JP2007012819A - ドライエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 エッチング形状の悪化を抑制しつつエッチング速度を向上させる方法を提供する。
【解決手段】 反応処理室１５内で、ＣＦ基を有する堆積性のガス２６のプラズマと被加工物１７のエッチング領域とが接触する工程と、この工程の後に、反応処理室１５内で、エッチングガス２４のプラズマと被加工物１７のエッチング領域とが接触する工程と、この工程の後に、反応処理室１５内で、堆積性のガス２６のプラズマと被加工物１７のエッチング領域とが接触する工程と、この工程の後に、反応処理室１５内で、エッチングガス２４のプラズマと被加工物１７のエッチング領域とが接触する工程とを備えている。
【選択図】 図１
【解決手段】 反応処理室１５内で、ＣＦ基を有する堆積性のガス２６のプラズマと被加工物１７のエッチング領域とが接触する工程と、この工程の後に、反応処理室１５内で、エッチングガス２４のプラズマと被加工物１７のエッチング領域とが接触する工程と、この工程の後に、反応処理室１５内で、堆積性のガス２６のプラズマと被加工物１７のエッチング領域とが接触する工程と、この工程の後に、反応処理室１５内で、エッチングガス２４のプラズマと被加工物１７のエッチング領域とが接触する工程とを備えている。
【選択図】 図１
Description
本発明は、ドライエッチング方法、とりわけプラズマ源を用いた半導体基板等の被加工物のドライエッチング方法に関する。
ドライエッチング技術は、半導体装置の製造において広く使用されている。半導体基板を用いたＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）やマイクロマシニングの分野においても、重要な技術である。これらの分野では、半導体基板、特に、シリコン（以降、Ｓｉという）基板の表面に垂直な方向に深い穴や溝（以降、トレンチという）を形成する技術が必要とされている。例えば、Ｓｉ基板中に幅数μｍ、深さ数１０μｍの垂直なトレンチの形成、あるいは、幅１００μｍ以上で深さ方向に垂直に貫通した孔の形成等が求められる場合がある。
トレンチを形成するために、プラズマ発生源を有する装置を用いて、反応処理室内で、エッチング性のガスであるＳＦ6（六フッ化硫黄）と堆積性のガスであるＣ4Ｆ8（八フッ化シクロブタン）を交互に切り替えて、すなわち、エッチングによるトレンチ形成（エッチング工程）とこのエッチングされたトレンチの側壁保護膜形成（堆積工程）を交互に繰り返しながら、半導体基板を垂直方向にエッチングして行くドライエッチング方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。レジストマスク下に形成されたトレンチの側壁には、エッチング工程と堆積工程の繰り返しに対応した不連続な表面形状、すなわち、波状の凹凸が見られる。
この開示された提案には、エッチング速度を上げる方法は示されていない。エッチング速度を高速化する方法として、例えば、エッチングガスのガス流量を増加させ、Ｆ（フッ素）ラジカル供給速度及び反応生成物除去速度を上げる方法が考えられる。
しかしながら、エッチングガスのガス流量を増加させる場合、交互に切り替える堆積性のガスとのガス流量の差が大きくなると、ガス切り替え時に、圧力調整バルブが追従できず、圧力変動が生じ、プラズマが不安定になる現象が発生する。プラズマの不安定を避けるために、エッチング工程と堆積工程の切り替え時の圧力変化を小さくしようとして、堆積工程時のＣ4Ｆ8ガス流量を増加させると、トレンチの側壁の加工形状を良好に制御することが困難となる問題が発生する。
特開２００４−３２７６０６号公報 （第３−４頁、図１）
本発明は、エッチング形状の悪化を抑制しつつエッチング速度を向上させる方法を提供する。
