JP2015032758A - 放熱板、パワーモジュールおよび放熱板の製造方法 - Google Patents

放熱板、パワーモジュールおよび放熱板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015032758A
JP2015032758A JP2013162815A JP2013162815A JP2015032758A JP 2015032758 A JP2015032758 A JP 2015032758A JP 2013162815 A JP2013162815 A JP 2013162815A JP 2013162815 A JP2013162815 A JP 2013162815A JP 2015032758 A JP2015032758 A JP 2015032758A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat sink
metal
alloy
groove
heat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013162815A
Other languages
English (en)
Inventor
智資 平野
Tomosuke Hirano
智資 平野
尚哉 相川
Naoya Aikawa
尚哉 相川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NHK Spring Co Ltd
Original Assignee
NHK Spring Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NHK Spring Co Ltd filed Critical NHK Spring Co Ltd
Priority to JP2013162815A priority Critical patent/JP2015032758A/ja
Priority to PCT/JP2014/069862 priority patent/WO2015019890A1/ja
Priority to TW103126541A priority patent/TWI566344B/zh
Publication of JP2015032758A publication Critical patent/JP2015032758A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3677Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

【課題】熱サイクル下でのそり量を抑制しうる放熱板、パワーモジュールおよび放熱板の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の放熱板10は、板状をなし、主面中央部に側面が主面に対し10〜45?の傾斜角を有する溝部3を有する金属または合金からなる第1部材1と、溝部3内または溝部3内から第1部材1の厚さ方向に、第1部材1を構成する材料より熱伝導率が大きい金属または合金が積層されてなる第2部材2と、を備え、第2部材2は、第2部材2を構成する金属または合金の粉末材料を、該粉末材料の融点より低い温度に加熱されたガスと共に加速し、第1部材1の溝部3内、または溝部3内から第2部材2の厚さ方向に延在するように固相状態のままで吹き付け堆積させて積層させたことを特徴とする。【選択図】図1

