JP2006505099A - 日光暴露への安定性が向上した層配置 - Google Patents

Abstract

２個のアルコキシ基が同一であるかもしくは異なることができるか又は一緒になって場合により置換されていることができるオキシ−アルキレン−オキシ架橋を示す、場合により置換されていることができる３，４−アルキレンジオキシチオフェン構造単位を含有するポリマーと、ポリリン酸、ポリリン酸塩、チア−アルカンジカルボン酸、シクロヘキサジエン化合物及びテトロン酸誘導体；少なくとも１個のスルホ基を有するオルトジヒドロキシベンゼン化合物、式（Ｉ）：ＨＯ−ＣＨ_２−ＣＨ（ＯＨ）−（ＣＨ_２）_ｍ−Ｓ−ＣＨ_２−Ｃ（Ｒ^１）（Ｒ^２）−ＣＨ_２−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｎ−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ_２−ＯＨ
［式中、Ｒ^１及びＲ^２は独立してＨ、−ＯＨ又はアルキルであり、ｎ及びｍは独立して１、２又は３である］
に従う化合物；式（ＩＩ）：ＨＯ−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｓ−ＣＨ_２−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｑ−ＯＨ
［式中、ｐ及びｑは独立して２、３又は４である］
に従う化合物；テトロン酸誘導体に加水分解され得る化合物；式（Ｉ）に従う化合物に加水分解され得る化合物より成る群から選ばれるポリヒドロキシ−化合物ならびにスルホ−置換２−チア−アルキルベンズイミダゾール化合物より成る群から選ばれる化合物とを含有する層を含んでなる支持体上の層配置。

Description

発明の分野
本発明は、可視及びＵＶ光暴露への安定性が向上した層配置に関する。

発明の背景
ポリチオフェンは、それらの興味深い電気的及び／又は光学的性質の故に広範囲に研究されてきた。ポリチオフェンは化学的もしくは電気化学的に酸化もしくは還元されると電気伝導性となる。

特許文献１は、式：

［式中、Ａは場合により置換されていることができるＣ_１−４−アルキレン基を示す］
の構造単位を含有するポリチオフェン及び対応するチオフェンの酸化重合によるその製造を開示している。

特許文献２は、ポリアニオンの存在下における式（Ｉ）：

［式中、Ｒ^１及びＲ^２は互いに独立して水素又はＣ_１−４−アルキル基を示すか、あるいは一緒になって場合により置換されていることができるＣ_１−４−アルキレン残基を形成する］
の構造単位から構築されるポリチオフェンの分散液を開示している。

特許文献３は、Ａ）式（Ｉ）

［式中、Ｒ^１及びＲ^２は互いに独立して水素又はＣ１−Ｃ４アルキル基を示すか、あるいは一緒になって場合により置換されていることができるＣ１−Ｃ４アルキレン残基、好ましくは場合によりアルキル基で置換されていることができるメチレン、場合によりＣ１−Ｃ１２−アルキルもしくはフェニル基で置換されていることができる１，２−エチレン残基又は１，２−シクロヘキセン残基を示す］
の繰り返し構造単位を有する中性ポリチオフェンならびにＢ）ジ−もしくはポリヒドロキシ−及び／又はカルボキシ基又はアミドもしくはラクタム基含有有機化合物の混合物；ならびに好ましくは＜３００オーム／平方まで抵抗を増すために調質される（ｔｅｍｐｅｒｅｄ）それらからの伝導性コーティングを開示している。特許文献３中に開示されているジ−及びポリヒドロキシ有機化合物の例は、糖及び糖誘導体、例えばサッカロース、グルコース、フルクトース、ラクトース、糖アルコール、例えばソルビトール及びマンニトールならびにアルコール、例えばエチレングリコール、グリセリン、ジエチレングリコール及びトリエチレングリコールである。

特許文献４は、式（Ｉ）

［式中、Ｘ及びＹは独立してＯ、Ｓ、Ｎ−Ｒ^１であり、Ｚは−（ＣＨ_２）_ｍ−ＣＲ^２Ｒ^３−（ＣＨ_２）_ｎ−であり；Ｒ^１はアリール、Ｃ_１−１８−アルキル又は水素であり；Ｒ^２は水素又は−（ＣＨ_２）_ｓ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｐ−ＳＯ_３ ⁻Ｍ^＋であり；Ｒ^３は−（ＣＨ_２）_ｓ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｐ−ＳＯ_３ ⁻Ｍ^＋であり；Ｍ^＋はカチオンであり；ｍ及びｎは独立して０〜３の整数であり；ｓは０〜１０の整数であり；ｐは１〜１８の整数である］
に従うモノマーチオフェン誘導体を、水溶液中で酸化剤により重合させることを特徴とする水溶性π−共役ポリマーの製造法を開示している。

特許文献５は、透明基質；透明基質上に付着する半透明電極；半透明電極上に位置する正孔−注入層；正孔−注入層上に位置する有機ＥＬ−材料から作られる発光層；及び電子−注入層上に位置する電子−注入層を含んでなる有機／ポリマーエレクトロルミネセント（ＥＬ）装置において、正孔−注入層及び電子−注入層のために単−イオン伝導体（ｓｉｎｇｌｅ−ｉｏｎ ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ）を用いることを含んでなる改良を開示している。明細書は「単−イオン伝導体」の用語の意味を定義しておらず、それは平易な言葉で単イオンの伝導体を意味するが、請求項９は単イオン伝導体が単−カチオン伝導体又は単アニオン伝導体であることができると記載しており、請求項１０はそのような単イオン伝導体を、主鎖中にエーテル鎖［（−ＣＨ_２）_ｎＯ−］、例えばポリエチレンオキシド又はポリプロピレンオキシドを含んでなり、且つ主な側鎖中にＳＯ_３ ⁻、ＣＯＯ⁻又はＩ⁻のようなアニオンを含有し、それらがＮａ^＋、Ｌｉ^＋、Ｚｎ^２＋、Ｍｇ^２＋、Ｅｕ^３＋又は（ＮＨ_３）_４ ^＋のような対イオンとイオン結合を形成する一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）：

［式中、ＥＯはエチレンオキシドを示し；Ｎｏｎ−ＥＯは非−エチレンオキシドを示し；ＰＯはプロピレンオキシドを示し；Ｎｏｎ−ＰＯは非−プロピレンオキシドを示し；Ａ⁻はアニオンを示し；Ｃ^＋はカチオンを示し；ｍ＋ｎ＝１１であり、ｎは０より大きく且つ１より小さい実数を示す］
として示すことができると記載している。

Ｔ．−Ｗ．Ｌｅｅ及びＯ．Ｏ．Ｐａｒｋは２００１年に非特許文献１において、単−イオン伝導体（ＳＩＣ’ｓ）を用いるポリマー発光エネルギー−ウェル（ｅｎｅｒｇｙ−ｗｅｌｌ）装置を開示しており、その装置では、単−カチオン性伝導体（ＳＣＣ）及び単−アニオン性伝導体（ＳＡＣ）の両方を用いることにより、電荷の注入及びその閉じ込め（ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ）がＥＬ装置において同時に努力され（ｓｔｒｉｖｅｎ）、それは「電荷注入の向上において重要な役割を果たす移動性イオンを、発光材料と一緒にブレンドする代わりにサンドイッチ型多層装置の構造における両方の電極の近くに別々に置き、発光材料の相分離の問題を避けることができる」装置において、「ウェル−電子及び正孔を閉じ込めて対の再結合率を高める」目的で、「電極近くの移動性イオンの蓄積の故に電荷注入を非常に向上させる」。彼らはさらに、イオン性ポリウレタンが単−イオン輸送性と一緒に優れた機械的性質及び高いイオン伝導率を有すること、ならびにＳＩＣ’ｓが一般に２つの異なる型のものであり：一方は通常劣った機械的性質を有するイオノマーとポリエーテルのポリマーブレンドであり、他方はポリエーテルとのオリゴマー性イオノマーのコポリマーであることを開示している。彼らはまた、軟質及び硬質ブロックを有するＳＩＣ’ｓのＥＬ装置中への導入が輝度のみでなく効率も劇的に向上させること、ならびにＳＣＣ’ｓが電子−注入且つ正孔−遮断性を有し、ＳＡＣ’ｓが正孔−注入且つ電子−遮断性を有することを開示している。

Ｔ．−Ｗ．Ｌｅｅ ｅｔ ａｌ．は２００１年に非特許文献２において、発光層のためにポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチル−ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＥＨ−ＰＰＶ）及び電子−注入層のためにスルホン化ポリスチレン（ＳＰＳ）イオノマーを用いるポリマー発光ダイオードにおいて、最適エレクトロルミネセント（ＥＬ）特性を得るためのイオン濃度、中和レベル及びイオノマー中の対イオンの効果の研究を開示した。

電子装置における、特に発光ダイオードにおける一般的問題は、正の電極における望ましくない正孔−電子再結合であり、それにより装置の効率及び寿命が低下する。

ポリアニオンの存在下でポリ（３，４−ジアルコキシチオフェン）ポリマーを含有する電気伝導層の一般的欠点は、可視及びＵＶ光に暴露される時のそれらの表面抵抗における急速な増加である。
欧州特許出願公開第３３９３４０号明細書 欧州特許出願公開第４４０９５７号明細書 欧州特許出願公開第６８６６６２号明細書 欧州特許出願公開第１１２２２７４号明細書 国際公開第０１／７８４６４号パンフレット Ｔ．−Ｗ．Ｌｅｅ ａｎｄ Ｏ．Ｏ．Ｐａｒｋ著，Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，ｖｏｌｕｍｅ １３，２００１年，ｐａｇｅｓ １２７４−１２７８ Ｔ．−Ｗ．Ｌｅｅ ｅｔ ａｌ．著，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，ｖｏｌｕｍｅ ９０，２００１年，ｐａｇｅｓ ２１２８−２１３４

発明の側面
従って、本発明の側面は、可視及び紫外光に暴露される時に表面抵抗における急速な増加を経ない、ポリ（３，４−ジアルコキシチオフェン）ポリマーをポリアニオンの存在下で含有する電気伝導層を提供することである。

本発明のさらに別の側面は、正の電極及び正孔を輸送できる材料の間の層であって、正の電極における正孔−電子再結合を減少させ、それによりそのような層配置を含有する電子装置の効率及び寿命を向上させることができる層を提供することである。

本発明のさらに別の側面及び利点は、下記の記述から明らかになるであろう。

発明の概略
驚くべきことに、ポリリン酸、ポリリン酸塩、チア−アルカンジカルボン酸、シクロヘキサジエン化合物ならびにテトロン酸誘導体；少なくとも１個のスルホ基を有するオルト−ジヒドロキシベンゼン化合物、式（Ｉ）：
ＨＯ−ＣＨ_２−ＣＨ（ＯＨ）−（ＣＨ_２）_ｍ−Ｓ−ＣＨ_２−Ｃ（Ｒ^１）（Ｒ^２）−
ＣＨ_２−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｎ−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ_２−ＯＨ （Ｉ）
［式中、Ｒ^１及びＲ^２は独立してＨ、−ＯＨ又はアルキルであり、ｎ及びｍは独立して１、２又は３である］
に従う化合物；式（ＩＩ）：
ＨＯ−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｓ−ＣＨ_２−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｑ−ＯＨ （ＩＩ）
［式中、ｐ及びｑは独立して２、３又は４である］
に従う化合物；テトロン酸誘導体に加水分解され得る化合物；式（Ｉ）に従う化合物に加水分解され得る化合物より成る群から選ばれるポリヒドロキシ−化合物；及びスルホ−置換２−チア−アルキル−ベンズイミダゾール化合物を導入すると、ポリアニオンの存在下でポリ（３，４−ジアルコキシチオフェン）ポリマーを含有する電気伝導層の可視及びＵＶ光に暴露される時の表面抵抗における増加が実質的に低下することが見出された。

