JPH097946A - 多結晶シリコン膜の製造方法 - Google Patents
多結晶シリコン膜の製造方法Info
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- JPH097946A JPH097946A JP15915995A JP15915995A JPH097946A JP H097946 A JPH097946 A JP H097946A JP 15915995 A JP15915995 A JP 15915995A JP 15915995 A JP15915995 A JP 15915995A JP H097946 A JPH097946 A JP H097946A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の形成と同時に、追加的熱処
理を付加することなく、片持ち梁状のビームとした場合
に反りが発生しないＰｏｌｙ−Ｓｉ膜を得る。 【構成】非晶質シリコン膜６の成膜終了側の不純物濃度
が成膜開始側の不純物濃度よりも高い状態で熱処理をす
ることにより、この非晶質シリコン膜６を多結晶化す
る。
理を付加することなく、片持ち梁状のビームとした場合
に反りが発生しないＰｏｌｙ−Ｓｉ膜を得る。 【構成】非晶質シリコン膜６の成膜終了側の不純物濃度
が成膜開始側の不純物濃度よりも高い状態で熱処理をす
ることにより、この非晶質シリコン膜６を多結晶化す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、膜厚方向の応力分布
のアンバランスが緩和された多結晶シリコン膜の製造方
法に関する。
のアンバランスが緩和された多結晶シリコン膜の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】多結晶シリコン膜（以下、単にＰｏｌｙ
−Ｓｉ膜という。）の強度や疲労特性等の機械的特性を
評価する場合、評価しようとするＰｏｌｙ−Ｓｉ膜の作
製工程に準じて形成したＰｏｌｙ−Ｓｉ膜から片持ち梁
状のビーム１１０を形成し、このビーム１１０を用いて
機械的特性の評価を行っていた（図９参照）。
−Ｓｉ膜という。）の強度や疲労特性等の機械的特性を
評価する場合、評価しようとするＰｏｌｙ−Ｓｉ膜の作
製工程に準じて形成したＰｏｌｙ−Ｓｉ膜から片持ち梁
状のビーム１１０を形成し、このビーム１１０を用いて
機械的特性の評価を行っていた（図９参照）。
【０００３】ここに、例えば、機械的特性評価の対象と
して、図８に示すサーフィスマイクロマシニング型Ｇ
（加速度）センサのＰｏｌｙ−Ｓｉ膜１０６がある。こ
のセンサのセンシング部１０２は、非晶質Ｓｉ膜とフォ
スホ−シリケート ガラス（Ｐｈｏｓｐｈｏ−ｓｉｌｉ
ｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）膜（以下、単にＰＳＧ膜とい
う。）とを交互に形成し、その後に熱処理してＰ拡散と
結晶化アニールを行い、さらにＰＳＧ膜のエッチングを
行うことで製造され、加速度の作用により上下にたわみ
うる両持ち梁状をなすＰｏｌｙ−Ｓｉ膜１０６を中層に
有するＰｏｌｙ−Ｓｉ膜１０４、１０６、１０８の３層
構造とされる。
して、図８に示すサーフィスマイクロマシニング型Ｇ
（加速度）センサのＰｏｌｙ−Ｓｉ膜１０６がある。こ
のセンサのセンシング部１０２は、非晶質Ｓｉ膜とフォ
スホ−シリケート ガラス（Ｐｈｏｓｐｈｏ−ｓｉｌｉ
ｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）膜（以下、単にＰＳＧ膜とい
う。）とを交互に形成し、その後に熱処理してＰ拡散と
結晶化アニールを行い、さらにＰＳＧ膜のエッチングを
行うことで製造され、加速度の作用により上下にたわみ
うる両持ち梁状をなすＰｏｌｙ−Ｓｉ膜１０６を中層に
有するＰｏｌｙ−Ｓｉ膜１０４、１０６、１０８の３層
構造とされる。
【０００４】このＰｏｌｙ−Ｓｉ膜１０６の機械的特性
を評価する場合、図１０に示すように、Ｓｉ基板１１２
上に、熱酸化層１１４、ＰＳＧ膜１１６、非晶質Ｓｉ膜
１１８、ＰＳＧ膜１２０の順に形成し、アニールとＰＳ
Ｇ膜１１６、１２０のエッチングを経てＰｏｌｙ−Ｓｉ
膜１１９からなる片持ち梁状ビーム１２２を得る。な
お、ＰＳＧ膜１１６のエッチング時に、脚１２２ａの部
分を残す。ところが、この片持ち梁状ビーム１２２は、
上方あるいは下方に反ってしまって、評価が不可能であ
った。この対策として、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を、Ｎ2 雰囲
気下で１１００℃、２０分間、熱処理する技術があり
（Sensors and Actuators,4(1983) 447-454 "Policryst
arine and Amorphas Silicon Micromechanical Beams:A
nnealing and Mechanical Properties" ）、Ｐｏｌｙ−
Ｓｉ膜１１９の成膜後に、追加してこの熱処理を行う
と、片持ち梁状のビーム１２２の反りは発生しなくな
る。
を評価する場合、図１０に示すように、Ｓｉ基板１１２
上に、熱酸化層１１４、ＰＳＧ膜１１６、非晶質Ｓｉ膜
１１８、ＰＳＧ膜１２０の順に形成し、アニールとＰＳ
Ｇ膜１１６、１２０のエッチングを経てＰｏｌｙ−Ｓｉ
膜１１９からなる片持ち梁状ビーム１２２を得る。な
お、ＰＳＧ膜１１６のエッチング時に、脚１２２ａの部
分を残す。ところが、この片持ち梁状ビーム１２２は、
上方あるいは下方に反ってしまって、評価が不可能であ
った。この対策として、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を、Ｎ2 雰囲
気下で１１００℃、２０分間、熱処理する技術があり
（Sensors and Actuators,4(1983) 447-454 "Policryst
arine and Amorphas Silicon Micromechanical Beams:A
nnealing and Mechanical Properties" ）、Ｐｏｌｙ−
