JP4703284B2 - ポリエステル化合物およびそれを用いたレジスト材料 - Google Patents
ポリエステル化合物およびそれを用いたレジスト材料 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4703284B2 JP4703284B2 JP2005181745A JP2005181745A JP4703284B2 JP 4703284 B2 JP4703284 B2 JP 4703284B2 JP 2005181745 A JP2005181745 A JP 2005181745A JP 2005181745 A JP2005181745 A JP 2005181745A JP 4703284 B2 JP4703284 B2 JP 4703284B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- atom
- polymer compound
- compound according
- branched
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 0 C*(CN(C)*(*)*)C1CCC(*C=*(C)OC(C(CCCC2C*)C2C(O*)=O)=O)CC1 Chemical compound C*(CN(C)*(*)*)C1CCC(*C=*(C)OC(C(CCCC2C*)C2C(O*)=O)=O)CC1 0.000 description 3
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
Takuya Hagiwara, Yasuhide Kawaguchi, et al, J. Photopolym. Sci. Technol., 16, 557(2003) Francis Houlihan, Will Conley, Larry Rhodes, et al, J. Photopolym. Sci. Technol., 16, 581(2003) Shinichi Kanna, Sanjay Malik, et al, J. Photopolym. Sci. Technol., 16, 595(2003) Takashi Sasaki, Shigeo Irie, Toshiro Itani, et al, J. Photopolym. Sci. Technol., 17, 639(2004)
1. 一般式(1)
2. 一般式(2)
3. 一般式(3)
4. R1、又はR2の少なくとも片方に一般式(4)
5.R1、又はR2の少なくとも片方に一般式(5)
6.R1、又はR2の少なくとも片方にラクトン基を有する上記1乃至3のいずれかにに記載の高分子化合物である。
7.R1、R2、R5の一部に酸不安定性基を有する上記1乃至6のいずれかに記載の高分子化合物である。
8. 1乃至7のいずれかに記載の高分子化合物を有機溶剤に溶解したコーティング組成物である。
9. 1乃至7のいずれかに記載の高分子化合物を用いたフォトレジストである。
10.1乃至7のいずれかに記載の高分子化合物をフォトレジスト上に塗布した液浸リソグラフィー用のトップコートである。
なお2種類以上の保護基を導入する場合は、同時に保護化反応を行っても逐次的に保護化反応を行っても良い。
[比較例]
還流冷却器、撹拌子を備えた500mlのナス型フラスコに、下記化合物(16)(20.00g)、化合物(17)(27.78g)、化合物(18)(36.72g)、アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)(0.2540g)、n−ドデシルメルカプタン(0.3965g)、メチルエチルケトン(253.4g)を入れ、フラスコ内を窒素で置換した。これを75℃のオイルバスで加熱して18時間攪拌した。反応終了後、反応溶液をn−ヘキサン(2,000ml)に投入して撹拌し、生成した沈殿を濾過して取り出した。これを50℃のオーブンで20時間減圧乾燥し、ArFエキシマレーザーに適した高分子化合物(19)(38.97g)を得た。分子量、分子量分布(Mw、Mw/Mn)に関してはゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC、標準ポリスチレン)から求めたところ、Mw12,600、Mw/Mn1.81であった。
Claims (9)
- 一般式(1)
(式中、R1、R2は、異なっていても同一であってもよく、それぞれ独立に水素原子、または炭素数1〜40の直鎖状、分岐状、脂環式炭化水素基または芳香環を有する炭化水素基であって、フッ素原子、酸素原子、窒素原子、珪素原子、硫黄原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、グリシジル基、シアノ基、フルオロカルビノール基、スルホン酸基またはシリル基を含有しても良い。R3は、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状、脂環式炭化水素基または芳香環を有する2価の炭化水素基であって、その一部にフッ素原子、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、カルボニル基、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、アミノ基、フッ素アルコール基を含んでもよい。R4は、メチレン、エチレン、又は酸素原子である。)で表される構造の繰り返しからなる高分子化合物。 - R1、又はR2の少なくとも片方にラクトン基を有する請求項1または2に記載の高分子化合物。
- R1、R2、R5の一部に酸不安定性基を有する請求項1乃至5のいずれかに記載の高分子化合物。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の高分子化合物を有機溶剤に溶解したコーティング組成物。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の高分子化合物を用いたフォトレジスト。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の高分子化合物をフォトレジスト上に塗布した液浸リソグラフィー用のトップコート。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005181745A JP4703284B2 (ja) | 2005-06-22 | 2005-06-22 | ポリエステル化合物およびそれを用いたレジスト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005181745A JP4703284B2 (ja) | 2005-06-22 | 2005-06-22 | ポリエステル化合物およびそれを用いたレジスト材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007002045A JP2007002045A (ja) | 2007-01-11 |
JP4703284B2 true JP4703284B2 (ja) | 2011-06-15 |
Family
ID=37687948
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005181745A Expired - Fee Related JP4703284B2 (ja) | 2005-06-22 | 2005-06-22 | ポリエステル化合物およびそれを用いたレジスト材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4703284B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5023609B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2012-09-12 | セントラル硝子株式会社 | 低分子又は中分子有機化合物からなるコーティング材料 |
JP4571598B2 (ja) * | 2006-06-27 | 2010-10-27 | 信越化学工業株式会社 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
CN101946210B (zh) | 2008-02-21 | 2013-01-23 | 日产化学工业株式会社 | 形成抗蚀剂下层膜的组合物和使用该组合物的抗蚀剂图形的形成方法 |
US8716385B2 (en) * | 2008-12-15 | 2014-05-06 | Central Glass Company, Limited | Polymerizable fluoromonomer, fluoropolymer, resist material, and method of pattern formation |