驚くべきことに、正の電極及び正孔を輸送できる材料の間でポリリン酸及びポリ［４−（２，３−ジヒドロ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキシン−２−イルメトキシ）−ブタン−１−スルホン酸］を含有する層を用いることは、寿命を増加させ且つ発光ダイオードの場合には最適電圧を下げることにより装置の性能を向上させることも見出された。

本発明の側面は、２個のアルコキシ基が同一であるかもしくは異なることができるか又は一緒になって場合により置換されていることができるオキシ−アルキレン−オキシ架橋を示す、場合により置換されていることができる３，４−アルキレンジオキシチオフェン構造単位を含有するポリマーと、ポリリン酸、ポリリン酸塩、チア−アルカンジカルボン酸、シクロヘキサジエン化合物及びテトロン酸誘導体；少なくとも１個のスルホ基を有するオルト−ジヒドロキシベンゼン化合物、式（Ｉ）：
ＨＯ−ＣＨ_２−ＣＨ（ＯＨ）−（ＣＨ_２）_ｍ−Ｓ−ＣＨ_２−Ｃ（Ｒ^１）（Ｒ^２）−
ＣＨ_２−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｎ−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ_２−ＯＨ （Ｉ）
［式中、Ｒ^１及びＲ^２は独立してＨ、−ＯＨ又はアルキルであり、ｎ及びｍは独立して１、２又は３である］
に従う化合物；式（ＩＩ）：
ＨＯ−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｓ−ＣＨ_２−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｑ−ＯＨ （ＩＩ）
［式中、ｐ及びｑは独立して２、３又は４である］
に従う化合物；テトロン酸誘導体に加水分解され得る化合物；式（Ｉ）に従う化合物に加水分解され得る化合物より成る群から選ばれるポリヒドロキシ−化合物ならびにスルホ−置換２−チア−アルキル−ベンズイミダゾール化合物より成る群から選ばれる化合物とを含有する層を含んでなる支持体上の層配置により実現される。

好ましい態様は従属クレイムにおいて開示される。
発明の詳細な記述
図１は装置２〜１０で用いられる層配置及びエレクトロルミネセンスを得るために用いられる回路の側面図及び平面図の略図であり、図中：
Ａはポリ（エチレンテレフタレート）支持体を示し；
ＢはスパッタリングされたＩＴＯ層を示し；
Ｃは電子遮断層を示し；
ＤはＺｎＳ：Ｃｕナノ−粒子及び結合剤を含有するエレクトロルミネセント層を示し；
Ｅは蒸発アルミニウム電極を示し、
Ｆは接続のための伝導性銀ペースト点を示し、
ＧはＩＶ−電力源を示し（Ｄｅｌｔａ ＥｌｅｋｔｒｏｎｉｃａからのＰｏｗｅｒ Ｓｕｐｐｌｙ ＥＳ ０３０−５）、
Ｈは電気伝導性銅ワイアを示し、
Ｉは第１層を示し、
ＩＩは第２層を示し、
ＩＩＩは第３層を示す。

定義
アルキルという用語は、アルキル基中の炭素原子のそれぞれの数に関して可能なすべての変形、すなわち３個の炭素原子の場合：ｎ−プロピル及びイソプロピル；４個の炭素原子の場合：ｎ−ブチル、イソブチル及び第３級−ブチル；５個の炭素原子の場合：ｎ−ペンチル、１，１−ジメチル−プロピル、２，２−ジメチルプロピル及び２−メチル−ブチルなどを意味する。

チア−アルキルという用語は、アルキル鎖中に１個もしくはそれより多い硫黄原子を有するチア−アルキル基、例えば２，６−ジチア−オクチル、３，６−ジチア−オクチル、１，４−ジチア−オクチル、１，４−ジチアヘキシル及び１，４，７−トリチア−ヘプチルを意味する。

本発明の目的のための水性という用語は、少なくとも６０容量％の水、好ましくは少なくとも８０容量％の水を含有し、且つ場合により水−混和性有機溶媒、例えばアルコール類、例えばメタノール、エタノール、２−プロパノール、ブタノール、イソ−アミルアルコール、オクタノール、セチルアルコールなど；グリコール類、例えばエチレングリコール；グリセリン；Ｎ−メチルピロリドン；メトキシプロパノール；ならびにケトン類、例えば２−プロパノン及び２−ブタノンなどを含有することができることを意味する。

本発明の開示において用いられるカルボキシという用語はカルボン酸基又はその塩である。

本発明の開示において用いられるスルホという用語はスルホン酸基又はその塩である。

本発明の開示において用いられるスルホナトという用語は−ＳＯ_４Ｈ基又はその塩である。

ＰＥＤＯＴという略語はポリ（３，４−エチレンジオキシ−チオフェン）を示す。

ＰＥＤＯＴ−Ｓという略語はポリ［４−（２，３−ジヒドロ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキシン−２−イルメトキシ）−ブタン−１−スルホン酸］を示す。

ＰＳＳという略語はポリ（スチレンスルホン酸）又はポリ（スチレンスルホネート）を示す。

ＰＰＡという略語はポリリン酸を示す。

ＯＴｓという略語はトシレート基を示す。

本発明の開示において用いられる「正孔を輸送できる材料」という句は、正孔が注入され且つそれを通って正孔が輸送され得る材料を意味し、好ましくは飛行時間法により、又は電界効果型トランジスタにおいて測定される正孔移動度＞１０^−８ｃｍ^２Ｖ^−１ｓ^−１そして特に好ましくは正孔移動度＞１０^−６ｃｍ^２Ｖ^−１ｓ^−１を有する。電荷輸送は充電装置においても起こり、それは発光が電子−正孔結合から生ずるエネルギーの結果だからである。

層配置
本発明の側面は、２個のアルコキシ基が同一であるかもしくは異なることができるか又は一緒になって場合により置換されていることができるオキシ−アルキレン−オキシ架橋を示す、場合により置換されていることができる３，４−アルキレンジオキシチオフェン構造単位を含有するポリマーならびにポリリン酸、ポリリン酸塩、チア−アルカンジカルボン酸、シクロヘキサジエン化合物及びテトロン酸誘導体；少なくとも１個のスルホ基を有するオルト−ジヒドロキシベンゼン化合物、式（Ｉ）：
ＨＯ−ＣＨ_２−ＣＨ（ＯＨ）−（ＣＨ_２）_ｍ−Ｓ−ＣＨ_２−Ｃ（Ｒ^１）（Ｒ^２）−
ＣＨ_２−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｎ−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ_２−ＯＨ （Ｉ）
［式中、Ｒ^１及びＲ^２は独立してＨ、−ＯＨ又はアルキルであり、ｎ及びｍは独立して１、２又は３である］
に従う化合物；式（ＩＩ）：
ＨＯ−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｓ−ＣＨ_２−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｑ−ＯＨ （ＩＩ）
［式中、ｐ及びｑは独立して２、３又は４である］
に従う化合物；テトロン酸誘導体に加水分解され得る化合物；式（Ｉ）に従う化合物に加水分解され得る化合物より成る群から選ばれるポリヒドロキシ−化合物ならびにスルホ−置換２−チア−アルキル−ベンズイミダゾール化合物より成る群から選ばれる化合物を含有する層を含んでなる支持体上の層配置を用いて実現される。

本発明に従う層配置の第１の態様に従うと、層はさらに界面活性剤を含有する。

本発明に従う層配置の第２の態様に従うと、層はさらに結合剤を含有する。

本発明に従う層配置の第３の態様に従うと、層はさらに架橋剤を含有する。

場合により置換されていることができる
３，４−アルキレンジオキシチオフェン構造単位を含有するポリマー
本発明に従うポリマーは３，４−アルキレンジオキシチオフェン構造単位を含有し、ここで２個のアルコキシ基は同一であるかもしくは異なることができるか又は一緒になって場合により置換されていることができるオキシ−アルキレン−オキシ架橋を示す。

本発明に従う層配置の第４の態様に従うと、ポリマーは：ポリ（３，４−メチレンジオキシ−チオフェン）、ポリ（３，４−メチレンジオキシチオフェン）誘導体、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシ−チオフェン）誘導体、ポリ（３，４−プロピレンジオキシチオフェン）、ポリ（３，４−プロピレンジオキシチオフェン）誘導体、ポリ（３，４−ブチレンジオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ブチレンジオキシチオフェン）誘導体及びそれらを用いるコポリマーより成る群から選ばれる。本発明に従う層配置の第４の態様の開示において用いられる誘導体という用語は、モノマーが置換されていることを意味する。

本発明に従う層配置の第５の態様に従うと、オキシ−アルキレン−オキシ架橋のための置換基はアルキル、アルコキシ、アルキルオキシアルキル、アルキルオキシアルキレンカルボキシ、アルキルオキシアルキレンスルホ、カルボキシ、アルキルスルホナト及びカルボキシエステル基である。

本発明に従う層配置の第６の態様に従うと、場合により置換されていることができるオキシ−アルキレン−オキシ架橋は、１，２−エチレン基、場合によりアルキル−置換されていることができるメチレン基、場合によりＣ_１−Ｃ_１２−アルキル−もしくはフェニル−置換されていることができる１，２−エチレン基、１，３−プロピレン基又は１，２−シクロヘキシレン基である。

本発明に従う層配置の第７の態様に従うと、場合により置換されていることができる３，４−アルキレンジオキシチオフェン構造単位は式（ＩＩＩ）：

［式中、Ｘ及びＹはＯであり、Ｚは−（ＣＨ_２）_ｍ−ＣＲ^３Ｒ^４−（ＣＨ_２）_ｎ−であり；Ｒ^３は水素又は−（ＣＨ_２）_ｓ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｐ−ＳＯ_３ ⁻Ｍ^＋であり；Ｒ^４は−（ＣＨ_２）_ｓ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｐ−ＳＯ_３ ⁻Ｍ^＋であり；Ｍ^＋はカチオンであり；ｍ及びｎは独立して０〜３の整数であり；ｓは０〜１０の整数であり；ｐは１〜１８の整数である］
により示される。

本発明に従う層配置の第８の態様に従うと、場合により置換されていることができる３，４−アルキレンジオキシチオフェン構造単位を含有するポリマーは式（ＩＶ）

［式中、Ｘ及びＹはＯであり、Ｚは−（ＣＨ_２）_ｍ−ＣＲ^３Ｒ^４−（ＣＨ_２）_ｎ−であり；Ｒ^３は水素又は−（ＣＨ_２）_ｓ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｐ−ＳＯ_３ ⁻Ｍ^＋であり；Ｒ^４は−（ＣＨ_２）_ｓ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｐ−ＳＯ_３ ⁻Ｍ^＋であり；Ｍ^＋はカチオンであり；ｍ及びｎは独立して０〜３の整数であり；ｓは０〜１０の整数であり；ｐは１〜１８の整数であり；ｑは２〜１０，０００の整数である］
に従うポリチオフェンである。

