JP2007022854A - ニオブ酸カリウムナトリウム系無鉛圧電セラミック及びその製造方法 - Google Patents

ニオブ酸カリウムナトリウム系無鉛圧電セラミック及びその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 鉛を含有せず高圧電定数を有するニオブ酸カリウムナトリウム系無鉛圧電セラミック及びその生成方法を提供する。
【解決手段】 構成成分が(1−n)KNa1−xNbO・nMH(式中のMHは金属酸化物または金属炭酸塩であり、Mは価数の異なる金属元素、HはOまたはCOラジカル、0.21≦x≦0.95、0≦n≦0.30)で示され、NaNbOとKNbOとの両者の合計は材料総量の70〜100wt%の間を占めており、併せて0〜30wt%のMHが複合されていることを特徴とするニオブ酸カリウムナトリウム系無鉛圧電セラミック。
【選択図】 図1

Description

本発明は、機能セラミック材料領域に属しており、特に放電プラズマ焼結法を利用したニオブ酸カリウムナトリウム系無鉛圧電セラミック及びその製造方法に関するものである。
圧電セラミックは重要な機能セラミック材料である。現在使用されている圧電セラミックの大部分は鉛系圧電セラミックであり、その生成、使用過程及び廃棄後にはすべて環境汚染を引き起こす。無鉛圧電セラミックを使用して、鉛系圧電セラミックに代替させることは必要なことである。ニオブ酸カリウムナトリウム(KNbO−NaNbO)は無鉛圧電セラミックに属しており、かつその他有毒有害な元素は含まれていない。
NaNbO、KNbOなどの種類のカルシウムチタン鉱型化合物結晶体について、この種の化合物の一般式はANbO(AはNa、Kなど)である。反強誘電体揖NaNbOと強誘電体KNbOとは完全な固溶体を形成することができる。その構造は依然としてカルシウムチタン鉱構造であり、主要成分は式(1−n)KNa1−xNbO・nM1M2M3M4O(M1は1価金属元素、M2は2価金属元素、M3は3価金属元素、M4は4価金属元素)で示される。PZTなどの鉛系圧電セラミックと比較した場合、ニオブ酸カリウムナトリウム系圧電セラミックには、誘電定数が小さく、周波数定数は大きく、密度は小さく、音響速度は速いという特徴が備わっている。
Na、Kは高温下で容易に揮発し、一般のセラミック焼結技術では繊密性が向いセラミックを得ることは困難であるため、熱圧焼結が一貫してアルカリ金属のニオブ酸塩セラミックを生成する主な方法となっていた。下記特許文献1には、日本の木村製作所の木村雅彦、安藤陽小川智之らは固相反応焼結技術を利用し、式(1−n)(Na1−xLi1−y(Nb1−zTa)O・nM1M2O(式中の、0.02≦x≦0.30、0≦y≦0.2、0≦z≦0.2、0≦n≦0.1)で示される圧電セラミック組成物を生成しており、その材料はNa、Li、Oが主要成分であり、カリウムの含有量は0≦y≦0.2である。固相反応焼結技術によるニオブ酸カリウムナトリウム(KNbO−NaNbO)系圧電セラミック材料生成の報告には、下記非特許文献1〜4がある。
最近では、下記非特許文献5の報告において、和田らは放電プラズマ焼結技術(SPS)を利用してニオブ酸ナトリウム(NaNbO)セラミックを生成し、NaNbOには強誘電特性が備わり、最大機械結合係数は20%であることを発見しているが、その圧電係数値については報告されていない。現在、放電プラズマ焼結技術(SPS)を利用したニオブ酸カリウムナトリウム(KNbO−NaNbO)系圧電セラミック材料の生成については報告されていない。
