JP2007015080A - 微小電気機械式装置、およびその作製方法 - Google Patents
微小電気機械式装置、およびその作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007015080A JP2007015080A JP2005200952A JP2005200952A JP2007015080A JP 2007015080 A JP2007015080 A JP 2007015080A JP 2005200952 A JP2005200952 A JP 2005200952A JP 2005200952 A JP2005200952 A JP 2005200952A JP 2007015080 A JP2007015080 A JP 2007015080A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- polycrystalline silicon
- metal
- crystallized
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Micromachines (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明は、絶縁基板上に薄膜でなるシリコン層を用いて微小構造体を形成することを特徴とする。このようなシリコン層は、微小構造体を制御する半導体素子にも適用することができ、これらを絶縁基板上に一体形成することができる。シリコン層は、金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層が好ましい。そして本発明は、このように形成された微小構造体を有するマイクロマシンを提供することができる。
【選択図】図6
Description
第2層と、第4層との間に設けられた空間を有する微小構造体を含むことを特徴とする微小電気機械式装置である。
ことを特徴とする微小電気機械式装置である。
本実施の形態では、本発明の微小構造体およびその作製方法について、図面を用いて説明する。図面において、(A)には上面図を示し、(B)には上面図O−Pにおける断面図を示す。
上記実施の形態で示した、第1の構造層や第2の構造層に適用するシリコン層には、結晶状態を有するもの、非晶質状態を有するものを用いることができる。そこで本実施の形態では、構造層に金属を用いて結晶化された多結晶シリコンを用いる場合について説明する。
さらに、結晶化を促進させる金属、例えばニッケル(Ni)を非晶質半導体層上に形成すると、加熱温度を低減することができ好ましい。金属としては、鉄(Fe)、ルチニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、コバルト(Co)等の金属を用いることもできる。
本実施の形態では、微小構造体と、微小構造体を制御する半導体素子を同一基板上に一体形成する工程について説明する。図面において、上側には上面図を示し、下側には上面図O−Pにおける断面図を示す。
本実施の形態では、上記実施の形態とは異なり、歯車構造を軸で固定した微小構造体について、図3を用いて説明する。図面において、(A)には上面図を示し、(B)には上面図O−Pにおける断面図を示す。
本発明において、微小構造体には様々な性質を持つシリコンやシリコンの化合物を積層させることができる。様々な性質を持つシリコン層は、その結晶状態が非晶質、微結晶、多結晶等のいずれかを選択することによって、強度等の性質が異なるシリコンとなる。さらに多結晶であっても、結晶方向の異動による性質の違いを有するシリコン層となる。このような性質の異なるシリコン層を積層した構造例を以下に示す。
本実施の形態では、上記実施の形態とは異なり、歯車型または櫛歯型の微小構造体を、電極を兼ねた部品を用いて固定し、微小構造体を静電力でつり上げて駆動させる微小構造体について、図7から図9を用いて説明する。図面において、上側には上面図を示し、下側には上面図O−Pにおける断面図を示す。
本実施の形態では、本発明の微小構造体を有する微小電気機械式装置の構成例、およびその作製方法について図面を用いて説明する。
本実施の形態では、上記したような微小構造体の利用形態について説明する。
Claims (32)
- 絶縁表面上に設けられた第1層と、
前記第1の層上に回動自在に設けられ、金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層を含む第2の層と、を有する微小構造体を含む
ことを特徴とする微小電気機械式装置。 - 絶縁表面上に設けられた第1層と、
前記第1の層上に回動自在となるように十字状に設けられ、金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層を含む第2の層と、
前記第1の層上であって前記第2の層の十字の先に設けられ、金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層を含む第3の層と、を有する微小構造体を含む
ことを特徴とする微小電気機械式装置。 - 絶縁表面上に設けられた第1層と、
前記第1の層上に回動自在に設けられ、金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層を含む第2の層と、
前記第1層と、前記第2層との間に設けられた空間と、を有する微小構造体を含む
ことを特徴とする微小電気機械式装置。 - 絶縁表面上に設けられた第1層と、
前記第1の層上に回動自在となるように十字状に設けられ、金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層を含む第2の層と、
前記第1の層上であって前記第2の層の十字の先に設けられ、金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層を含む第3の層と、
前記第1層と、前記第2層との間に設けられた空間と、を有する微小構造体を含む
ことを特徴とする微小電気機械式装置。 - 請求項3又は4において、
前記空間は、前記第1層と第2層との間に設けられた犠牲層を除去することにより設けられた
ことを特徴とする微小電気機械式装置。 - 請求項5において、
前記犠牲層は、金属、金属化合物、シリコン酸化物又はシリコン窒化物を有する層を含み、
前記犠牲層はウエットエッチングまたはドライエッチングにより除去されるため前記多結晶シリコンに対して十分な選択比を持つ
ことを特徴とする微小電気機械式装置。 - 絶縁表面上に設けられた第1層と、
前記第1の層上に回動自在に設けられ、金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層を含む第2の層と、を有し、
前記第2層は前記絶縁表面又は前記第1層に接しない部分を有し、回動自在である微小構造体を含む
ことを特徴とする微小電気機械式装置。 - 絶縁表面上に設けられた第1層と、
前記第1の層上に回動自在に設けられ、金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層を含む第2の層と、
前記第2層上に回動自在に設けられ、金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層を含む第4層と、を有する微小構造体を含む
ことを特徴とする微小電気機械式装置。 - 絶縁表面上に設けられた第1層と、
前記第1の層上に回動自在に設けられ、金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層を含む第2の層と、
前記第2層上に回動自在に設けられ、金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層を含む第4層と、を有し
