JP2007002045A - ポリエステル化合物およびそれを用いたレジスト材料 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ジオール化合物とビシクロ[2.2.2]オクタン−2,3:5,6−テトラカルボン酸無水物の重縮合反応から誘導される新規な主鎖環状型ポリエステル化合物、および、この主鎖環状型ポリエステル化合物を用いることによるレジスト材料及びそれを用いた微細パターン形成方法。
【選択図】 なし
Description
Takuya Hagiwara, Yasuhide Kawaguchi, et al, J. Photopolym. Sci. Technol., 16, 557(2003) Francis Houlihan, Will Conley, Larry Rhodes, et al, J. Photopolym. Sci. Technol., 16, 581(2003) Shinichi Kanna, Sanjay Malik, et al, J. Photopolym. Sci. Technol., 16, 595(2003) Takashi Sasaki, Shigeo Irie, Toshiro Itani, et al, J. Photopolym. Sci. Technol., 17, 639(2004)
1. 一般式(1)
2. 一般式(2)
3. 一般式(3)
4. R1、又はR2の少なくとも片方に一般式(4)
5.R1、又はR2の少なくとも片方に一般式(5)
6.R1、又はR2の少なくとも片方にラクトン基を有する上記1乃至3のいずれかにに記載の高分子化合物である。
7.R1、R2、R5の一部に酸不安定性基を有する上記1乃至6のいずれかに記載の高分子化合物である。
8. 1乃至7のいずれかに記載の高分子化合物を有機溶剤に溶解したコーティング組成物である。
9. 1乃至7のいずれかに記載の高分子化合物を用いたフォトレジストである。
10.1乃至7のいずれかに記載の高分子化合物をフォトレジスト上に塗布した液浸リソグラフィー用のトップコートである。
なお2種類以上の保護基を導入する場合は、同時に保護化反応を行っても逐次的に保護化反応を行っても良い。
[比較例]
還流冷却器、撹拌子を備えた500mlのナス型フラスコに、下記化合物(16)(20.00g)、化合物(17)(27.78g)、化合物(18)(36.72g)、アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)(0.2540g)、n−ドデシルメルカプタン(0.3965g)、メチルエチルケトン(253.4g)を入れ、フラスコ内を窒素で置換した。これを75℃のオイルバスで加熱して18時間攪拌した。反応終了後、反応溶液をn−ヘキサン(2,000ml)に投入して撹拌し、生成した沈殿を濾過して取り出した。これを50℃のオーブンで20時間減圧乾燥し、ArFエキシマレーザーに適した高分子化合物(19)(38.97g)を得た。分子量、分子量分布(Mw、Mw/Mn)に関してはゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC、標準ポリスチレン)から求めたところ、Mw12,600、Mw/Mn1.81であった。
Claims (10)
- 一般式(1)
- R1、又はR2の少なくとも片方にラクトン基を有する請求項1乃至3のいずれかに記載の高分子化合物。
- R1、R2、R5の一部に酸不安定性基を有する請求項1〜6のいずれかに記載の高分子化合物。
- 請求項1乃至7のいずれかに記載の高分子化合物を有機溶剤に溶解したコーティング組成物。
- 請求項1乃至7のいずれかに記載の高分子化合物を用いたフォトレジスト。
- 請求項1乃至7のいずれかに記載の高分子化合物をフォトレジスト上に塗布した液浸リソグラフィー用のトップコート。
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