JP2006517061A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 多孔性低ｋ誘電体性膜上への不透過性膜の接着性を改善する方法であって、
   前記多孔性低ｋ誘電性膜の内部に捕捉された揮発性分子を除去するために、前記多孔性低ｋ誘電性膜を加熱することにより該多孔性低ｋ誘電性膜を十分な時間にわたってアニールする段階と、
   前記多孔性低ｋ誘電性膜上に、捕捉可能な分子を含む環境に前記多孔性低ｋ誘電性膜を露出することなく不透過性膜を堆積させる段階とを有し、
   前記アニールする段階は、前記多孔性低ｋ誘電性膜から有機材料及び湿気を含むすべての揮発性分子を本質的に除去するものであることを特徴とする方法。
2. 前記多孔性低誘電性膜は、多孔性ＭＳＱ、多孔性ＨＳＱ、多孔性シリカ構造体、低温堆積シリコン炭素膜、低温堆積Ｓｉ−Ｏ−Ｃ膜、メチルドープ多孔性シリカ、及びそれらの混合物から成る群から選択された材料であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 前記不透過性膜は、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＷＮ、ＴｉＳｉＮ、ＴａＳｉＮ、ＷＳｉＮ、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、金属、及びそれらのＳｉ混合物から成る群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
4. 前記不透過性膜は、ＣＶＤ、ＡＬＤ、及びナノ層堆積（ＮＬＤ）、又はスパッタリングによって堆積されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
5. 前記多孔性低ｋ誘電体膜は、上に保護層を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
6. 前記アニール処理の温度は、５０℃から５００℃の間であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
7. 前記アニール時間は、１０秒から２時間の間であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
8. 前記アニール処理は、抵抗式加熱器又は放射式加熱器により実行されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
9. アニール環境は、窒素及び不活性気体からなるグループから選択されることを特徴とする請求項１又は請求項１０に記載の方法。
10. 前記アニールする段階の圧力は、大気圧よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の方法。
11. 前記アニール段階と前記堆積段階は、２つの別々のチャンバで実行され、
    前記多孔性低ｋ誘電性膜をアニールチャンバから堆積チャンバへ、捕捉可能な分子を含む環境に該多孔性低ｋ誘電性膜を露出することもなく移送する中間段階、
    を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
12. 前記捕捉可能な分子を含まない環境が大気圧よりも低い圧力の環境であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
13. 前記アニール処理は、バッチ処理であり、前記堆積処理は、単一の処理であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
14. 前記多孔性低誘電性膜は、頂部に保護層を有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
15. 前記多孔性低ｋ誘電性膜は、集積回路に設けられることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
16. ワークピース上に体積された多孔性低ｋ誘電体性膜上への不透過性膜の接着性を改善する方法であって、
    捕捉可能な分子を含んでいない前記多孔性低ｋ誘電性膜の一部を除去する段階と、
    捕捉可能な分子を含む環境に前記多孔性低ｋ誘電性膜を露出することなく前記多孔性低ｋ誘電性膜上に不透過性膜体積させる段階とを備えたことを特徴とする方法。
17. 前記除去段階は、プラズマエッチングによるものであることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
18. 前記不透過性膜の堆積の前に前記デバイスを洗浄する中間段階を更に含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
19. 前記洗浄する段階は、フォトレジストを剥離する段階を含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
20. 前記不透過性膜の堆積の前に、前記多孔性低ｋ誘電性膜の内部に捕捉された揮発性分子を除去するために十分な時間前記多孔性低ｋ誘電性膜を加熱することによって前記多孔性低ｋ誘電性膜をアニールする中間段階をさらに備えていることを特徴とする請求項１６に記載の方法。