Description

本発明は、放熱板、パワーモジュールおよび放熱板の製造方法に関するものである。
従来より、産業用、自動車用などの電力制御からモータ制御まで、幅広い分野に使用される省エネルギー化のキーデバイスとして、パワーモジュールが知られている。パワーモジュールは、基材である絶縁基板(例えばセラミックス基板)の一方の面に、ろう付された金属板からなる回路パターン上に半導体チップ(トランジスタ)を実装し、他方の面に、ろう付された金属板を介して放熱板を配設した装置である。このようなパワーモジュールにおいて、半導体チップは、回路パターン上に半田付けにより接合されるとともに、放熱板が半田またはろう付により金属板上に接合されている(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1等のパワーモジュールでは、放熱板の材料としてパワーモジュールからの熱を効率よく拡散するために、熱伝導率に優れる銅が使用され、該放熱板は、絶縁基板の接する面と反対側の面で、アルミニウム合金で構成された冷却器と、固定ネジで締結、あるいは半田またはろう付されて使用されている。
特開2013−58535号公報
パワーモジュールは、使用時に熱サイクルが負荷されるため、特許文献1のように、放熱板(銅)と冷却器(アルミニウム合金)の材料として異なる材料が使用されると、熱膨張係数の差により熱応力が発生し、放熱板と冷却器との間に生じた隙間により放熱効率が低下したり、熱応力により接合部に剥がれが生じることがあった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、熱サイクル下でのそり量を抑制しうるとともに、他の部材との接合性に優れる放熱板、パワーモジュールおよび放熱板の製造方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる放熱板は、板状をなし、主面中央部に側面が主面に対し10〜45°の傾斜角を有する溝部を有する金属または合金からなる第1部材と、前記溝部内または前記溝部内から前記第1部材の厚さ方向に延在する、前記第1部材を構成する材料より熱伝導率が大きい金属または合金が積層されてなる第2部材と、を備え、前記第2部材は、前記第2部材を構成する金属または合金の粉末材料を、該粉末材料の融点より低い温度に加熱されたガスと共に加速し、前記第1部材の溝部内、または溝部内から前記第2部材の厚さ方向に延在するように固相状態のままで吹き付け堆積させて積層させたことを特徴とする。
また、本発明の放熱板は、側面が主面に対し10〜45°の角度で傾斜する板状体をなし、金属または合金からなる第2部材と、前記第2部材の側面外周部に、前記第2部材を構成する材料より熱伝導率が小さい金属または合金が積層されてなる第1部材と、を備え、前記第1部材は、前記第1部材を構成する金属または合金の粉末材料を、該粉末材料の融点より低い温度に加熱されたガスと共に加速し、前記第2部材の側面外周部に固相状態のままで吹き付けて堆積させて積層させたことを特徴とする。
また、本発明の放熱板は、上記発明において、前記第2部材を構成する金属または合金の熱膨張率が、前記第1部材を構成する金属または合金よりも小さいことを特徴とする。
また、本発明の放熱板は、上記発明において、前記第1部材はアルミニウムまたはアルミニウム合金であり、前記第2部材は銅または銅合金であることを特徴とする。
また、本発明の放熱板は、上記発明において、前記溝部は、前記第1部材の主面の一端部から他端部まで横断するように形成されることを特徴とする。
また、本発明の放熱板は、上記発明において、前記溝部は、前記第1部材を貫通するように形成されることを特徴とする。
また、本発明の放熱板は、上記発明において、前記第2部材は前記溝部内に形成され、第1部材の上面と第2部材の上面が平面をなすことを特徴とする。
また、本発明の放熱板は、上記発明において、前記第2部材の上面は、前記第1部材の上面から突出するように形成され、前記第1部材の前記第2部材と接する部分の最大厚さと、前記第2部材の前記第1部材と接する部分の最大厚さとの比が、1:1〜1:3の範囲であることを特徴とする。
また、本発明の放熱板は、上記発明において、前記第1部材の前記第2部材と接する部分の最大厚さと、前記第2部材の前記第1部材と接する部分の最大厚さとの比が、1:1〜20:1の範囲であることを特徴とする。
また、本発明の放熱板は、上記発明において、前記第1部材は、前記溝部が形成された面と反対側の面に冷却媒体が流通する流路が形成されることを特徴とする。
また、本発明のパワーモジュールは、上記のいずれか一つに記載の放熱板と、前記放熱板の第2部材と接続されるセラミックス基板と、前記放熱板の第1のセラミックス基板と接する面と反対側の面で接続される、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるヒートシンクと、を備えることを特徴とする。
また、本発明のパワーモジュールは、上記発明において、上記に記載の放熱板と、前記放熱板の第2部材側に接続されるセラミックス基板と、を備えることを特徴とする。
また、本発明の放熱板の製造方法は、板状をなし、金属または合金からなる第1部材の主面中央部に形成された、側面が主面に対し10〜45°の傾斜角を有する溝部に、前記第1部材を構成する材料より熱伝導率が大きい金属または合金の粉末材料を、該粉末材料の融点より低い温度に加熱されたガスと共に加速し、前記溝部内または前記溝部内から前記第2部材の厚さ方向に延在するように、固相状態のままで吹き付けて堆積させ、第2部材を形成する積層工程と、前記積層工程により形成した前記第2部材を少なくとも切削加工する切削工程と、を含むことを特徴とする。
また、本発明の放熱板の製造方法は、側面が主面に対し10〜45°の角度で傾斜する板状をなし、金属または合金からなる第2部材の側面および側面外周部の上方から、前記第2部材を構成する材料より熱伝導率が小さい金属または合金の粉末材料を、該粉末材料の融点より低い温度に加熱されたガスと共に加速し、固相状態のままで吹き付けて堆積させ、第1部材を形成する積層工程と、前記積層工程により形成した前記第1部材を少なくとも切削加工する切削工程と、を含むことを特徴とする。
また、本発明の放熱板の製造方法は、上記発明において、前記第2部材を構成する金属または合金の熱膨張率が、前記第1部材を構成する金属または合金よりも小さいことを特徴とする。
本発明にかかる放熱板は、2種の金属または合金を使用するにもかかわらず、熱サイクル下においてもそり量を低減しうるとともに、セラミックス基板や冷却器と接合して使用する場合においても接合部分の剥がれ等を抑制できるという効果を奏する。
