JP2007013097A5 - - Google Patents
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- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 13
- 125000004432 carbon atoms Chemical group C* 0.000 claims 9
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 claims 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 9
- 125000004435 hydrogen atoms Chemical group [H]* 0.000 claims 7
- -1 thiocarboxyl group Chemical group 0.000 claims 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 6
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims 6
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 6
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 claims 5
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims 5
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims 5
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims 5
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims 5
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N Anthracene Chemical group C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims 4
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 claims 3
- QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N Isoniazid Chemical group NNC(=O)C1=CC=NC=C1 QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 claims 3
- 125000000777 acyl halide group Chemical group 0.000 claims 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims 3
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 claims 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims 3
- 125000000707 boryl group Chemical group B* 0.000 claims 3
- 125000003739 carbamimidoyl group Chemical group C(N)(=N)* 0.000 claims 3
- 125000003917 carbamoyl group Chemical group [H]N([H])C(*)=O 0.000 claims 3
- 239000004643 cyanate ester Chemical group 0.000 claims 3
- 125000002228 disulfide group Chemical group 0.000 claims 3
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 claims 3
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 claims 3
- 125000003800 germyl group Chemical group [H][Ge]([H])([H])[*] 0.000 claims 3
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 claims 3
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 claims 3
- 125000002462 isocyano group Chemical group *[N+]#[C-] 0.000 claims 3
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 claims 3
- 125000003638 stannyl group Chemical group [H][Sn]([H])([H])* 0.000 claims 3
- 125000000626 sulfinic acid group Chemical group 0.000 claims 3
- 125000000475 sulfinyl group Chemical group [*:2]S([*:1])=O 0.000 claims 3
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 claims 3
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 claims 3
- 125000000101 thioether group Chemical group 0.000 claims 3
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims 3
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N [N-]=C=O Chemical compound [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 2
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000000717 hydrazino group Chemical group [H]N([*])N([H])[H] 0.000 claims 2
- 125000000944 sulfenic acid group Chemical group 0.000 claims 2
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims 1
