JP2006527666A5 - - Google Patents

Claims (25)

1. セラミック層の少なくとも１つの面に複数の金属領域（３、４）を形成するメタライゼーションを設け、前記金属領域を設けた後で、熱処理段階において前記セラミック層の前記金属領域によって覆われていない領域を加熱して前記金属領域（３、４）の間に分離または分割線（６、７）を形成する金属‐セラミック基板（１）製造方法であって、前記熱処理段階において、セラミック材を蒸発させたり焼成したりすることなく、前記セラミック層の加熱を前記セラミック層に関して移動する処理領域において徐々に実行し、その加熱処理の後に前記セラミックの瞬間冷却を同様に徐々に進めることにより、前記分離または分割線（６、７）を生成するため前記セラミック層（２）の材料に調整された裂け目（８）あるいは弱体部分を形成する金属‐セラミック基板製造方法。
2. 前記メタライゼーションの金属領域は、ＤＣＢ法あるいは活性半田付け法により前記セラミック層（２）と接合される請求項１記載の金属‐セラミック基板製造方法。
3. 前記少なくとも1つの金属領域（３、４）は厚膜法あるいは厚膜技術を用いて形成される請求項１または２記載の金属‐セラミック基板製造方法。
4. 前記少なくとも１つの金属領域（３、４）はＭｏ‐Ｍｎ法及びＷ法及びＬＴＣＣ法のうち少なくとも１つを用いて形成される前記いずれかの請求項に記載の金属‐セラミック基板製造方法。
5. 前記熱処理段階における前記セラミック層（２）の加熱はエネルギービームすなわちレーザビームによって実現される請求項１記載の金属‐セラミック基板製造方法。
6. 前記レーザビームは楕円形の焦点を形成するように用いられ、その長い方の断面軸が処理方向（Ａ）に向けられる請求項５記載の金属‐セラミック基板製造方法。
7. 前記熱処理段階において前記セラミック層（２）は各分離線に沿って熱的に分離あるいは分割される前記いずれかの請求項に記載の金属‐セラミック基板製造方法。
8. 後に前記セラミック層（２）の調節された機械的分割が可能となるように、前記熱処理段階において前記セラミック層（２）に分割線（６、７）が形成される前記いずれかの請求項に記載の金属‐セラミック基板製造方法。
9. 前記熱処理段階における前記セラミック層（２）の加熱はエネルギービームにより実現される前記いずれかの請求項に記載の金属‐セラミック基板製造方法。
10. 前記セラミック層の加熱は高温ガスビーム、火炎、あるいはプラズマにより実現される請求項８または９記載の金属‐セラミック基板製造方法。
11. 前記セラミック層の加熱はマイクロ波エネルギーにより実現される前記いずれかの請求項に記載の金属‐セラミック基板製造方法。
12. 前記セラミック層（２）の冷却は、加熱から前もって定義された空間的及び／または時間的距離（ｘ）離れて徐々に進むように実行される前記いずれかの請求項に記載の金属‐セラミック基板製造方法。
13. 前記セラミック層（２）の処理はクーラントを用いて徐々に１点１点実行される前記いずれかの請求項に記載の金属‐セラミック基板製造方法。
14. 前記クーラントは少なくとも１つのクーラント流（１２）の形で前記セラミック層（２）に当てられる前記いずれかの請求項に記載の金属‐セラミック基板製造方法。
15. 前記クーラントは、例えば水などの液状媒質、ガスまたは蒸発媒質、あるいは、例えばエアロゾルなど、これらの媒質の混合物である前記いずれかの請求項に記載の金属‐セラミック基板製造方法。
16. 前記セラミック層（２）は前記熱処理段階の間は、好ましくは吸引により、固定具（１１）に保持される前記いずれかの請求項に記載の金属‐セラミック基板製造方法。
17. 前記セラミック層、あるいは前記セラミック層によって構成される金属‐セラミック基板は、個別基板（５）に分離するため粘着ホイル（１８）上に配置される前記いずれかの請求項に記載の金属‐セラミック基板製造方法。
18. 前記熱処理は前記セラミック層（２）の少なくとも１つの面側に形成された溝に沿って実行される前記いずれかの請求項に記載の金属‐セラミック基板製造方法。
19. 前記セラミック層（２）の両面側に少なくとも1つの金属領域（３、４）が設けられる前記いずれかの請求項に記載の金属‐セラミック基板製造方法。
20. 前記セラミック層（２）はマルチプル基板（１）の部分であり、それぞれ1つの個別基板（５）に割り当てられる複数の金属領域（３、４）を前記セラミック層（２）の少なくとも１つの面側に備えており、前記分離／分割線（６、７）は前記熱処理段階において前記個別基板（５）の間に形成される前記いずれかの請求項に記載の金属‐セラミック基板製造方法。
21. ムライト群、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ４、ＳｉＣ、ＢｅＯ、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＺｒＯ_２を含むＡｌ_２Ｏ_３でできたセラミックを用いることを特徴とする前記いずれかの請求項に記載の金属‐セラミック基板製造方法。
22. 厚さ０．１から３ｍｍのセラミック層（２）を用いることを特徴とする前記いずれかの請求項に記載の金属‐セラミック基板製造方法。
23. 前記少なくとも１つの金属領域（３、４）は厚さが０．０２から０．６ｍｍであり、好ましくは０．１から０，６ｍｍの厚さである前記いずれかの請求項に記載の金属‐セラミック基板製造方法。
24. 前記セラミック層（２）の１つの面側に複数の金属領域（３、４）を備えている場合、前記金属領域は互いに０．１〜３ｍｍの距離にある前記いずれかの請求項に記載の金属‐セラミック基板製造方法。
25. 前記金属領域（３、４）は、少なくとも部分的には例えば銅層あるいは箔などの金属層あるいは箔から、好ましくは直接接合法あるいは活性金属法を用いて、製造される前記いずれかの請求項に記載の金属‐セラミック基板製造方法。