図1は、本発明の実施の形態1にかかる放熱板の構成を示す概略図である。 図2は、本発明の実施の形態1にかかる放熱板の製造に使用されるコールドスプレー装置の概要を示す模式図である。 図3は、本発明の実施の形態1にかかる放熱板の製造工程を説明する概略図である。 図3は、本発明の実施の形態1にかかる放熱板の製造工程の別法を説明する概略図である。 図5は、本発明の実施の形態1にかかるパワーモジュールの構成を示す概略図である。 図6は、本発明の実施の形態1の変形例1にかかる放熱板の構成を示す概略図である。 図7は、本発明の実施の形態1の変形例2にかかる放熱板の構成を示す概略図である。 図8は、本発明の実施の形態1の変形例2にかかる放熱板の製造工程を説明する概略図である。 図9は、本発明の実施の形態1の変形例3にかかる放熱板の構成を示す概略図である。 図10は、本発明の実施の形態1の変形例4にかかる放熱板の構成を示す概略図である。 図11は、本発明の実施の形態2にかかる放熱板の構成を示す概略図である。 図12は、本発明の実施の形態2にかかる放熱板の製造工程を説明するフローチャートである。 図13は、本発明の実施の形態2の変形例1にかかる放熱板の構成を示す概略図である。 図14は、本発明の実施の形態2の変形例2にかかる放熱板の構成を示す概略図である。 図15は、本発明の実施の形態2の変形例2にかかる放熱板の製造工程を説明するフローチャートである。 図16は、本発明の実施の形態2の変形例3にかかる放熱板の構成を示す概略図である。 図17は、本発明の実施の形態2の変形例4にかかる放熱板の構成を示す概略図である。 図18は、本発明の実施の形態2の変形例6にかかる放熱板の構成を示す概略図である。
以下、本発明を実施するための形態を図面と共に詳細に説明する。なお、以下の実施の形態により本発明が限定されるものではない。また、以下の説明において参照する各図は、本発明の内容を理解し得る程度に形状、大きさ、および位置関係を概略的に示してあるに過ぎない。すなわち、本発明は各図で例示された形状、大きさ、および位置関係のみに限定されるものではない。
(実施の形態1)
まず、本発明の実施の形態1にかかる放熱板について、図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の実施の形態1にかかる放熱板の構成を示す概略図である。図1(a)は、放熱板の上面図、図1(b)は図1(a)のAA線での断面図を示す。
放熱板10は、金属または合金からなる第1部材1と、第1部材1を構成する材料より熱伝導率が大きい金属または合金からなる第2部材2とからなる。第1部材1と第2部材2の好適な組み合わせは、アルミニウムと銅、鉄とアルミニウム、鉄と銅を例示することができる。
第1部材1は、主面中央部に、側面が主面に対し10〜45°の傾斜角(θ)を有する溝部3を有する。実施の形態1において、溝部3は、第1部材1の主面の一端部から他端部まで横断するように形成されるとともに、第1部材1の主面上面から主面まで貫通するように形成されている。なお、本明細書において、「側面が主面に対し10〜45°の傾斜角(θ)を有する」とは、側面を形成する1つの面(または稜線)が主面に対し10〜45°の傾斜角(θ)を有する場合に加え、側面が円弧部分を含む場合に、円弧部分の接線のうち、主面との傾斜角が最大である接線の傾斜角(θ)が、10〜45°の場合を含む。
第1部材1の第2部材2と接する部分の最大厚さhと、第2部材の第1部材と接する部分の最大厚さhとの比は、1:1〜1:3の範囲であることが好ましい。当該範囲とすることにより、放熱板10の厚さを厚くすることなく、熱サイクル下での放熱板のそりを低減することができる。第1部材1の第2部材2と接する部分の最大厚さhと、第2部材の第1部材と接する部分の最大厚さhとの比は、1:1.5〜1:2.5の範囲であることが好ましい。
第2部材2は、第2部材2を構成する粉末材料を、該粉末材料の融点より低い温度に加熱されたガスと共に加速し、溝部3内から第1部材1の厚さ方向に延在するように、固相状態のままで吹き付けて堆積させて形成される。
次に、実施の形態1にかかる放熱板10の製造方法について説明する。図2は、本発明の実施の形態1にかかる放熱板の製造に使用されるコールドスプレー装置の概要を示す模式図である。図3は、本発明の実施の形態1にかかる放熱板の製造工程を説明する概略図である。図4は、本発明の実施の形態1にかかる放熱板の製造工程の別法を説明する概略図である。
コールドスプレー装置50は、圧縮ガスを加熱するガス加熱器51と、基材に噴射する粉末材料を収容し、スプレーガン52に供給する粉末供給装置53と、スプレーガン52で加熱された圧縮ガスと混合された材料粉末を、切削加工後に第1部材1となる第1基材部1aに噴射するガスノズル54とを備えている。
圧縮ガスとしては、ヘリウム、窒素、空気などが使用される。供給された圧縮ガスは、バルブ55および56により、ガス加熱器51と粉末供給装置53にそれぞれ供給される。ガス加熱器51に供給された圧縮ガスは、例えば50℃以上であって、第2部材2の材料粉末の融点以下の温度に加熱された後、スプレーガン52に供給される。圧縮ガスの加熱温度は、好ましくは300〜900℃である。
粉末供給装置23に供給された圧縮ガスは、粉末供給装置23内の、例えば、粒径が10〜100μm程度の材料粉末をスプレーガン22に所定の吐出量となるように供給する。加熱された圧縮ガスは先細末広形状をなすガスノズル24により超音速流(約340m/s以上)にされる。また、圧縮ガスのガス圧力は、1〜5MPa程度とすることが好ましい。圧縮ガスの圧力を1〜5MPa程度とすることにより、第1部材1と第2部材2との間の密着強度の向上を図ることができる。2〜4MPa程度の圧力で処理することが好ましい。スプレーガン52に供給された粉末材料は、この圧縮ガスの超音速流の中への投入により加速され、固相状態のまま基材に高速で衝突して皮膜を形成する。なお、材料粉末を第1基材部1aに形成された溝部3に固相状態で衝突させて、第2皮膜部2aを形成できる装置であれば、図2のコールドスプレー装置50に限定されるものではない。
実施の形態1にかかる放熱板10は、まず、図3(a)に示すように、側面が主面に対し10〜45°の傾斜角を有する溝部3を形成した第1基材部1aを用意し、上述したコールドスプレー装置50により、図3(b)に示すように、溝部3内に、第2部材2を構成する粉末材料を固相状態のままで吹き付けて堆積させて第2皮膜部2aを形成する。第2皮膜部2aの積層後、図3(c)に示すように、第2皮膜部2aの上面および第1部材1aの溝部3が形成された面の反対側の面を、平面をなすように切削加工することにより製造することができる。
あるいは、実施の形態1にかかる放熱板10は、図4に示す工程によっても製造することができる。図4の方法においては、2つのパーツからなる第1部材1bを、溝部3が所定の形状となるように、図示しない位置合わせ部材により位置合わせする(図4(a)参照)。その後、図4(b)に示すように、コールドスプレー装置50により、第2部材2を構成する粉末材料を固相状態のままで吹き付けて堆積させて第2皮膜部2aを形成し、図4(c)に示すように、第2皮膜部2aの上面を、平面をなすように切削加工することにより製造することができる。なお、放熱板10は、第2皮膜部2aが積層された側と反対側の面(第1部材1bおよび第2皮膜部2a)も切削加工してもよい。
