JP2007017399A - バンプを有する集積回路装置内の抵抗値測定方法及び抵抗値調整方法並びに集積回路装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 集積回路内に配置されて絶対的精度が求められる終端抵抗、その他のプルアップ抵抗、プルダウン抵抗等の抵抗素子の抵抗値を、精度よく測定すること。
【解決手段】 抵抗素子１３２の一端と導通している第１のバンプ８０に第１のプローブ針２００を接触させ、抵抗素子１３２の一端と導通している第２のバンプ８２に第２のプローブ針２０１を接触させ、抵抗素子１３２の他端と導通している第３のバンプ８４に第３のプローブ針２０２を接触させ、抵抗素子１３２の他端と導通している第４のバンプ８６に第４のプローブ針２０３を接触させる。第１及び第４プローブ針２００，２０３に電流源２１０を接続し、第２及び第３のプローブ針２０１，２０２に電圧計２２０を接続する。抵抗素子に１３２通電された電流値と電圧計２２０で測定された電圧値に基づいて抵抗素子１３２の抵抗値を測定する。
【選択図】 図７

Description

本発明は、 本発明は、バンプを有する集積回路装置内の抵抗値測定方法及び抵抗調整方法並びに集積回路装置及び電子機器に関する。

終端抵抗、プルダウン抵抗、プルアップ抵抗等を有するインターフェース回路、例えば高速シリアルインターフェース回路を搭載したドライバＩＣは存在していない。終端抵抗はＩＣに外付けされるものもあるが、ドライバＩＣに高速シリアルインターフェース回路が搭載された場合、抵抗の外付けは不可能に近い。また、従来の高速シリアルインターフェース回路として、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）やＩＥＥＥ１３９４等が知られている。これらのうち、終端抵抗を内蔵しているものもあるが、絶対精度が要求される終端抵抗を精度よく調整するものはなかった。

抵抗を測定する方法として、二端子法や四端子法が知られている。いずれも、抵抗に定電流を供給して抵抗での降下電圧を測定し、その電流及び電圧から抵抗値を求めるものである。

特許文献１に四端子法が開示されているが、測定対象となる抵抗は集積回路装置等に組み込まれたものではない。四端子法の原理上、特許文献１では、２つの電圧検出端子と２つの定電流端子とを開示しているのみである。

特許文献２では、パッドまたはパターンにコンタクトされる第１，第２のプローブと、他のパッドまたはパターンにコンタクトされる第３，第４のプローブとを用いて、四端子法にて抵抗値を測定する方法を開示している。特許文献３は終端抵抗の測定を開示している。特許文献４は、インピーダンスをレジスタを用いて調整する方法を開示している。
実開平５−３４５８３号公報 特開平７−２４４１０５号公報 特開２００３−２７０２９９号公報 特開２００５−６１９７６号公報

そこで、本発明の目的は、絶対的精度が求められる終端抵抗、プルアップ抵抗、プルダウン抵抗等の抵抗素子の抵抗値を精度よく測定することができ、あるいはその抵抗値を調整することができる、バンプを有する集積回路装置内の抵抗値測定方法及び抵抗値調整方法並びに集積回路装置及び電子機器を提供することにある。

本発明に係る集積回路装置内の抵抗値測定方法は、抵抗素子の一端と導通している第１のバンプに第１のプローブ針を接触させ、前記抵抗素子の前記一端と導通している第２のバンプに第２のプローブ針を接触させ、前記抵抗素子の他端と導通している第３のバンプに第３のプローブ針を接触させ、前記抵抗素子の前記他端と導通している第４のバンプに第４のプローブ針を接触させ、前記第１及び第２のプローブ針の一方に電流源を接続し、その他方に電圧計を接続し、前記第３及び第４のプローブ針の一方に前記電流源を接続し、その他方に前記電圧計を接続し、前記抵抗素子に通電された電流値と前記電圧計で測定された電圧値に基づいて前記抵抗素子の抵抗値を測定することを特徴とする。

基板に面実装されるタイプのバンプを有する集積回路装置では、バンプの大きさが決まっているので、一つのバンプに２本のプローブ針をコンタクトすることは物理的に不可能である。本発明では２つのバンプにより一端子を形成したので、四端子法により精度よく集積回路装置内の抵抗素子の抵抗を測定することが可能となった。つまり、抵抗素子の両端の各々に対して、定電流端子のためのバンプと電圧測定端子のためのバンプとに分けることで、四端子法による測定が可能となった。

本発明に係る集積回路装置内の抵抗値調整方法では、まず、上述の測定方法により抵抗素子の抵抗値を正確に求めている。抵抗素子は、互いに並列接続された第１〜第Ｎ（Ｎは２以上の整数）の抵抗素子と、前記第１〜第Ｎの抵抗素子のうちのｎ（１≦ｎ＜Ｎ）個と直列接続された第１〜第ｎの切断素子とを含んで構成されている。よって、測定された前記抵抗素子の抵抗値に基づいて、前記第１〜第ｎの切断素子の少なくとも一つを切断することで、抵抗素子の抵抗値を調整することが可能となった。

本発明に係る集積回路装置は、抵抗素子と、前記抵抗素子の一端と導通している第１及び第２のバンプと、前記抵抗素子の他端と導通している第３及び第４のバンプと、を有している。このため、上述の抵抗値測定方法及び抵抗値調整方法を好適に実施することができる。加えて、一端子に２つのバンプを用いることで、信号ライン途中の接触抵抗を下げて低インピーダンスとすることができ、信号の遅延、信号なまりを防止できる。

本発明に係る集積回路装置では、前記第１及び第２のバンプに接続され、差動信号対の一方が入力される第１の差動信号線と、前記第３及び第４のバンプに接続され、前記差動信号対の他方が入力される第２の差動信号線と、をさらに有し、前記抵抗素子を、前記第１及び第２の差動信号線間に接続された終端抵抗とすることができる。

終端抵抗とは、配線の終端に取り付けられる抵抗であって、終端での信号の反射（不要反射）を防止して、信号波形の乱れを防止するものであり、抵抗値に絶対的精度が求められる。上述の構成より、本発明の抵抗値測定方法を採用できるので、絶対精度を有する集積回路装置を良品として判別でき、装置の信頼性が確保される。

