JP3617283B2 - 半導体装置の製造方法およびこれを用いた半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法およびこれを用いた半導体装置に関し、さらに詳しくは、有機系絶縁膜と無機系絶縁膜との積層絶縁膜を用いた半導体装置における、絶縁膜の剥離を防止する際に適用して好適な半導体装置の製造方法およびこれを用いた半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
LSI等の半導体装置の高集積度化が進展するに伴い、多層配線構造が多用され、同一配線層内の隣り合う配線間の層間絶縁膜の幅が狭まるとともに、異なる配線層間の層間絶縁膜の厚さも薄くなっている。かかる配線間隔の縮小により、配線間容量の上昇による配線遅延等が問題となりつつある。このため半導体装置の実動作速度は1/K(Kはスケーリングファクタ)のスケーリング則に合致しなくなり、高集積化のメリットを充分に発揮することができない。配線間容量の上昇防止は、高集積度半導体装置の高速動作、低消費電力および低発熱等の諸要請に応えるためには、是非とも解決しなければならない要素技術の1つである。
【0003】
従来より半導体装置の層間絶縁膜等に採用されてきた絶縁体膜材料は、SiO2 、SiONやSi3 N4 等の無機系材料が主体であった。高集積度半導体装置の配線間容量の低減方法として、例えば特開昭63−7650号公報に開示されているように、これら一般的な無機系材料よりも低誘電率の材料による層間絶縁膜の採用が有効である。この低誘電率材料としては、フッ素原子を含む酸化シリコン系絶縁膜(以下SiOFと記す)等の無機系材料と、炭素原子を含む有機系材料が代表的である。
【0004】
SiOFは、SiO2 を構成するSi−O−Si結合をF原子により終端することで、その密度が低下すること、およびSi−F結合やO−F結合の分極率が小さいこと等により低誘電率が達成される。このSiOFはその成膜やエッチングのプロセスが従来のSiO2 に類似したものであるので、現用の製造装置でも容易に採用できる。また無機系材料であるので耐熱性にも優れる。
【0005】
一方の炭素原子を含む有機系材料による低誘電率絶縁体膜としては、有機SOG(Spin On Glass)、ポリイミド、ポリパラキシリレン(商標名パリレン)、ベンゾシクロブテン、ポリナフタレン等の有機高分子材料が知られている。これらの材料は炭素原子を含有することでその密度が低減され、また分子(モノマ)自体の分極率を小さくすることで低誘電率を達成している。またシロキサン結合、イミド結合あるいはベンゼン環やナフタレン環を導入することにより、ある程度の耐熱性を得ている。
これら炭化水素系の有機系材料に、さらにフッ素原子を導入することにより、比誘電率が1.5〜2.5程度と一層の低誘電率化と耐熱性の向上が得られる。かかるフッ素系樹脂の有機系材料としては、パーフルオロ基含有ポリイミドやフッ化ポリアリールエーテル、テフロン(商標名)あるいはフレア(商標名)等が知られている。これら有機低誘電率材料は、例えば「日経マイクロデバイス」誌1995年7月号105〜112頁に紹介されている。
【0006】
これら比誘電率が3.5程度以下の低誘電率材料層を、隣り合う配線間はもとより異なるレベルの配線層間にも適用し、しかも低誘電率材料層をSiO2 (比誘電率4)、SiON(比誘電率4〜6)やSi3 N4 (比誘電率6)等の膜質に優れた絶縁体膜により挟み込む構造の積層絶縁膜を、本願出願人は特開平8−162528号公報で開示し、低誘電率と高信頼性を合わせ持つ層間絶縁膜を有する半導体装置の可能性を示した。かかる半導体装置の一例を図4を参照して説明する。
【0007】
図4にその概略断面図を示す半導体装置は、不図示のMOSトランジスタ等が作りこまれたSi等の半導体基板1上に、SiO2 等からなる下層絶縁体膜2、Al−1%Si等からなるラインアンドスペース状の配線10、この配線10をコンフォーマルに被覆する保護無機系絶縁膜23、平坦な表面を有する有機系絶縁膜24、およびこの有機系絶縁膜24をさらに被覆するキャップ無機系絶縁膜25が順次形成された構造を有する。有機系絶縁膜24は、保護無機系絶縁膜23とキャップ無機系絶縁膜25により挟み込まれた積層絶縁膜となっている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
図4に示す構造に代表される積層絶縁膜は、特にフッ素系樹脂を有機系絶縁膜に採用した半導体装置に有効である。フッ素系樹脂は耐酸化性、耐熱性、熱拡散性、耐ストレス性が必ずしも充分ではなく、フッ素系樹脂をはじめとする有機系絶縁膜単層の状態で半導体装置の層間絶縁膜に適用するのは困難である。特に機械的応力に対する耐ストレス性に関しては、従来から層間絶縁膜として用いられてきた酸化シリコン系絶縁膜に比較して不充分である。これは、ヤング率で比べると、酸化シリコン系絶縁膜の5〜10×1010Paに対し、フッ素系樹脂は0.1〜0.8×1010Pa程度と桁違いに小さいことが理由として挙げられる。