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 claims 1
- 125000004119 disulfanediyl group Chemical group *SS* 0.000 claims 1
- KLGZELKXQMTEMM-UHFFFAOYSA-N hydride Chemical compound [H-] KLGZELKXQMTEMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZBKFYXZXZJPWNQ-UHFFFAOYSA-N isothiocyanate group Chemical group [N-]=C=S ZBKFYXZXZJPWNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Claims (17)
- 下記の一般式(1)で示されるポリアセン誘導体から成り、一般式(1)中のR1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9及びR10のそれぞれは、以下の(条件−A1)及び(条件−A2)を満足することを特徴とする有機半導体材料。
(条件−A1)R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9及びR10は、各々、互いに独立して、同じ置換基であってもよいし、異なる置換基であってもよいが、R1、R4、R5、R6、R9及びR10の全てが同時に水素原子である場合は無い。
(条件−A2)R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9及びR10のそれぞれは、置換基を有することある炭素原子数1乃至20の脂肪族炭化水素基、置換基を有することある芳香族炭化水素基、置換基を有することある複素芳香族基、カルボキシル基、酸無水物、エステル基、シアノ基、水酸基、チオカルボキシル基、ジチオカルボキシル基、スルホン酸基、スルフィン酸基、スルフェン酸基、スルホニル基、スルフィニル基、ハロゲン化アシル基、カルバモイル基、ヒドラジド基、イミド基、アミド基、アミジノ基、イソシアノ基、シアン酸エステル基、イソシアン酸エステル基、チオシアン酸エステル基、イソチオシアン酸エステル基、ホルミル基、チオホルミル基、アシル基、チオール基、アミノ基、イミノ基、ヒドラジノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、エーテル基、スルフィド基、ジスルフィド基、シリル基、ゲルミル基、スタニル基、ホスフィノ基、ボリル基、ハロゲン原子、及び、水素原子から成る置換基群から選択された少なくとも1種類の置換基である。 - R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9及びR10のそれぞれは、置換基を有することある炭素原子数1乃至20の脂肪族炭化水素基、置換基を有することある芳香族炭化水素基、置換基を有することある複素芳香族基、カルボキシル基、酸無水物、エステル基、シアノ基、水酸基、ハロゲン原子、及び、水素原子から成る置換基群から選択された少なくとも1種類の置換基であることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体材料。
- アセン骨格の一部における置換基は、炭素原子数が3以上のアルキル基であることを特徴とする請求項2に記載の有機半導体材料。
- 下記の一般式(2)[但し、nは0〜20の整数を表す]で示されるポリアセン誘導体から成り、一般式(2)中のR1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及びR8のそれぞれは、以下の(条件−B1)及び(条件−B2)を満足することを特徴とする有機半導体材料。
(条件−B1)R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及びR8は、各々、互いに独立して、同じ置換基であってもよいし、異なる置換基であってもよく、nが2以上の場合、一般式(2)中に存在する複数のR5は、同じ置換基であってもよいし、異なる置換基であってもよく、また、一般式(2)中に存在する複数のR8は、同じ置換基であってもよいし、異なる置換基であってもよいが、R1、R4、R5及びR8の全てが同時に水素原子である場合は無い。
(条件−B2)R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及びR8のそれぞれは、置換基を有することある炭素原子数1乃至20の脂肪族炭化水素基、置換基を有することある芳香族炭化水素基、置換基を有することある複素芳香族基、カルボキシル基、酸無水物、エステル基、シアノ基、水酸基、チオカルボキシル基、ジチオカルボキシル基、スルホン酸基、スルフィン酸基、スルフェン酸基、スルホニル基、スルフィニル基、ハロゲン化アシル基、カルバモイル基、ヒドラジド基、イミド基、アミド基、アミジノ基、イソシアノ基、シアン酸エステル基、イソシアン酸エステル基、チオシアン酸エステル基、イソチオシアン酸エステル基、ホルミル基、チオホルミル基、アシル基、チオール基、アミノ基、イミノ基、ヒドラジノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、エーテル基、スルフィド基、ジスルフィド基、シリル基、ゲルミル基、スタニル基、ホスフィノ基、ボリル基、ハロゲン原子、及び、水素原子から成る置換基群から選択された少なくとも1種類の置換基である。 - R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及びR8のそれぞれは、置換基を有することある炭素原子数1乃至20の脂肪族炭化水素基、置換基を有することある芳香族炭化水素基、置換基を有することある複素芳香族基、カルボキシル基、酸無水物、エステル基、シアノ基、水酸基、ハロゲン原子、及び、水素原子から成る置換基群から選択された少なくとも1種類の置換基であることを特徴とする請求項4に記載の有機半導体材料。
- nは3以上であり、
アセン骨格の一部における置換基は、炭素原子数が3以上のアルキル基であることを特徴とする請求項5に記載の有機半導体材料。 - 下記の一般式(3)で示されるポリアセン誘導体から成り、一般式(3)中のR1、R2、R3、R4、R5及びR6のそれぞれは、以下の(条件−C1)及び(条件−C2)を満足することを特徴とする有機半導体材料。
(条件−C1)R1、R2、R3、R4、R5及びR6は、各々、互いに独立して、同じ置換基であってもよいし、異なる置換基であってもよいが、R1、R4、R5及びR6の全てが同時に水素原子である場合は無い。