Ｓｉ膜１１９の成膜後に、追加してこの熱処理を行う
と、片持ち梁状のビーム１２２の反りは発生しなくな
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この追
加的熱処理は、評価しようとするＰｏｌｙ−Ｓｉ膜１０
６の本来の作製工程においては不要な後工程である一
方、片持ち梁状ビームの形成に際してかかる熱処理を付
加しては、実際のセンシング部１０２におけるＰｏｌｙ
−Ｓｉ膜１０６の機械的特性の評価は不可能となる。
加的熱処理は、評価しようとするＰｏｌｙ−Ｓｉ膜１０
６の本来の作製工程においては不要な後工程である一
方、片持ち梁状ビームの形成に際してかかる熱処理を付
加しては、実際のセンシング部１０２におけるＰｏｌｙ
−Ｓｉ膜１０６の機械的特性の評価は不可能となる。
【０００６】そこで、本発明の目的は、かかる追加的熱
処理を付加しなくても、片持ち梁状のビームとした場合
に反りが発生しないＰｏｌｙ−Ｓｉ膜を得ることができ
る方法を提供することにある。
処理を付加しなくても、片持ち梁状のビームとした場合
に反りが発生しないＰｏｌｙ−Ｓｉ膜を得ることができ
る方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】上記した課題を
解決するため、本発明者らは、非晶質Ｓｉ膜の成膜開始
側よりも成膜終了側で不純物濃度が高くなる状態での熱
処理により、結晶化されたＰｏｌｙ−Ｓｉ膜を片持ち梁
状とした際の反りを防止できることを見いだし、以下の
発明を完成した。すなわち、請求項１に記載の発明は、
非晶質シリコン膜の成膜終了側の不純物濃度が成膜開始
側の不純物濃度よりも高い状態で熱処理をすることによ
り、この非晶質シリコン膜を多結晶化する多結晶シリコ
ン膜の製造方法である。また、請求項２に記載の発明
は、低濃度不純物膜を形成する工程と、非晶質シリコン
膜を形成する工程と、高濃度不純物膜を形成する工程
と、熱処理する工程とを順に実施する多結晶シリコン膜
の製造方法である。
解決するため、本発明者らは、非晶質Ｓｉ膜の成膜開始
側よりも成膜終了側で不純物濃度が高くなる状態での熱
処理により、結晶化されたＰｏｌｙ−Ｓｉ膜を片持ち梁
状とした際の反りを防止できることを見いだし、以下の
発明を完成した。すなわち、請求項１に記載の発明は、
非晶質シリコン膜の成膜終了側の不純物濃度が成膜開始
側の不純物濃度よりも高い状態で熱処理をすることによ
り、この非晶質シリコン膜を多結晶化する多結晶シリコ
ン膜の製造方法である。また、請求項２に記載の発明
は、低濃度不純物膜を形成する工程と、非晶質シリコン
膜を形成する工程と、高濃度不純物膜を形成する工程
と、熱処理する工程とを順に実施する多結晶シリコン膜
の製造方法である。
【０００８】非晶質Ｓｉ膜の成膜時には、成膜開始側の
方が成膜終了側よりも成膜温度（５００℃程度）に置か
れる時間が長くなり、一層の非晶質Ｓｉ膜であっても、
膜厚方向に熱履歴が異なる状態に形成されるのが通常で
ある。本発明者らの研究によれば、図１に示すように、
例えば上下に同一のＰ濃度の不純物膜１、３を形成し
（図１（ａ）（ｂ））、非晶質Ｓｉ膜２を熱処理（結晶
化及びＰ拡散）して多結晶化したＰｏｌｙ−Ｓｉ膜４を
形成し（図１（ｃ））、不純物膜１、３を除去すると、
上向きに反る（図１（ｄ）参照）傾向があることを確認
した。これは、図１（ｃ）に示すように、Ｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ膜４の成膜終了側（上層側）で引張応力が大きく、成
膜開始側（下層側）で引張応力が小さいことが原因であ
ると考えられる。
方が成膜終了側よりも成膜温度（５００℃程度）に置か
れる時間が長くなり、一層の非晶質Ｓｉ膜であっても、
膜厚方向に熱履歴が異なる状態に形成されるのが通常で
ある。本発明者らの研究によれば、図１に示すように、
例えば上下に同一のＰ濃度の不純物膜１、３を形成し
（図１（ａ）（ｂ））、非晶質Ｓｉ膜２を熱処理（結晶
化及びＰ拡散）して多結晶化したＰｏｌｙ−Ｓｉ膜４を
形成し（図１（ｃ））、不純物膜１、３を除去すると、
上向きに反る（図１（ｄ）参照）傾向があることを確認
した。これは、図１（ｃ）に示すように、Ｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ膜４の成膜終了側（上層側）で引張応力が大きく、成
膜開始側（下層側）で引張応力が小さいことが原因であ
ると考えられる。
【０００９】このようなＰｏｌｙ−Ｓｉ膜４の膜厚方向
における引張応力の大小は、前述した熱履歴に応じたグ
レインサイズの相違によるものと考えることができる。
グレインサイズが大きいほど引張応力が大きく、グレイ
ンサイズが小さいほど引張応力が小さいからである（図
３参照）。すなわち、非晶質Ｓｉ膜２では、本来グレイ
ンがないため、結晶成長するためには結晶核が必要とな
り、結晶核が多いほど、グレインサイズが小さく、結晶
核が少ないほど、グレインサイズが大きくなる。そし
て、結晶核は、アニール温度が高く、アニール時間が長
い程、多く生成されることから、非晶質Ｓｉ膜成膜時の
熱履歴がアニール時にも影響して、成膜温度に置かれて
いた時間の長い成膜開始側で結晶核が多くなり、成膜時
間に置かれた時間の短い成膜終了側で結晶核が少なくな
る。この結果、成膜終了側でグレインサイズが大きくな
り（図１（ｅ）参照）、成膜開始側で小さくなり（図１
（ｆ）参照）、膜厚方向で引張応力の大小が存在するこ
とになると考えられる（図１（ｃ）参照）。
における引張応力の大小は、前述した熱履歴に応じたグ
レインサイズの相違によるものと考えることができる。
グレインサイズが大きいほど引張応力が大きく、グレイ
ンサイズが小さいほど引張応力が小さいからである（図
３参照）。すなわち、非晶質Ｓｉ膜２では、本来グレイ
ンがないため、結晶成長するためには結晶核が必要とな
り、結晶核が多いほど、グレインサイズが小さく、結晶
核が少ないほど、グレインサイズが大きくなる。そし
て、結晶核は、アニール温度が高く、アニール時間が長
い程、多く生成されることから、非晶質Ｓｉ膜成膜時の
熱履歴がアニール時にも影響して、成膜温度に置かれて
