JP2006517061A - 多孔性低k誘電体膜上への不透過性膜の堆積方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】相互接続構造における多孔性低k誘電体膜のようなデバイス上への不透過性膜の接着性を改善するための方法。本方法は、多孔性低k誘電体膜の水、アルコール、HCl、HF蒸気のような捕捉された蒸気又は吸着された分子を放出するために、不透過性膜の堆積前の原位置アニーリング段階を提供する。本方法はまた、多孔性低誘電性膜の堆積に続いて、捕捉可能分子を含む大気に露出することなく不透過性膜の原位置堆積を提供する。本方法は、更に、多孔性低k誘電体膜の一部分の除去に続いて、捕捉可能分子を含む大気に露出することなく不透過性膜の原位置堆積を提供する。実質的に全ての捕捉又は吸着分子を多孔性低k誘電体膜から除去することにより、堆積した不透過性膜と低k誘電体膜の間の接着性が改善される。本方法は、多孔性ハイドロシルセスキオキサン又は多孔性メチルシルセスキオキサン、エアロゲルのような多孔性シリカ構造体、低温堆積シリコン炭素膜、低温堆積Si−O−C膜、及びメチルドープ多孔性シリカのような多くの多孔性低k誘電体膜に特に適用可能である。
Description
しかし、IC処理において銅の使用に付随するいくつかの問題がある。銅は、シリコンデバイスの活性領域を毒し、それによって予測できない応答を生ぜしめる。銅はまた、IC処理において使用される多くの材料を通して容易に拡散するために、銅が移動しないように注意すべきである。
様々な低k誘電体が導入されており、それらは、フッ素ドープ二酸化珪素(k値は約3−3.6)、炭素ドープ二酸化珪素(k値は約2.5−3.3)、フッ素化炭素(k値は約2.5−3.6)、及びパリレン(k値は約3.6−3.8)、ポリイミド(k値は約3−3.7)のような有機材料を含む。これらの材料のいくつかは、IC製造処理の中に問題なく導入されたが、集積化に伴う様々な困難によって成功しないものもあった。低k誘電体は、CVD又はスピンオン技術によって堆積させることができる。
多孔性低k誘電体の集積化は、低機械的強度、寸法安定性の悪さ、温度安定性の悪さ、高吸湿性、浸透性、接着性の悪さ、大きな熱膨張係数、及び不安定な応力レベルのような様々な問題のために困難である。
開示される方法は、基本的には、多孔性低k誘電体膜が、導電拡散障壁(TiN、TiSiN、TaN、TaSiN、WNx、WSiN)又は誘電拡散障壁(SiC、Si3N4)のような不透過性膜が続いて堆積する前に、水分のような捕捉可能な分子を含む大気に露出されないことを保証するものである。
第1の好ましい実施形態では、本方法は、
a.多孔性低k誘電体膜の細孔の内部に捕捉された揮発性分子を除去するために、多孔性低k誘電体膜をアニールする段階、及び
b.捕捉可能な分子を含む大気へ多孔性低k誘電体膜を露出することなく、多孔性低k誘電体膜上に不透過性膜を堆積させる段階、
という2段階を含む。
第1の実施形態は、多孔性低k誘電体膜が空気に露出されており、従って、多くの水分が細孔内に捕捉されている状況に関するものである。多孔性低k誘電体膜上に誘電体膜に接着する不透過性膜をうまく堆積させるために、水分は除去する必要があり、不透過性膜は、次に、多孔性低k誘電体膜が捕捉可能な分子を含む大気に露出されない条件下で堆積される。
アニール温度は、50℃から500℃の間とすることができる。より高温では、短時間で水分を追い出すことができるが、多孔性低k誘電体膜に損傷を与えることもある。アニール時間は、好ましくは10秒から2時間であり、アニール温度と多孔性低k誘電体膜の状態に依存する。抵抗又は放射加熱器をアニール処理のために使用することができる。アニール処理は、非反応性ヘリウム、アルゴン、又は窒素を含むもののような不活性気体環境下で行うことができる。アニール処理はまた、NH3又は水素内のような反応性環境下でも行うことが可能である。アニール処理はまた、大気圧以下の雰囲気、一般的には数トル又は数ミリトルの圧力で行うことが可能である。
a.多孔性低k誘電体膜を堆積させる段階、及び
b.捕捉可能分子を含む大気に多孔性低k誘電体膜を露出することなく、多孔性低k誘電体膜上に不透過性膜を堆積させる段階、
という2つの段階を含む。
第2の実施形態は、多孔性低k誘電体膜が空気に露出されておらず、従って、多孔性低k誘電体膜内部に捕捉された水分がない状況に関するものである。多孔性低k誘電体膜上に誘電体膜に接着する不透過性膜をうまく堆積させるために、不透過性膜は、多孔性低k誘電体膜が捕捉可能な分子を含む大気に露出されない条件下で堆積される。
多孔性低k誘電体膜は、スピンオン技術又はCVD技術によって堆積させることができる。堆積技術は、実際の堆積段階に加えて、使用可能な多孔性低k誘電体膜を保証するために膜硬化段階のような必要な他の任意の段階を含むことが可能である。本方法は、多孔性低k誘電体膜の堆積後に、多孔性低k誘電体膜の上に保護層を堆積させる更に別の段階を含むことも可能である。
a.多孔性低k誘電体膜の一部分を除去する段階、及び
b.捕捉可能分子を含む大気に多孔性低k誘電体膜を露出することなく、多孔性低k誘電体膜上に不透過性膜を堆積させる段階、
という2つの段階を含む。
第3の実施形態は、多孔性低k誘電体膜が空気に露出されておらず、又は実質的に全ての水分を除去するためアニールされており、従って、多孔性低k誘電体膜内部に捕捉された水分のない状況に関するものである。しかし、拡散障壁層のような不透過性膜の堆積前に、多孔性低k誘電体膜は、パターン化段階を経る必要がある。パターン化段階は、多孔性低k誘電体膜の選択された部分を除去することになる。多孔性低k誘電体膜の選択された部分の除去は、たとえそれが保護層を有する場合でも、多孔性低k誘電体膜を露出させることになる。多孔性低k誘電体膜上に誘電膜に接着する不透過性膜をうまく堆積させるために、不透過性膜は、多孔性低k誘電体膜の一部分の除去の後に、多孔性低k誘電体膜が捕捉可能分子を含む大気に露出されない条件下で堆積される。
図4cは、プラズマエッチング処理による多孔性低k誘電体膜上へのフォトレジストパターンの転写を示すものである。フォトレジストは下層を保護し、エッチング処理は、図4cに示すような露出された区域のみをエッチングする。
図4eは、拡散障壁のような中間膜47の堆積段階を示すものである。最後に、図4fは、金属導電線48の堆積段階を示している。半導体相互接続のための典型的な拡散障壁は、銅相互接続及びアルミニウム相互接続と共に使用するためのTiN、TiSiN、TaN、TaSiN、WN、及びWSiNを含む。
Claims (31)
- デバイスの表面上への不透過性膜の接着性を改善する方法であって、
デバイスの内部に捕捉された又は該デバイスの表面上に吸着した揮発性分子を除去するために、該デバイスを加熱することにより該デバイスをアニールする段階と、
前記デバイスの表面上に、捕捉可能又は吸着可能な分子を含む環境に該デバイスを露出することなく不透過性膜を堆積させる段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - デバイスの表面上への不透過性膜の接着性を改善する方法であって、
捕捉された揮発性分子又は表面上に吸着可能な分子のいずれも含まないデバイスを形成する段階と、
前記デバイス上に、捕捉可能又は吸着可能な分子を含む環境に該デバイスを露出することなく不透過性膜を堆積させる段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - デバイスの表面上への不透過性膜の接着性を改善する方法であって、
いかなる捕捉可能又は吸着可能な分子も含まないデバイスから表面の一部分を除去する段階と、
前記一部分が除去された前記デバイス上に、捕捉可能又は吸着可能な分子を含む環境に該デバイスを露出することなく不透過性膜を堆積させる段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記デバイスは、多孔性低誘電性膜を含むことを特徴とする請求項1、請求項2、又は請求項3に記載の方法。
- 前記分子は、H2O、小さな有機分子、アルコール蒸気、HCl蒸気、HF蒸気、及びそれらの混合物から成る群から選択されることを特徴とする請求項1、請求項2、又は請求項3に記載の方法。
- 前記多孔性低誘電性膜は、多孔性MSQ、多孔性HSQ、多孔性シリカ構造体、低温堆積シリコン炭素膜、低温堆積Si−O−C膜、メチルドープ多孔性シリカ、及びそれらの混合物から成る群から選択された材料であることを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記不透過性膜は、TiN、TaN、WN、TiSiN、TaSiN、WSiN、SiO2、Si3N4、金属、及びそれらのSi混合物から成る群から選択されることを特徴とする請求項1、請求項2、又は請求項3に記載の方法。
- 前記不透過性膜は、CVD、ALD、及びナノ層堆積(NLD)、又はスパッタリングによって堆積されることを特徴とする請求項1、請求項2、又は請求項3に記載の方法。
- 前記多孔性低k誘電体膜は、上に保護層を有することを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記不透過性膜の堆積の前に、前記デバイスの内部に捕捉された又は該デバイスの表面上に吸着した分子を除去するために、十分な長さの時間に亘って該デバイスを加熱することによって該デバイスをアニールする中間段階を更に含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。
- デバイスは、集積回路であることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記アニール処理の温度は、50℃から500℃の間であることを特徴とする請求項1又は請求項10に記載の方法。
- 前記アニール時間は、10秒から2時間の間であることを特徴とする請求項1又は請求項10に記載の方法。
- 前記アニール処理は、抵抗式加熱器又は放射式加熱器により実行されることを特徴とする請求項1又は請求項10に記載の方法。
- アニールする段階は、非反応性気体を含む環境で行われることを特徴とする請求項1又は請求項10に記載の方法。
- 前記アニール処理の圧力は、大気圧よりも低いことを特徴とする請求項1又は請求項10に記載の方法。
- 前記アニール段階と前記堆積段階は、2つの別々のチャンバで実行され、
前記デバイスをアニールチャンバから堆積チャンバへ、捕捉可能又は吸着可能な分子を含む環境に該デバイスを露出することもなく移送する中間段階、
を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記デバイスは、大気圧以下の環境を通して移送されることを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記アニール処理は、バッチ処理であり、前記堆積処理は、単一の処理であることを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記多孔性低誘電性膜は、加工中の製品上に堆積されることを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記加工中の製品は、集積回路であることを特徴とする請求項20に記載の方法。
- 前記アニール処理は、前記デバイスから実質的に全ての有機材料と水分を除去することを特徴とする請求項1又は請求項10に記載の方法。
- 前記除去段階は、プラズマエッチングによるものであることを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記不透過性膜の堆積の前に前記デバイスを洗浄する中間段階を更に含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記洗浄する段階は、フォトレジストを剥離する段階を含むことを特徴とする請求項24に記載の方法。
- 表面に不透過性膜を取り付けたデバイスであって、
揮発性又は吸着可能な分子が実質的に存在しない、
ことを特徴とするデバイス。 - 多孔性低誘電性膜を含むことを特徴とする請求項26に記載のデバイス。
- 前記多孔性材料は、多孔性MSQ、多孔性HSQ、多孔性シリカ構造体、低温堆積シリコン炭素膜、低温堆積Si−O−C膜、及びメチルドープ多孔性シリカから成る群から選択されることを特徴とする請求項26に記載のデバイス。
- 前記不透過性膜は、TiN、TaN、WN、TiSiN、TaSiN、WSiN、SiO2、Si3N4、金属、及びそれらのSi混合物から成る群から選択されることを特徴とする請求項26に記載のデバイス。
- 加工中の製品を含むことを特徴とする請求項26に記載のデバイス。
- 集積回路であることを特徴とする請求項26に記載のデバイス。
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