(条件−C2)R1、R2、R3、R4、R5及びR6のそれぞれは、置換基を有することある炭素原子数1乃至20の脂肪族炭化水素基、置換基を有することある芳香族炭化水素基、置換基を有することある複素芳香族基、カルボキシル基、酸無水物、エステル基、シアノ基、水酸基、チオカルボキシル基、ジチオカルボキシル基、スルホン酸基、スルフィン酸基、スルフェン酸基、スルホニル基、スルフィニル基、ハロゲン化アシル基、カルバモイル基、ヒドラジド基、イミド基、アミド基、アミジノ基、イソシアノ基、シアン酸エステル基、イソシアン酸エステル基、チオシアン酸エステル基、イソチオシアン酸エステル基、ホルミル基、チオホルミル基、アシル基、チオール基、アミノ基、イミノ基、ヒドラジノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、エーテル基、スルフィド基、ジスルフィド基、シリル基、ゲルミル基、スタニル基、ホスフィノ基、ボリル基、ハロゲン原子、及び、水素原子から成る置換基群から選択された少なくとも1種類の置換基である。 - 請求項1、請求項2、請求項4又は請求項5に記載の有機半導体材料から成り、結晶性を有することを特徴とする有機半導体薄膜。
- 有機半導体材料におけるアセン骨格の一部における置換基は、炭素原子数が3以上のアルキル基であることを特徴とする請求項8に記載の有機半導体薄膜。
- スタック構造を有することを特徴とする請求項9に記載の有機半導体薄膜。
- 請求項7に記載の有機半導体材料から成り、結晶性を有することを特徴とする有機半導体薄膜。
- 請求項1、請求項2、請求項4又は請求項5に記載の有機半導体材料から成り、結晶性を有する有機半導体薄膜を備えていることを特徴とする有機半導体素子。
- 有機半導体材料におけるアセン骨格の一部における置換基は、炭素原子数が3以上のアルキル基であることを特徴とする請求項12に記載の有機半導体素子。
- 有機半導体薄膜は、スタック構造を有することを特徴とする請求項13に記載の有機半導体素子。
- ソース/ドレイン電極、ソース/ドレイン電極とソース/ドレイン電極とによって挟まれたチャネル形成領域、ゲート絶縁層、並びに、ゲート絶縁層を介してチャネル形成領域と対向して設けられたゲート電極から成り、
有機半導体薄膜によってチャネル形成領域が構成されていることを特徴とする請求項12乃至請求項14のいずれか1項に記載の有機半導体素子。 - 請求項7に記載の有機半導体材料から成り、結晶性を有する有機半導体薄膜を備えていることを特徴とする有機半導体素子。
- ソース/ドレイン電極、ソース/ドレイン電極とソース/ドレイン電極とによって挟まれたチャネル形成領域、ゲート絶縁層、並びに、ゲート絶縁層を介してチャネル形成領域と対向して設けられたゲート電極から成り、
有機半導体薄膜によってチャネル形成領域が構成されていることを特徴とする請求項16に記載の有機半導体素子。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006052927A JP2007013097A (ja) | 2005-06-01 | 2006-02-28 | 有機半導体材料、有機半導体薄膜及び有機半導体素子 |
KR1020060048225A KR20060125496A (ko) | 2005-06-01 | 2006-05-29 | 유기 반도체 재료, 유기 반도체 박막 및 유기 반도체 소자 |
TW095119240A TW200710067A (en) | 2005-06-01 | 2006-05-30 | Organic semiconductor material, organic semiconductor thin film and organic semiconductor device |
US11/421,295 US8115197B2 (en) | 2005-06-01 | 2006-05-31 | Organic semiconductor material, organic semiconductor thin film and organic semiconductor device |
CN2006100915059A CN1872836B (zh) | 2005-06-01 | 2006-05-31 | 有机半导体材料,有机半导体薄膜和有机半导体器件 |
CN2011100336837A CN102161621A (zh) | 2005-06-01 | 2006-05-31 | 有机半导体材料,有机半导体薄膜和有机半导体器件 |
EP06011265A EP1729357A3 (en) | 2005-06-01 | 2006-05-31 | Organic semiconductor material, organic semiconductor thin film and organic semiconductor device |
US12/364,601 US20090140241A1 (en) | 2005-06-01 | 2009-02-03 | Organic semiconductor material, organic semiconductor thin film and organic semiconductor device |
US12/364,594 US20090230387A1 (en) | 2005-06-01 | 2009-02-03 | Organic semiconductor material, organic semiconductor thin film and organic semiconductor device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005161301 | 2005-06-01 | ||
JP2006052927A JP2007013097A (ja) | 2005-06-01 | 2006-02-28 | 有機半導体材料、有機半導体薄膜及び有機半導体素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007013097A JP2007013097A (ja) | 2007-01-18 |
JP2007013097A5 true JP2007013097A5 (ja) | 2009-04-16 |
Family
ID=36933332
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006052927A Pending JP2007013097A (ja) | 2005-06-01 | 2006-02-28 | 有機半導体材料、有機半導体薄膜及び有機半導体素子 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8115197B2 (ja) |
EP (1) | EP1729357A3 (ja) |
JP (1) | JP2007013097A (ja) |
KR (1) | KR20060125496A (ja) |
CN (2) | CN102161621A (ja) |