中国特許公開1388089号公報 R.E.Jaeger、L.Egreton:J.Am.Ceram.Soc.,45(1962)209 L.Egreton and D.M.Dillon:J.Am.Ceram.Soc.,42(1959)438 M.Ichiki、L.Zhange et al.:J.Euro.Ceram.Soc.,24(2004)1693 A.Castro、B.Jimenez、et al.:J.Euro.Ceram.Soc.,24(2004)941 Jpn.J.Appl.Phys.Part1,42(2003)6110
本発明の目的は、鉛を含有せず高圧電定数を有するニオブ酸カリウムナトリウム系無鉛圧電セラミック及びその生成方法を提供することにある。
第1に、本発明は、ニオブ酸カリウムナトリウム系無鉛圧電セラミックであり、その構成成分は、(1−n)KNa1−xNbO・nMH(式中のMHは金属酸化物または金属炭酸塩であり、Mは価数の異なる金属元素、HはOまたはCOラジカル、0.21≦x≦0.95、0≦n≦0.30)で示され、NaNbOとKNbOとの両者の合計は材料総量の70〜100wt%の間を占めており、併せて0〜30wt%のMHが複合されている。
ここで、前記MHとして、カルシウム、銅、マンガン、バリウム、リチウム、イットリウム、ストロンチウム、チタン、ジルコニウム、ランタン、マグネシウム、アルミニウム、ケイ素、鉄、コバルト、ニッケル、銀、スズ、アンチモン、タンタル及びタングステンの酸化物または炭酸塩から選択される1種以上が好ましく例示される。
第2に、本発明は、上記ニオブ酸カリウムナトリウム系無鉛圧電セラミックの製造方法の発明であり、その工程は、研磨混合、焙焼によるニオブ酸塩の合成、放電プラズマ焼結システムによる焼結、熱処理後の分極と、段階的分極であり、具体的な工程の流れは下記の通りである。
1)化学式(1−n)KNa1−xNbO・nMH(式中のMHは金属酸化物または金属炭酸塩であり、Mは価数の異なる金属元素、HはOまたはCOラジカル、0.21≦x≦0.95、0≦n≦0.30)に基づき原料を混合する工程で、原料が、Nb、NaCO、KCO、CaCO、CuO、MnCO、BaCO、LiCO、SrCO、TiO、ZrOから選択される。
2)混合された原料を加熱乾燥させて乾燥粉末を得る工程で、混合された原料を無水エタノールの媒質中に加え、遊星式ボールミルにより1〜8時間粉砕・混合し、それを加熱乾燥させて乾燥粉末を得る。
3)該乾燥粉末を焙焼してニオブ酸塩を合成する工程で、該乾燥粉末を焙焼温度500〜900℃、保温時間1〜10時間で焙焼して、ニオブ酸塩を合成する。
4)合成後のニオブ酸塩原料粉末を焼結する工程で、合成後のニオブ酸塩原料粉末をφ10〜50mmのグラファイトモールドに装入し、放電プラズマ焼結技術(SPS)炉内に設置して焼結し、真空環境下で、温度上昇速度は20〜200℃/min、550〜1200℃の一定温度下で焼結し、焼結温度下で1〜20min保温し、圧力はl0〜80MPaとする。
5)SPS焼結後のニオブ酸カリウムナトリウム(KNbO−NaNbO)系無鉛圧電セラミックディスクを熱処理し、分極させる工程で、SPS焼結後のニオブ酸カリウムナトリウム(KNbO−NaNbO)系無鉛圧電セラミックディスクを空気雰囲気内で500〜l000℃、1〜10時間熱処理し、得られた白色でやや黄色を帯びたニオブ酸カリウムナトリウム系圧電セラミックディスクに銀電極を塗布した上でそれを焼き付け、シリコン油内で、先ず比較的低い分極電圧を印加し、さらに当該電圧下でシリコン油を加熱し、室温から徐々に100〜200℃まで温度を上昇させ、10〜60minその状態を維持し、その後温度を低下させ、温度が50〜150℃まで低下した後、分極電圧を上昇させ、1〜5kV/mmに到達すれば、その状態を10〜60min維持し、さらに室温まで温度を低下させ、分極を完成させる。
更に、付加的に、前記5)分極させる工程の後、