本発明に従う層配置の第９の態様に従うと、場合により置換されていることができる３，４−アルキレンジオキシチオフェン構造単位を含有するポリマーは、ポリ［４−（２，３−ジヒドロ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキシン−２−イルメトキシ）−ブタン−１−スルホン酸］である。

本発明に従う層配置の第１０の態様に従うと、場合により置換されていることができる３，４−アルキレンジオキシチオフェン構造単位を含有するポリマーは、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）である。

本発明に従うポリマーを、化学的又は電気化学的に重合させることができる。化学重合は酸化的又は還元的に行なわれ得る。そのようなポリマーの酸化重合のために、例えばＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，ｖｏｌｕｍｅ ８５，１９６３年，ｐａｇｅｓ ４５４−４５８及びＪ．Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｔ Ａ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，ｖｏｌｕｍｅ ２６，１９８８年，ｐａｇｅｓ １２８７−１２９４に記載されているような、ピロールの酸化重合のために用いられる酸化剤を用いることができる。

本発明の第１１の態様に従うと、ＦｅＣｌ_３、有機酸の鉄（ＩＩＩ）塩、例えばＦｅ（ＯＴｓ）_３のような鉄（ＩＩＩ）塩、Ｈ_２Ｏ_２、Ｋ_２Ｃｒ_２Ｏ_７、過硫酸アルカリ及びアンモニウム、過ホウ酸アルカリ及び過マンガン酸カリウムのような安価且つ容易に入手可能な酸化剤が酸化重合において用いられる。

理論的に、チオフェンの酸化重合は、式（ＩＩＩ）のチオフェンのモル当たり２．２５当量の酸化剤を必要とする［例えば、Ｊ．Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｔ Ａ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，ｖｏｌｕｍｅ ２６，１９８８年，ｐａｇｅｓ １２８７−１２９４を参照されたい］。実際には、重合単位当たり０．１〜２当量過剰の酸化剤が用いられる。過硫酸塩及び鉄（ＩＩＩ）塩の使用は、それらが腐蝕的に作用しないという大きな技術的利点を有する。さらに、特定の添加剤の存在下で、本発明に従うポリマーへの酸化重合は非常にゆっくり進行するので、チオフェン及び酸化剤を溶液又はペーストとして一緒にし、処理されるべき基質に適用することができる。そのような溶液又はペーストの適用後、引用することによりその記載事項が本明細書の内容となる米国特許第６，００１，２８１号明細書及び国際公開第００／１４１３９号パンフレットに開示されている通り、コーティングされた基質を加熱することによって酸化重合を加速することができる。

２００２年にＡｐｐｐｅｒｌｏｏ ｅｔ ａｌ．によりＣｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊｏｕｒｎａｌ，ｖｏｌｕｍｅ ８，ｐａｇｅｓ ２３８４−２３９６に記載され、且つそれぞれ２００１年にＴｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌｕｍｅ ４２，ｐａｇｅｓ １５５−１５７において、及び１９９８年にＭａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，ｖｏｌｕｍｅ ３１，ｐａｇｅｓ ２０４７−２０５６において開示されている通り、Ｓｔｉｌｌｅ（有機錫）又はＳｕｚｕｋｉ（有機ホウ素）経路を用いて、あるいは１９９９年にＢｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ，ｖｏｌｕｍｅ ７２，ｐａｇｅ ６２１において、及び１９９８年にＡｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，ｖｏｌｕｍｅ １０，ｐａｇｅｓ ９３−１１６において開示された通りニッケル錯体を用いて還元重合を行なうことができる。

本発明に従う場合により置換されていることができる３，４−ジアルコキシチオフェン構造単位を、他のチオフェンモノマー又は重合可能な複素環式化合物、例えばピロールと化学的又は電気化学的に共重合させることができる。

ポリリン酸及びその塩
本発明の側面は、ポリリン酸及び／又はその塩ならびに場合により置換されていることができる３，４−アルキレンジオキシチオフェン構造単位を含有するポリマーを含有する層を含んでなる支持体上の層配置を用いて実現される。

本発明に従う層配置の第１２の態様に従うと、ポリリン酸対場合により置換されていることができる３，４−アルキレンジオキシチオフェン構造単位を含有するポリマーの重量比は０．４〜１０である。

ポリリン酸には二リン酸、ピロリン酸、三リン酸、四リン酸、メタリン酸及び「ポリリン酸」が含まれる。

ポリリン酸は、Ｈ_３ＰＯ_４を十分なＰ_４Ｏ_１０（無水リン酸）と一緒に加熱することにより、又はＨ_３ＰＯ_４を加熱して水を除去することにより製造することができる。７２．７４％のＰ_４Ｏ_１０を含有するＰ_４Ｏ_１０／Ｈ_２Ｏ混合物は純粋なＨ_３ＰＯ_４に相当するが、通常の商用銘柄の酸はもっと多くの水を含有する。Ｐ_４Ｏ_１０含有量と共に、Ｈ_４Ｐ_２Ｏ_７、ピロリン酸がＰ_３〜Ｐ_８ピロリン酸と一緒に生成する。三リン酸は７１．７％Ｐ_２Ｏ_５において現れ（Ｈ_５Ｐ_３Ｏ_１０）、四リン酸（Ｈ_６Ｐ_４Ｏ_１３）は約７５．５％Ｐ_２Ｏ_５において現れる。そのような線状ポリリン酸は２〜１５個のリン原子を有し、それらのそれぞれが強く酸性のＯＨ基を有する。さらに、２個の末端Ｐ原子はそれぞれ弱く酸性のＯＨ基に結合している。低分子量ポリリン酸から閉環により生成する環状ポリリン酸又はメタリン酸、Ｈ_ｎＰ_ｎＯ_３ｎは、比較的小数の環原子を有する（ｎ＝３〜８）。環中の各原子は１個の強く酸性のＯＨ基に結合している。高分子量（ｈｉｇｈ）線状及び環状ポリリン酸は、８２％Ｐ_２Ｏ_５より高い酸濃度においてのみ存在する。市販のリン酸は８２〜８５重量％のＰ_２Ｏ_５含有率を有する。それは約５５％の三リン酸を含み、残りはＨ_３ＰＯ_４及び他のポリリン酸である。

ポリリン酸は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層のコーティングのための分散液の調製において用いられるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ分散液の調製の間、すなわち限外濾過プロセスの間の洗浄液への添加剤として、ならびにＥＤＯＴの重合の後の両方に加えることができる。本発明に従って用いるのに適したポリリン酸は、ＡＣＲＯＳにより供給される８４％（Ｐ_２Ｏ_５として）ポリリン酸である（Ｃａｔ．ｎｏ．１９６９５−００２５）。

チア−アルカンジカルボン酸
本発明の側面は、チア−アルカンジカルボン酸ならびに場合により置換されていることができる３，４−アルキレンジオキシチオフェン構造単位を含有するポリマーを含有する層を含んでなる支持体上の層配置を用いて実現される。

適したチア−アルカンジカルボン酸には：

が含まれる。

シクロヘキサジエン化合物
本発明の側面は、シクロヘキサジエン化合物ならびに場合により置換されていることができる３，４−アルキレンジオキシチオフェン構造単位を含有するポリマーを含有する層を含んでなる支持体上の層配置を用いて実現される。

適したシクロヘキサジエン化合物には：

が含まれる。

ポリヒドロキシ−化合物
本発明の側面は、テトロン酸誘導体；少なくとも１個のスルホ基を有するオルト−ジヒドロキシベンゼン化合物、式（Ｉ）：
ＨＯ−ＣＨ_２−ＣＨ（ＯＨ）−（ＣＨ_２）_ｍ−Ｓ−ＣＨ_２−Ｃ（Ｒ^１）（Ｒ^２）−
ＣＨ_２−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｎ−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ_２−ＯＨ （Ｉ）
［式中、Ｒ^１及びＲ^２は独立してＨ、−ＯＨ又はアルキルであり、ｎ及びｍは独立して１、２又は３である］
に従う化合物；式（ＩＩ）：
ＨＯ−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｓ−ＣＨ_２−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｑ−ＯＨ （ＩＩ）
［式中、ｐ及びｑは独立して２、３又は４である］
に従う化合物より成る群から選ばれるポリヒドロキシ−化合物；ならびに場合により置換されていることができる３，４−アルキレンジオキシ−チオフェン構造単位を含有するポリマーを含有する層を含んでなる支持体上の層配置を用いて実現される。

式（Ｉ）に従う適した化合物には：

が含まれる。

式（ＩＩ）に従う適した化合物には：

が含まれる。

テトロン酸誘導体にはアスコルビン酸、カロール酸（ｃａｒｏｌｉｃ ａｃｉｄ）、カーロジン酸（ｃａｒｌｏｓｉｃ ａｃｉｄ）、カロリン酸（ｃａｒｏｌｉｎｉｃ ａｃｉｄ）及びカール酸（ｃａｒｌｉｃ ａｃｉｄ）が含まれる。

適したテトロン酸誘導体には：

が含まれる。

適した少なくとも１個のスルホ基を有するオルト−ジヒドロキシベンゼン［ＯＤＨＢ］化合物には：

が含まれる。

本発明の側面は、場合により置換されていることができる３，４−アルキレンジオキシ−チオフェン構造単位を含有するポリマー；ならびにテトロン酸誘導体に加水分解され得る化合物及び／又は式（Ｉ）に従う化合物に加水分解され得る化合物を含有する層を含んでなる支持体上の層配置を用いて実現される。

式（Ｉ）に従うポリヒドロキシ−化合物は、エポキシ化合物の加水分解により得ることができる。

スルホ−置換２−チア−アルキル−ベンズイミダゾール化合物
本発明の側面は、スルホ−置換２−チア−アルキル−ベンズイミダゾール化合物［ＳＳＴＡＢ］ならびに場合により置換されていることができる３，４−アルキレンジオキシチオフェン構造単位を含有するポリマーを含有する層を含んでなる支持体上の層配置を用いて実現される。

本発明に従う層配置の第１３の態様に従うと、スルホ−置換２−チア−アルキル−ベンズイミダゾール化合物は式（Ｖ）：

［式中、Ｒ^５は水素又はスルホ基であり；Ｒ^６は場合によりスルホ基及び／又は場合により置換されていることができる２−ベンズイミダゾリル基で置換されていることができるチア−アルキル基であり；且つＲ^５が水素の場合、Ｒ^６は少なくとも１個のスルホ基を含有する］
により示される。

適したスルホ−置換２−チア−アルキル−ベンズイミダゾール化合物［ＳＳＴＡＢ］には：

が含まれる。

ポリアニオン
本発明に従う層配置の第１４の態様に従うと、層はさらにポリアニオンを含有する。

本発明に従う層配置中で用いるためのポリアニオン化合物は、引用することによりその記載事項が本明細書の内容となる欧州特許出願公開第４４０９５７号明細書に開示されており、高分子カルボン酸、例えばポリアクリル酸、ポリメタクリル酸又はポリマレイン酸及びポリスルホン酸、例えばポリ（スチレンスルホン酸）を含む。これらのポリカルボン酸及びポリスルホン酸は、ビニルカルボン酸及びビニルスルホン酸と他の重合可能なモノマー、例えばアクリル酸エステル、メタクリル酸エステル及びスチレンとのコポリマーであることもできる。