本発明の一態様のドライエッチング方法は、反応処理室内で、ＣＦ基を有する堆積性のガスのプラズマと被加工物のエッチング領域とが接触する第１の工程と、前記第１の工程の後に、前記反応処理室内で、エッチング性のガスのプラズマと前記エッチング領域とが接触する第２の工程と、前記第２の工程の後に、前記反応処理室内で、前記堆積性のガスのプラズマと前記エッチング領域とが接触する第３の工程と、前記第３の工程の後に、前記反応処理室内で、前記エッチング性のガスのプラズマと前記エッチング領域とが接触する第４の工程とを備えていることを特徴とする。
また、本発明の別態様のドライエッチング方法は、反応処理室内で、ＣＯ（一酸化炭素）ガス及びフッ化炭素系ガスからなる堆積性のガスのプラズマと被加工物のエッチング領域とが接触する第１の工程と、前記第１の工程の後に、前記反応処理室内で、エッチング性のガスのプラズマと前記エッチング領域とが接触する第２の工程と、前記第２の工程の後に、前記反応処理室内で、前記堆積性のガスのプラズマと前記エッチング領域とが接触する第３の工程と、前記第３の工程の後に、前記反応処理室内で、前記エッチング性のガスのプラズマと前記エッチング領域とが接触する第４の工程とを備えていることを特徴とする。
本発明によれば、エッチング形状の悪化を抑制しつつエッチング速度を向上させる方法を提供することができる。
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。以下に示す図では、同一の構成要素には同一の符号を付す。
本発明の実施例１に係るドライエッチング方法について、図１乃至図４を参照しながら説明する。図１は被加工物のドライエッチングを実施するために使用されるドライエッチング装置を模式的に示す構成図、図２（ａ）はドライエッチング前のＳｉ基板の模式的断面図、図２（ｂ）はドライエッチング方法で形成されるトレンチの形状及び側壁に発生するアンダーカット量を模式的に示す断面図、図３は堆積性のガス流量に対するアンダーカット量を示す図、図４はエッチングガス流量に対するエッチング速度を示す図である。
図１に示すように、例えば、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）源を有するドライエッチング装置１は、プラズマ生成室１１、及び、プラズマ生成室１１に接続された反応処理室１５を有する。プラズマ生成室１１に高周波エネルギーを供給するアンテナ１２がプラズマ生成室１１の外周部に設置され、アンテナ１２にはマッチング回路１３を介して高周波電源１４が接続されている。反応処理室１５内に、被加工物１７が載置される下部電極１６を備え、下部電極１６にはマッチング回路１８を介して高周波電源１９が接続されている。なお、プラズマ生成室１１と反応処理室１５は、明確に区別される必要は必ずしもない。誘導結合型プラズマ源は、高密度プラズマ（プラズマ密度１０Ｅ１１〜１０Ｅ１３ｃｍ−３程度）を発生することが可能な装置の１つである。
また、ドライエッチング装置１は、プラズマ生成室１１の上部にガス導入口２１が設置され、ガス導入口２１には、例えば、質量流量計（ＭＦＣ）を含む流量制御装置２３、２５を介して、エッチング性のガス、すなわちエッチングガス２４及び堆積性のガス２６がそれぞれ接続されている。反応処理室１５には圧力調整用のバルブ３１を介してターボ分子ポンプ３２が接続され、ターボ分子ポンプ３２の排気側にはドライポンプ３３が接続され、更に、ドライポンプ３３の排気側は排ガス処理装置３４に接続され、排ガス処理装置３４の排気側は、排気ダクト（図示略）に接続された排気系を形成している。
ドライエッチング装置１内のガスの流れを説明する。ボンベに格納されたエッチングガス２４であるＳＦ6（六フッ化硫黄）及びＣＦ基を有する堆積性のガス２６であるＣ5Ｆ8（ペルフルオロシクロペンテン）が、流量制御装置２３、２５で流量を制御されて、プラズマ生成室１１に導入される。プラズマ生成室１１で発生したＳＦ6またはＣ5Ｆ8の高密度プラズマは、反応処理室１５内の被加工物１７を処理するために、下部電極１６または排気系により被加工物１７方向に移動させられて、被加工物１７に接触して反応する。反応処理室１５内の反応ガスまたは未反応ガスは、ターボ分子ポンプ３２でドライポンプ３３側に排気される。なお、プラズマ生成室１１にはプラズマ発生のための、例えば、Ａｒ（アルゴン）ガス（図示略）が同時に導入される場合もある。