前記第2層と、前記第4層との間に設けられた空間を有する微小構造体を含む
ことを特徴とする微小電気機械式装置。 - 絶縁表面上に設けられた第1層と、
前記第1の層上に回動自在に設けられ、金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層を含む第2の層と、
前記第2層上に設けられ、金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層を含み、開口部が設けられた第5層と、を有し、
前記第5層上に設けられた属を用いて結晶化された多結晶シリコン層を含む第6層と、を有し、
前記第4層は前記第3層の開口部に位置する軸であり、前記第4層の底面で前記第2層に固定され、且つ前記第4層の上部は、前記第3層に設けられた開口部より大きい面積を有する微小構造体を含む
ことを特徴とする微小電気機械式装置。 - 絶縁表面上に設けられた第1層と、
前記第1の層上に回動自在に設けられ、金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層を含む第2の層と、
前記第2層上に設けられ、金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層を含み、開口部が設けられた第5層と、を有し、
前記第5層上に設けられた属を用いて結晶化された多結晶シリコン層を含む第6層と、を有し、
前記第6層は前記第5層の開口部に位置する軸であり、前記第6層の底面で前記第2層に固定され、且つ前記第6層の上部は、前記第5層に設けられた開口部より大きい面積を有し、
前記第5層は、前記軸によって回動自在である微小構造体を含む
ことを特徴とする微小電気機械式装置。 - 請求項1乃至11のいずれか一において、
前記第2層は、前記多結晶シリコンと、非晶質シリコンとを積層した構造を有する
ことを特徴とする微小電気機械式装置。 - 請求項1乃至12のいずれか一において、
前記第3層は、前記多結晶シリコンと、非晶質シリコンとを積層した構造を有する
ことを特徴とする微小電気機械式装置。 - 請求項11乃至13のいずれか一において、
前記第6層は、前記多結晶シリコンと、非晶質シリコンとを積層した構造を有する
ことを特徴とする微小電気機械式装置。 - 請求項1乃至14のいずれか一において、
前記第2層は、前記多結晶シリコンが積層した構造を有し、
前記多結晶シリコンの結晶方向が異なる
ことを特徴とする微小電気機械式装置。 - 請求項1乃至15のいずれか一において、
前記第3層は、前記多結晶シリコンが積層した構造を有し、
前記多結晶シリコンの結晶方向が異なる
ことを特徴とする微小電気機械式装置。 - 請求項11乃至16のいずれか一において、
前記第4層は、前記多結晶シリコンが積層した構造を有し、
前記多結晶シリコンの結晶方向が異なる
ことを特徴とする微小電気機械式装置。 - 請求項1乃至17のいずれか一において、
前記第1層より下方に下部電極を有する
ことを特徴とする微小電気機械式装置。 - 請求項1乃至18のいずれか一において、
前記結晶化には熱結晶化又はレーザ結晶化が用いられた
ことを特徴とする微小電気機械式装置。 - 請求項1乃至19のいずれか一において、
前記結晶化に用いられる金属は、Ni、Fe、Ru、Rh、Pd、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、及びAuのいずれか1つ又は複数である
ことを特徴とする微小電気機械式装置。 - 絶縁表面上に、非晶質シリコンを有する層を形成し、
前記非晶質シリコンを、金属を用いて結晶化して多結晶シリコンとし、
前記多結晶シリコンを回動自在な構造となるようにパターニングし、
前記前記多結晶シリコンを有する層の上方又は下方に空間を形成する
ことを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。 - 絶縁表面上に、非晶質シリコンを有する層を形成し、
前記非晶質シリコンを、金属を用いて結晶化して多結晶シリコンとし、
前記多結晶シリコンを回動自在な構造となるようにパターニングし、
前記多結晶シリコンを有する層上に導電層又は絶縁層を有する層を形成し、
前記導電層又は絶縁層を有する層を除去する
ことを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。 - 絶縁表面上に、導電層又は絶縁層を有する層を形成し、
前記犠牲層上に非晶質シリコンを有する層を形成し、
前記非晶質シリコンを、金属を用いて結晶化して多結晶シリコンとし、
前記多結晶シリコンを回動自在な構造となるようにパターニングし、
前記導電層又は絶縁層を有する層を除去する
ことを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。 - 絶縁表面上に、第1層を形成し、
前記第1層上に、多結晶シリコンを有する第2層を形成し、
前記第2層上に、導電層又は絶縁層を有する層を形成し、
前記導電層又は絶縁層を有する層上に、非晶質シリコンを有する第3層を形成し、
前記非晶質シリコンを、金属を用いて結晶化して多結晶シリコンとし、
前記多結晶シリコンを回動自在な構造となるようにパターニングし、
前記導電層又は絶縁層を有する層を除去する
ことを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。 - 絶縁表面上に、第1層を形成し、
前記第1層上に、多結晶シリコンを有する第2層を形成し、
前記第2層上に、導電層又は絶縁層を有する層を形成し、
前記導電層又は絶縁層を有する層上に、非晶質シリコンを有する第3層を形成し、
前記非晶質シリコンを、金属を用いて結晶化して多結晶シリコンとし、
前記多結晶シリコンを回動自在な構造となるようにパターニングし、
前記第3層に開口部を形成し、前記開口部を介してエッチング剤を導入して前記導電層又は絶縁層を有する層を除去する
ことを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。 - 絶縁表面上に、第1層を形成し、
前記第1層上に、多結晶シリコンを有する第2層を形成し、
前記第2層上に、導電層又は絶縁層を有する層を形成し、
前記導電層又は絶縁層を有する層上に、非晶質シリコンを有する第3層を形成し、
前記非晶質シリコンを、金属を用いて結晶化して多結晶シリコンとし、
前記多結晶シリコンを回動自在な構造となるようにパターニングし、
前記導電層又は絶縁層を有する層を除去することによって、前記第2層と、前記絶縁表面又は前記第1層とが接していない部分を形成する
ことを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。 - 請求項22乃至26のいずれか一において、
ウエットエッチングまたはドライエッチングにより、前記導電層又は絶縁層を有する層を除去する
ことを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。 - 請求項22乃至27のいずれか一において、
前記導電層又は絶縁層を有する層は、金属、金属化合物、シリコン、シリコン酸化物又はシリコン窒化物を有することを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。 - 請求項21乃至28のいずれか一において、
前記結晶化には熱結晶化又はレーザ結晶化を用いる
ことを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。 - 請求項21乃至29のいずれか一において、
前記金属を前記非晶質シリコンの一部に塗布することによって、選択的に結晶化された多結晶シリコンを形成する