いた時間の長い成膜開始側で結晶核が多くなり、成膜時
間に置かれた時間の短い成膜終了側で結晶核が少なくな
る。この結果、成膜終了側でグレインサイズが大きくな
り（図１（ｅ）参照）、成膜開始側で小さくなり（図１
（ｆ）参照）、膜厚方向で引張応力の大小が存在するこ
とになると考えられる（図１（ｃ）参照）。
【００１０】本発明では、かかる熱履歴の相違によるＰ
ｏｌｙ−Ｓｉ膜の内部応力のアンバランスをなくするた
めに、非晶質Ｓｉ膜の成膜開始側よりも成膜終了側で不
純物濃度が高い状態で熱処理する。この結果、成膜終了
側での引張応力を小さくして、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の形成
と同時にＰｏｌｙ−Ｓｉ膜における応力分布のアンバラ
ンスが緩和される。このようなＰｏｌｙ−Ｓｉ膜の作製
工程に準じて片持ち梁状のビームを形成すると、追加的
熱処理をしなくても反りのない平坦なビームとなり、そ
のまま機械的特性の評価が可能である。なお、片持ち梁
状のビームの構造は、図９に示す他、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜
自体の一端が脚部を構成してビームをなす状態も含まれ
る。
ｏｌｙ−Ｓｉ膜の内部応力のアンバランスをなくするた
めに、非晶質Ｓｉ膜の成膜開始側よりも成膜終了側で不
純物濃度が高い状態で熱処理する。この結果、成膜終了
側での引張応力を小さくして、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の形成
と同時にＰｏｌｙ−Ｓｉ膜における応力分布のアンバラ
ンスが緩和される。このようなＰｏｌｙ−Ｓｉ膜の作製
工程に準じて片持ち梁状のビームを形成すると、追加的
熱処理をしなくても反りのない平坦なビームとなり、そ
のまま機械的特性の評価が可能である。なお、片持ち梁
状のビームの構造は、図９に示す他、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜
自体の一端が脚部を構成してビームをなす状態も含まれ
る。
【００１１】図２に示すように、例えば、低濃度の不純
物膜５、非晶質Ｓｉ膜６、高濃度の不純物膜７の順で形
成し（図２（ａ）（ｂ））、熱処理することにより、Ｐ
ｏｌｙ−Ｓｉ膜８の形成と同時に応力分布のアンバラン
スが緩和され（図２（ｃ））、不純物膜５、７を除去後
のＰｏｌｙ−Ｓｉ膜８は反りのないものとなる（図２
（ｄ））。すなわち、この状態での熱処理により、不純
物膜７の不純物濃度を不純物膜５と同じ低濃度として熱
処理した場合よりも成膜終了側のグレインサイズを小さ
くすることができ、この結果、成膜終了側のグレインサ
イズは成膜開始側のグレインサイズとほぼ同じとなり
（図２（ｅ）及び（ｆ）参照）、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜８の
引張応力の大小は解消される。なお、図４のグラフ図
は、非晶質Ｓｉ膜をアニールして得たＰｏｌｙ−Ｓｉ膜
中のＰ濃度と応力との関係を示す。このグラフ図からも
明らかなように、アニールに際しての非晶質Ｓｉ膜のＰ
濃度が高ければ、応力が低減されている。
物膜５、非晶質Ｓｉ膜６、高濃度の不純物膜７の順で形
成し（図２（ａ）（ｂ））、熱処理することにより、Ｐ
ｏｌｙ−Ｓｉ膜８の形成と同時に応力分布のアンバラン
スが緩和され（図２（ｃ））、不純物膜５、７を除去後
のＰｏｌｙ−Ｓｉ膜８は反りのないものとなる（図２
（ｄ））。すなわち、この状態での熱処理により、不純
物膜７の不純物濃度を不純物膜５と同じ低濃度として熱
処理した場合よりも成膜終了側のグレインサイズを小さ
くすることができ、この結果、成膜終了側のグレインサ
イズは成膜開始側のグレインサイズとほぼ同じとなり
（図２（ｅ）及び（ｆ）参照）、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜８の
引張応力の大小は解消される。なお、図４のグラフ図
は、非晶質Ｓｉ膜をアニールして得たＰｏｌｙ−Ｓｉ膜
中のＰ濃度と応力との関係を示す。このグラフ図からも
明らかなように、アニールに際しての非晶質Ｓｉ膜のＰ
濃度が高ければ、応力が低減されている。
【００１２】このように本発明では非晶質Ｓｉ膜の熱処
理に際して、非晶質Ｓｉ膜の一方の膜表面側（成膜開始
側）の不純物濃度が低く、他方の膜表面側（成膜終了
側）で不純物濃度が高い状態となっている。しかし、必
ずしも、濃度が連続的に変化する濃度勾配が形成されて
いる必要はなく、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の成膜開始側である
一の膜表面側と成膜終了側である他の膜表面側との濃度
を比較した場合に、成膜終了側で不純物濃度がより高け
ればよい。
理に際して、非晶質Ｓｉ膜の一方の膜表面側（成膜開始
側）の不純物濃度が低く、他方の膜表面側（成膜終了
側）で不純物濃度が高い状態となっている。しかし、必
ずしも、濃度が連続的に変化する濃度勾配が形成されて
いる必要はなく、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の成膜開始側である
一の膜表面側と成膜終了側である他の膜表面側との濃度
を比較した場合に、成膜終了側で不純物濃度がより高け
ればよい。
【００１３】成膜開始側と終了側の不純物濃度を違える
ためには、図２に例示した濃度の違う不純物膜で非晶質
Ｓｉ膜はさんで、アニールする他、非晶質Ｓｉ膜の膜厚
内において不純物濃度を違えるようにしてもよい。例え
ば、非晶質Ｓｉ膜の成膜終了側の不純物濃度が成膜開始
側の不純物濃度よりも高い状態は、図５（ａ）に示すよ
うに、非晶質Ｓｉ膜Ｓの成膜終了側Ａにのみ不純物を含
む膜Ｒを形成したり、図５（ｂ）に示すように、成膜終
了側Ａに気相拡散やイオン注入によりＰ等の不純物を導
入して形成できる。この他、図５（ｃ）に示すように不
純物を含む膜Ｒにさらに、不純物を導入したりして形成
することができる。さらには、図５（ｄ）に示すよう
に、非晶質Ｓｉ膜ＳＳ１、低濃度不純物膜Ｌ、非晶質Ｓ
ｉ膜ＳＳ２、高濃度不純物膜Ｈ，非晶質Ｓｉ膜ＳＳ３の
