JP2007004918A - 光記録媒体およびその初期化方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 L0層2において、L0層2がL1層4に重ならない領域を有する。具体的には、L0層2は、光記録媒体の中心からの距離r0から形成される。L0層2の内周側は、半径r0の円環形状を形成する。L1層4は、光記録媒体の中心からの距離r1から形成される。L1層4の内周側は、半径r1の円環形状を形成する。L0層2とL1層4は、r0<r1の関係を満たすように構成される。
【選択図】 図2
Description
基板と、基板に形成された2層の情報記録層とを備え、
情報記録層が非晶質相と結晶相間で可逆的に相変化することによって、情報信号の記録および消去が可能であり、
情報記録層のレーザ光の入射側に近い方をL1層と、遠い方をL0層とした場合に、
L0層において、L0層がL1層に重ならない領域を有することを特徴とする光記録媒体である。
基板と、基板に形成された2層の情報記録層とを備え、
情報記録層が非晶質相と結晶相間で可逆的に相変化することによって、情報信号の記録および消去が可能であり、
情報記録層のレーザ光の入射側に近い方をL1層と、遠い方をL0層とし、
L1層の内周側の半径をr1と、L0層の内周側の半径をr0とした場合に、
r0<r1を満たすことを特徴とする光記録媒体である。
基板と、基板に形成された2層の情報記録層とを備え、
情報記録層が非晶質相と結晶相間で可逆的に相変化することによって、情報信号の記録および消去が可能であり、
情報記録層のレーザ光の入射側に近い方をL1層と、遠い方をL0層とし、
L1層の外周側の半径をR1と、L0層の外周側の半径をR0とした場合に、
R1<R0を満たすことを特徴とする光記録媒体である。
基板と、基板に形成された少なくとも2以上の情報記録層とを備え、
情報記録層の非晶質相と結晶相間で可逆的に相変化することによって、情報信号の記録および消去が可能であり、
情報記録層をレーザ光の入射側に近い方からLn層(nは0以上の整数)とし、
Ln層の内周側の半径をrnとした場合に、
rn<rn+1を満たすことを特徴とする光記録媒体である。
基板と、基板に形成された2層の情報記録層とを備え、
情報記録層が非晶質相と結晶相間で可逆的に相変化することによって、情報信号の記録および消去が可能であり、
情報記録層のレーザ光の入射側に近い方をL1層、遠い方をL0層とし、
L1層の内周側の半径r1と、L0層の内周側の半径をr0とした場合に、
r0<r1を満たすことを特徴とする光記録媒体の初期化方法であって、
L1層の初期化後、L0層において、L0層がL1層に重ならない領域で、L0層のフォーカスの引き込みを行うことを特徴とする初期化方法である。
基板1は、中央にセンターホールが形成された円環形状を有する。基板1の厚さは、例えば、1.1mmに選ばれる。基板1の一主面には、情報信号の記録および/または再生を行う際に光学スポットを導くための凹凸部が形成される。この凹凸部の形状としては、スパイラル状、同心円状、ピット列等、各種の形状が挙げられる。この凹凸部を案内として光学スポットを光記録媒体上の任意の位置へと移動できる。
誘電体層2b〜2c、誘電体層2e〜2fおよび誘電体層4a、誘電体層4c、誘電体層4eの厚さは、好ましくは3nm〜100nmの範囲であり、光学特性および熱特性を考慮して決定される。
記録層2d、4dの膜厚は、好ましくは5nm〜30nmの範囲であり、例えば15nm程度である。この記録層2d、4dの材料としては、レーザ光の照射を受けて可逆的な状態変化を生じる相変化材料、具体的には、非晶質状態と結晶状態の可逆的相変化を生じる相変化材料を使用できる。このような材料としては、例えば、カルコゲン化合物または単体のカルコゲン等を使用できる。カルコゲン化合物としては、例えば、Sb、Teの共晶系材料を使用でき、好ましくは、Geなどの添加元素が添加されたSb、Teの共晶系材料を使用できる。