6)異なる温度で焼結された試料の密度と圧電定数d33を測定する工程であり、異なる温度下のSPSで焼結された試料について、その密度は焼結温度の上昇に伴い明らかに増大し、圧電定数d33も焼結温度の上昇に伴い上昇傾向を示し、圧電定数d33の範囲は30〜120pC/Nの間である工程、
を備えている。
本発明のニオブ酸カリウムナトリウム(KNbO−NaNbO)系無鉛圧電セラミック、及びその製造方法は、下記(1)〜(4)の効果を奏する。
(1)焼結温度が低く、焼結時間が短いため、細密で、均一な組織を得ることができるとともに、当初材料の自然な状態を維持することが可能である。
(2)緻密度の高い材料を得ることができる。
(3)焼結成分と工程とを制御することが可能である。
(4)放電プラズマ放電衝撃圧力及び電場などの共同作用下において、試料の表面を活性化させ、拡散を加速させ、塑性変形を向上させることが可能である。
以下、本発明のニオブ酸カリウムナトリウム系無鉛圧電セラミック及びその製造方法の実施例を示す。
[実施例1]
化学式K0.5Na0.5NbOに基づく配合により、14.53gのNb、2.78gのKCO、2.90gのNaCOをボールミルタンクに装入し、40mlの無水エタノールを媒質として加え、遊星式ボールミルにより4時間粉砕・混合し、回転速度は200rpmとし、ペーストを70℃で4時間加熱乾燥して乾燥粉末を得た。乾燥粉末を840℃下で、4時間保温し、ニオブ酸塩の合成を実施した。
合成後のニオブ酸塩原料粉末1.5gをφ15mmのグラファイトモールドに装入し、SPS炉内に設置して焼結する。温度上昇速度は100℃/minとし、920℃の温度下でSPS焼結を実施し、焼結温度下で5min保温し、圧力は50MPaとする。SPSは還元雰囲気下で焼結が実施されるため、KNbO−NaNbO系圧電セラミックディスクが得られる。図1に、放電プラズマ焼結(SPS)技術により生成された圧電セラミックディスクの実物写真を示す。
得られたKNbO−NaNbO系圧電セラミックディスクについて、箱式電気炉で熱処理を施し、熱処理時間は900℃とし、空気雰囲気内で4時間処理すると、白色でやや黄色を帯びた試料が得られる。測定された密度は4.23g/cmで、理論密度の93%に到達しており、図2に示されている通り、断面の走査型顕微鏡(SEM)写真でもその構造は比較的緻密であることが示されている。図3に示されている通り、X線回折曲線(XRD)によれば、その鉱物組成はカルシウムチタン鉱構造のニオブ酸塩である。
熱処理後の試料に銀電極を塗布した上でそれを焼き付け、シリコン油内で分極を実施する。分極時には先ず比較的低い400V/mmを印加し、当該電圧下でシリコン油を加熱し、室温から徐々に160℃まで温度を上昇させ、30minその状態を維持し、その後温度を低下させ、温度が120℃まで低下した後、分極電圧を上昇させ、3kV/mmに到達すれば、その状態を30min維持し、さらに室温まで温度を低下させて、分極は完成した。測定された圧電定数d33は49pC/Nであった。
[実施例2]
化学式K0.3Na0.7NbOに基づく配合により、14.53gのNb、2.31gのKCO、4.13gのNaCOをボールミルタンクに装入し、40mlの無水エタノールを媒質として加え、遊星式ボールミルにより4時間粉砕・混合し、回転速度は200rpmとし、ペーストを70℃で4時間加熱乾燥して乾燥粉末を得た。乾燥粉末を840℃下で、4時間保温し、ニオブ酸塩の合成を実施した。
合成後のニオブ酸塩原料粉末1.5gをφ15mmのグラファイトモールドに装入し、SPS炉内に設置して焼結する。温度上昇速度は100℃/minとし、920℃の温度下でSPS焼結を実施し、焼結温度下で10min保温し、圧力は30MPaとする。SPSは還元雰囲気下で焼結が実施されるため、KNbO−NaNbO系圧電セラミックディスクが得られた。