上述した構成のドライエッチング装置１を使用して、ドライエッチング方法の確立を検討した。被加工物１７であるＳｉ基板に所望のトレンチ形状を形成するために、図２（ａ）に示すように、Ｓｉ基板５１の表面のエッチング領域に開口部５５を有するレジストマスク５３を形成した。
ドライエッチング装置１の反応処理室内において、図１に示す被加工物１７の位置にＳｉ基板５１を載置した。第１及び第３の工程である保護膜を形成する工程（堆積工程）において、アンテナ１２へ供給する高周波電力は１０００Ｗ、反応処理室１５内の圧力は５０ｍｔｏｒｒ（６．７Ｐａ）、及び、下部電極への供給電力は０Ｗとした。堆積性のＣ5Ｆ8ガスの流量は、変化パラメータである。また、第２及び第４の工程であるエッチングを行う工程（エッチング工程）において、アンテナ１２へ供給する高周波電力は２５００Ｗ、ＳＦ6ガス流量は１ｓｌｍ（１０００ｓｃｃｍ）、反応処理室１５内の圧力は９０ｍＴｏｒｒ（１２Ｐａ）、下部電極への供給電力は５０Ｗとした。なお、ＳＦ6ガス流量は、１．２ｓｌｍまでのエッチング速度（図示略）を確認後、設定された。
この条件の下、堆積工程（例えば、２〜５秒程度）とエッチング工程（例えば、１〜２秒程度）とを１サイクルとして、所望のトレンチの深さ等に応じて複数サイクルを繰り返して、Ｓｉ基板５１のエッチングを行い、図２（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板５１に垂直方向にトレンチ５７を形成した。
図２（ｂ）に示すように、トレンチ５７の深さ方向、すなわち、Ｓｉ基板５１に垂直方向へのエッチングと共に、側壁に垂直な方向へのエッチングが起こり、レジストマスク５３の開口部５５の深さ方向の延長面とトレンチ５７の側壁との差をアンダーカット量５８として、トレンチ５７の形状の評価に使用した。側壁５７は、微視的には波状の凹凸が存在するが、アンダーカット量に比較して小さいので直線で示してある。
アンダーカット量５８のＣ5Ｆ8ガス流量依存性の結果を図３に示す。図３には、比較のため、ドライエッチング装置１において、従来用いられているＣ4Ｆ8（八フッ化シクロブタン）を、本実施例に用いたＣ5Ｆ8の代わりに導入して、トレンチを形成した結果と共に示す。
図３に示すように、横軸は堆積性のガスの流量（ｓｃｃｍ）、縦軸はアンダーカット量（μｍ）を示している。円及び破線で示したＣ5Ｆ8では、ガス流量が増加するにつれてアンダーカット量は単調に減少し、流量を１ｓｌｍまで増加させてもアンダーカット量は増加していない。Ｃ5Ｆ8ガス流量を１ｓｌｍとした時、アンダーカット量は約０．４μｍである。一方、四角形及び実線で示した従来のＣ4Ｆ8では、ガス流量が１００ｓｃｃｍから増加するにつれてアンダーカット量が減少し、３００ｓｃｃｍから４００ｓｃｃｍで最小を示し、さらに流量が増加するとアンダーカット量が増加して行く傾向にある。
これらの結果は、従来の下記化１に示す分子構造を有するＣ4Ｆ8と比較して、次のように説明できる。まず、Ｃ4Ｆ8の場合は、ガス流量を増加させて行くと、保護膜形成に適切なＣＦラジカル量が増加して行き、トレンチ５７の側壁への堆積量が増加しアンダーカット量を抑える効果が増加して行く。反応処理室１５内の圧力を一定に保ちながら、更に、ガス流量を増加させて行くと、ガスの反応処理室１５内の滞在時間が減少し、Ｃ−Ｃ結合の解離に留まって、Ｃ−Ｆの解離が進まず（化１参照）、保護膜形成に適切なＣＦラジカルが減少し、保護膜形成に不適切なＣＦ2ラジカルが増加して行く。その結果、トレンチ５７の側壁への堆積量が減少し、アンダーカット量は再び増加して行くと考えられる。