ことを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。 - 請求項21乃至30のいずれか一において、
前記レーザを前記非晶質シリコンの一部に照射することによって、選択的に結晶化された多結晶シリコンを形成する
ことを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。 - 請求項21乃至31のいずれか一において、
前記金属を除去せずに、前記シリコンと前記金属との合金を形成する
ことを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005200952A JP4762621B2 (ja) | 2005-07-08 | 2005-07-08 | 微小電気機械式装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005200952A JP4762621B2 (ja) | 2005-07-08 | 2005-07-08 | 微小電気機械式装置の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007015080A true JP2007015080A (ja) | 2007-01-25 |
JP4762621B2 JP4762621B2 (ja) | 2011-08-31 |
Family
ID=37752667
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005200952A Expired - Fee Related JP4762621B2 (ja) | 2005-07-08 | 2005-07-08 | 微小電気機械式装置の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4762621B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7642114B2 (en) | 2006-07-19 | 2010-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Micro electro mechanical device and manufacturing method thereof |
JP2011500341A (ja) * | 2007-10-15 | 2011-01-06 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 基板上にmems素子を製造する方法 |
JP2011177858A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Toyota Central R&D Labs Inc | Mems構造体とその製造方法 |
JP2012161910A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Nivarox-Far Sa | 複雑な穴開き微細機械部品 |
JP2013219303A (ja) * | 2012-04-12 | 2013-10-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03294396A (ja) * | 1990-04-11 | 1991-12-25 | Shimadzu Corp | マイクロメカニクスの製造方法 |
JPH04317571A (ja) * | 1991-04-16 | 1992-11-09 | Ricoh Co Ltd | 薄膜半導体装置 |
JPH06335265A (ja) * | 1993-05-20 | 1994-12-02 | Sony Corp | マイクロマシンの製造方法 |
JPH07321339A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-12-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JPH097946A (ja) * | 1995-06-26 | 1997-01-10 | Toyota Motor Corp | 多結晶シリコン膜の製造方法 |
JPH1056186A (ja) * | 1996-08-12 | 1998-02-24 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 多結晶シリコン薄膜の製造方法および多結晶シリコン薄膜構造体素子 |
JP2000036599A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法 |
US20020096018A1 (en) * | 2000-08-15 | 2002-07-25 | Rodgers M. Steven | Surface-micromachined rotatable member having a low-contact-area hub |
JP2003295783A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004001201A (ja) * | 2002-04-23 | 2004-01-08 | Sharp Corp | 薄膜状の結晶化処理された機械的装置及びその方法並びにその製造システム |
JP2004347982A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 透過型光変調素子とその製造方法 |
JP2007021713A (ja) * | 2005-06-17 | 2007-02-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、およびその作製方法 |
-
2005
- 2005-07-08 JP JP2005200952A patent/JP4762621B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03294396A (ja) * | 1990-04-11 | 1991-12-25 | Shimadzu Corp | マイクロメカニクスの製造方法 |
JPH04317571A (ja) * | 1991-04-16 | 1992-11-09 | Ricoh Co Ltd | 薄膜半導体装置 |
JPH06335265A (ja) * | 1993-05-20 | 1994-12-02 | Sony Corp | マイクロマシンの製造方法 |
JPH07321339A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-12-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JPH097946A (ja) * | 1995-06-26 | 1997-01-10 | Toyota Motor Corp | 多結晶シリコン膜の製造方法 |
JPH1056186A (ja) * | 1996-08-12 | 1998-02-24 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 多結晶シリコン薄膜の製造方法および多結晶シリコン薄膜構造体素子 |
JP2000036599A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法 |