得られたKNbO−NaNbO系圧電セラミックディスクについて、箱式電気炉で熱処理を施し、熱処理時間は900℃とし、空気雰囲気内で4時間処理すると、白色でやや黄色を帯びた試料が得られる。測定された密度は4.21g/cmで、理論密度の93%に到達しており、図4に示されている通り、断面の走査型顕微鏡(SEM)写真でもその構造は比較的緻密であることが示されている。図5に示されている通り、X線回折曲線(XRD)によれば、その鉱物組成はカルシウムチタン鉱構造のニオブ酸塩である。
熱処理後の試料に銀電極を塗布した上でそれを焼き付け、シリコン油内で分極を実施する。分極時には先ず比較的低い400V/mmを印加し、当該電圧下でシリコン油を加熱し、室温から徐々に160℃まで温度を上昇させ、30minその状態を維持し、その後温度を低下させ、温度が120℃まで低下した後、分極電圧を上昇させ、3kV/mmに到達すれば、その状態を30min維持し、さらに室温まで温度を低下させて、分極は完成した。測定された圧電定数d33は38pC/Nであった。
[実施例3]
化学式K0.5Na0.5NbOに基づく配合により、14.53gのNb、2.78gのKCO、2.90gのNaCOをボールミルタンクに装入し、40mlの無水エタノールを媒質として加え、遊星式ボールミルにより4時間粉砕・混合し、回転速度は200rpmとし、ペーストを70℃で4時間加熱乾燥して乾燥粉末を得た。乾燥粉末を840℃下で、4時間保温し、ニオブ酸塩の合成を実施した。
合成後のニオブ酸塩原料粉末3gをφ15mmのグラファイトモールドに装入し、SPS炉内に設置して焼結する。温度上昇速度は100℃/minとし、860℃の温度下でSPS焼結を実施し、焼結温度下で10min保温し、圧力は30MPaとする。SPSは還元雰囲気下で焼結が実施されるため、KNbO−NaNbO系圧電セラミックディスクが得られた。
得られたKNbO−NaNbO系圧電セラミックディスクについて、空気雰囲気内において800℃下で4時間熱処理すると、白色でやや黄色を帯びた試料が得られる。測定された密度は3.24g/cmで、理論密度の72%に到達しており、図6に示されている通り、断面の走査型顕微鏡(SEM)写真でもその構造は比較的緻密であることが示されている。図7に示されている通り、X線回折曲線(XRD)によれば、その鉱物組成はカルシウムチタン鉱構造のニオブ酸塩である。
熱処理後の試料に銀電極を塗布した上でそれを焼き付け、シリコン油内で分極を実施する。分極時には先ず比較的低い400V/mmを印加し、当該電圧下でシリコン油を加熱し、室温から徐々に160℃まで温度を上昇させ、30minその状態を維持し、その後温度を低下させ、温度が120℃まで低下した後、分極電圧を上昇させ、3kV/mmに到達すれば、その状態を30min維持し、さらに室温まで温度を低下させて、分極は完成した。測定された圧電定数d33は72pC/Nである。
[実施例4]
化学式0.94K0.5Na0.5NbO−0.02La−0.04BaOに基づく配合により、13.66gのNb、2.67gのKCO、2.73gのNaCO、0.17gLa,0.16gのBaOをボールミルタンクに装入し、40mlの無水エタノールを媒質として加え、遊星式ボールミルにより4時間粉砕・混合し、回転速度は200rpmとし、ペーストを70℃で4時間加熱乾燥して乾燥粉末を得た。乾燥粉末を840℃下で、4時間保温し、ニオブ酸塩の合成を実施した。
合成後のニオブ酸塩原料粉末3gをφ15mmのグラファイトモールドに装入し、SPS炉内に設置して焼結する。温度上昇速度は100℃/minとし、800℃の温度下でSPS焼結を実施し、焼結温度下で10min保温し、圧力は30MPaとする。SPSは還元雰囲気下で焼結が実施されるため、KNbO−NaNbO系圧電セラミックディスクが得られた。