一方、本実施例のＣ5Ｆ8の場合は、その分子構造の違いによって、解離の仕方が異なり、トレンチ形状に差が出ると考えられる。すなわち、下記化２に示すように、Ｃ5Ｆ8はＣＦ2基及びＣＦ基を３：２の割合で有しており、ＣＦラジカルが生成され易い。そのために、Ｃ5Ｆ8ガス流量を増加させて行くと、初めはＣ4Ｆ8と同様にＣＦラジカルが急激に増加して行き、トレンチ５７の側壁の保護効果が増加して行く。反応処理室１５内の圧力を一定に保ちながら、更にガス流量を増加させ、プラズマ中の滞在時間が減少しても側壁の保護膜形成に適切なＣＦラジカル量の減少は起こらずに、わずかながら増加し続けると考えられる。その結果、Ｃ5Ｆ8ガス流量が１ｓｌｍにおいても、アンダーカット量が約０．４μｍと小さく抑えられる。
以上、説明したように、本実施例によれば、堆積性のガスとしてＣＦ基を有する環状Ｃ5Ｆ8を使用することにより、Ｃ5Ｆ8ガス流量を約１ｓｌｍに増加させても、従来に比較してアンダーカット量を小さく抑えることができる。一方、周知のエッチングガスＳＦ6は、流量を増加させるとエッチング速度が上がる傾向にある。図４はＳＦ6ガス流量に対するＳｉ基板のエッチング速度の一例を示したもので、エッチング工程においてＳＦ6ガス流量が増加するにしたがって、エッチング速度が増加して行くことを示している。従って、エッチングガスと堆積性のガスを切り替えた時に、プラズマが不安定にならない程度のガス流量差を維持しながら両ガス流量を増加（例えば、８００〜１０００ｓｃｃｍ程度）させて設定し、交互に切り替えることにより、トレンチ形成のエッチング速度を高めて、且つアンダーカット量を小さく抑えることが可能となる。すなわち、Ｃ5Ｆ8を使用することにより、エッチング形状の悪化を抑制しつつエッチング速度を向上させる方法を提供することができる。
また、本実施例のドライエッチング方法は、アンダーカット量を小さく抑えることができるので、トレンチの側壁方向への広がりを小さく抑えつつ、Ｓｉ基板の表面から垂直方向に深いトレンチの形成が可能となり、半導体装置及びＳｉ基板を用いたＭＥＭＳやマイクロマシニングの分野等において、適用範囲を一層広げることが可能となる。
本発明の実施例２に係るドライエッチング方法について、図５を参照しながら説明する。図５は堆積性のガス流量に対するアンダーカット量を示す図である。実施例１とは、堆積性のガスとしてＣ4Ｆ6を使用することが異なる。以下、実施例１と同一または対応構成部分には同一の符号を付して、その説明は省略し、異なる構成部分について説明する。
本実施例で使用するドライエッチング装置は、実施例１と同様な構成であり、図１に示した堆積性のガス２６がＣ4Ｆ6（ヘキサフルオロシクロブテン）であることが異なっている。高周波電力、反応処理室１５内の圧力及びＳｉ基板５１等は実施例１と同様である。
図５には、Ｃ4Ｆ6ガス流量に対するアンダーカット量５８を、実施例１で使用したＣ5Ｆ8及び従来から用いられているＣ4Ｆ8と比較できるように示してある。横軸及び縦軸は図３と同様である。
図５に示すように、三角形及び点線で示したＣ4Ｆ6では、ガス流量が増加するにつれてアンダーカット量は単調に減少し、流量を１ｓｌｍまで増加させてもアンダーカット量は増加していない。Ｃ4Ｆ6ガス流量を１ｓｌｍとした時、アンダーカット量は約０．３μｍである。実施例１で使用したＣ5Ｆ8のアンダーカット量と比較すると、ほとんど同じ傾向を示し、本実施例のＣ4Ｆ6を使用したアンダーカット量の方がわずかに小さい傾向にある。
これは、本実施例のＣ4Ｆ6の分子構造によって説明できる。下記化３に示すように、Ｃ4Ｆ6はＣＦ2基及びＣＦ基を１：１の割合で有しており、ＣＦラジカルが生成され易い。そのために、Ｃ4Ｆ6ガス流量を増加させて行くと、ＣＦラジカルが急激に増加して行き、トレンチの側壁の保護効果が増加して行く。反応処理室１５内の圧力を一定に保ちながら、更にガス流量を増加させ、プラズマ中の滞在時間が減少しても、側壁の保護膜形成に適切なＣＦラジカル量の減少は起こらずに、わずかながら増加し続けると考えられる。その結果、Ｃ4Ｆ6ガス流量が１ｓｌｍにおいても、アンダーカット量が約０．３μｍと小さく抑えられると考えられる。実施例１で使用したＣ5Ｆ8よりアンダーカット量が小さい理由は、Ｃ4Ｆ6の方がＣＦ基の比率が高いためと推測できる。
上述したように、本実施例によれば、堆積性のガスとしてＣＦ基を有する環状Ｃ4Ｆ6を使用することにより、実施例１と同様な効果を有し、その効果の他に、アンダーカット量を更に小さく抑えることが可能となる。