本発明に係る集積回路装置では、前記終端抵抗は、互いに並列接続された第１〜第Ｎ（Ｎは２以上の整数）の抵抗素子と、各々が、前記第１〜第Ｎの抵抗素子のうちのｎ（１≦ｎ＜Ｎ）個の各々とそれぞれ直列接続された第１〜第ｎの切断素子と、を含むことができる。これにより、本発明の抵抗値調整方法を採用することができ、絶対精度が要求される終端抵抗値を規格に設定して、装置の信頼性を高めることができる。

本発明に係る集積回路装置では、前記終端抵抗の設計値をＭΩとし、前記第１〜第Ｎの抵抗素子の各抵抗値の設計値をＬΩとしたとき、Ｌ／Ｎ＜Ｍ＜Ｌ／（Ｎ−ｎ）の不等式を成立させることができる。

全ての切断素子を切断しない場合に互いに並列接続されたＮ個の抵抗素子による設計上の抵抗値Ｌ／Ｎが設計値Ｍより小さく、全ての切断素子を切断した場合に互いに並列接続された（Ｎ−ｎ）個の抵抗素子による設計上の抵抗値Ｌ／（Ｎ−ｎ）が設計値Ｍより大きいと、各並列ラインの実際の抵抗値（配線抵抗や寄生抵抗を含む）がばらついても、切断ズ素子の切断により終端抵抗の設計値Ｍに精度よく近づけることができる。

本発明に係る集積回路装置では、前記第１〜第ｎの切断素子の各々は最上層の金属層にて形成され、前記第１〜第ｎの切断素子を平面視で囲んで、最下層の金属層から前記最上層の金属層にて重ねて形成される環状配線を設けることができる。この場合、前記第１〜第ｎの切断素子の各々の両端には、前記最下層の金属層の下方に位置する非金属配線層により形成される第１，第２の非金属抵抗素子が接続される。

このように、Ｎ本の並列ラインの各ライン毎の抵抗値は、第１〜第Ｎの抵抗素子の各抵抗値だけでなく、第１〜第ｎの切断素子の各々の両端にも第１，第２の非金属抵抗素子が存在する。このような場合であっても、切断素子の切断により終端抵抗の設計値Ｍに精度よく近づけることができる。

本発明に係る集積回路装置では、前記第１〜第ｎの切断素子の各々の一端に接続された前記第１の非金属抵抗素子の抵抗値の桁数に対して、前記第１〜第Ｎの抵抗素子の各抵抗値を２桁以上大きな抵抗値とすることができる。

こうすると、前記第１〜第ｎの切断素子の一端に接続された第１の非金属抵抗素子の値は、第１〜第Ｎの抵抗素子の値に対して充分小さくなり、第１〜第ｎの切断素子の一端に接続された抵抗の抵抗値の影響を充分に小さくすることができる。また、第１〜第Ｎの抵抗素子の長さＬや幅Ｗを大きくできるので、素子の絶対的特性が理論値と合いやすく、それによっても終端抵抗の抵抗値精度を上げることができる。

本発明に係る集積回路装置では、前記第１〜第ｎの切断素子の各々の他端が共通接続された前記非金属配線層により前記第２の非金属抵抗素子を形成することができる。

こうすると、第２の非金属抵抗素子の面積はＮ個の第１の非金属抵抗素子の個々の面積よりも充分に大きくでき、これにより、第２の非金属抵抗素子の抵抗値を、前記第１〜第Ｎの抵抗素子の各抵抗値よりも充分に小さくできる。結果として、終端抵抗の調整に対して、第２の非金属抵抗層の存在を実質的に無視できる。

本発明に係る集積回路装置では、前記第１〜第ｎの切断素子が接続されない（Ｎ−ｎ）本の並列ラインに、前記第１の非金属抵抗素子と設計上で同じ抵抗値を有する第３の非金属抵抗素子を接続することができる。

第１の非金属抵抗素子の影響が無視できない場合、ヒューズ素子が接続されていない並列ラインに、第３の非金属抵抗素子を設ければ、ライン間での抵抗値のばらつきをより小さくできる。

本発明に係る集積回路装置は、前記第１〜第ｎの切断素子の一つをそれぞれ有するｎ本の並列ラインと、残りの（Ｎ−ｎ）本の並列ラインとを有し、前記Ｎ本の並列ラインの配列ピッチは、前記（Ｎ−ｎ）本の配列ピッチよりも大きく、前記第１〜第Ｎの抵抗素子のうち、前記第１〜第ｎの切断素子にそれぞれ直列接続されるｎ個の抵抗素子間には、前記第１〜第ｎの切断素子に接続されないダミー抵抗素子が形成されてもよい。

こうすると、第１〜第Ｎの抵抗素子、スペア抵抗素子及びダミー抵抗素子の配列ピッチを一定とすることができ、各抵抗素子のパターニング精度が向上して、抵抗値のばらつきを低減できる。

本発明に係る集積回路装置内の抵抗素子とは、終端抵抗以外のものにも適用できる。例えば、本発明に係る集積回路装置では、前記抵抗素子の一端は、前記第１及び第２のバンプに接続された配線に接続され、前記抵抗素子の他端を、前記第３及び第４のバンプに接続された電源線に接続してもよい。その具体的態様として、前記配線が、差動信号線対の一方であり、前記抵抗素子を、前記差動信号線対の一方と前記電源線との間に接続されたプルダウン抵抗とすることができる。あるいは、前記抵抗素子を、前記差動信号線対の一方と前記電源線との間に接続されたプルアップ抵抗としてもよい。

本発明に係る電子機器は、上述した集積回路装置と、前記集積回路装置の前記第１〜第４のバンプと接続される配線パターンが形成された基板とを含んで構成できる。集積回路内の抵抗素子の抵抗値の精度が高いので、電子機器としての信頼性が向上する。

以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成のすべてが本発明の必須構成要件であるとは限らない。なお、以下の図において同符号のものは同様の意味を表す。