【0009】
このため、半導体装置の層間絶縁膜として有機系絶縁膜を導入する場合には、従来にはなかった新たな問題が発生する。その一つに、無機系絶縁膜に吸着あるいは含有されている水分の気化圧力による、主として無機系絶縁膜と有機系絶縁膜との間の剥離の問題がある。層間剥離の問題は、後工程での配線や層間絶縁膜の形成工程における加熱により発生し、特に水分含有量の多い酸化シリコン系絶縁膜等を使用する場合にはこの問題が顕在化する。
【0010】
従来から層間絶縁膜として用いられてきた酸化シリコン系絶縁膜の場合には、このような気化水分は膜中を拡散して外部へ放出されるので、無機系絶縁膜同士の積層絶縁膜の場合には、層間剥離は特に問題とはならない。しかしながら有機系絶縁膜の場合は吸湿性が小さいので、無機系絶縁膜から発生した気化水分は吸湿性の小さい有機絶縁膜により閉じ込められ、その部分の内圧が上昇する。このとき、有機系絶縁膜は機械的ストレスに弱いので、その圧力によって層間薄利や、甚だしい場合には有機系絶縁膜事態の破壊が発生する。
【0011】
本発明はこのような問題点に鑑み提案するものであり、有機系絶縁膜と無機系絶縁膜との積層絶縁膜を用いた半導体装置の製造方法において、層間剥離や、有機系絶縁膜の変形あるいは破壊を防止することをその課題とする。
また本発明の他の課題は、かかる製造方法を用いた信頼性の高い高集積度の半導体装置を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を達成するため、本願の請求項1の半導体装置の製造方法は、
被処理基板上に有機系絶縁膜と無機系絶縁膜とを含む積層絶縁膜を有し、この積層絶縁膜上に配線材料を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
この配線材料を形成する工程に先立ち、
積層絶縁膜のうちの無機絶縁膜に含まれる水分を除去する熱処理工程を施し、
この後、被処理基板を大気に露出することなく、連続的に配線材料を形成することにより、前記積層絶縁膜の有機絶縁膜と無機絶縁膜との層間剥離や、前記有機絶縁膜の変形もしくは破壊を防止することを特徴とする。
【0013】
この積層絶縁膜は接続孔を有するとともに、
この配線材料を形成する工程は、少なくともこの接続孔内を充填するコンタクトプラグ材料形成工程を含むことを特徴とする。
あるいは、この積層絶縁膜は接続孔およびこの接続孔内に充填されたコンタクトプラグを有するとともに、
この配線材料を形成する工程は、この積層絶縁膜上の上層配線材料形成工程であることを特徴とする。
【0014】
さらに、上述した課題を達成するため、本願の請求項6の半導体装置の製造方法は、
被処理基板上に、有機系絶縁膜と無機系絶縁膜とを含む積層絶縁膜、およびこの積層絶縁膜上の配線を有し、この積層絶縁膜および配線上に上層絶縁膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
この上層絶縁膜を形成する工程に先立ち、
先の積層絶縁膜のうちの無機絶縁膜に含まれる水分を除去する熱処理工程を施し、
この後、被処理基板を大気に露出することなく、連続的に先の上層絶縁膜を形成することにより、前記積層絶縁膜の有機絶縁膜と無機絶縁膜との層間剥離や、前記有機絶縁膜の変形もしくは破壊を防止することを特徴とする。
【0015】
本発明の半導体装置は、これら半導体装置の製造方法を含んで製造されたものであることを特徴とする。
【0016】
本発明で用いられる無機系絶縁膜としては特に限定はなく、酸化シリコン、あるいはPSG、BSG、BPSG等の不純物を含む酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、SiOF等、一般的な半導体装置に用いられる無機系の絶縁膜であれば種類を問わない。シリカゲル(Xerogel)のような微細気泡を有する酸化シリコンでもよい。また通常の化学等量組成よりSi原子を多く含む酸化シリコンでもよい。ダイアモンドライクカーボンやフッ化ダイアモンドライクカーボン等、高熱伝導率の無機系絶縁膜の採用も有効である。またこれらの絶縁膜を単層で用いても複層で用いてもよい。またその製造方法もCVD (Chemical Vapor Deposition)、PVD (Physical Vapor Deposition)、あるいは塗布法、焼成法等の別を問わない。
【0017】