本発明に従う層配置の第１５の態様に従うと、層はさらにポリ（スチレンスルホネート）であるポリアニオンを含有する。

界面活性剤
本発明に従う層配置の第１６の態様に従うと、層はさらに非−イオン性界面活性剤、例えばエトキシル化／フルオロアルキル界面活性剤、ポリエトキシル化シリコーン界面活性剤、ポリシロキサン／ポリエーテル界面活性剤、ペルフルオロ−アルキルカルボン酸のアンモニウム塩、ポリエトキシル化界面活性剤及びフッ素−含有界面活性剤を含有する。

適した非−イオン性界面活性剤には：
界面活性剤番号０１＝ＺＯＮＹＬ^ＴＭ ＦＳＮ，ＤｕＰｏｎｔからの水中のイソプロパノールの５０重量％溶液中のＦ（ＣＦ_２ＣＦ_２）_１−９ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ＸＨの４０重量％溶液であり、ここでｘ＝０〜約２５；
界面活性剤番号０２＝ＺＯＮＹＬ^ＴＭ ＦＳＮ−１００：ＤｕＰｏｎｔからのＦ（ＣＦ_２ＣＦ_２）_１−９ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ＸＨであり、ここでｘ＝０〜約２５；
界面活性剤番号０３＝ＺＯＮＹＬ^ＴＭ ＦＳ３００，ＤｕＰｏｎｔからのフッ素化界面活性剤の４０重量％水溶液；
界面活性剤番号０４＝ＺＯＮＹＬ^ＴＭ ＦＳＯ，ＤｕＰｏｎｔからの水中のエチレングリコールの５０重量％溶液中の式：Ｆ（ＣＦ_２ＣＦ_２）_１−７ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ｙＨを有し、ここでｙ＝０〜約１５であるエトキシル化非−イオン性フルオロ−界面活性剤の混合物の５０重量％溶液；
界面活性剤番号０５＝ＺＯＮＹＬ^ＴＭ ＦＳＯ−１００，式：Ｆ（ＣＦ_２ＣＦ_２）_１−７ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ｙＨを有し、ここでｙ＝０〜約１５であるＤｕＰｏｎｔからのエトキシル化非−イオン性フルオロ−界面活性剤の混合物；
界面活性剤番号０６＝Ｔｅｇｏｇｌｉｄｅ^ＴＭ ４１０，Ｇｏｌｄｓｃｈｍｉｄｔからのポリシロキサン−ポリマーコポリマー界面活性剤；
界面活性剤番号０７＝Ｔｅｇｏｗｅｔ^ＴＭ，Ｇｏｌｄｓｃｈｍｉｄｔからのポリシロキサン−ポリエステルコポリマー界面活性剤；
界面活性剤番号０８＝ＦＬＵＯＲＡＤ^ＴＭＦＣ４３１：３ＭからのＣＦ_３（ＣＦ_２）_７ＳＯ_２（Ｃ_２Ｈ_５）Ｎ−ＣＨ_２ＣＯ−（ＯＣＨ_２ＣＨ_２）_ｎＯＨ；
界面活性剤番号０９＝ＦＬＵＯＲＡＤ^ＴＭＦＣ１２６，３Ｍからのペルフルオロカルボン酸のアンモニウム塩の混合物；
界面活性剤番号１０＝ポリオキシエチレン−１０−ラウリルエーテル
界面活性剤番号１１＝ＦＬＵＯＲＡＤ^ＴＭＦＣ４３０，３Ｍからの９８．５％活性フルオロ脂肪族エステル
が含まれる。

本発明に従う層配置の第１７の態様に従うと、層はさらにアニオン性界面活性剤を含有する。

適したアニオン性界面活性剤には：
界面活性剤番号１２＝ＺＯＮＹＬ^ＴＭ ７９５０，ＤｕＰｏｎｔからのフッ素化界面活性剤；
界面活性剤番号１３＝ＺＯＮＹＬ^ＴＭ ＦＳＡ，ＤｕＰｏｎｔからの水中のイソプロパノールの５０重量％溶液中のＦ（ＣＦ_２ＣＦ_２）_１−９ＣＨ_２ＣＨ_２ＳＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＬｉの２５重量％溶液；
界面活性剤番号１４＝ＺＯＮＹＬ^ＴＭ ＦＳＥ，ＤｕＰｏｎｔからの水中のエチレングリコールの７０重量％溶液中の［Ｆ（ＣＦ_２ＣＦ_２）_１−７ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ］_ｘＰ（Ｏ）（ＯＮＨ_４）_ｙの１４重量％溶液であり、ここでｘ＝１又は２であり；ｙ＝２又は１であり；ｘ＋ｙ＝３である；
界面活性剤番号１５＝ＺＯＮＹＬ^ＴＭ ＦＳＪ，ＤｕＰｏｎｔからの水中のイソプロパノールの２５重量％溶液中の、ｘ＝１又は２であり；ｙ＝２又は１であり；ｘ＋ｙ＝３であるＦ（ＣＦ_２ＣＦ_２）_１−７ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ］_ｘＰ（Ｏ）（ＯＮＨ_４）_ｙと炭化水素界面活性剤のブレンドの４０重量％溶液；
界面活性剤番号１６＝ＺＯＮＹＬ^ＴＭ ＦＳＰ，ＤｕＰｏｎｔからの水中のイソプロパノールの６９．２重量％溶液中の、ｘ＝１又は２であり；ｙ＝２又は１であり、ｘ＋ｙ＝３である［Ｆ（ＣＦ_２ＣＦ_２）_１−７ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ］_ｘＰ（Ｏ）（ＯＮＨ_４）_ｙの３５重量％溶液；
界面活性剤番号１７＝ＺＯＮＹＬ^ＴＭ ＵＲ：ＤｕＰｏｎｔからの、ｘ＝１又は２であり；ｙ＝２又は１であり、ｘ＋ｙ＝３である［Ｆ（ＣＦ_２ＣＦ_２）_１−７ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ］_ｘＰ（Ｏ）（ＯＨ）_ｙ；
界面活性剤番号１８＝ＺＯＮＹＬ^ＴＭ ＴＢＳ：ＤｕＰｏｎｔからの水中の酢酸の４．５重量％溶液中のＦ（ＣＦ_２ＣＦ_２）_３−８ＣＨ_２ＣＨ_２ＳＯ_３Ｈの３３重量％溶液；
界面活性剤番号１９＝３Ｍからのペルフルオロ−オクタン酸のアンモニウム塩
が含まれる。

エレクトロルミネセント蛍リン光体
本発明に従う層配置の第１８の態様に従うと、層配置はさらにエレクトロルミネセント蛍リン光体の層を含んでなる。

本発明に従う層配置の第１９の態様に従うと、層配置はさらにエレクトロルミネセント蛍リン光体の層を含んでなり、ここでエレクトロルミネセント蛍リン光体はＩＩ−ＶＩ半導体、例えばＺｎＳの種類に属するか、あるいは第ＩＩ族元素と酸化性アニオン（ｏｘｉｄｉｃ ａｎｉｏｎ）の組み合わせであり、最も普通のものはケイ酸塩、リン酸塩、炭酸塩、ゲルマニウム酸塩、錫酸塩、ホウ酸塩、バナジン酸塩、タングステン酸塩及びオキシ硫酸塩である。典型的なドーパントは金属及びすべての希土類、例えばＣｕ、Ａｇ、Ｍｎ、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｔｂ及びＣｅである。

本発明に従う層配置の第２０の態様に従うと、層配置はさらにエレクトロルミネセント蛍リン光体の層を含んでなり、ここでエレクトロルミネセント蛍リン光体は透明障壁層、例えばＡｌ_２Ｏ_３及びＡＩＮを用いて水分に対して封入される。そのような蛍リン光体はＳｙｌｖａｎｉａ、Ｓｈｉｎｅｔｓｕ ｐｏｌｙｍｅｒ ＫＫ、Ｄｕｒｅｌ、Ａｃｈｅｓｏｎ及びＴｏｓｈｉｂａから入手可能である。そのような蛍リン光体を用いるコーティングの例はＳｙｌｖａｉａ／ＧＴＥから入手可能な７２Ｘ及び米国特許第４，８５５，１８９号明細書に開示されているコーティングである。

本発明に従う層配置の第２１の態様に従うと、層配置はさらにエレクトロルミネセント蛍リン光体の層を含んでなり、ここでエレクトロルミネセント蛍リン光体はマンガン、銅又はテルビウムがドーピングされたＺｎＳ、セリウムがドーピングされたＣａＧａ_２Ｓ_４、ＤｕＰｏｎｔにより供給されるエレクトロルミネセント蛍リン光体ペースト、例えば：ＬＵＸＰＲＩＮＴ^ＴＭ ７１３８Ｊ型、白色蛍リン光体；ＬＵＸＰＲＩＮＴ^ＴＭ ７１５１Ｊ型、緑−青蛍リン光体；及びＬＵＸＰＲＩＮＴ^ＴＭ ７１７４Ｊ型、黄色−緑蛍リン光体；ならびにＡｃｈｅｓｏｎから供給されるＥＬＥＣＴＲＯＤＡＧ^ＴＭ ＥＬ−０３５Ａである。

本発明に従う層配置の第２２の態様に従うと、層配置はさらにエレクトロルミネセント蛍リン光体の層を含んでなり、ここでエレクトロルミネセント蛍リン光体は、マンガンがドーピングされ、且つＡＩＮで封入された硫化亜鉛蛍リン光体である。

誘電層
本発明に従う層配置の第２３の態様に従うと、層配置はさらに誘電層を含んでなる。

誘電層においていずれの誘電材料を用いることもでき、イットリア及びチタン酸バリウム、例えばＤｕＰｏｎｔにより供給されるチタン酸バリウムペースト、ＬＵＸＰＲＩＮＴ^ＴＭ ７１５３Ｅ型高Ｋ誘電絶縁体及びＡｃｈｅｓｏｎにより供給されるチタン酸バリウムペースト、ＥＬＥＣＴＲＯＤＡＧ^ＴＭ ＥＬ−０４０が好ましい。発光層の蛍リン光体から逃げるイオンを捕獲するために、陽イオン交換物質を誘電層中に導入することができる。誘電層中のイオン交換物質の量は、初期の輝度レベルを低下させずに黒点（ｂｌａｃｋ ｓｐｏｔｓ）を減少させることにおいてそれが最大の有効性を有するように最適化されねばならない。従って誘電層中の樹脂及び誘電材料の合計量の１００重量部に０．５〜５０重量部のイオン交換物質を加えるのが好ましい。イオン交換物質は有機又は無機であることができる。

適した無機イオン交換物質は、水和五酸化アンチモン粉末、リン酸チタン、リン酸及びケイ酸の塩ならびにゼオライトである。

支持体
本発明に従う層配置の第２４の態様に従うと、支持体は透明又は半透明である。

本発明に従う層配置の第２５の態様に従うと、支持体は紙、ポリマーフィルム、ガラス又はセラミックである。

本発明に従う層配置の第２６の態様に従うと、支持体は透明もしくは半透明ポリマーフィルムである。

本発明に従う電気伝導性もしくは帯電防止層と一緒に用いるのに適した透明もしくは半透明支持体は剛性もしくは柔軟性であることができ、ガラス、ガラス−ポリマー積層物、ポリマー積層物、熱可塑性ポリマー又はジュロプラスチックポリマー（ｄｕｒｏｐｌａｓｔｉｃ ｐｏｌｙｍｅｒ）から成ることができる。薄い柔軟性支持体の例はセルロースエステル、三酢酸セルロース、ポリプロピレン、ポリカーボネート又はポリエステルから作られるものであり、ポリ（エチレンテレフタレート）又はポリ（エチレンナフタレン−１，４−ジカルボキシレート）が特に好ましい。