本発明の実施例３に係るドライエッチング方法について、図６及び図７を参照しながら説明する。図６はＳｉ基板のドライエッチングを実施するために使用されるドライエッチング装置を模式的に示す構成図、図７は堆積性のガスとして添加するＣＯガス流量に対するアンダーカット量を示す図である。実施例１とは、堆積性のガスとしてＣ4Ｆ8及び添加するＣＯガスを使用することが異なる。以下、実施例１と同一または対応構成部分には同一の符号を付して、その説明は省略し、異なる構成部分について説明する。
図６に示すように、ドライエッチング装置２は、実施例１のドライエッチング装置１に新しくＣＯ（一酸化炭素）ガス２８供給系が追加されている。ボンベに格納されたＣＯガス２８は、流量制御装置２７を介して、プラズマ生成室１１の上部のガス導入口２１に接続されている。また、ボンベに格納された堆積性のガス２６として、Ｃ4Ｆ8が使用される。
ドライエッチング装置２の高周波電力、反応処理室１５の圧力及びアンダーカット量調査用のＳｉ基板５１等は実施例１と同様である。ドライエッチング装置２において、第１及び第３の工程である保護膜を形成する工程（堆積工程）において、環状フッ化炭素系ガスであるＣ4Ｆ8のガス流量を８００ｓｃｃｍとし、ＣＯガスを添加した。第２及び第４の工程であるエッチングを行う工程（エッチング工程）は、実施例１と同様である。Ｓｉ基板５１のエッチングを行い、図２（ｂ）と同様に、Ｓｉ基板５１にトレンチ５７を形成した。
Ｃ4Ｆ8ガス流量は、８００ｓｃｃｍ（図３参照）に固定してある。図７に、横軸をＣＯガスの流量（ｓｃｃｍ）、縦軸をアンダーカット量（μｍ）として示すように、添加するＣＯガス流量が２００ｓｃｃｍから６００ｓｃｃｍへ増加するにつれてアンダーカット量は単調に減少する。ＣＯガス流量を６００ｓｃｃｍとした時、アンダーカット量は約０．５μｍである。ＣＯガスを流さない場合、図３に示すように、Ｃ4Ｆ8ガス流量が８００ｓｃｃｍでは、アンダーカット量は約３μｍであるので、ＣＯガスを添加することによりアンダーカット量を抑制することが可能となった。
この結果は、従来のＣ4Ｆ8だけの場合と比較して、次のように説明できる。すなわち、Ｃ4Ｆ8を流量８００ｓｃｃｍで流すと、ＣＦ2基が解離するために、側壁の保護膜形成に適切なＣＦ基の比率が相対的に低くなっていた。しかしながら、ＣＯガスを添加することによって、プラズマ中でＣＯから保護膜形成に適切なＣが解離し、Ｓｉ基板表面でのＣ／Ｆ比率が上昇する。そのためにトレンチ５７の側壁の保護膜が形成され易くなり、アンダーカット量が減少したものと考えられる。
以上、説明したように、本実施例によれば、分子構造としてＣＦ基を持たない環状Ｃ4Ｆ8を、ＣＯガスと同時に使用することにより、Ｃ4Ｆ8ガス流量を約８００ｓｃｃｍに増加させても、従来に比較してアンダーカット量を小さく抑えることができる。一方、上述したように、エッチングガスは流量を増加させると、エッチング速度が上がる傾向にある。従って、エッチングガスとＣＯガスを加えた堆積性のガスとを切り替えた時に、プラズマが不安定にならない程度のガス流量差を維持しながら、堆積工程とエッチング工程とを交互に切り替えることにより、エッチング速度を高めて、且つアンダーカット量を小さく抑えることが可能となる。すなわち、ＣＯガスを加えたＣ4Ｆ8を使用することにより、エッチング形状の悪化を抑制しつつエッチング速度を向上させる方法を提供することができる。
また、本実施例のドライエッチング方法は、従来から量産されているＣ4Ｆ8ガスを使用できるので、トレンチ形成のコストを抑制することが可能となる。そのため、半導体装置及びＳｉ基板を用いたＭＥＭＳやマイクロマシニングの分野等において、適用範囲を一層広げることが可能となる。
本発明は、上述した実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々、変形して実施することができる。