つぎに本発明で用いられる有機系絶縁膜は、先に示した無機系絶縁膜より低誘電率のものであれば特に限定はない。有機SOG(比誘電率3〜3.5)、ポリイミド(比誘電率3〜3.5)、ポリパラキシリレン、ベンゾシクロブテン(比誘電率約2.6)、ポリナフタレン等の炭化水素系樹脂、あるいはパーフルオロ基を導入したポリイミド(比誘電率約2.7)、フッ素添加ポリパラキシリレン(比誘電率約2.4)、フッ化ポリアリールエーテル(比誘電率2.6)、テフロン(商標名、比誘電率1.9〜2.1)、サイトップ(商品名、比誘電率2.1)あるいはフレア(商標名)等はいずれも採用できる。またこれらの絶縁膜を単層で用いても複層で用いてもよい。またその製造方法もCVD、PVDあるいは塗布形成法等の別を問わない。
【0018】
本発明で採用する熱処理工程は、積層絶縁膜、特に無機系絶縁膜に吸着あるいは内包された水分を除去する目的であるから、無機系絶縁膜の種類や膜質により、適用温度は異なるが、概ね200℃程度以上の温度を用いることが望ましい。例えば基板バイアス印加による高密度プラズマCVD法で成膜した場合には、膜質が緻密であり水分の吸着あるいは含有量は少ないので、200℃程度の低温でよい。また上限としては、これも有機系絶縁膜の材料により異なるが、一般的には耐熱樹脂の熱分解あるいは変質温度以下である、400℃程度以下の温度であることが望ましい。熱処理雰囲気は窒素や希ガスが望ましいが、配線等に対する熱酸化の虞れがなければ空気中でもよい。また常圧中でも、減圧雰囲気であってもよい。
【0019】
つぎに作用の説明に移る。
本発明においては、透湿性の無い、あるいは少ない配線材料や層間絶縁膜を積層絶縁膜上に形成する前に、200℃以上400℃以下程度の熱処理を加える。この熱処理により、主として無機系絶縁膜に吸着している、あるいは内在している水分が除去される。この後、被処理基板を大気に露出することなく、連続的に配線材料や層間絶縁膜を形成すれば、これら配線材料や層間絶縁膜形成時の加熱工程で、もはや水分が気化することはない。したがって、耐ストレス性に乏しい有機系絶縁膜と無機系絶縁膜との間の剥離や、有機系絶縁膜の熱変形、破壊が防止される。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体装置の製造方法およびこれを用いた半導体装置の実施の形態例につき、図面を参照しながら説明する。
まず本発明の半導体装置の製造方法を含んで製造された半導体装置を、図1に示す概略断面図を参照して説明する。
【0021】
不図示のMOSトランジスタやBipolarトランジスタ等が作りこまれたSi等の半導体基板1上に、下層絶縁膜2、Al−1%Si等からなる下層配線11、この下層配線11をコンフォーマルに被覆する下層保護無機系絶縁膜3、この下層保護無機系絶縁膜3上に形成され、望ましくはその表面が平坦化されている下層有機系絶縁膜4、下層キャップ無機系絶縁膜5、同じくAl−1%Si等からなる上層配線13、この上層配線13をコンフォーマルに被覆する上層保護無機系絶縁膜6、この上層保護無機系絶縁膜6上に形成され、望ましくはその表面が平坦化されている上層有機系絶縁膜7、上層キャップ無機系絶縁膜8等を含み、本発明の半導体装置は大略構成されている。下層配線11と上層配線13は、コンタクトプラグ12により接続されている。
【0022】
これらのうち、下層絶縁膜2、下層保護無機系絶縁膜3、下層キャップ無機系絶縁膜5、上層保護無機系絶縁膜6および上層キャップ無機系絶縁膜8等は、酸化シリコン、PSG、BSG、BPSG等の不純物を含む酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、SiOF、ダイアモンドライクカーボンやフッ化ダイアモンドライクカーボン等の無機系絶縁材料により形成されている。上層キャップ無機系絶縁膜8に、さらに上層の配線を形成してもよい。また上層キャップ無機系絶縁膜8は最終パシベーション膜であってもよい。
【0023】
また下層有機系絶縁膜4および上層有機系絶縁膜7は、有機SOG、ポリイミド、ポリパラキシリレン、ベンゾシクロブテン、ポリナフタレン等の炭化水素系樹脂、あるいはパーフルオロ基を導入したポリイミド、フッ素添加ポリパラキシリレン、フッ化ポリアリールエーテル、テフロン(商品名)、サイトップ(商品名)あるいはフレア(商標名)等により形成されている。
【0024】
下層配線11および上層配線13の材料は特に制限はなく、Al系金属、Cu系金属、W等の高融点金属や高融点金属シリサイド、高融点金属ポリサイドあるいは多結晶シリコン等、いずれの材料であってもよい。また密着層やバリア層あるいは反射防止層を組み合わせて用いてもよい。
コンタクトプラグ12の材料も特に限定はなく、Al系金属、Cu系金属、WやMo等の高融点金属あるいは多結晶シリコン等いずれの材料であってもよい。またTiやTiN等の密着層やバリア層を組み合わせて用いてもよい。
【0025】
さて、本発明の半導体装置の製造方法が特徴とする熱処理工程は、接続孔にコンタクトプラグ12用の配線材料を埋め込む前、上層配線13用の配線材料を形成する前、および上層キャップ無機系絶縁膜8を形成する前にそれぞれ施す。すなわち、水分透過性のない、あるいは小さい膜を形成する前に熱処理工程を入れる。熱処理工程後は、積層絶縁膜、特に無機系絶縁膜への再度の水分の吸着を防止するため、被処理基板を大気に露出することなく、同一の熱処理チャンバ内で、あるいは真空中や乾燥窒素雰囲気中等を成膜チャンバに搬送して、連続的に配線材料層や上層の絶縁膜を成膜する。これらの熱処理により、配線材料層や上層の絶縁膜の成膜工程での加熱や、その後の熱処理工程での剥離や有機系絶縁膜の破壊等が防止される。
【0026】
【実施例】
以下、本発明の半導体装置の製造方法およびこれを用いた半導体装置の好適な実施例につき、図面を参照してさらに詳しく説明する。なお本発明はこれら実施例になんら限定されるものではない。
【0027】
実施例1
本実施例は、有機系絶縁膜の材料として〔化1〕で示されるポリパラキシリレンを採用し、これをCVD法で形成して有機系絶縁膜を形成した例であり、この工程を図2(a)〜(c)を参照して説明する。
【0028】
【化1】
【0029】
まず図2(a)に示すように、半導体基板1として不図示のトランジスタ等が作りこまれたシリコン基板を採用し、この半導体基板1上に下層絶縁膜2としてシリコン酸化膜をCVD法により500nmの厚さに形成し、必要に応じてここに接続孔(不図示)を開口する。下層絶縁膜2の成膜方法は、一般的なSiH4 およびO2 ガスを用いた減圧CVD法、あるいはTEOS (Tetraethylorthosilicate)とO2 ガスを用いたプラズマCVD法等でよい。
【0030】
この後、Al−1%Si合金膜をスパッタリングにより600nmの厚さに形成し、さらに化学増幅型レジストとKrFエキシマレーザステッパによるリソグラフィ、ドライエッチング等の各工程を経て0.35μmのラインアンドスペース状の下層配線11を形成する。Al−1%Si合金膜はTi、TiN等によるバリア膜や反射防止膜等を含んでいてもよい。下層配線11は、例えば0.35μmの配線幅と同じく0.35μmのスペース幅からなる密な配線間隔領域と、1〜10μm程度の広いスペース幅を有する疎な配線間隔領域とを含んでいる。
【0031】
つぎにシリコン酸化膜からなる下層保護無機系絶縁膜3を、SiH4 とN2 Oガスを用いたプラズマCVD法により100nmの厚さに形成する。この厚さは、被処理基板の平坦部分での成膜厚さであり、特に密な配線間隔領域の下層配線11のスペース部分では、この成膜厚さより薄く形成される。
【0032】
つぎに図2(b)に示すように、下層保護無機系絶縁膜3上にポリパラキシリレンからなる下層有機系絶縁膜4を500nmの厚さに減圧CVD法により形成する。
減圧CVD条件
ジパラキシリレン昇華温度 200 ℃
加熱分解温度 600〜650 ℃
被処理基板温度 0 ℃
原料のジパラキシリレンは固体粉末であるが、減圧雰囲気中200℃程度に加熱することにより、ダイマの形のまま、気体となって昇華する。このジパラキシリレンガスは、600〜650℃に加熱することにより、モノマに分解される。ジパラキシリレンガスの加熱は、例えば同じCVDチャンバ内の昇華源と被処理基板間に抵抗加熱ヒータを巻回した中空加熱炉を配設し、この中空加熱炉中にジパラキシリレンガスを通過させればよい。分解されたパラキシリレンモノマはこの後150℃程度のガス流となり、0℃程度に冷却された被処理基板上に到達するとここで重合し、パラキシリレンポリマからなる下層有機系絶縁膜4を形成する。
【0033】
この後、図2(c)に示すように下層有機系絶縁膜4上に、下層キャップ無機系絶縁膜5としてシリコン酸化膜を平行平板型プラズマCVD装置を用いたプラズマCVD法により450nm形成する。下層キャップ無機系絶縁膜5表面の平坦性が要求される場合には、予め1000nm程度の厚さに成膜し、この後その表面をCMP(Chemical Mechanical Polishing)法により平坦化する。この場合、下層キャップ無機系絶縁膜5は、下層配線11上で少なくとも450nm残すことが望ましい。
プラズマCVD条件
SiH4 100 sccm
N2 O 1500 sccm
N2 1000 sccm
圧力 100 Pa
被処理基板温度 350 ℃
プラズマパワー 500 W(13.56MHz)
CMPは、コロイダルシリカをアルカリ性水溶液に懸濁したスラリを用いればよい。
【0034】
つぎに、通常のレジストパターニング工程、シリコン酸化膜および有機高分子膜のエッチング工程を用いて0.25μmの開口径を有する接続孔(ビアコンタクトホール)9を開口する。レジストマスク剥離後の状態を図3(d)に示す。