コールドスプレー装置50によって、材料粉末をガスと共に加速し、側面が主面に対し10〜45°の傾斜角を有する溝部3に固相状態のままで吹き付けて堆積させて第2部材2aを形成することにより、第1部材1と第2部材2との間の密着強度を向上することができる。なお、実施の形態1にかかる放熱板10は、コールドスプレー法による製造に限定されるものではなく、異種金属が接合されたクラッド材や、FSW(Friction
Stir Welding)によっても製造可能である。
また、実施の形態1にかかる放熱板10は、溝部3を第1部材1の主面上面から主面まで貫通するように形成しているため、第1部材1と第2部材2の接触面積が小さくなり、熱膨張差によるそり量を大幅に低減することができる。
実施の形態1にかかる放熱板10は、図5に示すパワーモジュールの放熱板として好適に使用することができる。図5は、本発明の実施の形態1にかかるパワーモジュールの構成を示す概略図である。
パワーモジュール100は、半導体素子31を搭載したパワーモジュール基板30と、半導体素子31が放出する熱を伝熱する放熱板10と、放熱板10からの熱を排出する冷却器20と、を備える。
パワーモジュール基板30は、セラミックス基板33を備え、セラミックス基板33の一方の面に回路層32が形成されるとともに、他方の面に金属層34が形成されている。
セラミックス基板33は、絶縁性材料からなる略板状の部材である。セラミックス基板33の材料としては、例えば、窒化アルミニウム、窒化珪素等の窒化物系セラミックスや、アルミナ、マグネシア、ジルコニア、ステアタイト、フォルステライト、ムライト、チタニア、シリカ、サイアロン等の酸化物系セラミックスが用いられる。
回路層32は、例えば、アルミニウムや銅、銀等の良好な電気伝導度を有する金属または該金属を含む合金からなる。回路層32には、半導体素子31等に対して電気信号を伝達するための回路パターンが形成されている。
半導体素子31は、ダイオード、トランジスタ、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)等の半導体素子によって実現される。半導体素子31は、半田35により回路層32に接続されている。なお、半導体素子31は、高電圧で使用が可能なパワーデバイス、特に耐熱性に優れる炭化珪素チップであることが好ましく、使用の目的に合わせてセラミックス基板33上に複数個設けられても良い。
金属層34は、回路層32の材料と同様の材料から形成され、回路層32および金属層34は、ろう材によりセラミックス基板33に接合されている。
また、実施の形態1にかかるパワーモジュール100は、回路層32および銅板からなる金属層34が、セラミックス基板33に直接接合されたDBC基板(「Direct Bonded Copper基板」、以下、DBC基板という)であってもよい。
冷却器20は、熱伝導性が良好な金属または合金、たとえば、アルミニウムまたはアルミニウム合金から形成される。冷却器20の放熱板10と接する側と反対側の面には、空気や水等の冷却媒体が流通する流路21が形成される。
放熱板10は、第2部材2の突出した面で、ろう材5によりパワーモジュール基板30の金属層34と接続される。また、放熱板10は、金属層24と接する面の反対側の面で、ろう材4により冷却器20と接続される。
実施の形態1にかかるパワーモジュール100において、放熱板10の第2部材2を構成する金属または合金の熱膨張率は、第1部材1を構成する金属または合金の熱膨張率よりも小さいことが好ましい。第2部材2を構成する金属または合金の熱膨張率が、第1部材1を構成する金属または合金の熱膨張率よりも小さいことにより、熱サイクル下でセラミックス基板33と冷却器20との間で発生しうる熱応力を緩衝することができる。
放熱板10をパワーモジュール100で使用する場合、第1部材1はアルミニウムまたはアルミニウム合金から形成されることが好ましく、第2部材2は銅または銅合金から形成されることが好ましい。第1部材1をアルミニウムまたはアルミニウム合金、第2部材2を銅または銅合金とすることにより、熱サイクル下でのそり量を低減できるだけでなく、熱拡散性に優れるとともに、セラミックス基板33や、冷却器20との接合した際の接合部の剥がれを抑制することが可能となる。
なお、実施の形態1にかかる放熱板10の変形例1として、図6に示す放熱板を例示することができる。図6に示す、変形例1にかかる放熱板10Aは、第2部材2Aが、第1部材1Aの溝部3A内にのみ積層され、第2部材2Aと第1部材1Aとが平面をなしている点で実施の形態1の放熱板10と異なる。
変形例1にかかる放熱板10Aは、図3または図4に示す、実施の形態1の放熱板10の製造方法により製造することができる。たとえば、図3(a)に示す、側面が主面に対し10〜45°の傾斜角を有する溝部3を形成した第1基材部1aを用意し、コールドスプレー装置50により、図3(b)に示すように、溝部3内に、第2部材2を構成する粉末材料を固相状態のままで吹き付けて堆積させて第2皮膜部2aを形成し、第1部材1aの溝部3が形成された面の反対側の面を切削加工するとともに、第2皮膜部2aの上面と第1部材1aの上面を、第2部材2Aと第1部材1Aとが平面をなすように切削すればよい。あるいは、図4(a)に示す2つのパーツからなる第1部材1bを用意し、コールドスプレー装置50により、図4(b)に示すように、溝部3内に、第2部材2を構成する粉末材料を固相状態のままで吹き付けて堆積させて第2皮膜部2aを形成し、第2皮膜部2aの上面と第1部材1aの上面を第2部材2Aと第1部材1Aとが平面をなすように切削すればよい。
さらに、放熱板は、図7に示す形状であってもよい。図7は、本発明の実施の形態1の変形例2にかかる放熱板の構成を示す概略図である。図8は、本発明の実施の形態1の変形例2にかかる放熱板の製造工程を説明する概略図である。
実施の形態1の変形例2にかかる放熱板10Bは、第2部材2Bが、第1部材1Bから突出形成している点は、実施の形態1の放熱板10と同様であるが、溝部3Bが凸型に形成される点で、実施の形態1の放熱板10と異なる。変形例2に係る放熱板10Bでは、第2部材2Bが突出する側の溝部3Bの側面の主面に対する傾斜角(θ)を、10〜45°とする。変形例2の放熱板10Bは、第2部材2Bが凸型であるため、熱拡散が更に容易となる。
なお、変形例2にかかる放熱板10Bは、図8に示すようにして製造すればよい。まず、図8(a)に示すように、側面が主面に対し10〜45°の傾斜角を有する第2基材部2cを用意し、上述したコールドスプレー装置50により、図8(b)に示すように、第1部材1Bを構成する粉末材料を、第2基材部2cの側面の外周部に固相状態のままで吹き付けて堆積させて第1皮膜1cを形成する。第1皮膜1bの積層後、図8(c)に示すように、第1皮膜1cの上面を平面をなすように切削するとともに、第2基材部2cの角部を切削加工することにより製造することができる。
