JP2006352015A - 面発光型半導体レーザ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明に係るVCSEL1は、基板100上に発光部10とダミー部20を含んでいる。発光部10およびダミー部20は、n型の下部半導体多層反射膜102、活性層104、p型の電流狭窄層106、p型の上部半導体多層反射膜108及びコンタクト層110を含んでいる。発光部10とダミー部20は絶縁部120によって電気的に絶縁され、発光部10のアノードは、発光部用上部電極130に接続され、ダミー部20のアノードは、ダミー部用上部電極140に接続され、発光部10およびダミー部20のカソードは、下部共通電極150に接続されている。ダミー部20は、発光部10の保護機能を有する。
【選択図】 図1
Description
複数のトレンチ等を形成しなければならず、構造が複雑化するという欠点がある。
さらに本発明は、高速応答性を有し、かつ、静電放電に対する耐圧の向上を図る面発光型半導体レーザを提供することを目的とする。
20:ダミー部 30、32:メサ
100:基板 102:下部半導体反射鏡
104:活性層 106:電流狭窄層
108:上部半導体多層反射鏡 110:コンタクト層
120:絶縁部 130:発光部用上部電極
132:開口 134:ボンディングパッド
140:ダミー部用上部電極 142:空隙
144:金ワイヤ 146:接地電位
150:下部共通電極
Claims (21)
- 基板上に少なくとも1つの発光素子と少なくとも1つの保護素子が形成された面発光型半導体レーザであって、
発光素子は第1導電型の半導体層と第2導電型の半導体層を含み、第1導電型の半導体層は第1の電極に電気的に接続され、第2導電型の半導体層は第2の電極に電気的に接続され、
保護素子は第1導電型の半導体層と第2導電型の半導体層を含み、第1導電型の半導体層は第3の電極に電気的に接続され、第2導電型の半導体層は、前記第2の電極に電気的に接続され、
発光素子の第1導電型の半導体層および第1の電極は、絶縁手段により保護素子の第1導電型の半導体層および第3の電極から電気的に絶縁されている、面発光型半導体レーザ。 - 第1導電型はp型であり、第2導電型はn型であり、第1の電極は、発光素子のアノードであり、第2の電極は、発光素子のカソードであり、第3の電極は基準電位に接続された電極である、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
- 基板上に、第1および第2導電型の半導体層が積層されており、第1の電極は、発光素子の第1導電型の半導体層の上部に形成され、第3の電極は、保護素子の第1導電型の半導体層の上部に形成され、第2の電極は、発光素子および保護素子の第2導電型の半導体層の下部に形成されている、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
- 絶縁手段は、トレンチ溝または空隙である、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
- 絶縁手段は、高抵抗領域である、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
- 第3の電極の面積は、第1の電極の面積よりも大きい、請求項1ないし5いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 発光素子および保護素子は、第1導電型の半導体層と第2導電型の半導体層との間に電流狭窄手段を有する、請求項1ないし6いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 電流狭窄手段は、第1導電型の半導体層の一部を選択的に酸化した酸化層を含む、請求項7に記載の面発光型半導体レーザ。
- 発光素子および保護素子は、電流狭窄手段に近接して活性層を有する、請求項1ないし8いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 保護素子の電流狭窄手段により規定された活性層の面積が、発光素子の電流狭窄手段により規定された活性層の面積よりも大きい、請求項9に記載の面発光型半導体レーザ。
- 第1および第2導電型の半導体層は、それぞれ半導体多層反射膜を含む、請求項1ないし10いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 保護素子の逆バイアスによるブレークダウン電圧は、発光素子の逆バイアスによるブレークダウン電圧よりも小さい、請求項1ないし11いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 発光素子は、基板上に形成された少なくとも1つのメサを有し、第1の電極はメサ頂部において第1導電型の半導体層と電気的に接続され、かつメサ頂部からレーザ光を出射するための開口を含む、請求項1ないし12いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 第1の電極は、ボンディングパッドを含む、請求項1ないし13いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 第3の電極は、ボンディングパッドを含む、請求項1ないし13いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 第3の電極は、接地電位に接続される、請求項1ないし15いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 請求項1ないし16いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザを実装したモジュール。
- 請求項17に記載されたモジュールと、モジュールから発せられた光を送信する送信手段とを備えた、光送信装置。
- 請求項17に記載されたモジュールと、モジュールから発せられた光を空間伝送する伝送手段とを備えた、光空間伝送装置。
- 請求項17に記載されたモジュールと、モジュールから発せられた光を送信する送信手段とを備えた、光送信システム。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012518903A (ja) * | 2009-02-25 | 2012-08-16 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | フォトン冷却依存レーザー電圧を使用するレーザーダイオードのための出力パワーの安定化 |
JP2012186326A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ駆動装置の製造方法 |
JP2019201169A (ja) * | 2018-05-18 | 2019-11-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光素子アレイ、発光素子アレイの製造方法、および光伝送装置 |
WO2022197115A1 (ko) * | 2021-03-17 | 2022-09-22 | 서울대학교산학협력단 | 광자결정 반도체 레이저 소자 및 그 제작 방법 |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007056713A2 (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-18 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | An optical network |
JP2007317687A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Seiko Epson Corp | 光素子ウェハ、並びに、光素子チップおよびその製造方法 |
US8582972B2 (en) * | 2006-08-31 | 2013-11-12 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for storing optical data |
WO2008080122A2 (en) * | 2006-12-22 | 2008-07-03 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and method for on-chip data communication |
JP5029079B2 (ja) * | 2007-03-15 | 2012-09-19 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体素子および光学装置 |
US20080285971A1 (en) * | 2007-03-23 | 2008-11-20 | Odile Liboiron-Ladouceur | Switch for optical interconnection networks |
JP5228363B2 (ja) * | 2007-04-18 | 2013-07-03 | ソニー株式会社 | 発光素子 |
JP2009246291A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光レーザアレイ素子 |
KR101007137B1 (ko) * | 2010-03-08 | 2011-01-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
JP2012248812A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光集積素子の製造方法 |
TWM441261U (en) * | 2012-05-18 | 2012-11-11 | Truelight Corp | Laser diode array die structure and has the laser diode array die structure of package device |
US9746412B2 (en) | 2012-05-30 | 2017-08-29 | Iris International, Inc. | Flow cytometer |
US8816383B2 (en) * | 2012-07-06 | 2014-08-26 | Invensas Corporation | High performance light emitting diode with vias |
WO2015055600A1 (en) | 2013-10-16 | 2015-04-23 | Koninklijke Philips N.V. | Compact laser device |
JP6743436B2 (ja) * | 2016-03-17 | 2020-08-19 | 株式会社リコー | 面発光レーザアレイ、及びレーザ装置 |