順に成膜し、さらに、この最上層の非晶質Ｓｉ膜ＳＳ３
に、気相拡散等により不純物を導入したり、図５（ｅ）
に示すように、低濃度不純物膜Ｌ、非晶質Ｓｉ膜Ｓ、高
濃度不純物膜Ｈの順に成膜したりして形成することがで
きる。また、これらの方法を適宜、必要に応じて組み合
わせることができる。
ためには、図２に例示した濃度の違う不純物膜で非晶質
Ｓｉ膜はさんで、アニールする他、非晶質Ｓｉ膜の膜厚
内において不純物濃度を違えるようにしてもよい。例え
ば、非晶質Ｓｉ膜の成膜終了側の不純物濃度が成膜開始
側の不純物濃度よりも高い状態は、図５（ａ）に示すよ
うに、非晶質Ｓｉ膜Ｓの成膜終了側Ａにのみ不純物を含
む膜Ｒを形成したり、図５（ｂ）に示すように、成膜終
了側Ａに気相拡散やイオン注入によりＰ等の不純物を導
入して形成できる。この他、図５（ｃ）に示すように不
純物を含む膜Ｒにさらに、不純物を導入したりして形成
することができる。さらには、図５（ｄ）に示すよう
に、非晶質Ｓｉ膜ＳＳ１、低濃度不純物膜Ｌ、非晶質Ｓ
ｉ膜ＳＳ２、高濃度不純物膜Ｈ，非晶質Ｓｉ膜ＳＳ３の
順に成膜し、さらに、この最上層の非晶質Ｓｉ膜ＳＳ３
に、気相拡散等により不純物を導入したり、図５（ｅ）
に示すように、低濃度不純物膜Ｌ、非晶質Ｓｉ膜Ｓ、高
濃度不純物膜Ｈの順に成膜したりして形成することがで
きる。また、これらの方法を適宜、必要に応じて組み合
わせることができる。
【００１４】また、非晶質Ｓｉ膜の成膜終了側の不純物
濃度が成膜開始側の不純物濃度よりも高い状態で熱処理
するとは、非晶質Ｓｉ膜の成膜開始側に比して成膜終了
側により多くの不純物が存在する状態で結晶化すること
であり、熱処理は、不純物膜からの不純物や注入された
不純物の拡散を兼ねる。なお、不純物が気相拡散により
導入される場合では、気相拡散は熱処理を兼ねる。非晶
質Ｓｉ膜の成膜終了側の不純物濃度は成膜開始側の不純
物濃度の約１０倍が好ましい。低濃度不純物膜、非晶質
Ｓｉ膜、高濃度不純物膜の順に形成して熱処理する場合
には、高濃度不純物膜の不純物濃度は、低濃度不純物膜
の約１０倍が好ましい。
濃度が成膜開始側の不純物濃度よりも高い状態で熱処理
するとは、非晶質Ｓｉ膜の成膜開始側に比して成膜終了
側により多くの不純物が存在する状態で結晶化すること
であり、熱処理は、不純物膜からの不純物や注入された
不純物の拡散を兼ねる。なお、不純物が気相拡散により
導入される場合では、気相拡散は熱処理を兼ねる。非晶
質Ｓｉ膜の成膜終了側の不純物濃度は成膜開始側の不純
物濃度の約１０倍が好ましい。低濃度不純物膜、非晶質
Ｓｉ膜、高濃度不純物膜の順に形成して熱処理する場合
には、高濃度不純物膜の不純物濃度は、低濃度不純物膜
の約１０倍が好ましい。
【００１５】本発明における不純物としては、リン、ホ
ウ素、砒素等の元素を挙げることができる。また、これ
らの一種あるいは２種以上を組み合わせて用いることも
できる。また、成膜終了側と成膜開始側の不純物は、必
ずしも一致する必要はなく、異なる不純物とすることが
できる。かかる不純物を含む不純物膜としては、一般に
不純物拡散源として用いられる膜を用いることができ、
具体的には、前記不純物元素を含むＳｉ酸化膜であるＰ
ＳＧ，ＡｓＳＧ（ａｒｓｅｎｏ−ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇ
ｌａｓｓ）膜、ＢＳＧ（ｂｏｒｏ−ｓｉｌｉｃａｔｅ
ｇｌａｓｓ）膜、さらには、ホウ素添加ＰＳＧ膜、砒素
添加ＰＳＧ膜等を挙げることができる。
ウ素、砒素等の元素を挙げることができる。また、これ
らの一種あるいは２種以上を組み合わせて用いることも
できる。また、成膜終了側と成膜開始側の不純物は、必
ずしも一致する必要はなく、異なる不純物とすることが
できる。かかる不純物を含む不純物膜としては、一般に
不純物拡散源として用いられる膜を用いることができ、
具体的には、前記不純物元素を含むＳｉ酸化膜であるＰ
ＳＧ，ＡｓＳＧ（ａｒｓｅｎｏ−ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇ
ｌａｓｓ）膜、ＢＳＧ（ｂｏｒｏ−ｓｉｌｉｃａｔｅ
ｇｌａｓｓ）膜、さらには、ホウ素添加ＰＳＧ膜、砒素
添加ＰＳＧ膜等を挙げることができる。
【００１６】本発明の方法によって形成されたＰｏｌｙ
−Ｓｉ膜においては、一方の膜表面側（成膜開始側）で
不純物濃度が低く、他方の膜表面側（成膜終了側）で不
純物濃度が高い状態となっている。すなわち、Ｐｏｌｙ
−Ｓｉ膜の膜厚方向に不純物濃度の高低、あるいは勾配
が形成されている。
−Ｓｉ膜においては、一方の膜表面側（成膜開始側）で
不純物濃度が低く、他方の膜表面側（成膜終了側）で不
純物濃度が高い状態となっている。すなわち、Ｐｏｌｙ
−Ｓｉ膜の膜厚方向に不純物濃度の高低、あるいは勾配
が形成されている。
【００１７】
【発明の効果】本発明の方法によれば、非晶質Ｓｉ膜の
成膜終了側の不純物濃度が成膜開始側の不純物濃度より
も高い状態で熱処理するため、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の形成
と同時に内部応力のアンバランスが緩和され、反りの発
生しないＰｏｌｙ−Ｓｉ膜を得ることができる。
成膜終了側の不純物濃度が成膜開始側の不純物濃度より
も高い状態で熱処理するため、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の形成
と同時に内部応力のアンバランスが緩和され、反りの発
生しないＰｏｌｙ−Ｓｉ膜を得ることができる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を具現化した実施例について具
体的に説明する。 （実施例１）本実施例では、機械特性の評価を要するＰ
ｏｌｙ−Ｓｉ膜の片持ち梁状のビームの作製に際し、本
発明を適用した場合について説明する。図６には、本実
施例のビーム作製工程が図示されている。まず、Ｓｉ基
板１０上に熱酸化膜・ＳｉＮ膜１２を順に成膜して、後
に形成するＰＳＧ膜１４からＳｉ基板１０への不純物
（本実施例では、リン（Ｐ））の拡散を防止を図った
（図６（ａ）参照）。
体的に説明する。 （実施例１）本実施例では、機械特性の評価を要するＰ