US20020096018A1 (en) * | 2000-08-15 | 2002-07-25 | Rodgers M. Steven | Surface-micromachined rotatable member having a low-contact-area hub |
JP2003295783A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004001201A (ja) * | 2002-04-23 | 2004-01-08 | Sharp Corp | 薄膜状の結晶化処理された機械的装置及びその方法並びにその製造システム |
JP2004347982A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 透過型光変調素子とその製造方法 |
JP2007021713A (ja) * | 2005-06-17 | 2007-02-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、およびその作製方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7642114B2 (en) | 2006-07-19 | 2010-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Micro electro mechanical device and manufacturing method thereof |
US8030651B2 (en) | 2006-07-19 | 2011-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Micro electro mechanical device and manufacturing method thereof |
US8455928B2 (en) | 2006-07-19 | 2013-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Micro electro mechanical device and manufacturing method thereof |
US8759887B2 (en) | 2006-07-19 | 2014-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Micro electro mechanical device and manufacturing method thereof |
JP2011500341A (ja) * | 2007-10-15 | 2011-01-06 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 基板上にmems素子を製造する方法 |
JP2011177858A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Toyota Central R&D Labs Inc | Mems構造体とその製造方法 |
US8816451B2 (en) | 2010-03-03 | 2014-08-26 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | MEMS structure and manufacturing method thereof |
JP2012161910A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Nivarox-Far Sa | 複雑な穴開き微細機械部品 |
JP2013219303A (ja) * | 2012-04-12 | 2013-10-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4762621B2 (ja) | 2011-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7741687B2 (en) | Microstructure, semiconductor device, and manufacturing method of the microstructure | |
KR101313123B1 (ko) | 미소 구조체 및 그 제조방법 | |
JP4519804B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
US8058145B2 (en) | Micro-electro-mechanical device and manufacturing method for the same | |
US7732241B2 (en) | Microstructure and manufacturing method thereof and microelectromechanical system | |
US9487390B2 (en) | Micromachine and method for manufacturing the same | |
US20060270238A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP4762621B2 (ja) | 微小電気機械式装置の作製方法 | |
TWI401803B (zh) | 微結構、微機械、有機電晶體、電氣設備、及其製造方法 | |
JP5095244B2 (ja) | マイクロマシン、およびその作製方法 | |
JP4907297B2 (ja) | 微小構造体及び微小電気機械式装置の作製方法 | |
JP5127181B2 (ja) | 微小電気機械式装置の作製方法 | |
US8093088B2 (en) | Manufacturing method of micro-electro-mechanical device | |
JP4939873B2 (ja) | 微小電気機械式装置の作製方法 | |
JP5178026B2 (ja) | 微小構造体、半導体装置、及び微小構造体の作製方法 | |
JP5084175B2 (ja) | 微小構造体、およびその作製方法 | |
JP5078324B2 (ja) | 微小電気機械式装置の作製方法 | |
JP4995503B2 (ja) | 微小電気機械式装置の作製方法 | |
JP2007038394A (ja) | 微小構造体、マイクロマシン、有機トランジスタ、並びに電子機器及びこれらの作製方法 | |
JP2007152554A (ja) | 半導体装置 | |
JP5032228B2 (ja) | 微小電気機械式装置、およびその作製方法 | |
JP2009021518A (ja) | 機能性膜のパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080616 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080616 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101102 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110301 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110422 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110607 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110608 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |