JP2006525669A - 発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
発光ダイオード及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006525669A JP2006525669A JP2006507574A JP2006507574A JP2006525669A JP 2006525669 A JP2006525669 A JP 2006525669A JP 2006507574 A JP2006507574 A JP 2006507574A JP 2006507574 A JP2006507574 A JP 2006507574A JP 2006525669 A JP2006525669 A JP 2006525669A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mesa
- mesa portion
- optical device
- light
- active layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 11
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 12
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 10
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000013308 plastic optical fiber Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/035281—Shape of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
Description
前記メサ部が、透光面又は受光面の反対側に切頭化した上部を有し、
前記メサ部が、ACを前記活性層の高さにおける断面積としかつH3を前記メサ部の高さとしたとき、0.5より大きいアスペクト比((H3)×(H3)/AC)を有し、
前記メサ部の側壁が、前記活性層周辺部の相当部分に沿って前記活性層と角度α=45°/(+/−20°)で交差し、それにより前記メサ部が、前記デバイス内で発生し又は検出される光の反射エンクロージャを形成する準放物面形状を有する光学デバイスが提供される。
或る実施例では、前記メサ部のアスペクト比((H3)×(H3)/AC)が8より大きい。
或る実施例では、前記活性層がInGaAs材料からなる。
或る実施例では、前記活性層がInGaAsP材料からなる。
或る実施例では、前記活性層がZnCdSeTe材料からなる。
或る実施例では、前記活性層が検出層であり、前記デバイスがフォトダイオードである。
或る実施例では、前記アレイが、個々のダイオード又はダイオードのクラスタが個別にアドレス可能であるような導体からなり、それによりアドレス可能なLED又はPDアレイを形成する。
或る実施例では、ダイオードメサ部が占める面積が100mm2より大きい。
単一のリソグラフィ工程の後に、追加のリソグラフィを行うことなく、次の3つの工程即ち、前記半導体メサ部のエッチング、メサ部側壁絶縁被膜の塗布、及び前記メサ部の上部への前記電気接点の付着を行う方法が提供される。
D1:上部電気接点の直径
D2:切頭化した半導体メサ部の上部の直径
D3:LELの直径
D4:放物面の焦点面(焦点面は焦点と交差する水平面である)の直径
D5:半導体メサ部の底部の直径
H1:前記メサ部の底部より上の放物面状焦点面の高さ
H2:前記メサ部の底部より上のLEL層の高さ
H3:前記メサ部の底部より上の切頭上部の高さ
H4:前記メサ部の底部より上の放物面の頂点の高さ
AC:前記LELの高さにおける前記メサ部の断面積
前記活性層の高さにおけるメサ部の断面積(AC)が100μm2より小さい;
少なくともいくつかのメサ部のアスペクト比((H3)×(H3))/AC)が0.3より大きい;
ダイオードメサ部の側壁が前記活性層の周辺部の大部分(即ち、50%以上)に沿って前記活性層と角度α=45°(+/−20°)で交差する。
1.(任意の)基板
2.半導体材料
3.放物面の焦点面
4.発光層(LEL)。前記LELの高さにおけるメサ部の断面積が「AC」である。 5.電気絶縁層
6.前記半導体の上部電気接点
7.前記半導体の下部電気接点
8.本実施例では予め露出したレジストからなる多層エッチングマスクの下側部分
9.本実施例ではフォトレジストからなる多層エッチングマスクの上側部分
10.微小LEDの外郭
Claims (28)
- 半導体構造のメサ部に活性層を囲む半導体ダイオードからなる光学デバイスであって、
前記メサ部が、透光面又は受光面の反対側に切頭化した上部を有し、
前記メサ部が、ACを前記活性層の高さにおける断面積としかつH3を前記メサ部の高さとしたとき、0.5より大きいアスペクト比((H3)×(H3)/AC)を有し、
前記メサ部の側壁が、前記活性層周辺部の相当部分に沿って前記活性層と角度α=45°/(+/−20°)で交差し、それにより前記メサ部が、前記デバイス内で発生し又は検出される光の反射エンクロージャを形成する準放物面形状を有することを特徴とする光学デバイス。 - 前記活性層の高さにおける前記メサ部の断面積(AC)が100μm2未満であることを特徴とする請求項1に記載の光学デバイス。
- 前記メサ部のアスペクト比((H3)×(H3)/AC)が3より大きいことを特徴とする請求項1又は2に記載の光学デバイス。
- 前記メサ部のアスペクト比((H3)×(H3)/AC)が8より大きいことを特徴とする請求項3に記載の光学デバイス。
- 前記切頭上部に電気接点を更に有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の光学デバイス。
- 前記電気接点の占有面積が前記切頭上部の面積の16%未満であることを特徴とする請求項5に記載の光学デバイス。
- 前記メサ部の側壁が湾曲しており、該側壁の角度αが、前記活性層から前記透光面又は受光面に向けて連続的に増加していることを特徴とする請求項1乃至6に記載の光学デバイス。
- 前記メサ部の断面積(AC)の形状が矩形であり、その長さが幅の2倍以上であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の光学デバイス。
- 前記活性層がInGaN材料からなることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の光学デバイス。
- 前記活性層がInGaAs材料からなることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の光学デバイス。
- 前記活性層がInGaAsP材料からなることを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載の光学デバイス。
