装置内にあるメカニカルシャッターをＯＦＦに
し、設備も停止させる。レーザービームが漏れてない場
合、前記同一抵抗素子の第１図のム点からＢ点までをレ
ーザービームが連続出力（Ｑ−，５ｗ０Ｎ）　　の状態
で光軸をスキャンし、スキャンが終了した時点で抵抗値
を計測する適正なパワーが出力されている場合、第１図
のＣ方向から見た断面である第３図のように、レーザー
ビームによる溝が完全に基板１１までとどいており、抵
抗素子は断線状態（無限大）で抵抗素子としては機能し
ないので同素子の抵抗値を計測し無限大であれば良い。

絶対抵抗値が存在する場合は第４図のようにレーザービ
ームによる溝が完全に基板まで届いてぃないため、適正
なレーザービーム出力が得られていないので、ある目的
値に抵抗修正を連続で行なっても目的値に修正されない
と判断し、設備稼動を停止するものである。

発明の効果 以上のように本発明によれば、同一抵抗体パターンを有
する基板を複数枚生産する場合、適正なレーザーパワー
で目的抵抗値に修正されており、素子の特性が完全に保
証される。万一、レーザーパワー関係のトラブルが発生
しても最低限の損害で押えられるという効果が得られる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による抵抗値修正法を示す状
態図で、第２図、第３図、第４図は第１図の断面図、第
６図は従来の抵抗値修正法を示すブロック図である。 １１・・・・・・絶縁性基板、１２・・・・・・電極、
１３・・・・・・抵抗体素子、１４・・・・・・レーザ
ービーム、１６・・・・・・レーザービームによる溝。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第２図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　電気的絶縁基板上に形成された膜状の抵抗素子とこの
   抵抗素子の両側に形成された膜状の電極とを有する膜抵
   抗体にレーザービームを照射して切り込みを施し、その
   抵抗値を調整する際に、前記レーザービームで抵抗値調
   整を行う前に電極間抵抗素子上で抵抗素子の幅以上の距
   離をレーザービームがＯＦＦの状態で走査し、次にレー
   ザービームを連続ＯＮの状態で走査し、適正な抵抗値調
   整の可能性を合否判定することを特徴とする抵抗器の抵
   抗値調整法。