１．表示ドライバ
図１（Ａ）は、表示ドライバ２０（広義には集積回路装置）が実装された表示パネル１０を示す。本実施形態では、表示ドライバ２０や、表示ドライバ２０が実装された表示パネル１０を小型電子機器（図示せず）に搭載することができる。小型電子機器には例えば携帯電話、ＰＤＡ、表示パネルを有するデジタル音楽プレーヤー等がある。表示パネル１０は例えばガラス基板１０Ａ上に複数の表示画素が形成される。その表示画素に対応して、Ｙ方向に伸びる複数のデータ線（図示せず）及びＸ方向に伸びる走査線（図示せず）が表示パネル１０に形成される。本実施形態の表示パネル１０に形成される表示画素は液晶素子であるが、これに限定されず、ＥＬ（Electro-Luminescence）素子等の発光素子であってもよい。また、表示画素はトランジスタ等を伴うアクティブ型であっても、トランジスタ等を伴わないパッシブ型であっても良い。例えば、表示領域１２にアクティブ型が適用された場合、液晶画素はアモルファスＴＦＴであっても良いし、低温ポリシリコンＴＦＴであっても良い。

表示ドライバ２０のサイズは、Ｘ方向の長さＣＸ、Ｙ方向の長さＣＹに設定される。そして、長さＣＸである表示ドライバ２０の長辺ＩＬは、表示領域１２の表示ドライバ２０側の一辺ＰＬ１と平行である。即ち、表示ドライバ２０は、その長辺ＩＬが表示領域１２の一辺ＰＬ１と平行になるように表示パネル１０に実装される。

図１（Ｂ）は表示ドライバ２０サイズを示す図である。長さＣＹである表示ドライバ２０の短辺ＩＳと表示ドライバ２０の長辺ＩＬの比は、例えば１：９〜１：１１と、その長辺ＩＬに対して、その短辺ＩＳが非常に短く設定される。このように細長い形状に形成することで、表示ドライバ２０のＹ方向のチップサイズを極限まで小さくすることができる。

また、図１（Ａ）によると、表示領域１２のＸ方向の長さＬＸは表示ドライバ２０のＸ方向の長さＣＸと等しい。特に図１（Ａ）に限定はされないが、このように長さＬＸ及び長さＣＸが等しく設定されるのが好ましい。その理由として、図２（Ａ）を示す。

図２（Ａ）に示す表示ドライバ２２は方向Ｘの長さがＣＸ２に設定されている。この長さＣＸ２は、表示領域１２の一辺ＰＬ１の長さＬＸよりも短いため、図２（Ａ）に示すように、表示ドライバ２２と表示領域１２とを接続する複数の配線を方向Ｙに平行に設けることができない。このため、表示領域１２と表示ドライバ２２との距離ＤＹ２を余分に設ける必要がある。これは表示パネル１０のガラス基板１０Ａのサイズを無駄に要するため、コスト削減を妨げる。そして、より小型の電子機器に表示パネル１０を搭載する場合、表示領域１２以外の部分が大きくなり、電子機器の小型化の妨げにもなる。

これに対して、図２（Ｂ）に示すように本実施形態の表示ドライバ２０は、その長辺ＩＬの長さＣＸが表示領域１２の一辺ＰＬ１の長さＬＸに一致するように形成されているため、表示ドライバ２０と表示領域１２との間の複数の配線を方向Ｙに平行に設けることができる。これにより、表示ドライバ２０と表示領域１２との距離ＤＹを図２（Ａ）の場合に比べて短くすることができる。さらに、表示ドライバ２０のＹ方向の長さＩＳが短いので、表示パネル１０のガラス基板１０ＡのＹ方向のサイズが小さくなり、電子機器の小型化に寄与できる。

なお、本実施形態では、表示ドライバ２０の長辺ＩＬの長さＣＸが、表示領域１２の一辺ＰＬ１の長さＬＸに一致するように形成されるが、これに限定されない。例えば、表示ドライバ２０の長辺ＩＬは、表示領域１２の一辺ＰＬ１の長さＬＸより長く設定されても同様の効果を奏する。

図３に示すように、表示ドライバ２０の２つの長辺ＩＬに沿って入力パッド領域３０及び出力パッド領域４０が設けられている。さらに、表示ドライバ２０は、長辺ＩＬに沿ったＸ方向の中央領域であって、入力パッド領域３０の内側領域に高速シリアルインターフェース回路（広義にはインターフェース回路）５０を有する。このような配置とした理由は、高速シリアルインターフェース回路５０に入力されるデータ信号が重要であるからである。高速シリアルインターフェース回路５０が長辺ＩＬの中央領域にあれば、それに接続されるパッドも長辺ＩＬの中央領域に配置される。本実施形態では、パッドにはバンプが形成され、ガラス基板上のパターンに導電性接着剤を介して接続される。表示ドライバ２０の長辺ＩＬの中央領域はバンプの接触性は両端領域よりも良好であり、接触不良に伴いデータ信号が欠損することがない。

２．高速シリアルインターフェース回路
図４は、高速シリアルインターフェース５０及びそれに対応する入力パッド領域３０の拡大平面図である。高速シリアルインターフェース回路５０には、表示ドライバ２０の長辺ＩＬの中央領域にバイアス回路６０が設けられ、例えばバイアス回路６０の両側に２つずつ、計４つの第１〜第４の受信回路６２，６４，６６，６８が設けられている。第１〜第４の受信回路６２〜６８には、バイアス回路６０より定電圧が供給される。

入力パッド領域３０は、長辺ＩＬの中央領域が差動信号入力領域７０であり、その両側が第１及び第２の電源入力領域７２，７４である。

入力パッド領域３０には、第１〜第４の受信回路６２〜６８の各々に対応して４つずつ、例えば第１の受信回路６２に対応して４つのバンプ８０，８２，８４，８６が設けられ、計１６個のバンプが設けられている。本実施形態では、第１〜第４の受信回路６２〜６８は差動信号対（ＤＰ，ＤＭ）の受信回路である。第１の受信回路６２にはバンプ８０〜８６を介して第１の差動信号対（ＤＰ１，ＤＭ１）が入力され、第２の受信回路６４には第２の差動信号対（ＤＰ２，ＤＭ２）が入力され、第３の受信回路６６には第３の差動信号対（ＤＰ３，ＤＭ３）が入力され、第４の受信回路６８には第４の差動信号対（ＤＰ４，ＤＭ４）が入力される。なお、第２の差動信号対（ＤＰ２，ＤＭ２）はクロック用差動信号対（ＣＫＰ，ＣＫＭ）である。