例えば、実施例１及び２では、堆積性のガスとしてＣ5Ｆ8及びＣ4Ｆ6を用いたが、分子構造にＣＦ基を持つ他のフッ化炭素系の化合物であっても同様の効果が得られるので、堆積性のガスとして代替することは可能である。
また、実施例３では、堆積性のガスの主ガスとしてＣ4Ｆ8、添加ガスとしてＣＯを使用する例を示したが、堆積性のガスの主ガスとしてＣＦ2基を持つ他のフッ化炭素系の化合物やＣＦ基を持つＣ5Ｆ8またはＣ4Ｆ6等を用いて、添加ガスとしてＣＯを使用することは差し支えない。
また、被加工物であるＳｉ基板にトレンチを形成する例を示したが、Ｓｉ基板の表面にポリシリコン膜、シリサイド膜、誘電体膜、あるいはＳｉＧｅ等が形成されていても差し支えなく、被加工物が化合物半導体基板であっても差し支えない。
また、ドライエッチング装置として、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）源を有する装置を使用する例を示したが、プラズマ源として、高密度プラズマを発生可能な他の電子サイクロトロン共鳴プラズマ、ヘリコン波励起プラズマ、マイクロ波励起表面波プラズマ等を使用することは可能である。
１、２ ドライエッチング装置
１１ プラズマ生成室
１２ アンテナ
１３、１８ マッチング回路
１４、１９ 高周波電源
１５ 反応処理室
１６ 下部電極
１７ 被加工物
２１ ガス導入口
２３、２５、２７ 流量制御装置
２４ エッチングガス
２６ 堆積性のガス
２８ ＣＯガス
３１ バルブ
３２ ターボ分子ポンプ
３３ ドライポンプ
３４ 排ガス処理装置
５１ Ｓｉ基板
５３ レジストマスク
５５ 開口部
５７ トレンチ
５８ アンダーカット量
１１ プラズマ生成室
１２ アンテナ
１３、１８ マッチング回路
１４、１９ 高周波電源
１５ 反応処理室
１６ 下部電極
１７ 被加工物
２１ ガス導入口
２３、２５、２７ 流量制御装置
２４ エッチングガス
２６ 堆積性のガス
２８ ＣＯガス
３１ バルブ
３２ ターボ分子ポンプ
３３ ドライポンプ
３４ 排ガス処理装置
５１ Ｓｉ基板
５３ レジストマスク
５５ 開口部
５７ トレンチ
５８ アンダーカット量
Claims (5)
- 反応処理室内で、ＣＦ基を有する堆積性のガスのプラズマと被加工物のエッチング領域とが接触する第１の工程と、
前記第１の工程の後に、前記反応処理室内で、エッチング性のガスのプラズマと前記エッチング領域とが接触する第２の工程と、
前記第２の工程の後に、前記反応処理室内で、前記堆積性のガスのプラズマと前記エッチング領域とが接触する第３の工程と、
前記第３の工程の後に、前記反応処理室内で、前記エッチング性のガスのプラズマと前記エッチング領域とが接触する第４の工程と、
を備えていることを特徴とするドライエッチング方法。 - 前記堆積性のガスは環状Ｃ5Ｆ8（ペルフルオロシクロペンテン）または環状Ｃ4Ｆ6（ヘキサフルオロシクロブテン）であることを特徴とする請求項１に記載のドライエッチング方法。
- 反応処理室内で、ＣＯ（一酸化炭素）ガス及びフッ化炭素系ガスからなる堆積性のガスのプラズマと被加工物のエッチング領域とが接触する第１の工程と、
前記第１の工程の後に、前記反応処理室内で、エッチング性のガスのプラズマと前記エッチング領域とが接触する第２の工程と、
前記第２の工程の後に、前記反応処理室内で、前記堆積性のガスのプラズマと前記エッチング領域とが接触する第３の工程と、
前記第３の工程の後に、前記反応処理室内で、前記エッチング性のガスのプラズマと前記エッチング領域とが接触する第４の工程と、
を備えていることを特徴とするドライエッチング方法。 - 前記フッ化炭素系ガスは環状Ｃ4Ｆ8（八フッ化シクロブタン）であることを特徴とする請求項３に記載のドライエッチング方法。
- 前記エッチング領域は、前記被加工物の表面に形成されたレジストマスクの開口部であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のドライエッチング方法。
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