JP2009516930A5

JP2009516930A5 -

Info

Publication number: JP2009516930A5
Application number: JP2008542331A
Authority: JP
Filing date: 2006-11-07
Publication date: 2009-12-17

Claims

シアン化されていないナフタレン核、及び当該化合物中の各イミド窒素に直接的に結合された、それぞれ環炭素4〜10個の第1及び第2の脂環式系を有するN,N'-ジシクロアルキル置換型ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物を含む有機半導体材料から成る薄膜を、薄膜トランジスタ内に含む物品であって、
該脂環式系及び該ナフタレン核のそれぞれの上に独立して、任意選択的に1つ又は2つ以上の置換基が在り、
該化合物中の各脂環式系上の任意の置換基は、少なくとも1つの電子供与有機置換基を含む。
該有機半導体材料薄膜が、下記構造：

（上記式中、上記構造内の該2つのシクロヘキシル環のうちの第1の環上の、R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁴ 、及びR ⁵ 、そして該2つのシクロヘキシル環のうちの第2の環上の、R ⁶ 、R ⁷ 、R ⁸ 、R ⁹ 、及びR ¹⁰ はそれぞれ独立して、H又は有機置換基であり、任意選択的に環系上のいずれか2つの隣接するR基が結合して架橋された脂環式系の一部として置換型又は無置換型の4〜7員環を形成することができることを許し、該化合物中の脂環式系上の任意の置換基は、少なくとも1つの電子供与有機基を含み；そしてYは、電子求引性ではなく、且つ該有機半導体材料の有効な半導体特性に不都合な影響を及ぼさない置換基であり、そしてmは0〜4である）
によって表されるN,N'-ジシクロアルキル置換型1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物を含む請求項1に記載の物品。
薄膜半導体デバイスの製作方法であって、必ずしも下記順序通りではなく、
(a) シアン化されていないナフタレン核、及び当該化合物中の各イミド窒素に直接的に結合された、それぞれ環炭素4〜10個の第1及び第2の脂環式系を有するN,N'-ジシクロアルキル置換型ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物を含む有機半導体材料から成る薄膜を基板上に堆積させる工程、
該脂環式系及び該ナフタレン核のそれぞれの上に独立して、任意選択的に1つ又は2つ以上の置換基が在り、存在する場合は、該任意選択の置換基は、nチャネル有機半導体材料から成る薄膜を、該有機半導体材料が0.01 cm ² /Vsを上回る電界効果電子移動度を示すように、少なくとも1つの電子供与有機置換基を含む；
(b) 離隔されたソース電極とドレイン電極とを形成する工程、
該ソース電極とドレイン電極とは、nチャネル半導体膜によって分離され、そして該nチャネル半導体膜と電気的に接続される；及び
(c) 該有機半導体材料から離隔されたゲート電極を形成する工程
を含んで成る薄膜半導体デバイスの製作方法。