【0035】
この後通常は、接続孔9開口後、直ちにコンタクトプラグの形成工程に移るが、本実施例では、レジストマスク剥離後に窒素等の非酸化性雰囲気中で熱処理工程を加える。
熱処理条件
被処理基板温度 350 ℃
時間 30 分
この熱処理工程により、主として下層キャップ無機系絶縁膜5に吸着ないしは内包されている水分が除去される。
【0036】
この後、被処理基板をECRプラズマCVD装置の基板ステージ上に搬送する。搬送に当たっては真空搬送あるいは乾燥窒素雰囲気中を搬送し、大気に直接触れることによる被処理基板の再吸湿を防止する。
【0037】
つぎにTi膜を30nm、およびTiN膜を40nmの厚さにECRプラズマCVD法により順次形成する。
Ti膜のECRプラズマCVD条件
TiCl4 5 sccm
H2 120 sccm
Ar 250 sccm
マイクロ波パワー 2.8 kW(2.45GHz)
圧力 103 Pa
被処理基板温度 350 ℃
Ti膜およびTiN膜は、スパッタリング法や反応性スパッタリング法により形成してもよい。
【0038】
さらに、ブランケットCVD法によりW(タングステン)膜を700nmの厚さに成膜する。
核形成ブランケットCVD条件
WF6 25 sccm
SiH4 10 sccm
圧力 104 Pa
被処理基板温度 450 ℃
膜成長ブランケットCVD条件
WF6 60 sccm
H2 350 sccm
圧力 104 Pa
被処理基板温度 450 ℃
W膜の形成に替えて、Al系金属をスパッタリング等により形成して、コンタクトプラグ材料としてもよい。
【0039】
この後、SF6 等のフッ素系ガスを用いてW膜をエッチバックし、続けてCl2 等の塩素系ガスを用いてTiN膜およびTi膜をエッチバックすることにより、図3(e)に示すように接続孔9内にコンタクトプラグ12を形成する。
なおエッチバックに替えて、CMPによりW膜、TiN膜およびTi膜を研磨して接続孔9内に埋め込み、コンタクトプラグ12を形成してもよい。
【0040】
通常は、コンタクトプラグ12形成後、直ちに上層の配線材料の形成工程に移るが、本実施例では、コンタクトプラグ12形成後に窒素等の非酸化性雰囲気中で熱処理工程を加える。
熱処理条件
被処理基板温度 350 ℃
時間 30 分
この熱処理工程により、主として下層キャップ無機系絶縁膜5に新たに吸着ないしは内包された水分が除去される。
【0041】
この後、被処理基板をスパッタリング装置の基板ステージ上に搬送する。搬送に当たっては真空搬送あるいは乾燥窒素雰囲気中を搬送し、大気に直接触れることによる被処理基板の再吸湿を防止する。
【0042】
この後、Al−1%Si合金膜をスパッタリングにより600nmの厚さに形成し、さらに化学増幅型レジストとKrFエキシマレーザステッパによるリソグラフィ、塩素系ガスによるドライエッチング等の各工程を経てラインアンドスペース状の上層配線13を形成する。Al−1%Si合金膜はTi、TiN等によるバリア膜や反射防止膜を含んでいてもよい。上層配線13形成後の状態を図3(f)に示す。
【0043】
通常は、上層配線13を形成後、直ちに上層配線13を被覆する絶縁膜の形成工程に移るが、本実施例では、上層配線13形成後に窒素等の非酸化性雰囲気中で熱処理工程を加える。
熱処理条件
被処理基板温度 350 ℃
時間 30 分
この熱処理工程により、主として下層キャップ無機系絶縁膜5に再び吸着ないしは内包された水分が除去される。
【0044】
上層配線13を被覆する絶縁膜として、上層保護無機系絶縁膜6、上層有機系絶縁膜7および上層キャップ無機系絶縁膜8を形成した状態が、先に図1に示した概略断面図として示される。
これらの絶縁膜は、先にその形成方法を示した下層保護無機系絶縁膜3、下層有機系絶縁膜4および下層キャップ無機系絶縁膜5の形成方法に準じて成膜することができるので、重複する説明は省略する。
この後、3層以上の多層配線を形成する場合には、上述した工程を反復すればよい。また2層配線に留める場合には、上層キャップ無機系絶縁膜8を最終パシベーション膜としてもよいし、さらに耐湿性、イオンバリア性の高い窒化シリコン膜等をさらに形成してもよい。
【0045】
本実施例によれば、有機系絶縁膜としてポリパラキシリレンを用いた半導体装置における膜剥離あるいは有機系絶縁膜の変形、破損を、要所での熱処理工程の導入により、効果的に防止することができる。
【0046】
実施例2
本実施例は、有機系絶縁膜の材料として〔化2〕に示されるフッ素樹脂(商品名:テフロンAF)を採用し、これをスピンコーティング法で成膜して有機系絶縁膜を形成した例であり、この工程を同じく図2、図3および図1を参照して説明する。なお〔化2〕に示される、あるいは類似のフッ素樹脂であればテフロンAF(商品名)以外のものを用いてよい。