ｏｌｙ−Ｓｉ膜の片持ち梁状のビームの作製に際し、本
発明を適用した場合について説明する。図６には、本実
施例のビーム作製工程が図示されている。まず、Ｓｉ基
板１０上に熱酸化膜・ＳｉＮ膜１２を順に成膜して、後
に形成するＰＳＧ膜１４からＳｉ基板１０への不純物
（本実施例では、リン（Ｐ））の拡散を防止を図った
（図６（ａ）参照）。
【００１９】そして、図６（ｂ）に示すように、この熱
酸化膜・ＳｉＮ膜１２上に、Ｐ含有量が３．０wt％であ
るＰＳＧ膜１４を、ＣＶＤ法により２μｍ厚となるよう
に堆積させた。さらに、５８０℃以下の成膜温度で、非
晶質Ｓｉ膜１６を２μｍ厚となるように堆積させた。
酸化膜・ＳｉＮ膜１２上に、Ｐ含有量が３．０wt％であ
るＰＳＧ膜１４を、ＣＶＤ法により２μｍ厚となるよう
に堆積させた。さらに、５８０℃以下の成膜温度で、非
晶質Ｓｉ膜１６を２μｍ厚となるように堆積させた。
【００２０】その後、非晶質Ｓｉ膜１６をパターニング
し、ドライエッチングにより所定の形状にした（図６
（ｃ）参照）。次に、高濃度不純物膜として、Ｐ含有量
が２９．０wt％であるＰＳＧ膜１８を２μｍ厚となるよ
うに堆積させた（図６（ｄ）参照）。この後、９５０℃
で９０分間、Ｎ2 雰囲気下で熱処理することにより、Ｐ
の拡散と非晶質Ｓｉ膜１６の結晶化アニールを行い、Ｐ
ｏｌｙ−Ｓｉ膜２０を形成した。この後、ＨＦ（フッ化
水素）によるエッチングを経て、片持ち梁状のＰｏｌｙ
−Ｓｉ膜２０からなるビーム２２を作製した。得られた
ビーム２２は、応力分布のアンバランスが緩和されてい
るため、反りがなく平坦であった。なお、同様のＰｏｌ
ｙ−Ｓｉ膜２０の作製工程により両持ち梁状のビームを
作製した場合でも、このビームでは引張応力が保持され
ているため、ビームが圧縮応力によってたわむことはな
かった。
し、ドライエッチングにより所定の形状にした（図６
（ｃ）参照）。次に、高濃度不純物膜として、Ｐ含有量
が２９．０wt％であるＰＳＧ膜１８を２μｍ厚となるよ
うに堆積させた（図６（ｄ）参照）。この後、９５０℃
で９０分間、Ｎ2 雰囲気下で熱処理することにより、Ｐ
の拡散と非晶質Ｓｉ膜１６の結晶化アニールを行い、Ｐ
ｏｌｙ−Ｓｉ膜２０を形成した。この後、ＨＦ（フッ化
水素）によるエッチングを経て、片持ち梁状のＰｏｌｙ
−Ｓｉ膜２０からなるビーム２２を作製した。得られた
ビーム２２は、応力分布のアンバランスが緩和されてい
るため、反りがなく平坦であった。なお、同様のＰｏｌ
ｙ−Ｓｉ膜２０の作製工程により両持ち梁状のビームを
作製した場合でも、このビームでは引張応力が保持され
ているため、ビームが圧縮応力によってたわむことはな
かった。
【００２１】（実施例２）この実施例は、サーフィスマ
シニング型Ｇセンサのセンシング部の作製について本発
明を適用したものである。このセンシング部において
は、図８に示したように、３層のＰｏｌｙ−Ｓｉ膜１０
４、１０６、１０８により形成されており、Ｐｏｌｙ−
Ｓｉ膜１０６、１０８にＰをドーピングすることによ
り、電極として使用するものである。このセンシング部
の作製について図７に基づいて説明する。
シニング型Ｇセンサのセンシング部の作製について本発
明を適用したものである。このセンシング部において
は、図８に示したように、３層のＰｏｌｙ−Ｓｉ膜１０
４、１０６、１０８により形成されており、Ｐｏｌｙ−
Ｓｉ膜１０６、１０８にＰをドーピングすることによ
り、電極として使用するものである。このセンシング部
の作製について図７に基づいて説明する。
【００２２】まず、図７（ａ）示すように、Ｓｉ基板３
０上に膜厚５００ｎｍの熱酸化膜３２を形成し、さら
に、膜厚２５０ｎｍのＳｉＮ膜３４を形成した。この
後、ＳｉＮ膜３４をパターニングし、成膜温度５００℃
で非晶質Ｓｉ膜３６を膜厚４００ｎｍとなるように堆積
し、さらに１ＰＳＧ膜３８を、表１に示す条件で膜厚２
μｍとなるように堆積し、パターニングして所定の形状
とした。なお、表１には、２ＰＳＧ膜４２、３ＰＳＧ膜
４６の成膜条件も併せて示す。本実施例では、１ＰＳＧ
膜３８、２ＰＳＧ膜４２、３ＰＳＧ膜４６は、それぞれ
順に約１０倍づつ不純物が高濃度となっている（表１中
の成膜条件の項目の「ＰＨ3 」「P2O5濃度」を参照）。
０上に膜厚５００ｎｍの熱酸化膜３２を形成し、さら
に、膜厚２５０ｎｍのＳｉＮ膜３４を形成した。この
後、ＳｉＮ膜３４をパターニングし、成膜温度５００℃
で非晶質Ｓｉ膜３６を膜厚４００ｎｍとなるように堆積
し、さらに１ＰＳＧ膜３８を、表１に示す条件で膜厚２
μｍとなるように堆積し、パターニングして所定の形状
とした。なお、表１には、２ＰＳＧ膜４２、３ＰＳＧ膜
４６の成膜条件も併せて示す。本実施例では、１ＰＳＧ
膜３８、２ＰＳＧ膜４２、３ＰＳＧ膜４６は、それぞれ
順に約１０倍づつ不純物が高濃度となっている（表１中
の成膜条件の項目の「ＰＨ3 」「P2O5濃度」を参照）。
【００２３】
【表１】
【００２４】次に、図７（ｂ）に示すように、１ＰＳＧ
膜３８上に成膜温度５００℃で非晶質Ｓｉ膜４０を２μ
ｍの膜厚となるように堆積し、Ｓｉ基板３０裏面のエッ
チングの後、非晶質Ｓｉ膜４０を所定の形状のパターニ
ングした。さらに、図７（ｃ）に示すように、表１の条
件に従って２ＰＳＧ膜４２を膜厚２μｍとなるように成
膜し、パターニングした。この後、図７（ｄ）に示すよ
うに、成膜温度５００℃で非晶質Ｓｉ膜４４を膜厚２μ
ｍとなるように堆積するとともに、Ｓｉ基板３０の裏面
エッチングを行い、非晶質Ｓｉ膜４４を所定の形状にパ
ターニングした。そして、図７（ｅ）に示すごとく、表
１に示す条件で３ＰＳＧ膜４６を膜厚５００ｎｍとなる
ように成膜した。なお、１ＰＳＧ膜３８、２ＰＳＧ膜４
２、３ＰＳＧ膜４６は、それぞれ部分的に連続している
ように形成した。
膜３８上に成膜温度５００℃で非晶質Ｓｉ膜４０を２μ
ｍの膜厚となるように堆積し、Ｓｉ基板３０裏面のエッ
チングの後、非晶質Ｓｉ膜４０を所定の形状のパターニ
ングした。さらに、図７（ｃ）に示すように、表１の条
件に従って２ＰＳＧ膜４２を膜厚２μｍとなるように成
膜し、パターニングした。この後、図７（ｄ）に示すよ
うに、成膜温度５００℃で非晶質Ｓｉ膜４４を膜厚２μ