また、放熱板は、図9に示すような形状であってもよい。図9は、本発明の実施の形態1の変形例3にかかる放熱板の断面図である。変形例3にかかる放熱板10Kは、変形例1にかかる放熱板10Aを上下反転させた形状をなす。放熱板10Kは、第2部材2Kが主面上に露出する面積が、セラミックス基板に接続される上面側より、冷却器に接続される下面側のほうが大きくなるように形成される。したがって、変形例3にかかる放熱板10Kは、セラミックス基板上の半導体素子から放出された熱の拡散性に優れる。変形例3にかかる放熱板10Kは、変形例1にかかる放熱板10Aを製造した後、反転させて使用すればよい。
さらにまた、放熱板は、図10に示すような形状であってもよい。図10(a)は、本発明の実施の形態1の変形例4にかかる放熱板の上面図であり、図10(b)は図10(a)のBB線の断面図である。変形例4にかかる放熱板10Dは、溝部3Dが主面中央部に貫通するように形成される。
(実施の形態2)
実施の形態2にかかる放熱板10Eは、第1部材1Eに形成される溝部3Eが貫通穴でない点で実施の形態1と異なる。以下、図面を参照して実施の形態2にかかる放熱板10Eについて説明する。
図11は、本発明の実施の形態2にかかる放熱板10Eの上面図であり、図11(b)は図11(a)のCC線の断面図である。放熱板10Eにおいて、溝部3Eが第1部材1Eを貫通しない点で、実施の形態1の放熱板10と異なる。
第1部材1Eは、主面中央部に、側面が主面に対し10〜45°の傾斜角(θ)を有する溝部3Eを有する。溝部3Eは、第1部材1の主面の一端部から他端部まで横断するように形成される。
実施の形態2にかかる放熱板10Eは、図12に示すようにして製造することができる。放熱板10Eは、図12(a)に示すように、まず、側面が主面に対し10〜45°の傾斜角を有する溝部3Eを形成した第1基材部1Eを用意し、上述したコールドスプレー装置50により、図12(b)に示すように、溝部3E内に、第2部材2Eを構成する粉末材料を固相状態のままで吹き付けて堆積させて第2皮膜部2eを形成する。第2皮膜部2eの積層後、図12(c)に示すように、第2皮膜部2eの上面を、平面とする切削加工を行なうことにより製造することができる。
また、放熱板は、図13に示すような形状であってもよい。図13(a)は、本発明の実施の形態2の変形例1にかかる放熱板の上面図であり、図13(b)は図13(a)のDD線の断面図である。実施の形態2の変形例1にかかる放熱板10Fは、溝部3Fが主面中央部のみに形成されている。
さらに、実施の形態2にかかる放熱板10Eは、第1部材1Eに流路を形成し、冷却機能を有するものとすることも可能である。図14は、本発明の実施の形態2の変形例2にかかる放熱板の構成を示す概略図である。
実施の形態2の変形例2にかかる放熱板10Gは、溝部3Gが形成された面と対向する面に冷却媒体が流通する流路21が形成された第1部材1Gを備える。放熱板10Gは、第2部材2Gを介して伝熱された熱を、第1部材1Gの流路21を介して排出することができる。
実施の形態2の変形例2にかかる放熱板10Gは、図15に示すように、第1部材1Gの材料である金属または合金のバルク材に、流路21および溝部3Gを形成して第1部材1Gとし(ステップS1)、上述したコールドスプレー装置50により、溝部3G内に、第2部材2を構成する粉末材料を固相状態のままで吹き付けて堆積させて第2皮膜部を形成する(ステップS2)。第2皮膜部の積層後、第2皮膜部の上面を平面とする切削加工を行なうことにより製造することができる(ステップS3)。あるいは、第1部材1Gの材料である金属または合金のバルク材に、溝部3Gのみ形成し、コールドスプレー装置50により第2皮膜部を形成し、切削により第2部材とした後、流路21を形成してもよい。
また、放熱板は、図16に示すような形状であってもよい。図16(a)は、本発明の実施の形態2の変形例3にかかる放熱板の上面図であり、図16(b)は図16(a)のEE線の断面図である。実施の形態2の変形例3にかかる放熱板10Gは、第2部材2Gは、第1部材1Gの溝部3内に形成され、第2部材2Gの上面と第1部材1Gの上面は平面をなしている。
さらに、放熱板は、図17に示すような形状であってもよい。図17(a)は、本発明の実施の形態2の変形例4にかかる放熱板の上面図であり、図17(b)は図17(a)のFF線の断面図である。実施の形態2の変形例4にかかる放熱板10Hにおいて、第1部材1H上には、主面の位置端部から他端部まで横断する溝3Hが、平行に3つ形成されている。第2部材2Hは、第1部材1Hの溝部3H内にそれぞれ形成され、第2部材2Hの上面と第1部材1Hの上面は、平面をなしている。
さらにまた、放熱板は、図18に示すような形状であってもよい。図18(a)は、本発明の実施の形態2の変形例5にかかる放熱板の上面図であり、図18(b)は図18(a)のGG線の断面図である。実施の形態2の変形例5にかかる放熱板10Jにおいて、第1部材1J上には、溝3Jが、等間隔で格子状に複数形成されている。第2部材2Jは、第1部材1Jの溝部3J内にそれぞれ形成され、第2部材2Jの上面と第1部材1Jの上面は、平面をなしている。
実施の形態1の変形例1および変形例3、ならびに実施の形態2の変形例3〜5のような、第1部材と第2部材の上面が平面をなす放熱板において、第1部材の第2部材と接する部分の最大厚さhと、第2部材の第1部材と接する部分の最大厚さhとの比は、1:1〜20:1の範囲であることが好ましい。当該範囲とすることにより、放熱板の厚さを厚くすることなく、熱サイクル下での放熱板のそりを低減することができる。第1部材の第2部材と接する部分の最大厚さhと、第2部材の第1部材と接する部分の最大厚さhとの比は、1:1〜10:1の範囲であることが好ましい。
(実施例1)
図1の形状の放熱板10を、第1部材1をアルミニウム(A6063−T5)、第2部材2を銅(リン脱酸銅)で形成した。第1部材1には、厚さ(h)3.0mmのアルミニウム板(r:50mm、r:50mm)に、側面の主面に対する角度(θ):30°、r:30mm、r:50mmの溝部3を形成した。第2部材2は、コールドスプレー装置50により、圧縮ガス:窒素、圧縮ガス温度:600℃、ガス圧力:3MPaで、銅粒子(粒径30μm)を溝部3に吹付けて積層した。第2部材2の厚さhは5.0mmである。
(実施例2および3)