隣合う一対のバンプ、例えばバンプ８０，８２は、図５に示すように、パッシベーション膜１１０に設けられた開口１１２，１１４にて露出する、最上層の金属層（本実施形態では第５層金属）１２０に設けられ２つのパッド１２２，１２４（広義には第１及び第２パッドまたは差動信号入力パッド）上に例えばＡｕ等にて形成されている。この一対のバンプ８０，８２は金属層１２０で導通されたダブルバンプであり、本実施形態では第１の差動信号対（ＤＰ１，ＤＭ１）の一方の差動信号ＤＭ１が共通入力される。

他の各一対のバンプも同様に導通されたダブルバンプを構成し、それぞれに共通信号が入力される。

これらの差動信号対のためのバンプの両側に、アナログ用ＶＳＳ電源（ＡＶＳＳ：広義には第１電源電圧）のための各一対のバンプが設けられている。この一対のバンプは、図示しない第１電源電圧入力パッドに接続されている。さらにそれらの外側にアナログ用ＶＤＤ電源（ＡＤＶＶ：広義には第２電源電圧）のための各一対のバンプが設けられている。この一対のバンプも、図示しない第２電源電圧入力パッドに接続されている。電源入力領域７２では、アナログ用ＶＤＤ電源のための各一対のバンプの外側にはテスト信号ＴＥのためのバンプが設けられている。電源入力領域７２，７４の両端部側には、ロジック用ＶＤＤ電源（ＤＶＤＤ：広義には第２電源電圧）のための各一対のバンプが設けられ、この一対のバンプも、図示しない第２電源電圧入力パッドに接続されている。さらにその外側にロジック用ＶＳＳ電源（ＤＶＳＳ：広義には第１電源電圧）のための各一対のバンプが設けられている。この一対のバンプは、図示しない第１電源電圧入力パッドに接続されている。

このように、差動信号のためのバンプをダブルバンプとすることで、差動信号ライン途中の接触抵抗を下げて低インピーダンスとすることができ、差動信号の遅延、信号なまりを防止できる。加えて、ダブルバンプとすることで、後述する通り電流供給端子と電圧測定端子とでバンプを使い分けた四端子法を用いて、終端抵抗を高精度で測定することができる。

図６は、表示パネル１０が形成されるガラス基板（広義には基板）１０Ａに表示ドライバ２０を搭載し、表示ドライバ２０とホスト（図示せず）とをフレキシブル印刷回路基板ＦＰＣにて接続した状態を模式的に図示している。なお、図４ではダブルバンプを採用したが、図６では説明の便宜上シングルバンプを採用した時のパターンを示しており、かつ、図６ではＶＤＤ，ＶＳＳについてアナログ用、ロジック用で分けずにアナログ用ＶＤＤ，ＶＳＳのみ図示した。

図６に示すように、図４のようなバンプ配列を採用した結果、ガラス基板１０Ａ及びフレキシブル印刷回路基板ＦＰＣ上の各配線パターンでは、４組の差動信号対の信号線は、一定電位の電源線、図６では２本のＶＳＳ電源線に挟まれて配置されることになる。ここで、ガラス基板１０Ａ上に形成される配線パターンは、単一層しか実現できないので、異なるパターンは交差できず、表示ドライバ２０のパッド配列に従ったパターン配列とせざるを得ない。しかも、ガラス基板１０Ａ上ではマイクロストリップのように多層配線は不可能である。

本実施形態の高速シリアルインターフェース回路５０に入力される差動信号の信号振幅は小さく、シリアル転送による高速化により外部ノイズの影響を受けやすい。しかし、図６に示すように、４組の差動信号線対の両側にＶＳＳ電源線（ダブルパッドの場合は両側に各２本のＶＳＳ電源線）を配置することにより、差動信号線対をその両側のＶＳＳ電源線によりシールドすることができる。この結果、外部ノイズとしてＥＭＩノイズ対策ができる他、電界の遮蔽効果による電圧性ノイズ対策と、磁界の遮蔽効果による電流性ノイズ対策とを実現することかできる。

３．終端抵抗
図４に示す第１〜第４の受信回路６２〜６８の各々は、図７に示すように、ＤＰ信号線１３４とＤＭ信号線１３６が接続された差動コンパレータ１３０を有し、ＤＭ信号線１３４及びＤＰ信号線１３６間には終端抵抗１３２を有する。この終端抵抗１３２は、例えば規格上１００Ωの絶対値精度が求められる。終端抵抗とは、配線の終端に取り付けられる抵抗であって、終端での信号の反射（不要反射）を防止して、信号波形の乱れを防止するものである。つまり、終端抵抗は、信号源インピーダンスと負荷インピーダンスとのマッチングを行うものである。

図８に、例えば１００Ωの絶対値精度が求められる終端抵抗１３２の回路構成例を示す。図８に示すように、終端抵抗１３２は、ヒューズ領域１３２Ａ、終端抵抗領域１３２Ｂ及び非ヒューズ領域１３２Ｃを有する。終端抵抗領域１３２Ｂには、ＤＰ信号線１３４とＤＰ信号線１３６との間に並列接続された第１〜第Ｎの抵抗素子１４０−１〜１４０−Ｎを有する。このうち、第１〜第ｎ（１≦ｎ＜Ｎ）抵抗素子１４０−１〜１４０−ｎの各々には第１〜第ｎのヒューズ素子（広義には切断素子）１４２−１〜１４２−ｎが接続されている。

ここで、終端抵抗１３２の設計上の抵抗値をＭΩとし、第１〜第Ｎの抵抗素子の各抵抗値の設計値をＬΩとしたとき、Ｌ／Ｎ＜Ｍ＜Ｌ／（Ｎ−ｎ）が成立する。

例えば、終端抵抗１３２の設計上の抵抗値Ｍ＝１００Ωとし、第１〜第Ｎの抵抗素子１４０−１〜１４０−Ｎの設計上の各抵抗値Ｌ＝２０００Ωとしたとき、Ｎ＝２５、ｎ＝１０とされる。この場合、Ｌ／Ｎ＝８０＜Ｍ＝１００＜Ｌ／（Ｎ−ｎ）＝１３３．３となり、上記不等式が成立する。