反射層2aの厚さは、好ましくは50nm以上であり、より好ましくは50nm〜250nmの範囲であり、例えば140nm程度である。反射層4bの厚さは、好ましくは3nm以上であり、より好ましくは5nm〜20nmの範囲であり、例えば10nm程度である。
光透過層5は、光記録媒体の保護を目的として、形成される。情報信号の記録再生は、例えば、レーザ光が光透過層5を通じて情報信号記録層に集光されることによって、行われる。光透過層5としては、例えば、紫外腺硬化樹脂、紫外線硬化樹脂とポリカーボネートシート、または接着層とポリカーボネートシート用いることができる。光透過層5は、例えば、75μm程度の厚さを有する。
この発明の一実施形態による光ディスクの製造方法の一例について説明する。まず、基板1は、例えば射出成形によって成形し、基板1上にL0層2が例えば、スパッタリング法によって、形成する。
まず、基板1を、例えばAgM(M:添加物)からなるターゲット28が設置された第1のスパッタリング装置20に対して搬入し、パレット26に固定する。次に、真空チャンバ21内が所定の圧力になるまで真空引きする。次に、例えばArガスを真空チャンバ21内に導入し、スパッタリングを行うことにより、例えばAg系合金からなる反射層2aを基板1の一主面に形成する。
このスパッタリングプロセスにおける成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度:1.0×10-5Pa
雰囲気:0.1〜3.0×100Pa
投入電力:1〜3kWh
このスパッタリングプロセスにおける成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度:1.0×10-5Pa
雰囲気:0.1〜3.0×100Pa
投入電力:1〜3kWh
窒素ガス量:30sccm
このスパッタリングプロセスにおける成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度:1.0×10-5Pa
雰囲気:0.1〜3.0×100Pa
投入電力:1〜3kWh
このスパッタリングプロセスにおける成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度:1.0×10-5Pa
雰囲気:0.1〜3.0×100Pa
投入電力:1〜3kWh
このスパッタリングプロセスにおける成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度:1.0×10-5Pa
雰囲気:0.1〜3.0×100Pa
投入電力:1〜3kWh
このスパッタリングプロセスにおける成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度:1.0×10-5Pa
雰囲気:0.1〜3.0×100Pa
投入電力:1〜3kWh
窒素ガス量:30sccm
基板1の中間層3上にL1層4を形成する。これ以外は、L0層2の形成方法と同様であるので、詳しい説明を省略する。
次に、この発明の一実施形態による光ディスクの初期化方法を説明する。図5は、初期化処理に用いられる初期化処理装置の一構成例を示す。図5に示すように、この初期化装置は、高出力、大口径のレーザヘッド42と、光記録媒体10を回転させるためのスピンドルモータ45と、レーザヘッド42を光記録媒体10の径方向に移動させるためのキャリッジ(図示せず)とを備える。
まず、射出成形によって、基板1を成形した。その一主面には、スタンパによりランドおよびグルーブを転写した。基板1は、円形基板とし、直径が120mm、厚さが1.1mmとした。
真空到達度:1.0×10-5Pa
雰囲気:3.0×10-1Pa
投入電力:3kWh
ガス種:Arガス
真空到達度:1.0×10-5Pa
雰囲気:3.0×10-1Pa
投入電力:3kWh
ガス種:Arガスおよび窒素ガス
窒素ガス量:30sccm
真空到達度:1.0×10-5Pa
雰囲気:3.0×10-1Pa
投入電力:3kWh
ガス種:Arガス
真空到達度:1.0×10-5Pa
雰囲気:3.0×10-1Pa