得られたKNbO−NaNbO系圧電セラミックディスクについて、空気雰囲気内において800℃下で4時間熱処理すると、白色でやや黄色を帯びた試料が得られる。測定された密度は3.80g/cmで、理論密度の84%に到達しており、図8に示されている通り、断面の走査型顕微鏡(SEM)写真でもその構造は比較的緻密であることが示されている。図9に示されている通り、X線回折曲線(XRD)によれば、その鉱物組成はカルシウムチタン鉱構造のニオブ酸塩である。
熱処理後の試料に銀電極を塗布した上でそれを焼き付け、シリコン油内で分極を実施する。分極時には先ず比較的低い400V/mmを印加し、当該電圧下でシリコン油を加熱し、室温から徐々に160℃まで温度を上昇させ、30minその状態を維持し、その後温度を低下させ、温度が120℃まで低下した後、分極電圧を上昇させ、3kV/mmに到達すれば、その状態を30min維持し、さらに室温まで温度を低下させて、分極は完成した。測定された圧電定数d33は80pC/Nであった。
本発明の(1−n)KNa1−xNbO・nMHで示されるニオブ酸カリウムナトリウム系無鉛圧電セラミックは、鉛を含有せず高圧電定数を有することから、従来の圧電体の代替として、各種分野で用いられる。
放電プラズマ焼結(SPS)技術により生成された圧電セラミックディスクの実物写真である。 実施例1の920℃のSPSで焼結されたK0.5Na0.5NbO試料の断面の走査型電子顕微鏡SEM写真である。 実施例1の920℃のSPSで焼結されたK0.5Na0.5NbO試料のX線回折スペクトルである。 実施例2の920℃のSPSで焼結されたK0.3Na0.7NbO試料の断面の走査型電子顕微鏡SEM写真である。 実施例2の920℃のSPSで焼結されたK0.3Na0.7NbO試料のX線回折曲線XRDである。 実施例3の860℃のSPSで焼結されたK0.5Na0.5NbO試料の断面の走査型電子顕微鏡SEM写真である。 実施例3の860℃のSPSで焼結されたK0.5Na0.5NbO試料のX線回折スペクトルである。 実施例4の800℃のSPSで焼結された0.94K0.5Na0.5NbO−0.02La−0.04BaO試料の断面の走査型電子顕微鏡SEM写真である。 実施例4の800℃のSPSで焼結された0.94K0.5Na0.5NbO−0.02La−0.04BaO試料のX線回折スペクトルである。

Claims (10)

  1. 構成成分が(1−n)KNa1−xNbO・nMH(式中のMHは金属酸化物または金属炭酸塩であり、Mは価数の異なる金属元素、HはOまたはCOラジカル、0.21≦x≦0.95、0≦n≦0.30)で示され、NaNbOとKNbOとの両者の合計は材料総量の70〜100wt%の間を占めており、併せて0〜30wt%のMHが複合されていることを特徴とするニオブ酸カリウムナトリウム系無鉛圧電セラミック。
  2. 前記MHは、カルシウム、銅、マンガン、バリウム、リチウム、イットリウム、ストロンチウム、チタン、ジルコニウム、ランタン、マグネシウム、アルミニウム、ケイ素、鉄、コバルト、ニッケル、銀、スズ、アンチモン、タンタル及びタングステンの酸化物または炭酸塩から選択される1種以上であることを特徴とする請求項1に記載のニオブ酸カリウムナトリウム系無鉛圧電セラミック。
  3. 圧電定数d33が30〜120pC/Nであることを特徴とする請求項1または2に記載のニオブ酸カリウムナトリウム系無鉛圧電セラミック。
  4. プラズマ放電焼結法によりニオブ酸カリウムナトリウム(KNbO−NaNbO)系無鉛圧電セラミックを生成するニオブ酸カリウムナトリウム系無鉛圧電セラミックの製造方法であり、
    1)化学式(1−n)KNa1−xNbO・nMH(式中のMHは金属酸化物または金属炭酸塩であり、Mは価数の異なる金属元素、HはOまたはCOラジカル、0.21≦x≦0.95、0≦n≦0.30)に基づき原料を混合する工程と、2)混合された原料を加熱乾燥させて乾燥粉末を得る工程と、
    3)該乾燥粉末を焙焼してニオブ酸塩を合成する工程と、
    4)合成後のニオブ酸塩原料粉末を焼結する工程と、
    5)焼結後のニオブ酸カリウムナトリウム(KNbO−NaNbO)系無鉛圧電セラミックディスクを熱処理し、分極させる工程と、
    を備えていることを特徴とするニオブ酸カリウムナトリウム系無鉛圧電セラミックの製造方法。
  5. 前記1)化学式(1−n)KNa1−xNbO・nMH(式中のMHは金属酸化物または金属炭酸塩であり、Mは価数の異なる金属元素、HはOまたはCOラジカル、0.21≦x≦0.95、0≦n≦0.30)に基づき原料を混合する工程の原料が、Nb、NaCO、KCO、CaCO、CuO、MnCO、BaCO、LiCO、SrCO、TiO、ZrOから選択されることを特徴とする請求項4に記載のニオブ酸カリウムナトリウム系無鉛圧電セラミックの製造方法。
  6. 前記2)混合された原料を加熱乾燥させて乾燥粉末を得る工程が、混合された原料を無水エタノールの媒質中に加え、遊星式ボールミルにより1〜8時間粉砕・混合し、それを加熱乾燥させて乾燥粉末を得るものであることを特徴とする請求項4または5に記載のニオブ酸カリウムナトリウム系無鉛圧電セラミックの製造方法。
  7. 前記3)該乾燥粉末を焙焼してニオブ酸塩を合成する工程が、該乾燥粉末を焙焼温度500〜900℃、保温時間1〜10時間で焙焼して、ニオブ酸塩を合成するものであることを特徴とする請求項4乃至6のいずれかに記載のニオブ酸カリウムナトリウム系無鉛圧電セラミックの製造方法。
  8. 前記4)合成後のニオブ酸塩原料粉末を焼結する工程が、合成後のニオブ酸塩原料粉末をφ10〜50mmのグラファイトモールドに装入し、放電プラズマ焼結技術(SPS)炉内に設置して焼結し、真空環境下で、温度上昇速度は20〜200℃/min、550〜1200℃の一定温度下で焼結し、焼結温度下で1〜20min保温し、圧力はl0〜80MPaとすることを特徴とする請求項4乃至7のいずれかに記載のニオブ酸カリウムナトリウム系無鉛圧電セラミックの製造方法。
  9. 前記5)SPS焼結後のニオブ酸カリウムナトリウム(KNbO−NaNbO)系無鉛圧電セラミックディスクを空気雰囲気内で500〜l000℃、1〜10時間熱処理し、得られた白色でやや黄色を帯びたニオブ酸カリウムナトリウム系圧電セラミックディスクに銀電極を塗布した上でそれを焼き付け、シリコン油内で、先ず比較的低い分極電圧を印加し、さらに当該電圧下でシリコン油を加熱し、室温から徐々に100〜200℃まで温度を上昇させ、10〜60minその状態を維持し、その後温度を低下させ、温度が50〜150℃まで低下した後、分極電圧を上昇させ、1〜5kV/mmに到達すれば、その状態を10〜60min維持し、さらに室温まで温度を低下させ、分極を完成させるものであることを特徴とする請求項4乃至8のいずれかに記載のニオブ酸カリウムナトリウム系無鉛圧電セラミックの製造方法。
  10. 前記5)分極させる工程の後、
    6)異なる温度で焼結された試料の密度と圧電定数d33を測定する工程、
    を備えていることを特徴とする請求項4乃至9のいずれかに記載のニオブ酸カリウムナトリウム系無鉛圧電セラミックの製造方法。
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