図11の形状の放熱板10Eを、第1部材1Eをアルミニウム(A6063−T5)、第2部材2Eを銅(リン脱酸銅)で形成した。第1部材1Eには、厚さ(h)3.0mmのアルミニウム板(r:50mm、r:50mm)に、側面の主面に対する角度(θ):30°、基部厚さh:2.0mmまたは1.0mm、r:30mm、r:50mmの溝部3Eを形成した。第2部材2Eは、コールドスプレー装置50により、圧縮ガス:窒素、圧縮ガス温度:600℃、ガス圧力:3MPaで、銅粒子(粒径30μm)を溝部3Eに吹付けて積層した。第2部材2Eの厚さhは、3.0mmまたは4.0mmmである。
(参考例1)
図1の形状の放熱板10において、溝部3を有しない第1部材1に第2部材2を積層した。第1部材には、厚さ(h)が3mmのアルミニウム板(A6063−T5、r:50mm、r:50mm)を使用し、第2部材2は、コールドスプレー装置50により、圧縮ガス:窒素、圧縮ガス温度:600℃、ガス圧力:3MPaで、銅粒子(リン脱酸銅、粒径30μm)を吹付けて積層した。第2部材の大きさは、r:30mm、r:50mm、h:2mmである。参考例1の第1部材および第2部材の厚さを表1に示す。
(実施例4)
図10の形状の放熱板10Dを、第1部材1Dをアルミニウム(A6063−T5)、第2部材2Dを銅(リン脱酸銅)で形成した。第1部材1Dには、厚さ(h)3mmのアルミニウム板(r:50mm、r:50mm)に、側面の主面に対する角度(θ):30°、r:30mm、r:30mmの溝部3Dを形成した。第2部材2Dは、コールドスプレー装置50により、圧縮ガス:窒素、圧縮ガス温度:600℃、ガス圧力:3MPaで、銅粒子(粒径30μm)を溝部3Dに吹付けて積層した。第2部材2Dの厚さhは5.0mmである。
(実施例5および6)
図13の形状の放熱板10Fを、第1部材1Fをアルミニウム(A6063−T5)、第2部材2Fを銅(リン脱酸銅)で形成した。第1部材1Fには、厚さ(h)3.0mmのアルミニウム板(r:50mm、r:50mm)に、側面の主面に対する角度(θ):30°、基部厚さh:2.0mmまたは1.0mm、r:30mm、r:30mmの溝部3Fを形成した。第2部材2Fは、コールドスプレー装置50により、圧縮ガス:窒素、圧縮ガス温度:600℃、ガス圧力:3MPaで、銅粒子(粒径30μm)を溝部3Fに吹付けて積層した。第2部材2Fの厚さhは3.0mmまたは4.0mmである。
(参考例2)
図10の形状の放熱板10Dにおいて、溝部を有しない第1部材に第2部材を積層した。第1部材には、厚さ(h)が3mmのアルミニウム板(A6063−T5、r:50mm、r:50mm)を使用し、第2部材は、コールドスプレー装置50により、圧縮ガス:窒素、圧縮ガス温度:600℃、ガス圧力:3MPaで、アルミニウム粒子(リン脱酸銅、粒径30μm)を吹付けて積層した。第2部材の大きさは、r:30mm、r:30mm、h:2mmである。参考例2の第1部材および第2部材の厚さを表2に示す。
(実施例7)
図16の形状の放熱板10Gを、第1部材1Gをアルミニウム(A6063−T5)、第2部材2Gを銅(リン脱酸銅)で形成した。第1部材1Gには、厚さ(h)5.0mmのアルミニウム板(r:50mm、r:50mm)に、側面の主面に対する角度(θ):30°、基部厚さh:4.0mm、r:30mm、r:50mmの溝部3Gを形成した。第2部材2Gは、コールドスプレー装置50により、圧縮ガス:窒素、圧縮ガス温度:600℃、ガス圧力:3MPaで、銅粒子(粒径30μm)を溝部3Gに吹付けて積層した後、第1部材1Gの上面と第2部材2Gの上面が平面をなすように切削した。実施例7の第1部材1Gおよび第2部材2Gの厚さを表3に示す。
(実施例8)
図17の形状の放熱板10Hを、第1部材1Hをアルミニウム(A6063−T5)、第2部材2Hを銅(リン脱酸銅)で形成した。第1部材1Hには、厚さ(h)5.0mmのアルミニウム板(r:50mm、r:50mm)に、側面の主面に対する角度(θ):30°、基部厚さh:4.0mm、r:9mm、r:50mmの溝部3Hを、r:1.5mmの間隔で3つ形成した。第2部材2Hは、コールドスプレー装置50により、圧縮ガス:窒素、圧縮ガス温度:600℃、ガス圧力:3MPaで、銅粒子(粒径30μm)を溝部3Gに吹付けて積層した後、第1部材1Hの上面と第2部材2Hの上面が平面をなすように切削した。実施例8の第1部材1Hおよび第2部材2Hの厚さを表3に示す。
(実施例9)
図18の形状の放熱板10Jを、第1部材1Jをアルミニウム(A6063−T5)、第2部材2Jを銅(リン脱酸銅)で形成した。第1部材1Jには、厚さ(h)5.0mmのアルミニウム板(r:50mm、r:50mm)に、側面の主面に対する角度(θ):30°、基部厚さh:4.0mm、r:9mm、r:9mmの溝部3Jを、r:1.5mm、r:1.5mmの間隔で格子状に形成した(完全な溝は9個)。第2部材2Jは、コールドスプレー装置50により、圧縮ガス:窒素、圧縮ガス温度:600℃、ガス圧力:3MPaで、銅粒子(粒径30μm)を溝部3Jに吹付けて積層した後、第1部材1Jの上面と第2部材2Jの上面が平面をなすように切削した。実施例9の第1部材1Jおよび第2部材2Jの厚さを表3に示す。
(参考例3)
図1の形状の放熱板10において、溝部3を有しない第1部材1に第2部材2を積層した。第1部材には、厚さ(h)が4.0mmのアルミニウム板(A6063−T5、r:50mm、r:50mm)を使用し、第2部材2は、コールドスプレー装置50により、圧縮ガス:窒素、圧縮ガス温度:600℃、ガス圧力:3MPaで、銅粒子(リン脱酸銅、粒径30μm)を吹付けて積層した。第2部材の大きさは、r:30mm、r:50mm、h:1.0mmである。参考例3の第1部材および第2部材の厚さを表3に示す。
上記の実施例および参考例で作製した各テストピースについて、125℃に加温時および−40℃に冷却時のそりを目視により評価した(◎〜×)。なお、そりは、第2部材である銅板の端部における熱負荷なしの状態からのそりである。実施例および参考例で作製したテストピースの厚さおよびそり量を表1〜表3にまとめた。
は、
Figure 2015032758
Figure 2015032758
Figure 2015032758
表1に示すように、実施例1〜3は、参考例1に比べそり量を低減することが可能となる。また、表2に示すように、実施例4〜6は、参考例2に比べそり量を低減することが可能となる。さらに、表3に示すように、実施例7〜9は、参考例3に比べそり量を低減することが可能となる。
1、1A、1B、1D、1E、1F、1G、1H、1J、1K 第1部材
2、2A、2B、2D、2E、2F、2G、2H、2J、2K 第2部材
3、3A、3B、3D、3E、3F、3G、3H、3J、3K 溝部
4、5 ろう材
10、10A、10B、10D、10E、10F、10G、10H、10J、10K 放熱板
20 冷却器
21 流路
30 パワーモジュール基板
31 半導体素子
32 回路層
33 セラミックス基板
34 金属層
35 半田
50 コールドスプレー装置
51 ガス加熱器
52 スプレーガン
53 粉末供給装置
54 ガスノズル
100 パワーモジュール