ｍとなるように堆積するとともに、Ｓｉ基板３０の裏面
エッチングを行い、非晶質Ｓｉ膜４４を所定の形状にパ
ターニングした。そして、図７（ｅ）に示すごとく、表
１に示す条件で３ＰＳＧ膜４６を膜厚５００ｎｍとなる
ように成膜した。なお、１ＰＳＧ膜３８、２ＰＳＧ膜４
２、３ＰＳＧ膜４６は、それぞれ部分的に連続している
ように形成した。
【００２５】これらの膜を、Ｎ2 雰囲気下、９５０℃、
１．５時間熱処理して、非晶質Ｓｉ膜３６、４２、４４
の結晶化と、Ｐの拡散を行い、非晶質Ｓｉ膜３６、４
２、４４をＰｏｌｙ−Ｓｉ膜３７、４１、４５とした。
なお、この場合の熱処理条件では、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜３
７、４１、４５には引張応力が作用した状態である。さ
らに、１ＰＳＧ膜３８、２ＰＳＧ膜４２、３ＰＳＧ膜４
６をＨＦで同時にエッチングして除去し、Ｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ膜３７、４１、４５間に空間部を形成した（図７
（ｆ）参照）。さらにＡｌ配線パターニングを経てセン
シング部を形成した。
１．５時間熱処理して、非晶質Ｓｉ膜３６、４２、４４
の結晶化と、Ｐの拡散を行い、非晶質Ｓｉ膜３６、４
２、４４をＰｏｌｙ−Ｓｉ膜３７、４１、４５とした。
なお、この場合の熱処理条件では、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜３
７、４１、４５には引張応力が作用した状態である。さ
らに、１ＰＳＧ膜３８、２ＰＳＧ膜４２、３ＰＳＧ膜４
６をＨＦで同時にエッチングして除去し、Ｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ膜３７、４１、４５間に空間部を形成した（図７
（ｆ）参照）。さらにＡｌ配線パターニングを経てセン
シング部を形成した。
【００２６】このセンシング部によれば、各Ｐｏｌｙ−
Ｓｉ膜３７、４１、４５では、内部応力のアンバランス
は緩和されている。したがって、このようなセンシング
部の作製工程によれば、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜４１、４５を
片持ち梁状として機械的特性の評価が可能である。
Ｓｉ膜３７、４１、４５では、内部応力のアンバランス
は緩和されている。したがって、このようなセンシング
部の作製工程によれば、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜４１、４５を
片持ち梁状として機械的特性の評価が可能である。
【００２７】また、このように非晶質Ｓｉ膜の膜厚方向
に濃度勾配を付与すると、１１００℃という高温の熱処
理を行わなくとも、膜厚方向の応力分布のアンバランス
が緩和できる。したがって、非晶質Ｓｉ膜からＰｏｌｙ
−Ｓｉ膜を形成する場合、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜に圧縮応力
でなく引張応力が作用する状態が形成可能である。一般
に、１１００℃以上の高温の熱処理では、結晶化後のＰ
ｏｌｙ−Ｓｉ膜には圧縮応力が残留してしまうからであ
る。ここに、本実施例では、熱処理温度は、９５０℃で
あり、熱処理後のＰｏｌｙ−Ｓｉ膜４１においては、引
張応力が作用した状態となっている。したがって、両持
ち梁状のビームとした場合、加速度がかかった状態にお
いてのみ上下にたわむことができ、加速度がかからない
状態ではたわむことなく平坦性が維持されるようになっ
ている。このため、本実施例の方法によれば，Ｇセンサ
のセンシング部に必要な特性を備えた両持ち梁状をなす
Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜４１を形成することができる。
に濃度勾配を付与すると、１１００℃という高温の熱処
理を行わなくとも、膜厚方向の応力分布のアンバランス
が緩和できる。したがって、非晶質Ｓｉ膜からＰｏｌｙ
−Ｓｉ膜を形成する場合、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜に圧縮応力
でなく引張応力が作用する状態が形成可能である。一般
に、１１００℃以上の高温の熱処理では、結晶化後のＰ
ｏｌｙ−Ｓｉ膜には圧縮応力が残留してしまうからであ
る。ここに、本実施例では、熱処理温度は、９５０℃で
あり、熱処理後のＰｏｌｙ−Ｓｉ膜４１においては、引
張応力が作用した状態となっている。したがって、両持
ち梁状のビームとした場合、加速度がかかった状態にお
いてのみ上下にたわむことができ、加速度がかからない
状態ではたわむことなく平坦性が維持されるようになっ
ている。このため、本実施例の方法によれば，Ｇセンサ
のセンシング部に必要な特性を備えた両持ち梁状をなす
Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜４１を形成することができる。
【００２８】本実施例のように、１１００℃より低い温
度での熱処理でＰｏｌｙ−Ｓｉ膜に引張応力を保持させ
るには、予め結晶化前の非晶質Ｓｉ膜に引張応力が付与
されていることが必要である。通常、５８０℃以下の低
温成膜により、引張応力の非晶質Ｓｉ膜となる。非晶質
Ｓｉ膜の引張応力を保持するための熱処理の温度は、１
０００℃以下が好ましく、また８００℃以上が好まし
い。より好ましくは、９００〜１０００℃である。
度での熱処理でＰｏｌｙ−Ｓｉ膜に引張応力を保持させ
るには、予め結晶化前の非晶質Ｓｉ膜に引張応力が付与
されていることが必要である。通常、５８０℃以下の低
温成膜により、引張応力の非晶質Ｓｉ膜となる。非晶質
Ｓｉ膜の引張応力を保持するための熱処理の温度は、１
０００℃以下が好ましく、また８００℃以上が好まし
い。より好ましくは、９００〜１０００℃である。
【００２９】なお、本発明は、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の製造
方法として記載したが、本発明方法により作製されたＰ
ｏｌｙ−Ｓｉ膜は以下の特徴を有している。すなわち、