- 前記活性層がZnCdSeTe材料からなることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の光学デバイス。
- 前記メサ部の高さ(H3)が5μmより大きいことを特徴とする請求項1乃至12のいずれかに記載の光学デバイス。
- 前記活性層が発光層であり、前記デバイスがLEDであることを特徴とする請求項1乃至13のいずれかに記載の光学デバイス。
- 前記活性層が検出層であり、前記デバイスがフォトダイオードであることを特徴とする請求項1乃至13のいずれかに記載の光学デバイス。
- 前記デバイスがダイオードのアレイからなることを特徴とする請求項1乃至15のいずれかに記載の光学デバイス。
- 前記アレイが、個々のダイオード又はダイオードのクラスタが個別にアドレス可能であるような導体からなり、それによりアドレス可能なLED又はPDアレイを形成することを特徴とする請求項16に記載の光学デバイス。
- ダイオードのメサ部が占めるデバイス面積が10mm2より大きく、取り出した全光の80%以上が背面を通して取り出され、前記デバイスがスケーラブルでありかつ単一のアレイチップからの高い光出力に適していることを特徴とする請求項16又は17に記載の光学ダイオードアレイ。
- ダイオードのメサ部が占める面積が100mm2より大きいことを特徴とする請求項18に記載の光学ダイオードアレイ。
- 前記アレイがフリップチップとして形成され、ヒートシンク上に取り付けられることを特徴とする請求項16乃至19のいずれかに記載の光学ダイオードアレイ。
- 請求項16乃至20のいずれかに記載されるダイオードアレイを製造する方法であって、
単一のリソグラフィ工程の後に、追加のリソグラフィを行うことなく、次の3つの工程即ち、前記半導体メサ部のエッチング、メサ部側壁絶縁被膜の塗布、及び前記メサ部の上部への前記電気接点の付着を行うことを特徴とする方法。 - 前記半導体メサ部のエッチングのためのエッチングマスクが複数の層からなる多層膜からなり、かつ前記メサ部のエッチング工程の後に1つ又は複数の層を選択的にエッチングして、次の被膜の剥離によるパターンの画定に適したオーバーハング形状を作成することを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記半導体メサ部の所望の輪郭形状を提供するエッチングの前に、前記エッチングマスクをリフローすることを特徴とする請求項21又は22に記載のダイオードアレイの製造方法。
- 前記多層エッチングマスクが2倍の高さのレジストからなることを特徴とする請求項21乃至23のいずれかに記載の方法。
- D1/D2比を減少させる追加の酸素プラズマ工程を有することを特徴とする請求項21乃至24のいずれかに記載の方法。
- 発光波長において80%を超える反射率を有する上部電気接点を付着させる工程を有し、前記反射率が半導体対接点界面においてかつ垂直入射で測定されるものであることを特徴とする請求項21乃至25のいずれかに記載の方法。
- 前記電気接点及びフリップチップボンディングメタライズ部が、追加のリソグラフィ工程を行うことなく、全部1つの工程で付着されることを特徴とする請求項26に記載の方法。
- 添付図面に関連して実質的に本明細書に記載される製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IE20030332 | 2003-05-02 | ||
PCT/IE2004/000063 WO2004097947A2 (en) | 2003-05-02 | 2004-05-04 | Light emitting diodes and the manufacture thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006525669A true JP2006525669A (ja) | 2006-11-09 |
Family
ID=33397630
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006507574A Pending JP2006525669A (ja) | 2003-05-02 | 2004-05-04 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7518149B2 (ja) |
EP (1) | EP1620902B1 (ja) |
JP (1) | JP2006525669A (ja) |
AT (1) | ATE474332T1 (ja) |
DE (1) | DE602004028115D1 (ja) |
IE (1) | IE20040308A1 (ja) |
WO (1) | WO2004097947A2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008244309A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Fujitsu Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2012114377A (ja) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光素子 |
JP2017535966A (ja) * | 2014-11-24 | 2017-11-30 | オキュラス ブイアール,エルエルシー | マイクロledデバイス |
JP2019129226A (ja) * | 2018-01-24 | 2019-08-01 | シャープ株式会社 | マイクロled素子、画像表示素子、及び画像表示素子の製造方法 |
JP2021517736A (ja) * | 2018-03-30 | 2021-07-26 | フェイスブック・テクノロジーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニーFacebook Technologies, Llc | 高効率マイクロled |
JP2021521644A (ja) * | 2018-05-01 | 2021-08-26 | フェイスブック・テクノロジーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニーFacebook Technologies, Llc | ミクロンサイズの発光ダイオード設計 |
JP2021152658A (ja) * | 2015-11-13 | 2021-09-30 | フェイスブック・テクノロジーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニーFacebook Technologies, Llc | ディスプレイ要素の製造において使用するための方法および装置 |
US12021168B1 (en) | 2023-01-27 | 2024-06-25 | Meta Platforms Technologies, Llc | Reduction of surface recombination losses in micro-LEDs |