【0047】
【化2】
【0048】
本実施例で採用した試料は、前実施例1で図2(a)を参照して説明したものと同一であるので重複する説明は省略する。
つぎに下層保護無機系絶縁膜3表面にプラズマを照射してその表面エネルギを高める。プラズマ処理装置は、通常の平行平板型プラズマ処理装置を用いた。
プラズマ処理条件
N2 O 50 sccm
圧力 10 Pa
RFパワー 300 W
時間 2 分
続けて、カプリング剤としてCF3 (CF2 )n CH2 SiCl3 、あるいはCF3 (CF2 )n CH2 Si(OCH3 )3 、もしくはCF3 (CF2 )n CH2 Si(OH)3 等を溶剤に希釈した溶液をスピンコートした(ただしnは2以上の自然数)。塗布厚は単分子層に相当する膜厚程度でよい。
【0049】
〔化2〕で示されるフッ素樹脂をフロロカーボン系の溶媒に溶解し、カプリング剤処理した下層保護無機系絶縁膜3上にスピンコーティング法により塗布し、乾燥、キュアリングの工程を経て下層有機系絶縁膜4を500nm成膜した。
スピンコーティング条件
粘度 30 cp
回転数 3000 rpm
乾燥条件
温度 100 ℃
雰囲気 窒素
圧力 大気圧
時間 2 分
キュアリング条件
温度 250 ℃
雰囲気 窒素
圧力 大気圧
時間 5 分
乾燥およびキュアリングの雰囲気はAr等の不活性ガスを用いてもよい。
下層有機系絶縁膜4形成後の状態を図2(b)に示す。
【0050】
この後の工程、すなわち図2(c)に示す下層キャップ無機系絶縁膜5の形成工程から図3(f)の上層配線13形成工程迄は、熱処理工程も含めていずれも前実施例1に準じておこなってよい。
【0051】
上層配線13を被覆する絶縁膜として、上層保護無機系絶縁膜6、上層有機系絶縁膜7および上層キャップ無機系絶縁膜8を形成した状態が、先に図1に示した概略断面図として示される。
これらの絶縁膜は、下層保護無機系絶縁膜3、下層有機系絶縁膜4および下層キャップ無機系絶縁膜5の形成方法や熱処理方法に準じて形成することができる。
この後、3層以上の多層配線を形成する場合には、上述した工程を反復すればよい。また2層配線に留める場合には、上層キャップ無機系絶縁膜8を最終パシベーション膜としてもよいし、さらに耐湿性、イオンバリア性の高い窒化シリコン膜等をさらに形成してもよい。
【0052】
本実施例によれば、有機系絶縁膜として低誘電率のフッ素樹脂を用いた半導体装置における膜剥離あるいは有機系絶縁膜の変形、破損を、要所での熱処理工程の導入により、効果的に防止することができる。
【0053】
実施例3
本実施例は、有機系絶縁膜の材料として〔化3〕に示されるサイトップ(商品名)を用いた他は、前実施例2に準じた製造方法により半導体装置を製造した。サイトップの成膜方法もテフロンAFと同様でよい。ただし〔化3〕と同じあるいは類似した構造を有する有機系絶縁膜材料であれば、サイトップ以外の樹脂を採用してよい。
【0054】
【化3】
【0055】
本実施例によっても、有機系絶縁膜として低誘電率のサイトップを用いた半導体装置における膜剥離あるいは有機系絶縁膜の変形、破損を、要所での熱処理工程の導入により、効果的に防止することができる。
【0056】
実施例4
本実施例は、有機系絶縁膜の材料として〔化4〕に示されるフッ化ポリアリールエーテル(商品名:フレア)を用いた他は、前実施例2に準じた製造方法により半導体装置を製造した。フレアの成膜方法もテフロンAFと同様でよい。ただし〔化4〕と同じあるいは類似した構造を有する有機系絶縁膜材料であれば、フレア以外の樹脂を採用してよい。またフッ素原子を含まないポリアリールエーテルを用いてもよい。
【0057】
【化4】
【0058】
本実施例によっても、有機系絶縁膜として低誘電率のフレアを用いた半導体装置における膜剥離あるいは有機系絶縁膜の変形、破損を、要所での熱処理工程の導入により、効果的に防止することができる。
【0059】
実施例5
本実施例は、有機系絶縁膜の材料として〔化5〕に示されるフッ化ポリイミドを用いた他は、前実施例2に準じた製造方法により半導体装置を製造した。フッ化ポリイミドの成膜方法もテフロンAFと同様でよい。ただし〔化5〕と同じあるいは類似した構造を有する有機系絶縁膜材料であれば、フッ化ポリイミド以外の樹脂を採用してよい。
【0060】
【化5】
【0061】
本実施例によっても、有機系絶縁膜として低誘電率かつ高耐熱性のフッ化ポリイミドを用いた半導体装置における膜剥離あるいは有機系絶縁膜の変形、破損を、要所での熱処理工程の導入により、効果的に防止することができる。
【0062】
以上、本発明を5例の実施例により詳細に説明したが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。
【0063】
