JP2007007845A5

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Publication number: JP2007007845A5
Application number: JP2006147338A
Authority: JP
Filing date: 2006-05-26
Publication date: 2009-05-07
Anticipated expiration: 2026-05-26

Claims

絶縁表面上に設けられた第一の多結晶シリコン層を有する第一層と、
前記第一層上に設けられた第二の多結晶シリコン層を有する第二層と、を有し、
前記第一の多結晶シリコン層および前記第二の多結晶シリコン層は、金属元素を用いて結晶化された多結晶シリコン層であり、
前記第一層と前記第二層との間には空間を有することを特徴とする微小構造体。
絶縁表面上に設けられた第一の多結晶シリコン層を有する第一層と、
前記第一層上に設けられた第二の多結晶シリコンを有する第二層と、を有し、
前記第一の多結晶シリコン層および前記第二の多結晶シリコン層は、金属元素を用いて結晶化された多結晶シリコン層であり、
前記第一層と前記第二層との間には空間を有し、前記第二層は、前記絶縁表面及び前記第一層に接しない部分を有することを特徴とする微小構造体。
絶縁表面上に設けられた第一の多結晶シリコン層を有する第一層と、
前記第一層上に設けられた第二の多結晶シリコンを有する第二層と、を有し、
前記第一の多結晶シリコン層および前記第二の多結晶シリコン層は、金属元素を用いて結晶化された多結晶シリコン層であり、
前記第一層と前記第二層との間には空間を有し、前記第二層は、前記絶縁表面及び前記第一層に接しない部分を有する梁構造となることを特徴とする微小構造体。
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記空間は、前記第一層上に設けられた金属、金属化合物、シリコン、シリコン酸化物又はシリコン窒化物を有する層がエッチング法により除去され生じたことを特徴とする微小構造体。
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第二層は、前記第二の多結晶シリコン層と、非晶質シリコン層とを積層した構造を有することを特徴とする微小構造体。
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第二層は、前記第二の多結晶シリコン層と第三の多結晶シリコン層が積層した構造を有し、
前記第二の多結晶シリコン層の結晶状態と前記第三の多結晶シリコンの結晶状態とが異なることを特徴とする微小構造体。
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記結晶化には熱結晶化又はレーザ結晶化が用いられることを特徴とする微小構造体。
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記結晶化に用いられる金属元素は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、及びＡｕのいずれか１つ又は複数であることを特徴とする微小構造体。
絶縁表面上に、非晶質シリコンを有する層を形成し、
前記非晶質シリコンを、金属を用いて結晶化して多結晶シリコンとし、
前記第三層をエッチングにより除去することによって、前記多結晶シリコンを有する層の上方又は下方に空間を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。
絶縁表面上に、非晶質シリコンを有する第一層を形成し、
前記非晶質シリコンを、金属を用いて結晶化して多結晶シリコンとし、
前記第一層上に、第三層を形成し、
前記第三層上に、非晶質シリコンを有する第二層を形成し、
前記非晶質シリコンを、金属元素を用いて結晶化して多結晶シリコンとし、
前記第二層を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層にコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールを介してエッチング剤を導入して前記第三層をエッチングにより除去することによって、前記多結晶シリコンを有する層の上方又は下方に空間を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。
絶縁表面上に、非晶質シリコンを有する第一層を形成し、
前記非晶質シリコンを、金属を用いて結晶化して多結晶シリコンとし、
前記第一層上に、第三層を形成し、
前記第三層上に、非晶質シリコンを有する第二層を形成し、
前記非晶質シリコンを、金属元素を用いて結晶化して多結晶シリコンとし、
前記第三層をエッチングにより除去することによって、前記第二層と前記絶縁表面又は前記絶縁表面に接合した前記第一層とが接していない部分を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。
絶縁表面上に、非晶質シリコンを有する第一層を形成し、
前記非晶質シリコンを、金属を用いて結晶化して多結晶シリコンとし、
前記第一層上に、第三層を形成し、
前記第三層上に、非晶質シリコンを有する第二層を形成し、
前記非晶質シリコンを、金属元素を用いて結晶化して多結晶シリコンとし、
前記第三層をエッチングにより除去することによって、前記第二層を梁構造とすることを特徴とする微小構造体の作製方法。
請求項９乃至１２のいずれか一において、
前記第三層は、金属、金属化合物、シリコン、シリコン酸化物又はシリコン窒化物を有することを特徴とする微小構造体の作製方法。