Families Citing this family (71)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1678442B8 (en) | 2003-10-31 | 2013-06-26 | Phoseon Technology, Inc. | Led light module and manufacturing method |
WO2005091392A1 (en) | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Phoseon Technology, Inc. | Micro-reflectors on a substrate for high-density led array |
US8294166B2 (en) | 2006-12-11 | 2012-10-23 | The Regents Of The University Of California | Transparent light emitting diodes |
US7534633B2 (en) * | 2004-07-02 | 2009-05-19 | Cree, Inc. | LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same |
US20130064834A1 (en) | 2008-12-15 | 2013-03-14 | Regeneron Pharmaceuticals, Inc. | Methods for treating hypercholesterolemia using antibodies to pcsk9 |
MY170089A (en) | 2011-09-16 | 2019-07-04 | Regeneron Pharma | Methods for reducing lipoproten(a) levels by administering an inhibitor of proprotein convertase subtilisin kexin-9 (pcsk9) |
GB201202222D0 (en) | 2012-02-09 | 2012-03-28 | Mled Ltd | Enhanced light extraction |
WO2013117760A1 (en) | 2012-02-10 | 2013-08-15 | University College Cork, National University Of Ireland, Cork | Light emitting diode chip |
US9515238B2 (en) | 2012-02-16 | 2016-12-06 | Oculus Vr, Llc | Micro-LED array with filters |
US9134724B2 (en) * | 2012-06-12 | 2015-09-15 | Apple Inc. | Method and apparatus for component assembly using continuous selection |
GB201215632D0 (en) | 2012-09-03 | 2012-10-17 | Infiniled Ltd | Optical device |
DE102012217967A1 (de) | 2012-10-01 | 2014-04-03 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Konfokales Mikroskop mit frei einstellbarer Probenabtastung |
WO2014075178A1 (en) * | 2012-11-15 | 2014-05-22 | WULKAN, Maksymilian | Methods and apparatus for high speed short distance optical communications using micro light emitting diodes |
DE102014009677A1 (de) * | 2014-02-19 | 2015-08-20 | Pierre-Alain Cotte | Anzeigevorrichtung mit verbessertem Kontrast |
GB2526078A (en) * | 2014-05-07 | 2015-11-18 | Infiniled Ltd | Methods and apparatus for improving micro-LED devices |
DE102014212371A1 (de) | 2014-06-26 | 2015-12-31 | Carl Zeiss Meditec Ag | Beleuchtungsvorrichtung für ein optisches Beobachtungsgerät |
GB201413578D0 (en) | 2014-07-31 | 2014-09-17 | Infiniled Ltd | A colour iled display on silicon |
GB201413604D0 (en) | 2014-07-31 | 2014-09-17 | Infiniled Ltd | A colour inorganic LED display for display devices with a high number of pixel |
GB201418810D0 (en) * | 2014-10-22 | 2014-12-03 | Infiniled Ltd | Display |
TWI610459B (zh) | 2015-05-13 | 2018-01-01 | 友達光電股份有限公司 | 微型發光二極體裝置與其製造方法 |
GB2541970B (en) | 2015-09-02 | 2020-08-19 | Facebook Tech Llc | Display manufacture |
US10440355B2 (en) | 2015-11-06 | 2019-10-08 | Facebook Technologies, Llc | Depth mapping with a head mounted display using stereo cameras and structured light |
WO2017175148A1 (en) | 2016-04-08 | 2017-10-12 | Novagan | Highly directional light source with high extraction efficiency and method to manufacturing the same |
DE102016107211A1 (de) * | 2016-04-19 | 2017-10-19 | Voith Patent Gmbh | Vorrichtung zur daten- und/oder signalübertragung |