Claims (15)

  1. 板状をなし、主面中央部に側面が主面に対し10〜45°の傾斜角を有する溝部を有する金属または合金からなる第1部材と、
    前記溝部内または前記溝部内から第1部材の厚さ方向に、前記第1部材を構成する材料より熱伝導率が大きい金属または合金が積層されてなる第2部材と、
    を備え、前記第2部材は、前記第2部材を構成する金属または合金の粉末材料を、該粉末材料の融点より低い温度に加熱されたガスと共に加速し、前記第1部材の溝部内、または溝部内から前記第2部材の厚さ方向に延在するように固相状態のままで吹き付け堆積させて積層させたことを特徴とする放熱板。
  2. 側面が主面に対し10〜45°の角度で傾斜する板状体をなし、金属または合金からなる第2部材と、
    前記第2部材の側面外周部に、前記第2部材を構成する材料より熱伝導率が小さい金属または合金が積層されてなる第1部材と、
    を備え、前記第1部材は、前記第1部材を構成する金属または合金の粉末材料を、該粉末材料の融点より低い温度に加熱されたガスと共に加速し、前記第2部材の側面外周部に固相状態のままで吹き付けて堆積させて積層させたことを特徴とする放熱板。
  3. 前記第2部材を構成する金属または合金の熱膨張率が、前記第1部材を構成する金属または合金よりも小さいことを特徴とする請求項1または2に記載の放熱板。
  4. 前記第1部材はアルミニウムまたはアルミニウム合金であり、前記第2部材は銅または銅合金であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の放熱板。
  5. 前記溝部は、前記第1部材の主面の一端部から他端部まで横断するように形成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の放熱板。
  6. 前記溝部は、前記第1部材を貫通するように形成されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の放熱板。
  7. 前記第2部材は前記溝部内に形成され、第1部材の上面と第2部材の上面が平面をなすことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の放熱板。
  8. 前記第2部材の上面は、前記第1部材の上面から突出するように形成され、
    前記第1部材の前記第2部材と接する部分の最大厚さと、前記第2部材の前記第1部材と接する部分の最大厚さとの比が、1:1〜1:3の範囲であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の放熱板。
  9. 前記第1部材の前記第2部材と接する部分の最大厚さと、前記第2部材の前記第1部材と接する部分の最大厚さとの比が、1:1〜20:1の範囲であることを特徴とする請求項7に記載の放熱板。
  10. 前記第1部材は、前記溝部が形成された面と反対側の面に冷却媒体が流通する流路が形成されることを特徴とする請求項1、3〜5のいずれか一つに記載の放熱板。
  11. 請求項1〜9のいずれか一つに記載の放熱板と、
    前記放熱板の第2部材と接続されるセラミックス基板と、
    前記放熱板のセラミックス基板と接する面と反対側の面で接続されるアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるヒートシンクと、
    を備えることを特徴とするパワーモジュール。
  12. 請求項10に記載の放熱板と、
    前記放熱板の第2部材側に接続されるセラミックス基板と、
    を備えることを特徴とするパワーモジュール。
  13. 板状をなし、金属または合金からなる第1部材の主面中央部に形成された、側面が主面に対し10〜45°の傾斜角を有する溝部に、前記第1部材を構成する材料より熱伝導率が大きい金属または合金の粉末材料を、該粉末材料の融点より低い温度に加熱されたガスと共に加速し、前記溝部内または前記溝部内から第1部材の厚さ方向に固相状態のままで吹き付けて堆積させ、第2部材を形成する積層工程と、
    前記積層工程により形成した前記第2部材を少なくとも切削加工する切削工程と、
    を含むことを特徴とする放熱板の製造方法。
  14. 側面が主面に対し10〜45°の角度で傾斜する板状体をなし、金属または合金からなる第2部材の側面および側面外周部の上方から、前記第2部材を構成する材料より熱伝導率が小さい金属または合金の粉末材料を、該粉末材料の融点より低い温度に加熱されたガスと共に加速し、固相状態のままで吹き付けて堆積させ、第1部材を形成する積層工程と、
    前記積層工程により形成した前記第1部材を少なくとも切削加工する切削工程と、
    を含むことを特徴とする放熱板の製造方法。
  15. 前記第2部材を構成する金属または合金の熱膨張率が、前記第1部材を構成する金属または合金よりも小さいことを特徴とする請求項11または12に記載の放熱板の製造方法。
JP2013162815A 2013-08-05 2013-08-05 放熱板、パワーモジュールおよび放熱板の製造方法 Pending JP2015032758A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013162815A JP2015032758A (ja) 2013-08-05 2013-08-05 放熱板、パワーモジュールおよび放熱板の製造方法
PCT/JP2014/069862 WO2015019890A1 (ja) 2013-08-05 2014-07-28 放熱板、パワーモジュールおよび放熱板の製造方法
TW103126541A TWI566344B (zh) 2013-08-05 2014-08-04 散熱板、功率模組及散熱板的製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013162815A JP2015032758A (ja) 2013-08-05 2013-08-05 放熱板、パワーモジュールおよび放熱板の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015032758A true JP2015032758A (ja) 2015-02-16