エレクトロルミネセント装置
本発明に従う層配置の第２７の態様に従うと、層配置はエレクトロルミネセント装置である。

本発明に従う層配置の第２８の態様に従うと、層配置は発光ダイオードである。

薄フィルムエレクトロルミネセント装置（ＥＬＤｓ）はすべて、２つの電極の間にサンドイッチ状に挟まれた１つ（もしくはそれより多く）のエレクトロルミネセント活性層により特徴付けられる。場合により誘電層もサンドイッチの一部であることができる。

薄フィルムＥＬＤｓを有機及び無機に基づくＥＬＤｓに細分することができる。有機に基づく薄フィルムＥＬＤｓを、オリゴマーを含む低分子量有機装置（有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ）（ＯＬＥＤｓ））及び高分子量有機装置（ポリマー発光ダイオード（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ）（ＰＬＥＤｓ））に細分することができる。他方、無機ＥＬＤｓをさらに高電圧交流（ＨＶ−ＡＣ）ＥＬＤｓ及び低電圧直流（ＬＶ−ＤＣ）ＥＬＤｓに細分することができる。ＬＶ−ＤＣ ＥＬＤｓには粉末ＥＬＤｓ（ＤＣ−ＰＥＬ装置又はＤＣ−ＰＥＬＤｓ）及び薄フィルムＤＣ−ＥＬＤｓが含まれ、下記で無機発光ダイオード（ＩＬＥＤｓ）と呼ぶ。

有機ＥＬＤｓ（ＰＬＥＤ及びＯＬＥＤ）の基本的構造は以下の層配置を含んでなる：透明基質（ガラス又は柔軟性プラスチック）、透明伝導体、例えば酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、正孔輸送層、ルミネセント層及び第２の電極、例えばＣａ、Ｍｇ／Ａｇ又はＡｌ／Ｌｉ電極。ＯＬＥＤｓの場合、正孔輸送層及びルミネセント層は１０〜５０ｎｍの厚さであり、真空蒸着により適用されるが、ＰＬＥＤｓの場合、正孔輸送層は通常約４０ｎｍの厚さであり、ルミネセント層は通常１００ｎｍの厚さであり、スピンコーティング又は他の非−真空コーティング法により適用される。両電極間に５〜１０Ｖの直流電圧が適用され、正孔及び電子から発光が生じ、正孔及び電子はそれぞれ正及び負の電極から注入され、ルミネセント層中で一緒になり、それによりルミネセント種を励起して光を発せしめるエネルギーを生む。

ＯＬＥＤｓにおいて、正孔輸送層及びエレクトロルミネセント層は低分子量有機化合物から成り、例えばＮ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を正孔輸送物質として用いることができ、且つアルミニウム（ＩＩＩ）８−ヒドロキシキノリン錯体（Ａｌｑ_３）、ポリ芳香族化合物（ｐｏｌｙａｒｏｍａｔｉｃｓ）（アントラセン誘導体、ペリレン誘導体及びスチルベン誘導体）及びポリ複素芳香族化合物（ｐｏｌｙｈｅｔｅｒｏ−ａｒｏｍａｔｉｃｓ）（オキサゾール、オキサジアゾール、チアゾールなど）をエレクトロルミネセント化合物として用いることができる。

ＰＬＥＤｓにおいて、用いられ得るエレクトロルミネセント化合物は非−共役ポリビニルカルバゾール誘導体（ＰＶＫ）のようなポリマー又はポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリフルオロレン、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（ｐ−フェニレンエチニレン）などのような共役ポリマーである。これらの高分子量材料は、流延による薄フィルムの容易な製造を可能にし、且つ結晶化に対する高い抵抗性を示す。

低電圧ＤＣ ＰＥＬ装置は一般に透明基質、透明伝導体（ＩＴＯ）、ドーピングされたＺｎＳ蛍リン光体層（２０μｍ）及び蒸発アルミニウムの最上電極を含んでなる。蛍リン光体層はドクターブレード法又はスクリーン印刷によりＩＴＯ伝導層上に適用される。続いて蒸発によりアルミニウム電極が適用される。数ボルトの直流電圧が適用されると（ＩＴＯ正）、正孔がアルミニウム電極に向かって動き出し、それにより約１分以内にＩＴＯ層の隣に絶縁領域（厚さが約１μｍ）を生ずる。これは電流の低下を生じ、それに発光の開始が伴う。このプロセスはフォーミングプロセス（ｆｏｒｍｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）と呼ばれてきた。それにより形成される薄い高抵抗性の蛍リン光体層に高い電場が起こり、もはや低電圧（典型的には１０〜３０Ｖ）においてエレクトロルミネセンスが可能である。Ｑｕｅ ｅｔ ａｌ．［Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌｕｍｅ ７３，１９９８年，ｐａｇｅｓ ２７２７−２７２９を参照されたい］はＺｎＳ：Ｃｕナノ結晶を用い、５Ｖ未満のターンオン電圧（ｔｕｒｎ ｏｎ ｖｏｌｔａｇｅｓ）を達成した。

混成ＬＥＤｓにおいては、電荷輸送性及びいくつかの場合には発光性も有する有機ポリマーと組み合わされて、無機発光性のいわゆる量子点が用いられる。ＣｄＳｅナノ粒子を用いる混成ＬＥＤｓはＣｏｌｖｉｎ ｅｔ ａｌ．［Ｎａｔｕｒｅ，ｖｏｌｕｍｅ ３７０，１９９４年，ｐａｇｅｓ ３５４−３５７を参照されたい］、Ｄａｂｂｏｕｓｉ ｅｔ ａｌ．［Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌｕｍｅ ６６，１９９５年，ｐａｇｅｓ １３１６−１３１８を参照されたい］及びＧａｏ ｅｔ ａｌ．［Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｂ，ｖｏｌｕｍｅ １０２，１９９８年，ｐａｇｅｓ ４０９６−４１０３を参照されたい］により報告されており；ならびにＺｎＳ：Ｃｕナノ−結晶を用いるものはＨｕａｎｇ ｅｔ ａｌ．［Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌｕｍｅ ７０，１９９７年，２３３５−２３３７を参照されたい］により報告されており、これらのすべては引用することによりその記載事項が本明細書の内容となる。

光起電力装置
本発明に従う層配置の第２９の態様に従うと、層配置は光起電力装置である。

本発明に従う層配置の第３０の態様に従うと、層配置は太陽電池である。

本発明に従う層配置の第３１の態様に従うと、層配置はさらに少なくとも１つの光起電力層を含んでなる。光起電力層は有機層、混成無機及び有機層又は無機層であることができる。

本発明に従う層配置が導入された光起電力装置は２つの型：正味の化学変化を後に残さずに光を電力に変換し、電流−伝搬電子（ｃｕｒｒｅｎｔ−ｃａｒｒｙｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎ）が陽極及び外部回路に輸送され、正孔が陰極に輸送され、そこでそれらが外部回路からの電子により酸化される再生型ならびに半導体電極の表面で正孔と反応するもの及び対極に入る電子と反応するものの２つのレドックス系があり、例えば水が半導体光電陽極において酸素に酸化され、陰極において水素に還元される光合成型のものであることができる。Ｇｒａｅｔｚｅｌ電池により代表されるような再生型の光電池の場合、正孔輸送媒体はレドックス反応を支持する液体電解質、レドックス反応を支持するゲル電解質、２，２’，７，７’−テトラキス（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−メトキシフェニル−アミン）９，９’−スピロビフルオレン（ＯＭｅＴＡＤ）もしくはトリフェニルアミン化合物のような低分子量材料又はポリマー、例えばＰＰＶ−誘導体、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）などであることができる有機正孔輸送材料あるいはＣｕＩ、ＣｕＳＣＮなどのような無機半導体であることができる。電荷輸送プロセスは、液体電解質又はゲル電解質の場合のようにイオン的であるか又は有機もしくは無機正孔輸送材料の場合のように電子的であることができる。

そのような再生型光起電力装置は、末端用途に適した多様な内部構造を有することができる。考えられる形態はおおまかに２つの型：両側から光を受ける構造及び片側から光を受ける構造に分けられる。前者の例は、透明的に伝導性の層、例えばＩＴＯ−層又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層ならびに透明対極電気伝導層、例えばＩＴＯ−層又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層から作られ、それらの間に感光層及び電荷輸送層がはさまれている構造である。そのような装置は、内部物質の変質又は揮発を防ぐために、好ましくはそれらの面がポリマー、接着剤又は他の手段で密封される。電気伝導性基質及び対極にそれぞれのリード線を介して連結された外部回路は周知である。

本発明に従う層配置の有機光起電力層は、例えばフラーレン（ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ）分子（電子受容体及び電子輸送物質として）と共役ポリマー（例えば置換ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）（光吸収剤及び正孔輸送物質として）の混合物である［Ｂｒａｂｅｃ ｅｔ ａｌ．著，Ａｄｖ．Ｆｕｎｃｔ．Ｍａｔｅｒ．，ｖｏｌｕｍｅ １１（１），２００１年，ｐａｇｅｓ １５−２６を参照されたい］。１９９５年にＨａｌｌｓ ｅｔ ａｌ．はＮａｔｕｒｅ，ｖｏｌｕｍｅ ３７６，ｐａｇｅ ４９８において、フラーレンの代わりに受容体−型共役ポリマーを用いて成功したことを報告した。

あるいはまた、本発明に従う層配置を、１９９１年にＧｒａｅｔｚｅｌ ｅｔ ａｌ．によりＮａｔｕｒｅ，ｖｏｌｕｍｅ ３５３，ｐａｇｅｓ ７３７−７４０において、１９９８年にＵ．Ｂａｃｈ ｅｔ ａｌ．により［Ｎａｔｕｒｅ，ｖｏｌｕｍｅ ３９５，１９９８年，ｐａｇｅｓ ５８３−５８５を参照されたい］、及び２００２年にＷ．Ｕ．Ｈｕｙｎｈ ｅｔ ａｌ．により［Ｓｃｉｅｎｃｅ，ｖｏｌｕｍｅ ２９５，２００２年，ｐａｇｅｓ ２４２５−２４２７を参照されたい］記載されているような混成光起電力組成物中に導入することができる。これらのすべての場合、成分（光吸収剤、電子輸送物質又は正孔輸送物質）の少なくとも１つは無機（例えば電子輸送物質としてナノ−ＴｉＯ_２、光吸収剤及び電子輸送物質としてＣｄＳｅ）であり、且つ成分の少なくとも１つは有機（例えば正孔輸送物質としてトリフェニルアミン又は正孔輸送物質としてポリ（３−ヘキシルチオフェン））である。

本発明に従う層配置において用いられ得る無機光起電力層は、欧州特許出願公開第１１７６６４６号明細書に記載されている。

トランジスタ
本発明に従う層配置の第３２の態様に従うと、層配置はトランジスタである。

本発明に従う層配置の第３３の態様に従うと、層配置はさらに上記の、しかし配置をトランジスタとして使用できるような配置の範囲内の電子輸送成分又は正孔輸送成分の１つもしくはそれより多くを有する層を含んでなる。半導体はｎ−型、ｐ−型又は両方（両極性（ａｍｂｉｐｏｌａｒ）トランジスタ）であることができ、且つ有機又は無機であることができる。