WO2018107150A1 (en) | 2016-12-09 | 2018-06-14 | Applied Materials, Inc. | Collimated led light field display |
WO2018200417A1 (en) | 2017-04-24 | 2018-11-01 | Pcms Holdings, Inc. | Systems and methods for 3d displays with flexible optical layers |
US10490599B2 (en) | 2017-07-13 | 2019-11-26 | Applied Materials, Inc. | Collimated, directional micro-LED light field display |
US10535800B1 (en) * | 2017-08-08 | 2020-01-14 | Facebook Technologies, Llc | Parabolic vertical hybrid light emitting diode |
EP4030753A1 (en) | 2017-08-23 | 2022-07-20 | InterDigital Madison Patent Holdings, SAS | Light field image engine method and apparatus for generating projected 3d light fields |
US10712579B1 (en) * | 2017-09-20 | 2020-07-14 | Facebook Technologies, Llc | Vortex linearization of micro-LED polarization |
US10020422B1 (en) * | 2017-09-29 | 2018-07-10 | Oculus Vr, Llc | Mesa shaped micro light emitting diode with bottom N-contact |
WO2019089283A1 (en) | 2017-11-02 | 2019-05-09 | Pcms Holdings, Inc. | Method and system for aperture expansion in light field displays |
US10574354B2 (en) * | 2017-12-12 | 2020-02-25 | International Business Machines Corporation | Data transfer arrangement for a hybrid integrated circuit (HIC) and an HIC with the data transfer arrangement |
US10325791B1 (en) | 2017-12-13 | 2019-06-18 | Facebook Technologies, Llc | Formation of elastomeric layer on selective regions of light emitting device |
US10418510B1 (en) | 2017-12-22 | 2019-09-17 | Facebook Technologies, Llc | Mesa shaped micro light emitting diode with electroless plated N-contact |
US10326052B1 (en) * | 2018-02-12 | 2019-06-18 | Facebook Technologies, Llc | Light emitting diode with field enhanced contact |
US20190305188A1 (en) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | Facebook Technologies, Llc | Reduction of surface recombination losses in micro-leds |
US10644196B2 (en) | 2018-03-30 | 2020-05-05 | Facebook Technologies, Llc | Reduction of surface recombination losses in micro-LEDs |
US10622519B2 (en) | 2018-03-30 | 2020-04-14 | Facebook Technologies, Llc | Reduction of surface recombination losses in micro-LEDs |
US10753959B1 (en) * | 2018-05-04 | 2020-08-25 | Facebook Technologies, Llc | Microspring probe card with insulation block |
US11184967B2 (en) | 2018-05-07 | 2021-11-23 | Zane Coleman | Angularly varying light emitting device with an imager |
US10816939B1 (en) | 2018-05-07 | 2020-10-27 | Zane Coleman | Method of illuminating an environment using an angularly varying light emitting device and an imager |
US20210223568A1 (en) | 2018-05-17 | 2021-07-22 | Pcms Holdings, Inc. | 3d display directional backlight based on diffractive elements |
GB2575311B (en) * | 2018-07-06 | 2021-03-03 | Plessey Semiconductors Ltd | Monolithic LED array and a precursor thereto |
US11005014B2 (en) | 2018-07-30 | 2021-05-11 | Facebook Technologies, Llc | Optics formation using pick-up tools |
US11145786B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-10-12 | Facebook Technologies, Llc | Methods for wafer-to-wafer bonding |
US11342479B2 (en) | 2018-09-11 | 2022-05-24 | Facebook Technologies, Llc | Reducing bowing of materials before wafer-to-wafer bonding for LED manufacturing |