TW (1) | TW200710067A (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7800103B2 (en) * | 2004-12-02 | 2010-09-21 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic thin film transistor material, organic thin film transistor, field-effect transistor, switching element, organic semiconductor material and organic semiconductor film |
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US8138075B1 (en) | 2006-02-06 | 2012-03-20 | Eberlein Dietmar C | Systems and methods for the manufacture of flat panel devices |
JP4972950B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2012-07-11 | Jnc株式会社 | 有機半導体素子に適したテトラセン化合物 |
US7892454B2 (en) * | 2006-11-17 | 2011-02-22 | Polyera Corporation | Acene-based organic semiconductor materials and methods of preparing and using the same |
US8093713B2 (en) * | 2007-02-09 | 2012-01-10 | Infineon Technologies Ag | Module with silicon-based layer |
JP2008244362A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体回路、電気光学装置および電子機器 |
KR100959460B1 (ko) * | 2007-11-16 | 2010-05-25 | 주식회사 동부하이텍 | 투명 박막 트랜지스터 및 투명 박막 트랜지스터의 제조방법 |
US8822731B2 (en) * | 2009-11-30 | 2014-09-02 | University Of New Hampshire | Soluble, persistent nonacene derivatives |
US8513466B2 (en) * | 2009-11-30 | 2013-08-20 | University Of New Hampshire | Class of soluble, photooxidatively resistant acene derivatives |
GB201108865D0 (en) | 2011-05-26 | 2011-07-06 | Ct For Process Innovation The Ltd | Semiconductor compounds |
GB201108864D0 (en) | 2011-05-26 | 2011-07-06 | Ct For Process Innovation The Ltd | Transistors and methods of making them |
JP5948772B2 (ja) * | 2011-09-21 | 2016-07-06 | 東ソー株式会社 | ジチエノベンゾジチオフェン誘導体組成物及びこれを用いた有機薄膜トランジスタ |
JP5874745B2 (ja) | 2012-02-17 | 2016-03-02 | 旭硝子株式会社 | 含フッ素芳香族化合物及びその製造方法 |
CN104114522A (zh) | 2012-02-17 | 2014-10-22 | 旭硝子株式会社 | 含氟芳香族化合物及其制造方法 |
EP2926385B1 (de) * | 2012-11-30 | 2020-08-05 | Merck Patent GmbH | Elektronische vorrichtung |
JP6459263B2 (ja) * | 2013-07-19 | 2019-01-30 | セントラル硝子株式会社 | 膜形成用組成物およびその膜、並びにそれを用いる有機半導体素子の製造方法 |
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CN105585589B (zh) * | 2014-11-12 | 2018-10-23 | 中国中化股份有限公司 | 一种可溶性并苯化合物及其制备方法和应用 |
JP6923837B2 (ja) * | 2015-06-29 | 2021-08-25 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 可溶性ペンタセンを用いた動的核偏極による核スピン高偏極化方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6344284B1 (en) * | 1998-04-10 | 2002-02-05 | Organic Display Technology | Organic electroluminescent materials and devices made from such materials |
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-
2006
- 2006-02-28 JP JP2006052927A patent/JP2007013097A/ja active Pending
- 2006-05-29 KR KR1020060048225A patent/KR20060125496A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-05-30 TW TW095119240A patent/TW200710067A/zh unknown
- 2006-05-31 EP EP06011265A patent/EP1729357A3/en not_active Withdrawn
- 2006-05-31 CN CN2011100336837A patent/CN102161621A/zh active Pending
- 2006-05-31 CN CN2006100915059A patent/CN1872836B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-31 US US11/421,295 patent/US8115197B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-02-03 US US12/364,594 patent/US20090230387A1/en not_active Abandoned
- 2009-02-03 US US12/364,601 patent/US20090140241A1/en not_active Abandoned
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