Family

ID=52461229

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013162815A Pending JP2015032758A (ja) 2013-08-05 2013-08-05 放熱板、パワーモジュールおよび放熱板の製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2015032758A (ja)
TW (1) TWI566344B (ja)
WO (1) WO2015019890A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020009868A (ja) * 2018-07-06 2020-01-16 日立オートモティブシステムズ株式会社 半導体モジュール
JP7524044B2 (ja) 2020-12-09 2024-07-29 新光電気工業株式会社 放熱板、半導体装置及び放熱板の製造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3933913A1 (de) * 2020-06-30 2022-01-05 Siemens Aktiengesellschaft Leistungsmodul mit mindestens zwei leistungseinheiten
EP4345886A1 (de) * 2022-09-28 2024-04-03 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur herstellung eines halbleitermoduls mit mindestens einer halbleiteranordnung und einem kühlkörper
WO2024028389A1 (de) * 2022-08-02 2024-02-08 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur herstellung eines halbleitermoduls mit mindestens einer halbleiteranordnung und einem kühlkörper

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08186204A (ja) * 1994-11-02 1996-07-16 Nippon Tungsten Co Ltd ヒートシンク及びその製造方法
JP2002524862A (ja) * 1998-09-04 2002-08-06 ブラッシュ ウェルマン セラミック プロダクツ 機能的に分類された金属基板およびそれを作製するためのプロセス
WO2003061001A1 (en) * 2002-01-16 2003-07-24 Fujitsu Limited Heat sink having high efficiency cooling capacity and semiconductor device comprising it
US20050121775A1 (en) * 2003-12-04 2005-06-09 Fitzgerald Thomas J. Device and system for heat spreader with controlled thermal expansion
JP2013500580A (ja) * 2009-08-25 2013-01-07 富士電機株式会社 半導体モジュール及び放熱部材
WO2013021870A1 (ja) * 2011-08-05 2013-02-14 日本発條株式会社 冷却装置及びその製造方法
US20130091693A1 (en) * 2011-10-12 2013-04-18 International Business Machines Corporation Thermal expansion-enhanced heat sink for an electronic assembly
JP2013089799A (ja) * 2011-10-19 2013-05-13 Ngk Spark Plug Co Ltd 放熱用フィン付き回路基板の製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010048529B4 (de) * 2010-10-14 2016-04-28 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Kühlkörper mit Hitzeverteiler

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08186204A (ja) * 1994-11-02 1996-07-16 Nippon Tungsten Co Ltd ヒートシンク及びその製造方法
JP2002524862A (ja) * 1998-09-04 2002-08-06 ブラッシュ ウェルマン セラミック プロダクツ 機能的に分類された金属基板およびそれを作製するためのプロセス
WO2003061001A1 (en) * 2002-01-16 2003-07-24 Fujitsu Limited Heat sink having high efficiency cooling capacity and semiconductor device comprising it
US20050121775A1 (en) * 2003-12-04 2005-06-09 Fitzgerald Thomas J. Device and system for heat spreader with controlled thermal expansion
JP2013500580A (ja) * 2009-08-25 2013-01-07 富士電機株式会社 半導体モジュール及び放熱部材
WO2013021870A1 (ja) * 2011-08-05 2013-02-14 日本発條株式会社 冷却装置及びその製造方法
US20130091693A1 (en) * 2011-10-12 2013-04-18 International Business Machines Corporation Thermal expansion-enhanced heat sink for an electronic assembly
JP2013089799A (ja) * 2011-10-19 2013-05-13 Ngk Spark Plug Co Ltd 放熱用フィン付き回路基板の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020009868A (ja) * 2018-07-06 2020-01-16 日立オートモティブシステムズ株式会社 半導体モジュール
JP7524044B2 (ja) 2020-12-09 2024-07-29 新光電気工業株式会社 放熱板、半導体装置及び放熱板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015019890A1 (ja) 2015-02-12
TW201523817A (zh) 2015-06-16
TWI566344B (zh) 2017-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI702693B (zh) 附冷卻器電力模組用基板及其製造方法
JP4595665B2 (ja) 配線基板の製造方法
KR102084339B1 (ko) 적층체 및 적층체의 제조 방법
WO2013008865A1 (ja) 積層体及び積層体の製造方法
WO2015064430A1 (ja) 積層体、絶縁性冷却板、パワーモジュールおよび積層体の製造方法
WO2015019890A1 (ja) 放熱板、パワーモジュールおよび放熱板の製造方法
US10475723B1 (en) IGBT heat dissipation structure
JP2013074199A (ja) 放熱構造体、パワーモジュール、放熱構造体の製造方法およびパワーモジュールの製造方法
JP5077529B2 (ja) 絶縁基板の製造方法、ならびに半導体装置の製造方法
TW201324701A (zh) 接合體
JP2014050847A (ja) 絶縁基板の製造方法
WO2016021561A1 (ja) 複合基板及びパワーモジュール
JP2012227362A (ja) ヒートシンク付パワーモジュール用基板ユニットおよびその製造方法
JP6904094B2 (ja) 絶縁回路基板の製造方法
WO2016056567A1 (ja) 放熱部材用積層体、ヒートシンク付き基板、および放熱部材用積層体の製造方法
JP2018046265A (ja) 絶縁回路基板の製造方法、及び、絶縁回路基板、パワーモジュール、ledモジュール、熱電モジュール
WO2016009710A1 (ja) パワー半導体モジュール及びそれを用いたパワーモジュール
KR102709152B1 (ko) 세라믹 기판 제조 방법
JP5278371B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2006229247A (ja) 回路基板及びその製造方法
JP6378247B2 (ja) 積層体、パワーモジュールおよび積層体の製造方法
JP2012138629A (ja) 絶縁基板および半導体装置
JP5940589B2 (ja) 積層体、及びパワーモジュール
JP2008124298A (ja) パワーモジュール用基板の製造方法
JP2009164413A (ja) パワーモジュール用基板及びパワーモジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160408

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170207

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170407

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170815

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171013

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180213