本発明によるＰｏｌｙ−Ｓｉ膜は、膜厚方向に不純物の
濃度勾配を有する膜であり、また、片持ち梁状ビームの
形態を取ることもある。このようなＰｏｌｙ−Ｓｉ膜
は、内部応力のアンバランスが緩和されており、片持ち
梁状のビームで反りが発生しないため、機械的特性の評
価が可能となり、機械特性評価の必要なＰｏｌｙ−Ｓｉ
膜として適している。さらに、本発明により熱処理が引
張応力が残存される条件でなされているＰｏｌｙ−Ｓｉ
膜は、膜厚方向に不純物の濃度勾配を有するとともに引
張応力が作用する膜であり、また、両持ち梁状ビームの
形態を取ることもある。このようなＰｏｌｙ−Ｓｉ膜
は、片持ち梁状ビームでの機械的特性評価が可能である
とともに、両持ち梁状での平坦性が保持されるため、Ｇ
センサや圧力センサ等のセンシング部用Ｐｏｌｙ−Ｓｉ
膜に適している。
方法として記載したが、本発明方法により作製されたＰ
ｏｌｙ−Ｓｉ膜は以下の特徴を有している。すなわち、
本発明によるＰｏｌｙ−Ｓｉ膜は、膜厚方向に不純物の
濃度勾配を有する膜であり、また、片持ち梁状ビームの
形態を取ることもある。このようなＰｏｌｙ−Ｓｉ膜
は、内部応力のアンバランスが緩和されており、片持ち
梁状のビームで反りが発生しないため、機械的特性の評
価が可能となり、機械特性評価の必要なＰｏｌｙ−Ｓｉ
膜として適している。さらに、本発明により熱処理が引
張応力が残存される条件でなされているＰｏｌｙ−Ｓｉ
膜は、膜厚方向に不純物の濃度勾配を有するとともに引
張応力が作用する膜であり、また、両持ち梁状ビームの
形態を取ることもある。このようなＰｏｌｙ−Ｓｉ膜
は、片持ち梁状ビームでの機械的特性評価が可能である
とともに、両持ち梁状での平坦性が保持されるため、Ｇ
センサや圧力センサ等のセンシング部用Ｐｏｌｙ−Ｓｉ
膜に適している。
【図１】非晶質Ｓｉ膜の膜厚方向に不純物の濃度勾配の
ない状態で熱処理してＰｏｌｙ−Ｓｉ膜の片持ち梁状の
ビームを作製する工程を示す図（ａ）〜（ｄ）と、Ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ膜の成膜終了側のグレインサイズを示す図
（ｅ）と成膜開始側のグレインサイズ（ｆ）とを示す図
である。
ない状態で熱処理してＰｏｌｙ−Ｓｉ膜の片持ち梁状の
ビームを作製する工程を示す図（ａ）〜（ｄ）と、Ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ膜の成膜終了側のグレインサイズを示す図
（ｅ）と成膜開始側のグレインサイズ（ｆ）とを示す図
である。
【図２】非晶質Ｓｉ膜の膜厚方向に不純物の濃度勾配の
ある状態で熱処理してＰｏｌｙ−Ｓｉ膜片持ち梁状のビ
ームを作製する工程を示す図（ａ）〜（ｄ）と、Ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ膜の成膜終了側のグレインサイズを示す図
（ｅ）と成膜開始側のグレインサイズ（ｆ）とを示す図
である。
ある状態で熱処理してＰｏｌｙ−Ｓｉ膜片持ち梁状のビ
ームを作製する工程を示す図（ａ）〜（ｄ）と、Ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ膜の成膜終了側のグレインサイズを示す図
（ｅ）と成膜開始側のグレインサイズ（ｆ）とを示す図
である。
【図３】Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜のグレインサイズと応力との
関係を示すグラフ図である。
関係を示すグラフ図である。
【図４】Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜中のＰ濃度ど応力との関係を
示すグラフ図である。
示すグラフ図である。
【図５】非晶質Ｓｉ膜の成膜終了側の不純物濃度が成膜
開始側よりも高い状態とするための手段を示した図であ
る。
開始側よりも高い状態とするための手段を示した図であ
る。
【図６】実施例１における片持ち梁状のビームの作製工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図７】実施例２におけるマイクロサーフィスマシニン
グ型Ｇセンサのセンシング部の作製工程を示す図であ
る。
グ型Ｇセンサのセンシング部の作製工程を示す図であ
る。
【図８】マイクロサーフィスマシニング型Ｇセンサのセ
ンシング部の構造の概略を示す図である。
ンシング部の構造の概略を示す図である。
【図９】Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の機械的特性を評価する場合
の片持ち梁状のビームを示す図である。
の片持ち梁状のビームを示す図である。
【図１０】Ｇセンサのセンシング部の作製工程に準じた
片持ち梁状のビームを作製工程を示す図である。
片持ち梁状のビームを作製工程を示す図である。
５…低濃度の不純物膜 ６…非晶質Ｓｉ膜 ７…高濃度の不純物膜 ８…Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜
Claims (2)
- 【請求項１】非晶質シリコン膜の成膜終了側の不純物濃
度が成膜開始側の不純物濃度よりも高い状態で熱処理を
することにより、この非晶質シリコン膜を多結晶化する
多結晶シリコン膜の製造方法。 - 【請求項２】低濃度不純物膜を形成する工程と、非晶質
シリコン膜を形成する工程と、高濃度不純物膜を形成す
る工程と、熱処理する工程とを順に実施する多結晶シリ
コン膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15915995A JPH097946A (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 多結晶シリコン膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15915995A JPH097946A (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 多結晶シリコン膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH097946A true JPH097946A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15687563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15915995A Pending JPH097946A (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 多結晶シリコン膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH097946A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007001004A (ja) * | 2005-05-27 | 2007-01-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、およびその作製方法 |
| JP2007007845A (ja) * | 2005-05-31 | 2007-01-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微小構造体、およびその作製方法 |
| JP2007015080A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微小電気機械式装置、およびその作製方法 |
| JP2007044864A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微小電気機械式装置の作製方法 |
| JP2007069341A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微小電気機械式装置の作製方法 |
| JP2007152554A (ja) * | 2005-05-27 | 2007-06-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US8008737B2 (en) | 2005-05-27 | 2011-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8093088B2 (en) | 2005-07-15 | 2012-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of micro-electro-mechanical device |
| KR101313123B1 (ko) * | 2005-05-31 | 2013-10-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 미소 구조체 및 그 제조방법 |
| CN104418294A (zh) * | 2013-08-22 | 2015-03-18 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 一种控制原位掺杂非晶硅应力的方法 |
-
1995
- 1995-06-26 JP JP15915995A patent/JPH097946A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007001004A (ja) * | 2005-05-27 | 2007-01-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、およびその作製方法 |
| JP2007152554A (ja) * | 2005-05-27 | 2007-06-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US8008737B2 (en) | 2005-05-27 | 2011-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8455287B2 (en) | 2005-05-27 | 2013-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device including microstructure |
| JP2007007845A (ja) * | 2005-05-31 | 2007-01-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微小構造体、およびその作製方法 |
| KR101313123B1 (ko) * | 2005-05-31 | 2013-10-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 미소 구조체 및 그 제조방법 |
| JP2007015080A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微小電気機械式装置、およびその作製方法 |
| JP2007044864A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微小電気機械式装置の作製方法 |
| US8093088B2 (en) | 2005-07-15 | 2012-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of micro-electro-mechanical device |
| JP2007069341A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微小電気機械式装置の作製方法 |
| CN104418294A (zh) * | 2013-08-22 | 2015-03-18 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 一种控制原位掺杂非晶硅应力的方法 |
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