工業的用途
正の電極と正孔の輸送が可能であり、且つ正の電極における正孔−電子再結合を減少させることができる材料との間に層を含んでなる層配置を、広範囲の電子装置、例えば光起電力装置，太陽電池、電池、コンデンサー、発光ダイオード、有機及び無機エレクトロルミネセント装置、スマートウインドウズ（ｓｍａｒｔ ｗｉｎｄｏｗｓ）、エレクトロクロミック装置、有機及び生物−有機材料のためのセンサー及び電界効果型トランジスタにおいて用いることができる［Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｏｌｉｇｏ− ａｎｄ Ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅｓ，Ｄ．Ｆｉｃｈｏｕ編集，Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ，Ｗｅｉｎｈｅｉｍ（１９９９）の１０章も参照されたい］。

下記で本発明を比較実施例及び本発明の実施例により例示する。これらの実施例において示されるパーセンテージ及び比率は、他にことわらなければ重量による。

下記で例示される層配置及び発光装置において用いられる下塗り層番号０１は組成：

を有する。

比較及び参照層配置において用いられる成分：
ポリヒドロキシ−化合物：
・ＤＥＧ＝ジエチレングリコール（欧州特許出願公開第６８６６６２号明細書で開示）；
・ＴＥＧ＝トリエチレングリコール（欧州特許出願公開第６８６６６２号明細書で開示）；
・ＤＨＴＰ＝１，５−ジヒドロキシ−３−チア−ペンタン；
・ＤＨＤＴＯ＝１，８−ジヒドロキシ−３，６−ジチア−オクタン。

層配置１〜３８の製造において用いられるコーティング分散液の
調製で用いられるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−分散液の調製
１：２．５のＰＥＤＯＴ対ＰＳＳの重量比を含有するＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの１．２重量％を含む水性分散液Ａは、欧州特許出願公開第４４０９５７号明細書に開示されている通りに調製され、ＡＲ１０００プレートアンドコーン流動計（ｐｌａｔｅ ａｎｄ ｃｏｎｅ ｒｈｅｏｍｅｔｅｒ）（直径４ｃｍ；コーン角２^ｏ）を用いて２０℃において５秒^−１のせん断速度で測定される３８ｍＰａ．ｓの典型的な粘度を有し、且つ１．９のｐＨを有した。水性分散液Ａはコーティング分散液の調製において直接用いられたか、あるいは水性分散液Ｂの場合には洗浄媒体として脱イオン水を用いて、又は水性分散液Ｃの場合には洗浄媒体としてポリリン酸の０．３１重量％溶液を用いて限外濾過に供された。

層配置１〜３
８８％塩化ビニリデン、１０％アクリル酸メチル及び２％イタコン酸のコポリマーの３０％水性ラテックス；３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ＺＯＮＹＬ^ＴＭ ＦＳＯ１００及びＮ−メチルピロリジノンを加えることにより、水性分散液Ａ、Ｂ及びＣからコーティング分散液を調製し、下塗り層１が下塗りされたポリ（エチレンテレフタレート）支持体上にコーティングし、次いで４５℃で３分間乾燥し、するとＮＭＰはほとんど蒸発し、それぞれ層配置１、２及び３に関する以下の被覆率を得た：

１０本のストリップを用い、可視フィルターを用いる透過においてＭａｃＢｅｔｈ ＴＲ９２４デンシトメーターを用いてプリント及び支持体の光学濃度を決定し、次いで得られる値を１０で割った。結果を表１にまとめる。

コーティングされた層を、それぞれ長さが３５ｍｍで３５ｍｍ離れ、線接触を形成でき、ＴＥＦＬＯＮ^Ｒ絶縁物質により隔てられた平行銅電極と接触させることにより、コーティングされた層の表面抵抗を測定した。これは、実現されるべき表面抵抗の直接の測定を可能にした。表面抵抗測定値は、新しく製造された層配置について、ならびにＡｔｌａｓ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｔｅｓｔｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＢＶ，Ｄ−６３５５８ Ｇｅｌｎｈａｕｓｅｎ，Ｇｅｒｍａｎｙにより供給されるＳＵＮＴＥＳＴ^ＴＭ ＣＰＳ装置中における４８時間及び９６時間に供した後に測定された。この試験において、コーティングされた支持体は、ガラスフィルターを介してキセノンランプにより与えられる人工の日光に暴露された。結果をやはり表１にまとめる。ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳがポリリン酸−含有水を用いる限外濾過に供された０．６５：１のポリリン酸（Ｈ_３ＰＯ_４として）対ＰＥＤＯＴの重量比を含有する層配置３は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳが水を用いる限外濾過に供された層配置２及びＰＥＤＯＴ／ＰＳＳが限外濾過に供されなかった層配置１と比較して、擬似日光暴露に対して強力に向上した安定性を示した。

層配置４〜６
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ＺＯＮＹＬ^ＴＭ ＦＳＯ１００及びジエチレングリコールを加えることにより、水性分散液Ａ、Ｂ及びＣからコーティング分散液を調製し、下塗り層１が下塗りされたポリ（エチレンテレフタレート）支持体上にコーティングし、次いで１４０℃で１分間乾燥すると、それぞれ層配置４、５及び６に関する以下の被覆率が得られた：

層配置１〜３に関して記載した通りに、コーティングされた層の表面抵抗及び光学濃度を測定した。表面抵抗測定値は、新しく製造された層配置について、ならびにＡｔｌａｓ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｔｅｓｔｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＢＶにより供給されるＳＵＮＴＥＳＴ^ＴＭ ＣＰＳ装置中における４８時間に供した後に測定された。この試験において、コーティングされた支持体は、ガラスフィルターを介してキセノンランプにより与えられる人工の日光に暴露された。結果を表２にまとめる。

ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳがポリリン酸−含有水を用いる限外濾過に供された０．６５：１のポリリン酸（Ｈ_３ＰＯ_４として）対ＰＥＤＯＴの重量比を含有する層配置６は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳが水を用いる限外濾過に供された層配置５及びＰＥＤＯＴ／ＰＳＳが限外濾過に供されなかった層配置４と比較して、擬似日光暴露に対して強力に向上した安定性を示した。

層配置７〜９
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ＺＯＮＹＬ^ＴＭ ＦＳＯ１００、ジエチレングリコール及び場合によりポリリン酸を加えることにより、水性分散液Ａからコーティング分散液を調製し、下塗り層１が下塗りされたポリ（エチレンテレフタレート）支持体上にコーティングし、次いで１４０℃で１分間乾燥すると、ジエチレングリコールが少なくとも部分的に蒸発し、それぞれ層配置７、８及び９に関する以下の被覆率が得られた：

層配置１〜３に関して記載した通りに、コーティングされた層の表面抵抗を測定した。表面抵抗測定値は、新しく製造された層配置について、ならびにＡｔｌａｓ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｔｅｓｔｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＢＶにより供給されるＳＵＮＴＥＳＴ^ＴＭ ＣＰＳ装置中における４８時間に供した後に測定された。この試験において、コーティングされた支持体は、ガラスフィルターを介してキセノンランプにより与えられる人工の日光に暴露された。結果を表３にまとめる。

ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−層がそれぞれ３．４６：１及び６．９２：１のポリリン酸（Ｈ_３ＰＯ_４として）対ＰＥＤＯＴの重量比を含有する層配置８及び９は、ポリリン酸を含有しない層配置７と比較して、擬似日光暴露に対する強力に向上した安定性を示した。

層配置１０〜１９
層配置１に関して記載した通りに層配置１０を製造し、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層中に表４において規定される化合物を１０ｍｇ／ｍ^２の被覆率で導入する以外は層配置２に関して記載したとおりに層配置１１〜１９を製造した。

層配置１〜３に関して記載した通りに、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層の表面抵抗及び光学濃度を測定した。表面抵抗測定値は、新しく製造された層配置について、ならびにＡｔｌａｓ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｔｅｓｔｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＢＶにより供給されるＳＵＮＴＥＳＴ^ＴＭ ＣＰＳ装置中における４８時間及び９６時間に供した後に測定された。この試験において、コーティングされた支持体は、ガラスフィルターを介してキセノンランプにより与えられる人工の日光に暴露された。結果を表４にまとめる。

表４中の結果は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層中への式（Ｉ）又は式（ＩＩ）に従うポリヒドロキシ−化合物の１０ｍｇ／ｍ^２の被覆率における導入が、ＳＵＮＴＥＳＴ装置における擬似日光への暴露に対する安定性において、添加剤なしのＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層（層配置１０）、欧州特許出願公開第６８６６６２号明細書に開示されている２種のポリヒドロキシ−化合物、ジエチレングリコール及びトリエチレングリコールが加えられた層（層配置１１及び１２）ならびにジエチレングリコール（ＤＨＴＰ）及びトリエチレングリコール（ＤＨＤＴＯ）のチア−類似化合物が加えられた層（層配置１３及び１４）の場合に見出される安定性を超える向上を生じたことを示す。

層配置２０〜２２
ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層中に表５において規定される化合物を１０ｍｇ／ｍ^２又は５０ｍｇ／ｃｍ^２の被覆率で導入する以外は層配置１に関して記載した通りに層配置２０〜２２を製造した。

層配置１〜３に関して記載した通りに、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層の表面抵抗及び光学濃度を測定した。表面抵抗測定値は、新しく製造された層配置について、ならびにＡｔｌａｓ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｔｅｓｔｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＢＶにより供給されるＳＵＮＴＥＳＴ^ＴＭ ＣＰＳ装置中における４８時間及び９６時間に供した後に測定された。この試験において、コーティングされた支持体は、ガラスフィルターを介してキセノンランプにより与えられる人工の日光に暴露された。結果を、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層に添加剤が加えられなかった比較実施例としての層配置１０に関する結果と一緒に表５にまとめる。

表５における結果は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層中へのチア−アルカンジカルボン酸の１０ｍｇ／ｍ^２の被覆率における導入が、ＳＵＮＴＥＳＴ装置における擬似日光への暴露に対する安定性において、添加剤なしのＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層（層配置１０）に関して見出されるものを超える向上を生じたことを示す。ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−層におけるＴＡＤＣＡ０１の５０ｍｇ／ｍ^２の被覆率に関し、ＳＵＮＴＥＳＴ装置における擬似日光への４８時間及び９６時間の暴露の後、優秀な安定性が観察された。

層配置２３〜２５
ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層中に表６において規定される化合物を１０ｍｇ／ｍ^２の被覆率で導入する以外は層配置１に関して記載したとおりに層配置２３〜２５を製造した。

層配置１〜３に関して記載した通りに、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層の表面抵抗及び光学濃度を測定した。表面抵抗測定値は、新しく製造された層配置について、ならびにＡｔｌａｓ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｔｅｓｔｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＢＶにより供給されるＳＵＮＴＥＳＴ^ＴＭ ＣＰＳ装置中における４８時間及び９６時間に供した後に測定された。この試験において、コーティングされた支持体は、ガラスフィルターを介してキセノンランプにより与えられる人工の日光に暴露された。結果を、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層に添加剤が加えられなかった比較実施例としての層配置１０に関する結果と一緒に表６にまとめる。

表６における結果は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層中へのテトロン酸誘導体の１０ｍｇ／ｍ^２の被覆率における導入が、ＳＵＮＴＥＳＴ装置における擬似日光への暴露に対する安定性において、添加剤なしのＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層（層配置１０）に関して見出されるものを超える向上を生じたことを示す。ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−層におけるアスコルビン酸の１００ｍｇ／ｍ^２の被覆率に関し、ＳＵＮＴＥＳＴ装置における擬似日光への４８時間及び９６時間の暴露の後、優秀な安定性が観察された。