ここで、第１〜第ｎのヒューズ素子１４２−１〜１４２−ｎは、終端抵抗調整時にレーザトリミングが実施できるように、最上層の金属層（本実施形態では第５層金属）に形成されるが、後述する図１０の通り第１〜第ｎのヒューズ素子１４２−１〜１４２−ｎの周囲には、平面視にて環状の第１層〜第５層金属層を重ねてなる環状金属配線１６０（図８では図示せず）が配置される。従って、この環状金属配線１６０を避けてその内側のヒューズ素子１４２−１〜１４２−ｎから外側に配線を引き出すために、冗長な配線が不可欠と成る。この冗長な配線とは、図９に示すように、第１〜第ｎのヒューズ素子１４２−１〜１４２−ｎの各々の一端が、第１〜第４のビア１４８−１〜１４８−４を介して、ポリシリコン層（広義には非金属配線層）１４４に接続されることを意味する。このポリシリコン層１４４は抵抗層として機能することになる。

このような理由により、第１〜第ｎのヒューズ素子１４２−１〜１４２−ｎの各々の両端には、図８に示すように、ポリシリコン抵抗素子（広義には第１の非金属抵抗素子）１４４Ａ及びポリシリコン抵抗素子（広義には第２の非金属抵抗素子）１４４Ｂが存在する。従って、並列ラインの各々には、２０００Ω＋ポリシリコン抵抗値が存在することになる。加えて、各並列ライン間では、第１〜第Ｎの抵抗素子１４０−１〜１４０−Ｎ及びポリシリコン抵抗１４４Ａ，１１４Ｂの各抵抗値に、製造上のばらつきがあるし、各並列ラインは寄生抵抗も有する。

以上の理由により、並列接続された第１〜第Ｎの抵抗素子１４０−１〜１４０−Ｎの各抵抗値の設計値Ｌ＝２０００Ωとした時、何本かのヒューズ素子を切断して、計２０本の抵抗素子１４０−１〜１４０−２０を用いたとしても、常に終端抵抗１３２の抵抗値Ｍ＝１００Ωとなるとは限らない。このため、本実施形態では例えばＮ＝２５個の並列接続された第１〜第Ｎの抵抗素子１４０−１〜１４０−Ｎのうち、例えばｎ＝１０個の抵抗素子にヒューズ素子を一つずつ直列接続し、終端抵抗１３２の抵抗値を測定しながら、ｎ個のうちのいずれかのヒューズ素子を切断して、終端抵抗１３２の抵抗値を調整できるようにした。

第１〜第Ｎの抵抗素子１４０−１〜１４０−Ｎの抵抗値の設計値の下限は、第１〜第ｎのヒューズ素子１４２−１〜１４２−ｎの各々の両端側のトータルのポリシリコン抵抗値（本実施形態では十数Ω）をほとんど無視できる大きさに設定されることが望ましい。第１〜第Ｎの抵抗素子１４０−１〜１４０−Ｎの抵抗値の設計値の上限は、並列接続数Ｎとの関係で設定され、数Ｎが大きいと第１〜第Ｎの抵抗素子１４０−１〜１４０−Ｎの配置領域も広がる。本実施形態ではその両者を考慮し、第１〜第ｎのヒューズ素子１４２−１〜１４２−ｎの各々の一端のポリシリコン抵抗値（例えば１６．５Ω）の桁数（１０の桁）よりも、第１〜第Ｎの抵抗素子１４０−１〜１４０−Ｎの抵抗値の設計値を２桁大きい１０００の桁の抵抗値として、例えば２０００Ωとしている。もちろん、第１〜第Ｎの抵抗素子１４０−１〜１４０−Ｎの配置領域を確保できるのであれば、第１〜第Ｎの抵抗素子１４０−１〜１４０−Ｎの抵抗値の設計値を１６．５Ωよりも２桁以上の値とすることもできる。

図１０は、終端抵抗１３２のパターンレイアウトの一例を示し、図１１はその等価回路を示している。各図において、ＤＭ信号線１３４及びＤＰ信号線１３６間のＮ本の並列ラインの各々には、抵抗ＲＡ，ＲＢ，ＲＣが直列接続されている。抵抗ＲＡ，ＲＢは、図８の第１〜第Ｎの抵抗素子１４０−１〜１４０−Ｎの各々を構成する。つまり、ＲＡ＋ＲＢ＝１０００Ω＋１０００Ω＝２０００Ωの設計値となっている。一方、抵抗ＲＣ（例えば、抵抗値＝１６．５Ω）は図８のポリシリコン抵抗１４４Ａを構成する。本実施形態では、抵抗ＲＤがｎ本のヒューズ素子１４２−１〜１４２−ｎの一端に共通して接続されている。この抵抗ＲＤの抵抗値はわずかであるので（例えば０．３Ω）、第１〜第ｎのヒューズ素子１４２−１〜１４２−ｎが接続されない（Ｎ−ｎ）本の並列ラインには抵抗ＲＤが設けられていない。なお、Ｎ本の並列ラインは、ｎ本のヒューズ素子１４２−１〜１４２−ｎを除いて、全てのラインで同一の抵抗値をもつようにレイアウトされ、同一の工程により製造されている。

図１０及び図１１では、図８には示されていないｋ（ｋは自然数で例えばｋ＝５）本のスペアライン１５０が設けられ、このｋ本のスペアライン１５０の一端は、図１１に示すようにＤＰ配線１３２には接続されていない。なお、このｋ本のスペアライン１５０の各々は、ＤＰ配線１３２に接続されない点を除いて、ヒューズ素子を有するｎ本の並列ラインの各々と全く同一の構成を有する。