例えば、無機系絶縁膜材料として酸化シリコンを例示したが、不純物を含む酸化シリコン、フッ素を含む酸化シリコン、化学等量以外の酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、あるいはダイアモンドライクカーボン等を用いることができる。
【0064】
また有機系絶縁膜として実施例に挙げたポリパラキシリレン、テフロン(商品名)、サイトップ(商品名)、フレア(商品名)あるいはフッ化ポリイミドの他に、有機SOGや各種炭化水素樹脂、シリコーン樹脂あるいはフッ化炭素樹脂等を採用してよい。
【0065】
またAl−1%Si合金からなる配線層により配線群が形成された被処理基板を採用したが、配線材料として多結晶シリコンや高融点金属、あるいはその積層構造の高融点金属ポリサイド等を用いてもよい。
また積層絶縁膜を最終パッシベーション膜として用いる場合にも適用できる。さらに半導体基板としてはSiの他にGaAs等の化合物半導体基板を用いる場合にも有効である。また半導体装置以外にも、薄膜ヘッドや薄膜インダクタ等、絶縁膜の低誘電率化が臨まれる、高周波の各種マイクロ電子デバイス等にも適用可能であることは言うまでもない。
【0066】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明の半導体装置の製造方法によれば、耐ストレス性の小さい有機系絶縁膜を、積層絶縁膜の一部に用いた半導体装置の製造工程における膜剥離の問題や、有機系絶縁膜の熱変形、破損の問題を回避することが可能となる。
したがって、本発明の半導体装置の製造方法の採用により、層間絶縁膜やパシベーション膜の低誘電率を図った高集積度半導体装置を信頼性高く提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体装置を示す概略断面図である。
【図2】本発明の半導体装置の製造方法を示す概略断面図である。
【図3】本発明の半導体装置の製造方法を示す概略断面図であり、図2に続く工程を示す。
【図4】無機系絶縁膜と有機系絶縁膜の積層絶縁膜を有する半導体装置の概略断面図である。
【符号の説明】
1…半導体基板、2…下層絶縁膜、3…下層保護無機系絶縁膜、4…下層有機系絶縁膜、5…下層キャップ無機系絶縁膜、6…上層保護無機系絶縁膜、7…上層有機系絶縁膜、8…上層キャップ無機系絶縁膜、9…接続孔、10…配線、11…下層配線、12…コンタクトプラグ、13…上層配線、23…保護無機系絶縁膜、24…有機系絶縁膜、25…キャップ無機系絶縁膜
Claims (8)
- 被処理基板上に有機系絶縁膜と無機系絶縁膜とを含む積層絶縁膜を有し、前記積層絶縁膜上に配線材料を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記配線材料を形成する工程に先立ち、
前記積層絶縁膜のうちの無機絶縁膜に含まれる水分を除去する熱処理工程を施し、
この後前記被処理基板を大気に露出することなく、連続的に前記配線材料を形成することにより、前記積層絶縁膜の有機絶縁膜と無機絶縁膜との層間剥離や、前記有機絶縁膜の変形もしくは破壊を防止すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記積層絶縁膜は接続孔および前記接続孔内に充填するコンタクトプラグ材料形成工程を含むこと
を特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記積層絶縁膜は接続孔および前記接続孔内に充填するコンタクトプラグを有するとともに、
前記配線材料を形成する工程は、前記積層絶縁膜上の上層配線材料形成工程であること
を特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記有機系絶縁膜の比誘電率は、前記無機系絶縁膜の比誘電率より小さいこと
を特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法を含んで製造されたことを特徴とする半導体装置。
- 被処理基板上に有機系絶縁膜と無機系絶縁膜とを含む積層絶縁膜、および前記積層絶縁膜上の配線を有し、前記積層絶縁膜および前記配線上に上層絶縁膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記上層絶縁膜を形成する工程に先立ち、
前記積層絶縁膜のうちの無機絶縁膜に含まれる水分を除去する熱処理工程を施し、
この後前記被処理基板を大気に露出することなく、連続的に前記上層絶縁膜を形成することにより、前記積層絶縁膜の有機絶縁膜と無機絶縁膜との層間剥離や、前記有機絶縁膜の変形もしくは破壊を防止すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記有機系絶縁膜の比誘電率は、前記無機系絶縁膜の比誘電率より小さいこと