層配置２６
ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層中に表７において規定される化合物を１０ｍｇ／ｍ^２の被覆率で導入する以外は層配置１に関して記載した通りに層配置２６を製造した。

層配置１〜３に関して記載した通りに、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層の表面抵抗及び光学濃度を測定した。表面抵抗測定値は、新しく製造された層配置について、ならびにＡｔｌａｓ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｔｅｓｔｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＢＶにより供給されるＳＵＮＴＥＳＴ^ＴＭ ＣＰＳ装置中における４８時間及び９６時間に供した後に測定された。この試験において、コーティングされた支持体は、ガラスフィルターを介してキセノンランプにより与えられる人工の日光に暴露された。結果を、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層に添加剤が加えられなかった比較実施例としての層配置１０に関する結果と一緒に表７にまとめる。

表７における結果は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層中へのＣＨＤＣ０１の１０ｍｇ／ｍ^２の被覆率における導入が、ＳＵＮＴＥＳＴ装置における擬似日光への暴露に対する安定性において、添加剤なしのＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層（層配置１０）に関して見出されるものを超える向上を生じたことを示す。

層配置２７〜３３
層配置４に関して記載した通りに層配置２７を製造し、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層中に表７において規定される化合物を１０ｍｇ／ｍ^２の被覆率で導入する以外は層配置４に関して記載した通りに層配置２８〜３３を製造した。

層配置１〜３に関して記載した通りに、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層の表面抵抗及び光学濃度を測定した。表面抵抗測定値は、新しく製造された層配置について、ならびにＡｔｌａｓ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｔｅｓｔｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＢＶにより供給されるＳＵＮＴＥＳＴ^ＴＭ ＣＰＳ装置中における４８時間及び９６時間に供した後に測定された。この試験において、コーティングされた支持体は、ガラスフィルターを介してキセノンランプにより与えられる人工の日光に暴露された。結果を表８にまとめる。

表８における結果は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層中への式（Ｉ）に従うポリヒドロキシ−化合物、式（ＩＩ）に従うポリヒドロキシ−化合物及びチア−アルカンジカルボン酸の１０ｍｇ／ｍ^２の被覆率における導入が、ＳＵＮＴＥＳＴ装置における擬似日光への暴露に対する安定性において、添加剤なしのＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層（層配置２７）に関して見出されるものを超える向上を生じたことを示す。

層配置３４〜３８
ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層中に表９において規定される化合物を表９において規定される被覆率で導入する以外は層配置４に関して記載した通りに層配置３４〜３８を製造した。

層配置１〜３に関して記載した通りに、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層の表面抵抗及び光学濃度を測定した。表面抵抗測定値は、新しく製造された層配置について、ならびにＡｔｌａｓ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｔｅｓｔｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＢＶにより供給されるＳＵＮＴＥＳＴ^ＴＭ ＣＰＳ装置中における４８時間及び９６時間に供した後に測定された。この試験において、コーティングされた支持体は、ガラスフィルターを介してキセノンランプにより与えられる人工の日光に暴露された。結果を表９にまとめる。

表９における結果は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層中へのすべてのテトロン酸誘導体の１０ｍｇ／ｍ^２の被覆率における導入が、ＳＵＮＴＥＳＴ装置における擬似日光への４８時間に及ぶ暴露に対する安定性において、添加剤なしのＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層（層配置２７）に関して見出されるものを超える実質的な向上を生じたことを示す。ＴＡＤ０２及びＴＡＤ０３はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層における５０ｍｇ／ｍ^２の被覆率で、ＳＵＮＴＥＳＴ装置における擬似日光への４８時間に及ぶ暴露に対する安定性において、添加剤なしのＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層（層配置２７）に関して見出されるものを超える実質的な向上をもたらした。

層配置３９及び４０
ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層中に表１０において規定される化合物を表１０において規定される被覆率で導入する以外は層配置４に関して記載した通りに層配置３９及び４０を製造した。

層配置１〜３に関して記載した通りに、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層の表面抵抗及び光学濃度を測定した。表面抵抗測定値は、新しく製造された層配置について、ならびにＡｔｌａｓ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｔｅｓｔｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＢＶにより供給されるＳＵＮＴＥＳＴ^ＴＭ ＣＰＳ装置中における４８時間及び９６時間に供した後に測定された。この試験において、コーティングされた支持体は、ガラスフィルターを介してキセノンランプにより与えられる人工の日光に暴露された。結果を表１０にまとめる。

表１０における結果は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層中へのオルト−ジヒドロキシ−ベンゼン化合物ＯＤＨＢ０１及びスルホ−置換２−チア−アルキル−ベンズイミダゾール化合物ＳＳＴＡＢ０１の１０ｍｇ／ｍ^２の被覆率における導入が、ＳＵＮＴＥＳＴ装置における擬似日光への４８時間に及ぶ暴露に対する安定性において、添加剤なしのＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ−含有層（層配置２７）に関して見出されるものを超える向上を生じたことを示す。

発光装置実施例
ＰＥＤＯＴ−Ｓの合成
２−アセトキシメチル−２，３−ジヒドロ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］
ジオキシン−５，７−ジカルボン酸ジメチルエステルの合成

米国特許第５，１１１，３２７号明細書に記載されている通りに３，４−ジヒドロキシチオフェン−２，５−ジカルボン酸ジメチルエステル及びエピブロモヒドリンの間の反応を行なうことにより、２−アセトキシメチル−２，３−ジヒドロ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキシン−５，７−ジカルボン酸ジメチルエステル及び３−アセトキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキセピン−６，８−ジカルボン酸ジメチルエステルの７０／３０モル混合物を得た。続いてアセチル化／選択的結晶化法によりこの混合物を分離した：２−アセトキシメチル−２，３−ジヒドロ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキシン−５，７−ジカルボン酸ジメチルエステル及び３−アセトキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキセピン−６，８−ジカルボン酸ジメチルエステルの７０／３０モル混合物（１４３ｇ，０．４９６モル）を塩化メチレン（１．５ ｌ）中に溶解した。続いてトリエチルアミン（８０ｍＬ）を加え、その後わずかに冷却することにより反応物を約２５℃に一定に保ちながら、塩化アセチル（４３ｍＬ）を滴下した。滴下の後、混合物を２５℃でさらに１時間攪拌した。

続いて反応混合物をそれぞれＨＣｌ水溶液（１Ｍ）、ＮａＨＣＯ_３水溶液（１Ｍ）及び飽和ＮａＣｌ水溶液で数回洗浄した。溶媒を除去し、得られる固体をエタノールから再結晶した。濾過及び残留物の洗浄の後、ＮＭＲ及び質量分析により示される通り純粋な２−アセトキシメチル−２，３−ジヒドロ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキシン−５，７−ジカルボン酸ジメチルエステルが得られた。

２−ヒドロキシメチル−２，３−ジヒドロ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］
ジオキシン−５，７−ジカルボン酸の合成

２−アセトキシメチル−２，３−ジヒドロ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキシン−５，７−ジカルボン酸ジメチルエステル（６０ｇ，０．１８モル）をエタノール（６８０ｍＬ）中に溶解した。この溶液にＫＯＨ（３６ｇ）を加え、その後継続的に冷却しながら（ｕｐｏｎ ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ ｃｏｏｌｉｎｇ）水（５００ｍＬ）を加えた。水の添加の後、反応混合物をさらに３０分間攪拌し、その後蒸留により溶媒を除去した。反応混合物の残留部分に我々は氷（５０ｇ）及び濃ＨＣｌ（２５ｍＬ）の混合物を滴下し、攪拌した。次いで混合物を濾過し、残留物を水で洗浄した。続く乾燥は、ＮＭＲ及び質量分析により示される通り純粋な２−ヒドロキシメチル−２，３−ジヒドロ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキシン−５，７−ジカルボン酸の定量的な生成を生じた。

（２，３−ジヒドロ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキシン−２−イル）
−メタノールの合成

２−ヒドロキシメチル−２，３−ジヒドロ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキシン−５，７−ジカルボン酸（４８ｇ，０．１８４モル）をＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（５００ｍＬ）中に溶解し、Ｃｕ_２Ｃｒ_２Ｏ_７（８．６ｇ）及びキノリン（１５滴）を加えた。続いてこの混合物を１５０℃で２時間攪拌し、その後それを２５℃に冷却した。次いでそれを酢酸エチル中に注ぎ、濾過により触媒を除去し、濾液を酸性の水及び飽和ＮａＣｌ水溶液で洗浄した。続いて溶媒を除去し、その後真空蒸留により（１１５〜１２０℃；０．０５ｍｍＨｇ）純粋な（２，３−ジヒドロ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキシン−２−イル）−メタノールを単離した。

４−（２，３−ジヒドロ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキシン
−２−イル−メトキシ）−ブタン−１−スルホン酸ナトリウム塩の合成

（２，３−ジヒドロ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキシン−２−イル）−メタノール（６．９ｇ，４０ミリモル）をテトラヒドロフラン（１００ｍＬ）中に溶解し、Ｎ_２によりガスシールした。ＮａＨ（１．７６ｇ）を加え、攪拌を３０分間続けた。次いでブタンスルトン（６．０ｇ）を滴下し、その後反応混合物を３時間還流させた。次いでそれを再び２５℃に冷却し、溶媒を除去し、メタノールを加え、混合物を攪拌し、濾過し、濾液を濃縮した。残留油をヘキサン及びエタノールの添加により固化させ、続いて攪拌した。最終的濾過及び乾燥は、ＮＭＲ及び質量分析により示される通り純粋な４−（２，３−ジヒドロ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキシン−２−イルメトキシ）−ブタン−１−スルホン酸ナトリウム塩を生じた。

４−（２，３−ジヒドロ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキシン
−２−イルメトキシ）−ブタン−１−スルホン酸ナトリウム塩の化学的重合
４−（２，３−ジヒドロ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキシン−２−イルメトキシ）−ブタン−１−スルホン酸ナトリウム塩（０．６６ｇ，２．０ミリモル）を酸素−非含有水（２０ｍＬ）中に溶解した。溶液を８０℃に加熱し、その後Ｆｅ（ＯＴｓ）_３．６Ｈ_２Ｏ（４．０６ｇ，６．０ミリモル）を加えた。溶液の色は直後に暗青色に変わった。反応混合物を８０℃にさらに３．５時間保ち、その後それを冷却し、濾過した。カチオン性及びアニオン性樹脂を用いるイオン交換により、最終的に濾液から鉄、ナトリウム及びトシレートイオンを除去し、暗青色のＰＥＤＯＴ−Ｓ水溶液を得た。最後に脱イオン水を用いて溶液を１重量％のＰＥＤＯＴ−Ｓに希釈した。

