JP2007026520A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置は、メモリセルMCとドライバ14,15を備えている。上記メモリセルは、電流通路の一端がビット線BLに接続され、浮遊ゲートに電荷を蓄積してデータを記憶するセルトランジスタCTと、電流通路の一端が上記セルトランジスタの電流通路の他端に接続され、電流通路の他端がソース線SLに接続される選択ゲートトランジスタSTを有する。上記ドライバ14,15は、メモリセルを選択的に駆動し、読み出し時に、読み出しの対象となるメモリセルに接続されているソース線に、上記読み出しの対象となるメモリセル中の上記選択ゲートトランジスタのゲートに印加されている電位とは逆符号の電位を印加するように構成されている。
【選択図】 図1
Description
T.Ditewing et.al., "An Embeded 1.2V-Read Flash Memory Module in a 0.18um Logic Process", 2001 IEEE ISSCC Digest 2.4 pp34-35, Feb/2001
[第1の実施形態]
図1は、この発明の第1の実施形態に係る半導体装置について説明するためのもので、不揮発性半導体記憶装置の要部を抽出して概略構成を示すブロック図である。この不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルアレイ11、カラムデコーダ12、センスアンプ13、ワード線ドライバ14、ソース線ドライバ15、負電圧発生回路16及びコントロール回路17等を含んで構成されている。
図5は、上記図1に示した回路におけるソース線ドライバ15の第2の構成例について説明するためのもので、スイッチを用いてソース線SLの電位を制御している。ソース線SLの電位を制御するための制御信号CSSLは、スイッチとして働くNチャネル型MOSFET41のゲートに供給される。また、この制御信号CSSLは、インバータ42を介してスイッチとして働くNチャネル型MOSFET43のゲートに供給される。
図6は、上記図1に示した回路におけるソース線ドライバ15の第3の構成例を示している。この例では、“H”レベルがVccレベル、“L”レベルが−0.3Vの信号SG1,SG2,…,SGnを出力するSG用のドライバ/デコーダ部44を用いている。このドライバ/デコーダ部44には、電源電圧として“Vcc−0.3V”と“GND−0.3V”が印加されて動作する。また、上記ドライバ/デコーダ部44を構成するNチャネル型MOSFETが形成されるPウェル領域には−0.3Vが印加されている。
図8は、この発明の第2の実施形態に係る半導体装置について説明するためのもので、不揮発性半導体記憶装置の要部を抽出して概略構成を示すブロック図である。この不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルアレイ11、カラムデコーダ12、センスアンプ13、ワード線ドライバ14、ソース線ドライバ15、ウェル電位印加回路50、リード(読み出し)用ウェル電位発生回路51、ライト/イレーズ(書き込み/消去)用ウェル電位発生回路52、及びコントロール回路53等を含んで構成されている。上記各回路50,51,52,53は、メモリセルアレイ11のセルトランジスタCTと選択ゲートトランジスタSTが形成されたPウェル領域に電位を与えるためのもので、メモリセルを選択的に駆動するドライバの一部として働く。
Claims (5)
- 電流通路の一端がビット線に接続され、浮遊ゲートに電荷を蓄積してデータを記憶するセルトランジスタと、
電流通路の一端が前記セルトランジスタの電流通路の他端に接続され、電流通路の他端がソース線に接続され、前記セルトランジスタとともにメモリセルを構成する選択ゲートトランジスタと、
前記メモリセルを選択的に駆動し、読み出し時に、読み出しの対象となるメモリセルに接続されているソース線に、前記読み出しの対象となるメモリセル中の前記選択ゲートトランジスタのゲートに印加されている電位とは逆符号の電位を印加するように構成されたドライバと
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記セルトランジスタ及び前記選択ゲートトランジスタはNチャネル型であり、読み出し時に前記ドライバから前記ソース線に印加される電位は負であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 電流通路の一端がビット線に接続され、浮遊ゲートに電荷を蓄積してデータを記憶するセルトランジスタと、
電流通路の一端が前記セルトランジスタの電流通路の他端に接続され、電流通路の他端がソース線に接続され、前記セルトランジスタとともにメモリセルを構成する選択ゲートトランジスタと、
前記メモリセルを選択的に駆動し、読み出し時に、読み出しの対象となるメモリセルに接続されたソース線と前記読み出しの対象となるメモリセル中のセルトランジスタのバックゲートとの電位差と、前記読み出しの対象となるメモリセル中の前記選択ゲートトランジスタのゲートと前記選択ゲートトランジスタのバックゲートとの電位差が逆符号になる電圧を印加するように構成されたドライバと
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記ドライバは、前記選択ゲートトランジスタが形成されるウェル領域に、前記メモリセルの動作に応じて異なる電位を印加するように構成されたウェル電位印加回路を備え、
前記セルトランジスタ及び前記選択ゲートトランジスタはNチャネル型であり、読み出し動作時に前記ドライバから前記ソース線に印加される電位は接地電位であり、前記ウェル電位印加回路から前記選択ゲートトランジスタのバックゲートに印加される電位は正であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 読み出しの対象となるメモリセルに接続されているソース線を選択するように構成された選択回路を更に具備することを特徴とする請求項1乃至4いずれか1つの項に記載の半導体装置。
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