図１０において、多数の抵抗ＲＡ，ＲＢがそれぞれ、Ｘ方向に沿って等ピッチで配列されている。抵抗ＲＡの数は、ｋ本のスペアライン１５０を含めた並列ライン数（Ｎ＋ｋ）よりも多い。この理由は以下の通りである。（ｎ＋ｋ）個のヒューズ素子１４２−１〜１４２−ｎの配列ピッチＰ１は、ヒューズ素子のない並列ラインの配列ピッチＰ２よりも大きい。よって、並列ライン数（Ｎ＋ｋ）個と対応する数の抵抗ＲＡ，ＲＢを設けると、（ｎ＋ｋ）個のヒューズ素子１４２−１〜１４２−ｎに接続される抵抗ＲＡ，ＲＢの配設領域では配列ピッチが疎となり、それ以外の（Ｎ−ｎ）本の並列ラインに接続される抵抗ＲＡ，ＲＢの配設領域では、配列ピッチが密となる。このようにすると、抵抗ＲＡ，ＲＢのパターニング精度が悪化し、並列ライン間での抵抗値のばらつきが大きくなる。このため、本実施形態ではピッチＰ１はピッチＰ２の整数倍、例えばＰ１＝２×Ｐ２とし、等間隔で配列される抵抗ＲＡ，ＲＢの一部を、配線されないダミー抵抗素子１４６とした。これにより、抵抗ＲＡ，ＲＢをそれぞれ１０００Ωの設計値に比較的精度高く設定した。

ここで、Ｙ方向に延びるＤＰ配線１３２と接続されてＸ方向に延びるＤＰ配線１３２Ａと抵抗ＲＡとはビアにて接続されるが、ダミー抵抗素子１４６とＤＰ配線１３２との間にビアを設けなければ、図１１の等価回路図の通りｋ本のスペアライン１５０を実現できる。必要に応じて、製造工程にてｋ本のスペアライン１５０のいずれかとＤＰ配線１３２Ａとの間にビアを設ければ、並列ラインの数を変更することが可能となる。この並列ラインの数の変更は、サンプル段階、あるいは量産工程の前のパイロット工程などの量産に先行して行なわれる工程にて行なうことができる。

（ｎ＋ｋ）本のヒューズ素子１４２−１〜１４２（ｎ＋ｋ）の周囲には、第１層〜第５層の金属層で形成される環状金属配１６０が設けられ、ヒューズ領域の吸湿性の改善によりヒューズ素子を切断し易くしている。このため、（ｎ＋ｋ）本のヒューズ素子１４２−１〜１４２（ｎ＋ｋ）の各一端には、環状金属配線１６０の下層のポリシリコン層１６２（広義には非金属配線層）により抵抗素子（広義には第１の非金属抵抗素子）ＲＣが形成されている。（ｎ＋ｋ）本のヒューズ素子１４２−１〜１４２（ｎ＋ｋ）の各他端には、環状金属配線１６０の下層の広面積のポリシリコン層（広義には非金属配線層）１６４により抵抗素子（広義には第２の非金属抵抗素子）ＲＤが形成されている。ポリシリコン層１６４は、Ｘ方向に延びるＤＭ配線１３６に接続されてＹ方向に延びるＤＭ配線１３６Ａと、ビアを介して接続されている。

図１０に示す終端抵抗領域１３２Ｂには同様に環状配線１７０が、非ヒューズ領域１３２Ｃには環状配線１７２が設けられる。非ヒューズ領域１３２Ｃにおいては、ヒューズ領域１３２Ａと同じくポリシリコン層（広義には非金属配線層）で形成される抵抗素子（広義には第３の非金属抵抗素子）ＲＣが設けられ、その一端はビアを介してＤＭ配線１３６Ａに接続されている。

４．終端抵抗の調整方法
図７を用いて、四端子法による例えば第１の受信回路６０の終端抵抗１３２の測定方法について説明する。第１の受信回路６０のための４つのバンプ８０〜８６（広義には第１〜第４のバンプ）に第１〜第４のプローブ針２００〜２０３の各１本をそれぞれを接触させる。第１，第４のプローブ針２００，２０３には電流源２１０が接続される。電流源２１０からの電流Ａは、第４のプローブ針２０３→パッド８６→パッド８４→ＤＰ配線１３４→終端抵抗１３２→ＤＭ配線１３６→バンプ８２→バンプ８０→第１のプローブ針２００へと流れる。このとき、終端抵抗１３２での降下電圧Ｖが、パッド８２，８４及び第２，第３のプローブ針２０１，２０２介して電圧計２２０にて計測される。よって、終端抵抗１３２の抵抗値Ｒ＝Ｖ／Ａにより求められる。特に、電流Ａを実動作時と同じ３ｍＡ程度に設定して、終端抵抗１３２の抵抗値を精度よく測定できる。

これに対して、図１２に示す二端子法では、一つの端子が電流供給端子と電圧測定端子とに兼用される。この二端子法では、電圧計２２０を含む測定系に電流が流れるので、電圧計２２０での電圧測定に測定系の抵抗を考慮する必要がある。さらに、二端子法では、実動作時にデバイスで流す電流１．５〜３ｍＡ等のミリオーダの電流を流せず、実動作時の電流での電圧測定ができなかった。仮に、図１２のように２つのバンプの各一つに無理矢理２本のプローブ針を当てようとしても、その２本のプローブ針同士が接触して四端子法での測定は実現不可能であった。

終端抵抗１３２の調整として、例えば、第１〜第ｎのヒューズ素子１４２−１〜１４２−ｎの何れも切断しない状態で、終端抵抗１３２の抵抗値を測定する。この場合、終端抵抗１３２の測定値は明らかに調整値である１００Ω以上となる。そこで、調整値と測定値との差に基づいて、第１〜第ｎのヒューズ素子１４２−１〜１４２−ｎのいずれかを１本または複数本をレーザトリミングにより切断する。本実施形態ではＮ＝２５本の並列ラインの各抵抗値はほぼ２０００オームであるため、１本の並列ラインあたりの調整幅は４％であり、これを基準として何本のヒューズ素子を切断すればよいか判断できる。

つまり、図１０に示す終端抵抗領域１３２Ｂの各ラインの抵抗素子は同一の工程により製造されるので、バラツキが少なく、ロット間でバラツキがあったとしてもロット内では安定する。従って、終端抵抗を測定した結果に基づいて、ヒューズ素子の有無別に１ライン当たりの抵抗値を算出でき、目標とする終端抵抗値を得るためにはヒューズ素子を何本切断すべきかを容易に計算できる。