JP2018026478A (ja) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光素子、発光素子アレイ、及び光伝送装置 |
JP6380512B2 (ja) * | 2016-11-16 | 2018-08-29 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光素子アレイ、および光伝送装置 |
CN109449754B (zh) * | 2018-11-27 | 2023-12-01 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
US10951003B1 (en) * | 2020-02-25 | 2021-03-16 | Inphi Corporation | Light source for integrated silicon photonics |
CN111224320A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-06-02 | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 | 一种激光器芯片及其制造方法与应用 |
CN111969414B (zh) * | 2020-08-26 | 2021-08-17 | 东南大学苏州研究院 | Vcsel单元单独可控的激光器 |
TWI741854B (zh) * | 2020-10-26 | 2021-10-01 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型半導體元件 |
US11909171B2 (en) | 2021-03-31 | 2024-02-20 | Apple Inc. | Laser-integrated balance detection for self-mixing interferometry |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0927651A (ja) * | 1995-07-12 | 1997-01-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ |
JP2001156386A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Sony Corp | 半導体レーザ |
JP2002252425A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Ricoh Co Ltd | 長波長帯面発光レーザ素子を用いた光空間伝送システム |
JP2002374039A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-12-26 | Ricoh Co Ltd | 光送受信システムおよび光通信システム |
JP2003198048A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-11 | Sharp Corp | 半導体発光素子駆動装置 |
JP2003283038A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-03 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光装置 |
JP2003324233A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 表面発光型半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP2004031633A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Ricoh Co Ltd | 面発光半導体レーザ素子及び光伝送システム |
JP2005003847A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Fuji Xerox Co Ltd | 光波長多重通信用モジュールおよびこれを用いた光波長多重通信システム |
WO2005055379A1 (de) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittierendes halbleiterbauelement mit einer schutzdiode |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5386139A (en) * | 1992-04-16 | 1995-01-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting element with improved structure of groove therein |
US5468656A (en) * | 1994-11-29 | 1995-11-21 | Motorola | Method of making a VCSEL |
DE19612388C2 (de) * | 1996-03-28 | 1999-11-04 | Siemens Ag | Integrierte Halbleiterschaltung insb. optoelektronisches Bauelement mit Überspannungsschutz |
US6185240B1 (en) * | 1998-01-30 | 2001-02-06 | Motorola, Inc. | Semiconductor laser having electro-static discharge protection |
JP2000216442A (ja) | 1999-01-22 | 2000-08-04 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
-
2005
- 2005-06-20 JP JP2005179402A patent/JP5055717B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-29 US US11/319,393 patent/US7305018B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0927651A (ja) * | 1995-07-12 | 1997-01-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ |
JP2001156386A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Sony Corp | 半導体レーザ |
JP2002252425A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Ricoh Co Ltd | 長波長帯面発光レーザ素子を用いた光空間伝送システム |
JP2002374039A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-12-26 | Ricoh Co Ltd | 光送受信システムおよび光通信システム |
JP2003198048A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-11 | Sharp Corp | 半導体発光素子駆動装置 |
JP2003283038A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-03 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光装置 |
JP2003324233A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 表面発光型半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP2004031633A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Ricoh Co Ltd | 面発光半導体レーザ素子及び光伝送システム |
JP2005003847A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Fuji Xerox Co Ltd | 光波長多重通信用モジュールおよびこれを用いた光波長多重通信システム |
WO2005055379A1 (de) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittierendes halbleiterbauelement mit einer schutzdiode |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012518903A (ja) * | 2009-02-25 | 2012-08-16 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | フォトン冷却依存レーザー電圧を使用するレーザーダイオードのための出力パワーの安定化 |
JP2012186326A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ駆動装置の製造方法 |
JP2019201169A (ja) * | 2018-05-18 | 2019-11-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光素子アレイ、発光素子アレイの製造方法、および光伝送装置 |
JP7102930B2 (ja) | 2018-05-18 | 2022-07-20 | 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 | 発光素子アレイ、発光素子アレイの製造方法、および光伝送装置 |
WO2022197115A1 (ko) * | 2021-03-17 | 2022-09-22 | 서울대학교산학협력단 | 광자결정 반도체 레이저 소자 및 그 제작 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7305018B2 (en) | 2007-12-04 |
JP5055717B2 (ja) | 2012-10-24 |
US20060285567A1 (en) | 2006-12-21 |
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