US11056611B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-07-06 | Facebook Technologies, Llc | Mesa formation for wafer-to-wafer bonding |
US11257982B1 (en) * | 2018-10-18 | 2022-02-22 | Facebook Technologies, Llc | Semiconductor display device |
US11164905B2 (en) | 2018-10-18 | 2021-11-02 | Facebook Technologies, Llc | Manufacture of semiconductor display device |
US11227970B1 (en) | 2018-10-18 | 2022-01-18 | Facebook Technologies, Llc | Light emitting diodes manufacture and assembly |
EP3667721A1 (en) | 2018-12-10 | 2020-06-17 | IMEC vzw | Method for fabricating an optical device |
WO2020185414A1 (en) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | Pcms Holdings, Inc. | Optical method and system for displays based on beams with extended depth of focus |
CN113767307B (zh) | 2019-04-12 | 2023-08-29 | Pcms控股公司 | 用于具有光转向层和周期性光学层的光场显示器的光学方法和系统 |
CN114175627B (zh) | 2019-06-07 | 2024-04-12 | 交互数字Vc控股公司 | 用于基于分布式光孔的光场显示器的光学方法和系统 |
US11917121B2 (en) | 2019-06-28 | 2024-02-27 | Interdigital Madison Patent Holdings, Sas | Optical method and system for light field (LF) displays based on tunable liquid crystal (LC) diffusers |
US11309464B2 (en) | 2019-10-14 | 2022-04-19 | Facebook Technologies, Llc | Micro-LED design for chief ray walk-off compensation |
WO2021076424A1 (en) | 2019-10-15 | 2021-04-22 | Pcms Holdings, Inc. | Method for projecting an expanded virtual image with a small light field display |
US20220384682A1 (en) * | 2019-10-28 | 2022-12-01 | The Regents Of The University Of California | Formation of microled mesa structures with atomic layer deposition passivated sidewalls, a self-aligned dielectric via to the top electrical contact, and a plasma-damage-free top contact |
US11127881B2 (en) | 2019-11-22 | 2021-09-21 | Tectus Corporation | Ultra-dense array of LEDs with half cavities and reflective sidewalls |
US11476387B2 (en) | 2019-11-22 | 2022-10-18 | Tectus Corporation | Ultra-dense array of LEDs with half cavities and reflective sidewalls, and hybrid bonding methods |
US11289630B2 (en) | 2019-12-20 | 2022-03-29 | Lumileds Llc | Tunable lighting system with preferred color rendering |
WO2021148895A1 (en) | 2020-01-22 | 2021-07-29 | King Abdullah University Of Science And Technology | Light processing device array and method for manufacturing thereof |
TW202137582A (zh) * | 2020-03-24 | 2021-10-01 | 晶元光電股份有限公司 | 半導體發光元件及半導體發光組件 |
US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
GB2595687B (en) | 2020-06-03 | 2023-05-24 | Plessey Semiconductors Ltd | Monolithic LED array and a precursor thereto |
US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
EP4174965A4 (en) * | 2020-09-29 | 2023-09-06 | BOE Technology Group Co., Ltd. | LIGHT-EMITTING DIODE CHIP, DISPLAY SUBSTRATE AND RELATED MANUFACTURING METHOD |
DE102021101657A1 (de) | 2021-01-26 | 2022-07-28 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines hybriden Bauelements |
CN114284419B (zh) * | 2021-12-20 | 2024-03-12 | 镭昱光电科技(苏州)有限公司 | 微型发光二极管显示装置及其制作方法 |
CN116153962B (zh) * | 2023-04-17 | 2023-07-21 | 诺视科技(苏州)有限公司 | 像素单元及其制作方法、微显示屏、像素级分立器件 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08195505A (ja) * | 1995-01-17 | 1996-07-30 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JPH1065201A (ja) * | 1996-06-13 | 1998-03-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体導波路型受光素子とその製造方法 |
WO2001073859A1 (en) * | 2000-03-24 | 2001-10-04 | Nova Crystals, Inc. | Enhanced-output light emitting diode and method of making the same |
JP2002100805A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-04-05 | Sony Corp | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
JP2003031858A (ja) * | 2001-05-15 | 2003-01-31 | Lumileds Lighting Us Llc | 低屈折率の充填物を有する半導体ledフリップチップ |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0503729A3 (en) * | 1991-03-15 | 1992-12-02 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken | Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing such a device |
DE19727233A1 (de) * | 1997-06-26 | 1999-01-07 | Siemens Ag | Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement |
US6180444B1 (en) * | 1998-02-18 | 2001-01-30 | International Business Machines Corporation | Semiconductor device having ultra-sharp P-N junction and method of manufacturing the same |
US6410942B1 (en) * | 1999-12-03 | 2002-06-25 | Cree Lighting Company | Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays |
US6998281B2 (en) * | 2000-10-12 | 2006-02-14 | General Electric Company | Solid state lighting device with reduced form factor including LED with directional emission and package with microoptics |
WO2002059983A1 (en) * | 2000-11-17 | 2002-08-01 | Emcore Corporation | Led package having improved light extraction and methods therefor |
US7482634B2 (en) * | 2004-09-24 | 2009-01-27 | Lockheed Martin Corporation | Monolithic array for solid state ultraviolet light emitters |
-
2004
- 2004-05-04 JP JP2006507574A patent/JP2006525669A/ja active Pending
- 2004-05-04 WO PCT/IE2004/000063 patent/WO2004097947A2/en active Application Filing
- 2004-05-04 AT AT04731090T patent/ATE474332T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-05-04 DE DE602004028115T patent/DE602004028115D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-05-04 EP EP04731090A patent/EP1620902B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-05-04 IE IE20040308A patent/IE20040308A1/en not_active Application Discontinuation
-
2005
- 2005-10-28 US US11/264,341 patent/US7518149B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08195505A (ja) * | 1995-01-17 | 1996-07-30 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JPH1065201A (ja) * | 1996-06-13 | 1998-03-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体導波路型受光素子とその製造方法 |
WO2001073859A1 (en) * | 2000-03-24 | 2001-10-04 | Nova Crystals, Inc. | Enhanced-output light emitting diode and method of making the same |
JP2002100805A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-04-05 | Sony Corp | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
JP2003031858A (ja) * | 2001-05-15 | 2003-01-31 | Lumileds Lighting Us Llc | 低屈折率の充填物を有する半導体ledフリップチップ |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008244309A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Fujitsu Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2012114377A (ja) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光素子 |
JP2017535966A (ja) * | 2014-11-24 | 2017-11-30 | オキュラス ブイアール,エルエルシー | マイクロledデバイス |
US10490699B2 (en) | 2014-11-24 | 2019-11-26 | Facebook Technologies, Llc | Micro-LED device |
US10854782B2 (en) | 2014-11-24 | 2020-12-01 | Facebook Technologies, Llc | Micro-LED device |
JP2021152658A (ja) * | 2015-11-13 | 2021-09-30 | フェイスブック・テクノロジーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニーFacebook Technologies, Llc | ディスプレイ要素の製造において使用するための方法および装置 |
JP7106714B2 (ja) | 2015-11-13 | 2022-07-26 | メタ プラットフォームズ テクノロジーズ, リミテッド ライアビリティ カンパニー | ディスプレイ要素の製造において使用するための方法および装置 |
JP7079106B2 (ja) | 2018-01-24 | 2022-06-01 | シャープ株式会社 | 画像表示素子、及び画像表示素子の製造方法 |
JP2019129226A (ja) * | 2018-01-24 | 2019-08-01 | シャープ株式会社 | マイクロled素子、画像表示素子、及び画像表示素子の製造方法 |
JP2021517736A (ja) * | 2018-03-30 | 2021-07-26 | フェイスブック・テクノロジーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニーFacebook Technologies, Llc | 高効率マイクロled |
JP2021521644A (ja) * | 2018-05-01 | 2021-08-26 | フェイスブック・テクノロジーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニーFacebook Technologies, Llc | ミクロンサイズの発光ダイオード設計 |
JP7284188B2 (ja) | 2018-05-01 | 2023-05-30 | メタ プラットフォームズ テクノロジーズ, リミテッド ライアビリティ カンパニー | ミクロンサイズの発光ダイオード設計 |
US12021168B1 (en) | 2023-01-27 | 2024-06-25 | Meta Platforms Technologies, Llc | Reduction of surface recombination losses in micro-LEDs |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1620902A2 (en) | 2006-02-01 |
DE602004028115D1 (de) | 2010-08-26 |
ATE474332T1 (de) | 2010-07-15 |
US7518149B2 (en) | 2009-04-14 |
EP1620902B1 (en) | 2010-07-14 |
WO2004097947A3 (en) | 2005-06-02 |
US20060113638A1 (en) | 2006-06-01 |
IE20040308A1 (en) | 2004-11-17 |
WO2004097947A2 (en) | 2004-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7518149B2 (en) | Light emitting mesa structures with high aspect ratio and near-parabolic sidewalls | |
US9941328B2 (en) | Optical device having mesas for light extraction enhancement | |
JP6150998B2 (ja) | 内部および外部光学要素による光取出しを向上させた発光ダイオード | |
JP5372766B2 (ja) | 光取り出し効率の高い球形led | |
JP4824293B2 (ja) | フォトニック結晶発光デバイス | |
JP5237286B2 (ja) | フォトニック結晶により定められたアレイ状エミッタを含む発光デバイス | |
JP5443465B2 (ja) | 発光素子、発光素子の製造方法、及び発光素子パッケージ | |
JP5511114B2 (ja) | 光抽出を向上させた微小発光ダイオードアレイ | |
JP5649653B2 (ja) | 粗面化された活性層及びコンフォーマルなクラッドを利用する高輝度led | |
TW200941773A (en) | System and method for emitter layer shaping | |
US7915621B2 (en) | Inverted LED structure with improved light extraction | |
US20150221825A1 (en) | Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device package | |
CN109037267B (zh) | 金属光子晶体耦合增强nano-LED阵列及制造方法 | |
US20130130417A1 (en) | Manufacturing method of a light-emitting device | |
WO2001073859A1 (en) | Enhanced-output light emitting diode and method of making the same | |
KR20050045167A (ko) | 고휘도 발광 다이오드 소자 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070501 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070705 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100706 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100706 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101130 |