なお、終端抵抗の調整をヒューズ等の切断素子に代えて金属配線用マスクにより行なうこともできる。サンプル段階、あるいは量産工程の前のパイロット工程などの量産に先行して行なわれる工程にて、製品の終端抵抗を測定し、その測定値に基づいて、ヒューズに置き換えた箇所の金属配線を、金属配線用マスクにて接続または切断することで、終端抵抗を調整しても良い。回路規模は大きくなるものの、ヒューズ切断工程を伴わずに金属配線用マスク１枚で調整できる。また、金属配線用マスクで終端抵抗を調整することで、スループットが向上し、工程変動への対応もし易い。ただし、サンプルあるいは量産に先行するロットの抵抗値に基づく調整であるので、ヒューズカットによる調整と比較すると、抵抗調整の精度は劣る。

５．変形例
上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項及び効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。したがって、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書または図面において、少なくとも一度、より広義又は同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書または図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。

本発明に係るインターフェース回路は、上述した液晶ドライバＩＣ内のインターフェース回路に限定されない。また、本発明のインターフェース回路は、ＵＳＢやＩＥＥＥ１３９４、あるいはＯＴＧに適用することもできる。

ここで、図１３に図６のバンク配列の変形例を示す。入力パッド領域３０には、一対の差動信号が入力される第１及び第２差動信号（ＤＰ，ＤＭ）のバンクをそれぞれ備えた複数例えば２つの差動信号領域３００，３０２が設けられている。この２つの差動信号領域３００，３０２の間にある第１の電源入力領域３１０には、ＶＳＳ電源電圧（広義には第１電源電圧）のためのバンプのみが設けられている。インターフェース回路５０の一辺に沿った方向の両端部に位置する２つの第２の電源入力領域３１２，３１４には、ＶＳＳ電源電圧が入力されるバンプ（広義には第１電源入力バンプ）と、ＶＤＤ電源電圧（広義には第２電源電圧）が入力されるバンプ（広義には第２電源入力バンプ）とが設けられている。

こうすると、例えば一対の差動信号（ＤＰ１，ＤＭ１）の両側に必ず第１，第２の電源入力領域３１０，３１２が存在するので、複数の一対の差動信号（ＤＰ１，ＤＭ１とＤＰ２，ＤＭ２）間でのクロストークを防止できる。加えて、この表示ドライバ２０が搭載されるガラス基板１０Ａ上にて、少なくとも一対の差動信号（ＤＰ，ＤＭ）に対する特性インピーダンスの調整を、ＶＳＳ電源電圧のためのＶＳＳ配線を利用して行なうこともできる。つまり、一対の差動信号（ＤＰ，ＤＭ）に対する特性インピーダンスは、差動信号線とＶＳＳ配線との間のスペース、差動信号線と隣接するＶＳＳ配線の厚さや幅によって調整することができる。

図１４は、図７とは異なるタイプの受信回路のプルダウン抵抗３２０の測定の一例を示している。この場合は、電流源２１０からの電流Ａはプローブ針２０３→バンク３３０→プルダウン抵抗３２０→接地端と流れる。この際、電流源２１０が接地端子を内蔵していれば、プローブ針２００のコンタクトは必ずしも必要ではないが、ＶＳＳ電源用のバンク３３６にコンタクトしておくと、接地インピーダンス合わせとなり、測定精度は高まる。この電流Ａによる降下電圧Ｖの測定は、電圧計２２０をプローブ針２０１，２０２を介してプルダウン抵抗３２０に接続することで行なわれる。

全く同様にして、プルアップ抵抗を測定することも可能である。図１５は受信回路のプルアップ抵抗３５０の測定の一例を示している。この場合は、電流源２１０からの電流Ａはプローブ針２００→バンク３６０→プルアップ抵抗３５０→バンク３６６→プローブ針２０３→電流源２１０へと流れる。この電流Ａによる降下電圧Ｖの測定は、電圧計２２０をプローブ針２０１，２０２を介してプルアップ抵抗３５０に接続することで行なわれる。

なお、必要があれば、上述したプルダウン抵抗、プルアップ抵抗等の抵抗素子を、上述した終端抵抗と同様に、その抵抗値を調整可能な構造としておくこともできる。

図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、本実施形態に係る集積回路装置を示す図である。 図２（Ａ）は本実施形態に係る比較例の一部を示す図であり、図２（Ｂ）は本実施形態に係る集積回路装置の一部を示す図である。 本実施形態に係る集積回路装置の一部の平面レイアウトを示す図である。 図３に示す高速シリアルインターフェース回路及びそれに対応する入力パッド領域の拡大平面図である。 図４に示すダブルバンプの断面図である。 表示ドライバが搭載されるガラス基板とフレキシブル印刷回路基板との配線パターンを示す図である。 終端抵抗を備えた受信回路と、その終端抵抗を測定する四端子法を示す図である。 図７に示す終端抵抗の回路構成例を示す図である。 図８に示すヒューズの一端を示す断面図である。 図８に示す終端抵抗の平面レイアウト図である。 図１０に示す終端抵抗の回路図である。 終端抵抗を測定する二端子法の概略説明図である。 図６のバンプ配列の変形例を示す図である。 図７の変形例としてプルダウン抵抗の測定を説明するための図である。 図７の変形例としてプルアップ抵抗の測定を説明するための図である。

符号の説明

１０ 集積回路装置、２０ 表示ドライバ、３０ 入力パッド領域、５０ 高速シリアルインターフェース、６２〜６８ 第１〜第４の受信回路、７０ 差動信号入力領域、７２ 第１の電源入力領域、７４ 第２の電源入力領域、８０，８２，８４，８６ 第１〜第４のバンプ、１２２，１２４ ２つの第１のパッド、１３０ 差動コンパレータ、１３２ 終端抵抗、１４０−１〜１４０−Ｎ 第１〜第Ｎの抵抗素子、１４２−１〜１４２−ｎ 第１〜第Ｎの切断素子、１４４ 非金属配線層、１４４Ａ，１６２，ＲＣ 第１の非金属抵抗素子、１４４Ｂ，１６４，ＲＤ 第２の非金属抵抗素子、１４６ ダミー抵抗素子、１６０ 環状配線、２００〜２０３ 第１〜第４のプローブ針、２１０ 電流源、２２０電圧計、３２０ プルダウン抵抗、３３０ プルアップ抵抗、ＲＡ，ＲＢ 第１〜第Ｎの抵抗素子、ＲＣ 第３の非金属抵抗素子