発光装置１〜１０
エレクトロルミネセントＺｎＳ：Ｃｕ分散液の調製
以下の溶液を調製した：

室温に保たれ、且つ１５００ｒｐｍで攪拌されている溶液３に、溶液１及び２を両方とも５００ｍｌ／分の流量において室温で同時に加えた。得られる分散液の１０００ｍｌに、水酸化アンモニウムを用いてｐＨ６に調節された１０００ｍｌの１％ポリリン酸溶液を加え、Ｆｒｅｓｅｎｉｕｓ Ｆ６０カートリッジを用いる限外濾過により分散液を１０００ｍｌに濃縮した。続いて水中の水酸化アンモニウム溶液を用いてｐＨ６に調節されたポリリン酸溶液の１％溶液の５５００ｍｌを用いることにより、この分散液をダイアフィルトレーションした。分散液をさらに約５７０ｍｌの体積に濃縮し、３０ｇ／ＬのＺｎＳ：Ｃｕ及び１％ポリリン酸を含有するｐＨ６における水性分散液を調製した。次いで分散液を１時間ボールミル磨砕した。得られる分散液の２０ｍｌを次いで氷中で冷却しながら超音波棒（Ｓｏｎｉｃｓ ＆ ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｉｎｃ．からのＶｉｂｒａ ｃｅｌｌ ＶＣＸ ４００Ｗ−振幅 約７８％−出力 ４０％）を用いて３分間超音波処理した。次いで水中のポリ（ビニルピロリドン）の５重量％水溶液の３．２ｇを１６．８ｇのＺｎＳ：Ｃｕ分散液に加え、続いて超音波棒を用いて５分間さらに超音波処理した。次いで０．５ｍｌのＺＯＮＹＬ^ＴＭ ＦＳＯ１００を１重量％水溶液として加え、続いて十分に攪拌した。得られる分散液を次いで５μｍ ＭＩＬＬＩＰＯＲＥ^ＴＭ フィルターを介して濾過し、それによりエレクトロルミネセントＺｎＳ：Ｃｕのナノ−分散液を調製した。

パターン化（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ）ＩＴＰ電極の製造
約８０オーム／平方の表面抵抗を有するＩＳＴからの１７５μｍの厚さのポリ（エチレンテレフタレート）［ＰＥＴ］上の酸化錫インジウム［ＩＴＯ］層を正孔−伝導電極として用いた。５ｘ５ｃｍ^２のＩＴＯ／ＰＥＴシートに、３Ｍからの２ｃｍのマジックテープＳｃｏｔｃｈ ８１０を用いて板の中央部分においてテープを被せた（ｔａｐｅｄ ｏｆｆ）。５０ｍＬの濃塩酸、５０ｍＬの脱イオン水及び４ｍＬの濃硝酸から成る溶液を用い、ＩＴＯ板の側（ｓｉｄｅｓ）をエッチングした。エッチングの後、ＩＴＯ／ＰＥＴシートを水で数回洗浄し、続いてヘアドライヤーで乾燥した。乾燥の後、テープを除去し、イソプロパノールを含む容器中にシートを入れ、それを超音波浴中に１０分間入れた。後にそれらを５０℃で１０分間乾燥した。各ＩＴＯ／ＰＥＴシートは中央部分に２ｃｍの伝導性ＩＴＯのバンドを含有した。

電子遮断層の調製及び適用
表１１に示す溶液／分散液を調製した。

溶液４、５、６及び７をパターン化されたＩＴＯ／ＰＥＴシート上に８００ｒｐｍにおいて６秒間、及び次いで４０００ｒｐｍにおいて５０秒間スピンコーティングし、層を４０℃で１０分間乾燥した。これは約５〜１０ｎｍの層厚さを生じ、それによりそれぞれ装置２、３、４及び５のための基質が製造された。

溶液８、９、１０、１１及び１２をパターン化されたＩＴＯ／ＰＥＴ上に８００ｒｐｍにおいて６秒間、及び次いで１５００ｒｐｍにおいて５０秒間スピンコーティングし、層を４０℃で１０分間乾燥した。これは約１００ｎｍの層厚さを生じた。それによりそれぞれ装置６、７、８、９及び１０のための基質が製造された。

厚さはガラス上にスピンコーティングされた層を用い、ＤＥＫＴＡＫ^ＴＭプロフィロメーターを用いて測定された。ＩＴＯ／ＰＥＴ上で類似の層厚さを予測することができる。

エレクトロルミネセント層の適用
電子遮断層のないパターン化されたＩＴＯ／ＰＥＴの上に、エレクトロルミネセントナノＺｎＳ：Ｃｕ−分散液を１０００ｒｐｍにおいて６秒間、続いて２０００ｒｐｍにおいて５０秒間スピンコーティングした。エレクトロルミネセントナノＺｎＳ：Ｃｕ−分散液を装置２〜２５の基質に同じ方法で、用いられる特定の遮断層の上に適用した。

得られる層を次いで５０℃で１０分間乾燥し、それにより１００ｎｍのエレクトロルミネセントＺｎＳ：Ｃｕ−層厚さが得られた。

アルミニウム電極の適用
続いてスピンコーティングされた二重層上にマスクを用い、１．３３ｘ１０^−４Ｎｍ^−２Ｐａの真空において、１６０ｎｍの厚さのアルミニウム電極（陰極）を真空蒸着させた。発出面積（ｅｍｉｓｓｉｏｎ ａｒｅａ）は２５ｍｍ^２であった。装置の構造を図１に示す。

発光装置の性能
発光装置２〜１０に関する結果を、同時に製造されたがパターン化されたＩＴＯ−層とエレクトロルミネセント層の間に層を有していない装置１に関する結果と一緒に表１２に示す。

順方向バイアス（ｆｏｒｗａｒｄ ｂｉａｓ）において、装置は４９０ｎｍのλ_ｍａｘを有するエレクトロルミネセンスを示した。寿命測定のために、順方向バイアスを適用し、光出力（ｌｉｇｈｔ ｏｕｔｐｕｔ）を約０．５Ｃｄ／ｍ^２で一定に保つように電圧を上げた。最大電圧は１２Ｖであった。発光装置の寿命は、最適電圧の適用とさらなるエレクトロルミネセンスが観察され得ない瞬間の間の時間であると理解された。最適電圧は、最大の光出力が観察される電圧であった。

表１２から、層の片面上において陽極と、及び反対面上において正孔を輸送できる材料と連続する表面を有するポリリン酸（ＰＰＡ）に関し、その中に式Ｉに従うポリマー、例えばＰＥＤＯＴ−Ｓを５：１００、２０：１００及び５０：５０のＰＥＤＯＴ−Ｓ／ＰＰＡ重量比で導入することは、層を用いずに、ならびにＰＥＤＯＴ−Ｓ及びＰＰＡ層を用いて得られる向上を超える寿命における向上を生ずると結論することができる。

本発明は、暗黙にもしくは明白に本明細書中で開示されているいずれの特徴又は特徴の組み合わせあるいはそれらの一般化をも、それが現在特許請求されている発明に関連するかどうかに無関係に含むことができる。前記の記述を見て、本発明の範囲内で種々の修正を成し得ることが当該技術分野における熟練者に明らかであろう。

装置２〜１０で用いられる層配置及びエレクトロルミネセンスを得るために用いられる回路の側面及び平面の略図。

Claims (13)

1. ２個のアルコキシ基が同一であるかもしくは異なることができるか又は一緒になって場合により置換されていることができるオキシ−アルキレン−オキシ架橋を示す、場合により置換されていることができる３，４−アルキレンジオキシチオフェン構造単位を含有するポリマーと、ポリリン酸、ポリリン酸塩、チア−アルカンジカルボン酸、シクロヘキサジエン化合物及びテトロン酸誘導体；少なくとも１個のスルホ基を有するオルト−ジヒドロキシベンゼン化合物、式（Ｉ）：
   ＨＯ−ＣＨ_２−ＣＨ（ＯＨ）−（ＣＨ_２）_ｍ−Ｓ−ＣＨ_２−Ｃ（Ｒ^１）（Ｒ^２）−
   ＣＨ_２−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｎ−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ_２−ＯＨ （Ｉ）
   ［式中、Ｒ^１及びＲ^２は独立してＨ、−ＯＨ又はアルキルであり、ｎ及びｍは独立して１、２又は３である］
   に従う化合物；式（ＩＩ）：
   ＨＯ−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｓ−ＣＨ_２−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｑ−ＯＨ （ＩＩ）
   ［式中、ｐ及びｑは独立して２、３又は４である］
   に従う化合物；テトロン酸誘導体に加水分解され得る化合物；式（Ｉ）に従う化合物に加水分解され得る化合物より成る群から選ばれるポリヒドロキシ−化合物ならびにスルホ−置換２−チア−アルキル−ベンズイミダゾール化合物より成る群から選ばれる化合物とを含有する層を含んでなる支持体上の層配置。
2. 該場合により置換されていることができる３，４−アルキレンジオキシチオフェン構造単位が式（ＩＩＩ）：
   

   

   ［式中、Ｘ及びＹはＯであり、Ｚは−（ＣＨ_２）_ｍ−ＣＲ^３Ｒ^４−（ＣＨ_２）_ｎ−であり；Ｒ^３は水素又は−（ＣＨ_２）_ｓ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｐ−ＳＯ_３ ⁻Ｍ^＋であり；Ｒ^４は−（ＣＨ_２）_ｓ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｐ−ＳＯ_３ ⁻Ｍ^＋であり；Ｍ^＋はカチオンであり；ｍ及びｎは独立して０〜３の整数であり；ｓは０〜１０の整数であり；ｐは１〜１８の整数である］
   により示される請求項１に従う層配置。
3. 該場合により置換されていることができる３，４−アルキレンジオキシチオフェン構造単位を含有するポリマーが式（ＩＶ）
   

   

   ［式中、Ｘ及びＹはＯであり；Ｚは−（ＣＨ_２）_ｍ−ＣＲ^３Ｒ^４−（ＣＨ_２）_ｎ−であり；Ｒ^３は水素又は−（ＣＨ_２）_ｓ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｐ−ＳＯ_３ ⁻Ｍ^＋であり；Ｒ^４は−（ＣＨ_２）_ｓ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｐ−ＳＯ_３ ⁻Ｍ^＋であり；Ｍ^＋はカチオンであり；ｍ及びｎは独立して０〜３の整数であり；ｓは０〜１０の整数であり；ｐは１〜１８の整数であり；ｑは２〜１０，０００の整数である］
   に従うポリチオフェンである請求項１又は２に従う層配置。
4. 該場合により置換されていることができる３，４−アルキレンジオキシチオフェン構造単位を含有するポリマーがポリ［４−（２，３−ジヒドロ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキシン−２−イルメトキシ）−ブタン−１−スルホン酸］である請求項１〜３のいずれかに従う層配置。
5. 該ポリマーがポリ（３，４−メチレンジオキシ−チオフェン）、ポリ（３，４−メチレンジオキシチオフェン）誘導体、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシ−チオフェン）誘導体、ポリ（３，４−プロピレンジオキシチオフェン）、ポリ（３，４−プロピレンジオキシチオフェン）誘導体、ポリ（３，４−ブチレンジオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ブチレンジオキシチオフェン）誘導体及びそれらを用いるコポリマーより成る群から選ばれる請求項１〜４のいずれかに従う層配置。
6. 該場合により置換されていることができる３，４−アルキレンジオキシチオフェン構造単位を含有するポリマーがポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）である請求項１に従う層配置。
7. 該層がさらにポリアニオンを含有する請求項１〜６のいずれかに従う層配置。
8. 該ポリアニオンがポリ（スチレンスルホネート）である請求項７に従う層配置。
9. 該層配置が発光ダイオードである請求項１〜８のいずれかに従う層配置。
10. 該層配置が光起電力装置である請求項１〜８のいずれかに従う層配置。
11. 該層配置が太陽電池である請求項１〜８のいずれかに従う層配置。
12. 該層配置がトランジスタである請求項１〜８のいずれかに従う層配置。
13. 該層配置がエレクトロルミネセント装置である請求項１〜８のいずれかに従う層配置。

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