JP2006502276A - ポリカーボネート製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
観察を容易にすると共に、純度を確保するため、むくニッケル製らせん型撹拌機を備えた1リットルのガラスバッチ反応器内で溶融エステル交換反応を行った。反応器の底部は、最終融液を取り出すための破断可能なガラスニップルを有していた。ガラスからナトリウムを除去するため、反応器を3N HCl中に12時間以上浸し、次いで18MΩの水中に12時間以上浸した。次に、反応器をオーブン内で1晩乾燥し、使用時までカバーをして保管した。反応器の温度は、PID調節器を備えた流動砂浴を用いて維持し、反応器と砂浴の界面付近で測定した。反応器の圧力は、留出物捕集フラスコの下流にある真空ポンプ中への窒素放出によって調節し、高い圧力(760〜40mmHg)では水銀気圧計で測定し、低い圧力(40〜1mmHg)ではEdwardsピラニ真空計で測定した。
Claims (28)
- ポリカーボネートの製造方法であって、(A)テトラアリールホスホニウム化合物及び適宜助触媒を含む触媒の存在下、約220〜約280℃の範囲内の温度及び約180〜約20mbarの範囲内の圧力で1種以上のジアリールカーボネート及び1種以上のジヒドロキシ芳香族化合物をオリゴマー化して、約1000〜約7500ダルトンの範囲内の数平均分子量を有するオリゴマーポリカーボネートを得る段階と、(B)第二の段階において、段階(A)で生成したオリゴマーポリカーボネートを約280〜約310℃の範囲内の温度及び約15〜約0.1mbarの範囲内の圧力で加熱して、約15000〜約50000ダルトンの重量平均分子量を有するポリカーボネートを得る段階とを含んでなり、当該方法は約1000ppm未満のフリース生成物を含む、方法。
- 前記ジヒドロキシ芳香族化合物が次式の構造Iを有するビスフェノールである、請求項1記載の方法。
- 前記ビスフェノールが、ビスフェノールA、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−クロロ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−ブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−イソプロピルフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)シクロヘキサン及び1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサンからなる群から選択される、請求項2記載の方法。
- 前記ジアリールカーボネートが、ジフェニルカーボネート、ビス(4−メチルフェニル)カーボネート、ビス(4−クロロフェニル)カーボネート、ビス(4−フルオロフェニル)カーボネート、ビス(2−クロロフェニル)カーボネート、ビス(2,4−ジフルオロフェニル)カーボネート、ビス(4−ニトロフェニル)カーボネート、ビス(2−ニトロフェニル)カーボネート及びビス(メチルサリチル)カーボネートからなる群から選択される、請求項1記載の方法。
- 前記陰イオンが、水酸化物イオン、ハロゲン化物イオン、カルボン酸イオン、フェノキシドイオン、スルホン酸イオン、硫酸イオン、炭酸イオン、テトラフェニルホウ酸イオン及び重炭酸イオンからなる群から選択される、請求項6記載の方法。
- 前記第四級ホスホニウム化合物がテトラフェニルホスホニウム−テトフェニルボロネートである、請求項6記載の方法。
- 前記助触媒がアルカリ金属水酸化物である、請求項1記載の方法。
- 前記助触媒が水酸化ナトリウムである、請求項9記載の方法。
- 前記オリゴマー化が1種以上の末端封鎖剤の存在下で実施される、請求項1記載の方法。
- 前記末端封鎖剤がヒドロキシ芳香族化合物である、請求項11記載の方法。
- 前記ヒドロキシ芳香族化合物が、フェノール、p−tert−ブチルフェノール、p−クミルフェノール及びカルダノールからなる群から選択される、請求項12記載の方法。
- 連続法である、請求項1記載の方法。
- バッチ法である、請求項1記載の方法。
- ポリカーボネートの製造方法であって、1種以上のテトラアリールホスホニウム化合物を含む触媒及び適宜1種以上のアルカリ金属水酸化物を含む助触媒の存在下、溶融重合条件下で1種以上のジヒドロキシ芳香族化合物を1種以上のジアリールカーボネートと接触させて生成物ポリカーボネートを製造することを含んでなり、前記接触は2以上の段階で実施され、前記生成物ポリカーボネートは約1000ppm未満のフリースを含む、方法。
- 前記二つの段階が、約1000〜約7500ダルトンの範囲内の数平均分子量を有するオリゴマーポリカーボネートを与えるオリゴマー化段階と、前記オリゴマーポリカーボネートを約15000〜約50000ダルトンの範囲内の重量平均分子量を有する高分子量ポリカーボネートに転化させる1以上の後続重合段階とからなる、請求項16記載の方法。
- オリゴマー化段階が約220〜約280℃の範囲内の温度及び約180〜約20mbarの範囲内の圧力で実施され、重合段階が約280〜約310℃の範囲内の温度及び約15〜0.1mbarの圧力で実施される、請求項16記載の方法。
- 前記ジアリールカーボネートが、ジヒドロキシ芳香族化合物1モル当たりジアリールカーボネート約0.95〜約1.15モルに相当する量で使用される、請求項16記載の方法。
- 前記ジヒドロキシ芳香族化合物が次式の構造Iを有するビスフェノールである、請求項16記載の方法。
- 前記ビスフェノールが、ビスフェノールA、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−クロロ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−ブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−イソプロピルフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)シクロヘキサン及び1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサンからなる群から選択される、請求項16記載の方法。
- 前記ジアリールカーボネートが、ジフェニルカーボネート、ビス(4−メチルフェニル)カーボネート、ビス(4−クロロフェニル)カーボネート、ビス(4−フルオロフェニル)カーボネート、ビス(2−クロロフェニル)カーボネート、ビス(2,4−ジフルオロフェニル)カーボネート、ビス(4−ニトロフェニル)カーボネート、ビス(2−ニトロフェニル)カーボネート及びビス(メチルサリチル)カーボネートからなる群から選択される、請求項16記載の方法。
- 前記ジアリールカーボネートがジフェニルカーボネートであり、前記ジヒドロキシ芳香族化合物がビスフェノールAである、請求項16記載の方法。
- 前記陰イオンが、水酸化物イオン、ハロゲン化物イオン、カルボン酸イオン、フェノキシドイオン、スルホン酸イオン、硫酸イオン、炭酸イオン、テトラフェニルホウ酸イオン及び重炭酸イオンからなる群から選択される、請求項16記載の方法。
- 前記第四級ホスホニウム化合物がテトラフェニルホスホニウム−テトフェニルボロネートである、請求項16記載の方法。
- ビスフェノールAポリカーボネートの製造方法であって、(A)テトラアリールホスホニウム化合物及び水酸化ナトリウムを含む触媒の存在下、約220〜約280℃の範囲内の温度及び約180〜約20mbarの範囲内の圧力で1種以上のジフェニルカーボネート及びビスフェノールAをオリゴマー化して、約1000〜約7500ダルトンの範囲内の数平均分子量を有するオリゴマーポリカーボネートを得る段階と、(B)第二の段階において、段階(A)で生成したオリゴマーポリカーボネートを約280〜約310℃の範囲内の温度及び約15〜約0.1mbarの範囲内の圧力で加熱して、約15000〜約50000ダルトンの重量平均分子量を有するポリカーボネートを得る段階とを含んでなり、当該方法は約1000ppm未満のフリース生成物を含む、方法。
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