Claims (15)

1. 抵抗素子の一端と導通している第１のバンプに第１のプローブ針を接触させ、前記抵抗素子の前記一端と導通している第２のバンプに第２のプローブ針を接触させ、
   前記抵抗素子の他端と導通している第３のバンプに第３のプローブ針を接触させ、前記抵抗素子の前記他端と導通している第４のバンプに第４のプローブ針を接触させ、
   前記第１及び第２のプローブ針の一方に電流源を接続し、その他方に電圧計を接続し、前記第３及び第４のプローブ針の一方に前記電流源を接続し、その他方に前記電圧計を接続し、
   前記抵抗素子に通電された電流値と前記電圧計で測定された電圧値に基づいて前記抵抗素子の抵抗値を測定することを特徴とするバンプを有する集積回路装置内の抵抗値測定方法。
2. 抵抗素子の一端と導通している第１のバンプに第１のプローブ針を接触させ、前記抵抗素子の前記一端と導通している第２のバンプに第２のプローブ針を接触させ、
   前記抵抗素子の他端と導通している第３のバンプに第３のプローブ針を接触させ、前記抵抗素子の前記他端と導通している第４のバンプに第４のプローブ針を接触させ、
   前記第１及び第２のプローブ針の一方に電流源を接続し、その他方に電圧計を接続し、前記第３及び第４のプローブ針の一方に前記電流源を接続し、その他方に前記電圧計を接続し、
   前記抵抗素子に通電された電流値と前記電圧計で測定された電圧値に基づいて前記抵抗素子の抵抗値を測定し、
   前記抵抗素子が、互いに並列接続された第１〜第Ｎ（Ｎは２以上の整数）の抵抗素子と、前記第１〜第Ｎの抵抗素子のうちのｎ（１≦ｎ＜Ｎ）個と直列接続された第１〜第ｎの切断素子とを含み、測定された前記抵抗素子の抵抗値に基づいて、前記第１〜第ｎの切断素子の少なくとも一つを切断して、前記抵抗素子の抵抗値を調整することを特徴とするバンプを有する集積回路装置内の抵抗値調整方法。
3. 抵抗素子と、
   前記抵抗素子の一端と導通している第１及び第２のバンプと、
   前記抵抗素子の他端と導通している第３及び第４のバンプと、
   を有することを特徴とする集積回路装置。
4. 請求項３において、
   前記第１及び第２のバンプに接続され、差動信号対の一方が入力される第１の差動信号線と、
   前記第３及び第４のバンプに接続され、前記差動信号対の他方が入力される第２の差動信号線と、
   をさらに有し、
   前記抵抗素子は、前記第１及び第２の差動信号線間に接続された終端抵抗であることを特徴とする集積回路装置。
5. 請求項４において、
   前記終端抵抗は、
   互いに並列接続された第１〜第Ｎ（Ｎは２以上の整数）の抵抗素子と、
   各々が、前記第１〜第Ｎの抵抗素子のうちのｎ（１≦ｎ＜Ｎ）個の各々とそれぞれ直列接続された第１〜第ｎの切断素子と、
   を含むことを特徴とする集積回路装置。
6. 請求項５において、
   前記終端抵抗の設計値をＭΩとし、前記第１〜第Ｎの抵抗素子の各抵抗値の設計値をＬΩとし、Ｌ／Ｎ＜Ｍ＜Ｌ／（Ｎ−ｎ）が成立することを特徴とする集積回路装置。
7. 請求項５または６において、
   前記第１〜第ｎの切断素子の各々は最上層の金属層にて形成され、前記第１〜第ｎの切断素子を平面視で囲んで、最下層の金属層から前記最上層の金属層にて重ねて形成される環状配線が設けられ、前記第１〜第ｎの切断素子の各々の両端には、前記最下層の金属層の下方に位置する非金属配線層により形成される第１，第２の非金属抵抗素子が接続されていることを特徴とする集積回路装置。
8. 請求項７において、
   前記第１〜第ｎの切断素子の各々の一端に接続された前記第１の非金属抵抗素子の抵抗値の桁数に対して、前記第１〜第Ｎの抵抗素子の各抵抗値は２桁以上大きな抵抗値であることを特徴とする集積回路装置。
9. 請求項８において、
   前記第１〜第ｎの切断素子の各々の他端が前記非金属配線層に共通接続され、前記非金属配線層により前記第２の非金属抵抗素子が形成されていることを特徴とする集積回路装置。
10. 請求項９において、
    前記第１〜第ｎの切断素子が接続されない（Ｎ−ｎ）本の並列ラインに、前記第１の非金属抵抗素子と設計上で同じ抵抗値を有する第３の非金属抵抗素子が接続されていることを特徴とする集積回路装置。
11. 請求項５乃至１０のいずれかにおいて、
    前記第１〜第ｎの切断素子の一つをそれぞれ有するｎ本の並列ラインと、残りの（Ｎ−ｎ）本の並列ラインとを有し、前記Ｎ本の並列ラインの配列ピッチは、前記（Ｎ−ｎ）本の配列ピッチよりも大きく、前記第１〜第Ｎの抵抗素子のうち、前記第１〜第ｎの切断素子にそれぞれ直列接続されるｎ個の抵抗素子間には、前記第１〜第ｎの切断素子に接続されないダミー抵抗素子が形成されていることを特徴とする集積回路装置。
12. 請求項３において、
    前記抵抗素子の一端は、前記第１及び第２のバンプに接続された配線に接続され、
    前記抵抗素子の他端は、前記第３及び第４のバンプに接続された電源線に接続されていることを特徴とする集積回路装置。
13. 請求項１２において、
    前記配線は、差動信号線対の一方であり、前記抵抗素子は前記差動信号線対の一方と前記電源線との間に接続されたプルダウン抵抗であることを特徴とする集積回路装置。
14. 請求項１２において、
    前記配線は、差動信号線対の一方であり、前記抵抗素子は前記差動信号線対の一方と前記電源線との間に接続されたプルアップ抵抗であることを特徴とする集積回路装置。
15. 請求項３乃至１４のいずれかに記載の集積回路装置と、
    前記集積回路装置の前記第１〜第４のバンプと接続される配線パターンが形成された基板と、
    を有することを特徴とする電子機器。

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