JP2007012619A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 下部基板と、
   少なくとも２つの層を含み、上層は銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、およびモリブデン−タングステン合金からなる群より選択される少なくとも1つの金属を含む、前記下部基板上に形成されたカソード電極と、
   前記カソード電極上で成長したエミッタチップ用カーボンナノチューブと、
   前記下部基板に対向し位置して、蛍光物質と透明電極を含む上部基板と、
   を含むことを特徴とする面光源装置。
2. 前記カソード電極と絶縁され、前記カソード電極の上部に形成されるゲート電極を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の面光源装置。
3. 前記ゲート電極は、鉛（Ｐｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）、およびクロム（Ｃｒ）からなる群より選択される少なくとも1つの金属を含むことを特徴とする、請求項２に記載の面光源装置。
4. ２層構造のカソード電極が、クロムを含む下部カソード電極層と、チタンを含む上部カソード電極層とを含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の面光源装置。
5. 下部カソード電極層は、ゲート電極と同じ物質を含むことを特徴とする、請求項４に記載の面光源装置。
6. 下部基板と、少なくとも２つの層を含み、上層は銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、およびモリブデン−タングステン合金からなる群より選択される少なくとも１つの金属を含む、前記下部基板上に形成されたカソード電極と、前記カソード電極上に成長されたエミッタチップ用カーボンナノチューブと、前記下部基板に対向して位置し、蛍光物質と透明電極とを有する上部基板を含む面光源装置と、
   前記面光源装置の上部に配置された液晶表示パネルと、
   を含むことを特徴とする、液晶表示装置。
7. 下部基板と、
   前記下部基板上に形成され、少なくとも２つの層を含むカソード電極と、
   前記カソード電極の上部に形成され、前記カソード電極と絶縁され開口部を通して前記カソード電極の表面の一部を露出させるゲート電極と、
   前記ゲート電極の上部に形成される触媒金属層と、
   前記ゲート電極の開口部に対応する前記カソード電極上に位置し、前記触媒金属層を利用して成長したカーボンナノチューブと、
   前記下部基板に対向して位置し、蛍光物質と透明電極とを有する上部基板と、
   を含むことを特徴とする、面光源装置。
8. 前記カソード電極が、下部カソード電極層および上部カソード電極層を含むことを特徴とする、請求項７に記載の面光源装置。
9. 前記下部カソード電極層が、前記ゲート電極と同じ物質を含むことを特徴とする、請求項８に記載の面光源装置。
10. 下部基板上にカソード電極を形成する段階と、
    前記カソード電極の上部に、前記カソード電極と絶縁され、前記カソード電極の表面の一部を露出させる開口部を有するゲート電極を形成する段階と、
    前記ゲート電極の上部の、前記ゲート電極の開口部から露出された前記カソード電極の表面に触媒金属層を形成する段階と、
    前記ゲート電極の開口部に対応する前記カソード電極上にカーボンナノチューブを、前記触媒金属層を利用して成長させる段階と、
    前記下部基板に対向して位置し、蛍光物質と透明電極とを有する上部基板を形成する段階と、
    を含むことを特徴とする、面光源装置の製造方法。