投入電力:3kWh
ガス種:Arガスおよび窒素ガス
窒素ガス量:30sccm
L0層2およびL1層4を、半径20mmから59mmの領域で形成したことを除いては、実施例と同様とし、光ディスクを作製した。
作製したサンプルを、図6に示す初期化装置でフォーカスをかけた。この際に、初期化前のL0層2と、初期化後のL1層4のフォーカスエラー信号を、観察し、安定した初期化方法を得るべく、初期化方法の検討を行った。なお、初期化処理は、以下の条件で、初期化装置(パルステック社製、商品名:ODI-1000)を用いて、行った。
線速度:5m/s
初期化レーザパワーPW:1000mW
送り量:200μm/回転
2・・・第0情報記録層(L0層)
2a・・・反射層
2b・・・下層誘電体層
2c・・・下層誘電体層
2d・・・記録層
2e・・・上層誘電体層
2f・・・上層誘電体層
3・・・中間層
4・・・第1情報記録層(L1層)
4a・・・下層誘電体層
4b・・・反射層
4c・・・下層誘電体層
4d・・・記録層
4e・・・上層誘電体層
5・・・光透過層
6・・・レーザ光
7・・・対物レンズ
10・・・光記録媒体
61・・・第1の基板
62・・・第1情報記録層(L1層)
63・・・中間層
64・・・第0情報記録層(L0層)
65・・・第2の基板
66・・・レーザ光
67・・・対物レンズ
Claims (7)
- 基板と、上記基板に形成された2層の情報記録層とを備え、
上記情報記録層が非晶質相と結晶相間で可逆的に相変化することによって、情報信号の記録および消去が可能であり、
上記情報記録層のレーザ光の入射側に近い方をL1層と、遠い方をL0層とした場合に、
上記L0層において、L0層がL1層に重ならない領域を有することを特徴とする光記録媒体。 - 基板と、上記基板に形成された2層の情報記録層とを備え、
上記情報記録層が非晶質相と結晶相間で可逆的に相変化することによって、情報信号の記録および消去が可能であり、
上記情報記録層のレーザ光の入射側に近い方をL1層と、遠い方をL0層とし、
上記L1層の内周側の半径をr1と、上記L0層の内周側の半径をr0とした場合に、
r0<r1を満たすことを特徴とする光記録媒体。 - 基板と、上記基板に形成された2層の情報記録層とを備え、
上記情報記録層が非晶質相と結晶相間で可逆的に相変化することによって、情報信号の記録および消去が可能であり、
上記情報記録層のレーザ光の入射側に近い方をL1層と、遠い方をL0層とし、
上記L1層の外周側の半径をR1と、上記L0層の外周側の半径をR0とした場合に、
R1<R0を満たすことを特徴とする光記録媒体。 - 基板と、上記基板に形成された少なくとも2以上の情報記録層とを備え、
上記情報記録層の非晶質相と結晶相間で可逆的に相変化することによって、情報信号の記録および消去が可能であり、
上記情報記録層をレーザ光の入射側に近い方からLn層(nは0以上の整数)とし、
上記Ln層の内周側の半径をrnとした場合に、
rn<rn+1を満たすことを特徴とする光記録媒体。 - 基板と、上記基板に形成された2層の情報記録層とを備え、
上記情報記録層が非晶質相と結晶相間で可逆的に相変化することによって、情報信号の記録および消去が可能であり、
上記情報記録層のレーザ光の入射側に近い方をL1層、遠い方をL0層とし、
上記L1層の内周側の半径r1と、上記L0層の内周側の半径をr0とした場合に、
r0<r1を満たすことを特徴とする光記録媒体の初期化方法であって、
L1層の初期化後、L0層において、L0層がL1層に重ならない領域で、フォーカスの引き込みを行うことを特徴とする初期化方法。 - 請求項5において、
上記L1層は、内周から外周方向に初期化を行い、
上記L0層は、内周から外周方向に初期化を行うことを特徴とする初期化方法。 - 請求項5において、
上記L1層は、外周から内周方向に初期化を行い、
上記L0層は、内周から外周方向に初期化を行うことを特徴とする初期化方法。
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