を特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。 - 請求項6記載の半導体装置の製造方法を含んで製造されたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30764197A JP3617283B2 (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 半導体装置の製造方法およびこれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30764197A JP3617283B2 (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 半導体装置の製造方法およびこれを用いた半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11145284A JPH11145284A (ja) | 1999-05-28 |
JP3617283B2 true JP3617283B2 (ja) | 2005-02-02 |
Family
ID=17971493
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30764197A Expired - Fee Related JP3617283B2 (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 半導体装置の製造方法およびこれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3617283B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3769426B2 (ja) | 1999-09-22 | 2006-04-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 絶縁膜形成装置 |
KR20010066380A (ko) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 박종섭 | 다층 배선을 갖는 반도체장치의 제조방법 |
JP3926588B2 (ja) * | 2001-07-19 | 2007-06-06 | キヤノンマーケティングジャパン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6919101B2 (en) * | 2003-02-04 | 2005-07-19 | Tegal Corporation | Method to deposit an impermeable film on porous low-k dielectric film |
JP2009170544A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP4865829B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2012-02-01 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012530362A (ja) * | 2009-06-19 | 2012-11-29 | アイメック | 金属/有機誘電体界面でのクラックの低減 |
JP2012213873A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Fujifilm Corp | 撥水膜の形成方法、ノズルプレート、インクジェットヘッド、および、インクジェット記録装置 |
GB201304611D0 (en) * | 2013-03-14 | 2013-05-01 | Univ Surrey | A carbon fibre reinforced plastic |
-
1997
- 1997-11-10 JP JP30764197A patent/JP3617283B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11145284A (ja) | 1999-05-28 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040721 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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