JP5933339B2 (ja) * | 2012-05-23 | 2016-06-08 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP6330272B2 (ja) * | 2012-08-30 | 2018-05-30 | セントラル硝子株式会社 | 感光性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
JP2016004929A (ja) * | 2014-06-18 | 2016-01-12 | 東レ株式会社 | 犠牲層用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
WO2019187804A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法、並びにポリエステル |
WO2019187632A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及びポリエステル |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08176283A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-09 | Toray Ind Inc | ポリエステル重合体およびその製造方法 |
JPH10274848A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Jsr Corp | 感放射線性組成物およびカラーフィルター用感放射線性組成物 |
JP2002144486A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-05-21 | Mitsubishi Chemicals Corp | 積層成形体 |
JP2004292731A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Nippon Zeon Co Ltd | ポリエステル樹脂 |
JP2007531815A (ja) * | 2004-04-05 | 2007-11-08 | エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション | ポリエステルの製造方法 |
-
2005
- 2005-06-22 JP JP2005181745A patent/JP4703284B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08176283A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-09 | Toray Ind Inc | ポリエステル重合体およびその製造方法 |
JPH10274848A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Jsr Corp | 感放射線性組成物およびカラーフィルター用感放射線性組成物 |
JP2002144486A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-05-21 | Mitsubishi Chemicals Corp | 積層成形体 |
JP2004292731A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Nippon Zeon Co Ltd | ポリエステル樹脂 |
JP2007531815A (ja) * | 2004-04-05 | 2007-11-08 | エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション | ポリエステルの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007002045A (ja) | 2007-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4703284B2 (ja) | ポリエステル化合物およびそれを用いたレジスト材料 | |
JP7027711B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、及びフォトマスクブランク | |
JP6334876B2 (ja) | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 | |
TWI476533B (zh) | 氟化氬浸潤式曝光用化學增幅正型光阻材料及圖案形成方法 | |
KR102069426B1 (ko) | 화학 증폭 포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 | |
JP2011016746A (ja) | スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP2020037544A (ja) | スルホニウム化合物、ポジ型レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法 | |
TWI524147B (zh) | 正型光阻材料及利用此之圖案形成方法 | |
TWI506362B (zh) | 正型光阻材料及利用此之圖案形成方法 | |
US7517635B2 (en) | Polyester compound and resist material using the same | |
TW201407271A (zh) | 光阻材料、利用該光阻材料之圖案形成方法、及聚合性單體與高分子化合物 | |
JP2616250B2 (ja) | 有橋環式炭化水素アルコールおよび感光性材料用中間化合物 | |
KR20020038283A (ko) | 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물 | |
KR20130128332A (ko) | 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법 | |
US7592122B2 (en) | Photoresist composition, and low-molecular compound and high-molecular compound for the photoresist composition | |
JP5023609B2 (ja) | 低分子又は中分子有機化合物からなるコーティング材料 | |
TWI567491B (zh) | 正型光阻材料及利用此之圖案形成方法 | |
KR20220051809A (ko) | 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 화합물 및 수지 | |
JP6539760B2 (ja) | 化合物 | |
JP3679404B2 (ja) | 新規チオール化合物による連鎖移動剤、共重合体及び共重合体の製造方法 | |
JP5664319B2 (ja) | 含フッ素ラクトンモノマー化合物、含フッ素ラクトンポリマー化合物およびそのレジスト液およびそれを用いたパターン形成方法 | |
TWI540387B (zh) | 正型光阻材料及利用此之圖案形成方法 | |
KR102049120B1 (ko) | 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 및 화합물 | |
JP2018120103A (ja) | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 | |
TWI522379B (zh) | 正型光阻材料及利用此之圖案形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080325 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100325 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100326 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101214 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110201 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110308 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110308 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4703284 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |