JP2006326523A - 成膜方法、該成膜方法により形成された圧電膜、および該圧電膜を備えた圧電素子、ならびに該圧電素子を用いたインクジェット装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 エアロゾルデポジション法による成膜方法において、マスクなどを用いずに簡便に所望のパターンを成膜する。
【解決手段】 粒子を基体表面に向けて噴射して、前記表面上に前記粒子を構成する材料からなる膜を形成する成膜方法であって、前記材料が堆積する早さが異なる2つの領域を少なくとも備えた表面を有する基体を用意する工程と、成膜材料を含む多数の粒子を前記表面に噴射することで、前記2つの領域のうちの粗さの大きい領域上に前記成膜材料を含む膜を選択的に堆積させる工程と、を含むことを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】 粒子を基体表面に向けて噴射して、前記表面上に前記粒子を構成する材料からなる膜を形成する成膜方法であって、前記材料が堆積する早さが異なる2つの領域を少なくとも備えた表面を有する基体を用意する工程と、成膜材料を含む多数の粒子を前記表面に噴射することで、前記2つの領域のうちの粗さの大きい領域上に前記成膜材料を含む膜を選択的に堆積させる工程と、を含むことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明は、粒子をノズルから基板に向けて噴射することで、基板上に粒子を構成する材料を含む膜を形成する方法、該方法を用いて形成された膜、該方法を用いて形成された圧電膜、該圧電膜を用いた圧電素子、および該圧電素子を持ち浮いたインクジェット装置に関するものである。
従来から、粒子を基体表面に衝突させて基体上に成膜する方法として、エアロゾルデポジション法(「ガスデポジション法」と呼ぶ場合もある)がある。エアロゾルデポジション法は、近年では圧電セラミックス(例えば、ジルコン酸チタン酸鉛(以下「PZT」と略す)や、ビスマス酸チタン酸ナトリウム(以下「BNT」と略す))の膜(圧電膜)の成膜方法を筆頭に盛んに研究が行なわれている。
エアロゾルデポジション法は成膜速度が速く、スパッタ法などと比較して、例えばPZT等の形成において、数倍以上の成膜速度が得られる。スパッタでは、数μm〜数十μmの厚膜を形成するのに数時間から数十時間を要するが、エアロゾルデポジションでは成膜領域にもよるが、比較的短時間での形成が可能である。
また、スパッタ法でPZTを数十μmの厚膜を形成した場合、成膜中にPb成分が抜け組成を均一に維持するのが困難であるという問題もあるが、エアロゾルデポジションでは、使用材料の組成がほぼそのまま膜組成と同一となる。
また、PZT厚膜を形成する方法として、バルクから機械的に薄く加工し接着剤を介して固定する方法もあるが、PZTに代表される酸化物系の圧電素子は脆性材料のため、薄め加工に限度があり、0.1mmぐらいまでにしかできない。また、圧電によるひずみを接着剤が吸収してしまうという問題があり、特に高周波数帯域でその影響が大きくなる。そこで、PZT厚膜を形成するのにエアロゾルデポジション法は他の方法に比べ有利な点が多い。
エアロゾルデポジション法は、粒子をノズルを通して基板に吹き付け、基板上に粒子を構成する材料を含む膜を形成する成膜方法である。この成膜法に用いる装置は、エアロゾル形成室(第1のチャンバ)、成膜室(第2のチャンバ)、エアロゾル形成室と成膜室とをつなぐ搬送管、を備える。
エアロゾル形成室内では、例えば、不活性ガス雰囲気中で、アーク加熱、抵抗加熱、高周波誘導加熱、レーザ加熱等の加熱手段で加熱することで成膜材料を蒸発させ、その蒸発させた成膜材料が不活性ガスと衝突することで成膜材料の粒子が生成されると共に、その粒子が分散したエアロゾルが形成される。
また、エアロゾル形成室内で粒子を生成せずに、予め用意した成膜材料の粒子をエアロゾル形成室内でガスに分散させることで、エアロゾルを形成する場合もある。
そして、上記エアロゾル形成室と成膜室との圧力差により、搬送管を通じて、粒子を成膜室に導き、搬送管の端部に取り付けられたノズルから噴射させることで、基体上に直接成膜することができる。
エアロゾルデポジション法は成膜速度が速く、スパッタ法などと比較して例えばPZT等の形成で数倍以上の成膜速度が得られる。スパッタでは、数μm〜数十μmの厚膜を形成するのに数時間から数十時間を要するが、エアロゾルデポジションでは成膜領域にもよるが、比較的短時間での形成が可能である。
また、スパッタ法でPZTを数十μmの厚膜を形成した場合、成膜中にPb成分が抜け組成を均一に維持するのが困難であるという問題もあるが、エアロゾルデポジションでは、使用材料の組成がほぼそのまま膜組成と同一となる。
また、上記粒子としては、粒径が、典型的には数nm〜数十μmが好ましく用いられる。
そして、このようなエアロゾルデポジション法を用いて、所望形状の膜を得る方法が、以下の特許文献1、2に開示されている。また、粒子の材料としては、金属や絶縁体(誘電体)などの各種の成膜材料を用いることができる。圧電材料であるセラミックス(チタン酸ジルコン酸鉛(「PZT」と略す)やビスマス酸チタン酸ナトリウム(「BNT」と略す)など)の粒子を用いれば、圧電膜を直接基体上に形成することができる。
特許第3015869号明細書
特開2003−142750号公報
エアロゾルデポジション法を用いて所望形状の膜を形成しようとした場合、基体とノズルの間にマスクを設けることで膜をパターニングする必要があった。あるいは、また、膜形成部以外をレジストで覆った基体の全面に、エアロゾルデポジション法によって成膜した後、レジストを除去することで膜をパターニングする必要があった。
しかしながら、マスキングにより膜のパターニングを行った場合、膜のエッジ部がすそを引いたようにダレる形状となる場合があった(図3、図4参照)。尚、図3、図4において、19は基板であり、13はマスク、14は基板19上に堆積した膜である。この形態においては、紙面の上方から基板19に向けて、エアロゾルデポジション法により、成膜材料の粒子が噴射される。形成された膜14の断面形状において、膜14の側面が基板表面に対し垂直ではなく、膜14の中央部から外側に向け膜厚が薄くなる形状となり易かった。これは、マスク13のエッジ部の影響であると考えられる。つまり、エッジ部で方向を変えられた粒子が形成された膜自身をエッチングすることが原因の一つと考えられる。
また、図5のように、膜形成部以外の基体19の表面をレジスト15で覆い、レジスト15全体が覆われるようにエアロゾルデポジションによる膜17を形成した場合、レジスト15の側壁のテーパー角等条件によっては、図6のように、レジストを剥離することで形成された膜14の側面にバリ状の欠陥などが生じる場合があった。
上述したパターニング方法により、圧電材料の粒子を用いて圧電膜を形成し、これを圧電素子に適用した時、圧電膜の形態が図3、図4、図6に示すような形態であった場合には、圧電膜中の電界強度分布が不均一になってしまう。その結果、圧電素子の変形量や動きが不均一となってしまう。
また、上述のように台形形状では、膜と膜との間隔を狭ギャップ化するほど不利となる。
また、厚膜のPZT膜を基体上に形成する方法として、バルクから機械的に薄く加工し接着剤を介して基体に固定する方法もある。しかしながら、PZTに代表される酸化物系の圧電体は脆性材料であり、薄く加工するのにも限度がある(例えば0.1mmぐらいまで)。また、圧電体に電圧を印加した際に生じる変形を、接着剤が吸収してしまうという問題もあり、特に高周波数帯域でその影響が大きくなる。そのため、厚みの厚い圧電膜を基体上に直接成膜することのできるエアロゾルデポジション法は他の方法に比べ有利な点が多い。
そこで、本発明では、エアロゾルデポジション法により形成する膜が矩形に近く、図6に示す様なバリ状の欠陥もなく、さらに容易にパターニングできる方法を提供するものである。
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、エアロゾルでポジション法において、予め基体表面(成膜面)に、粒子を構成する材料が堆積する速さが異なる領域を設けた後に、エアロゾルデポジション法で基体に向けて粒子を噴射することで、粒子の堆積速度が早い領域に優先的に粒子を構成する材料からなる膜の堆積を行うものである。
即ち、本発明は、粒子を基体表面に向けて噴射して、前記基体表面上に前記粒子を構成する材料からなる膜を形成する成膜方法であって、成膜材料が堆積する早さが異なる2つの領域を少なくとも備えた表面を有する基体を用意する工程と、成膜材料を含む多数の粒子を前記基体表面に噴射することで、前記2つの領域のうちの前記堆積する早さがより早い領域上に前記成膜材料を含む膜を選択的に堆積させる工程と、を含むことを特徴とする成膜方法である。
また、本発明は、「前記2つの領域のうちの一方が、少なくとも0.5μm以上の表面粗さを有し、他方が0.5未満の表面粗さを有すること」、「前記2つの領域のうちの一方が、少なくとも200よりも大きいビッカース硬度を有し、他方が、200以下のビッカース硬度を有すること」、「前記粒子が、エアロゾルデポジション法により、前記基体表面に向けて噴射されること」、をもその特徴とするものである。
そして、また、本発明は、上記成膜方法を用いて形成された膜、及び上記成膜方法を用いて形成された圧電膜、該圧電膜を備えた圧電素子、および該圧電素子を備えたインクジェット装置をも、その特徴とするものである。
以上説明してきたように、本発明は、エアロゾルデポジションによる成膜において、微粒子を噴射する面のうち、微粒子を堆積させたくない部分を、あらしておくことまたは硬い金属等のコーティングによりヤング率を高くしておくことなどの被成膜面の堆積レートを所定のパターンで変えておくことにより、選択的に成膜を行なうものである。この方法により、メタルマスクまたはレジストマスクを使用する必要がなくなるため、数μmから数十μmの厚膜で、バリ状の欠陥がなく、かつすそを引かない矩形形状の膜をハイアスペクトで形成できる。
また、特に圧電膜の場合、このように矩形形状に近いほど圧電膜中の電界強度が均一になる為、特性上有利である。
図1は本発明が好ましく適用可能なエアロゾルデポジション装置の一例の概略構成図である。
この装置は、エアロゾル形成室(第1のチャンバ)1と、成膜室(第2のチャンバ)2と、エアロゾル形成室1と成膜室2とをつなぐ搬送管3と、を備える。
成膜時においては、エアロゾル形成室1内の圧力は成膜室2内の圧力よりも高く維持される。そのため、好ましくは、エアロゾル形成室1と成膜室2には夫々真空排気装置11を設ける。エアロゾル形成室1内で形成されたエアロゾル(成膜材料の粒子が分散した気体)が、エアロゾル形成室1内の圧力と成膜室2内の圧力との圧力差で、搬送管3を通って、成膜室2内に導かれる。
エアロゾル形成室1内には、成膜材料101が配置される容器100と、成膜材料101との間にアーク放電を生じさせるための電極4が配置されている。電極4の先端は、複数のサブ電極5を備えることもできる。このように複数のサブ電極5を配置すれば、アーク放電によって生じる熱による成膜材料101の蒸発を、均一性高く行うことができる。特に、サブ電極5の各々の先端は、容器100内に配置された成膜材料101のほぼ同じ箇所に向けられていることが、上記成膜材料101の蒸発を均一性高く行うために好ましい。また、成膜材料101を収容する容器100は典型的には導電性の材料で構成されるため、上記したアーク放電は、電極4と容器100との間に電圧を印加することで形成することもできる。また、エアロゾル形成室1内にガスを導入するためのガスボンベ7を備えることもできる。このボンベ7には好ましくは窒素ガスやその他の不活性ガスが貯蔵される。そしてボンベ7からエアロゾル形成室1内に導入された上記ガスに、上記成膜材料101の蒸気が触れることで、エアロゾル形成室1内において成膜材料の粒子が生成され、同時に、当該粒子が上記ガス中に分散したエアロゾルが形成される。
また、第2のチャンバ2内の搬送管3の先端はノズル8を備えており、上記エアロゾルがこのノズル8を通過することで、エアロゾルの流速を極度に速めることができる。そして、第2のチャンバ2内にはノズルから噴射された粒子が衝突する基体9(被成膜部材である基体9)と、基体9を固定するステージ10とが配置される。ステージ10としては、基体9がノズル8に対して相対的に可動できるように、X方向およびY方向に可動することのできるステージを用いることもできる。
また、本発明が適用されるエアロゾルデポジション装置としては、図2に示す形態であってもよい。
図1のエアロゾル形成室1では、粒子を生成したが、図2の形態においては、予め成膜材料の粒子を別途用意しておき、エアロゾル形成室1内にボンベ7から導入したガスに当該用意した粒子を分散させてエアロゾルを形成する。図2のその他の構成部材については図1で説明した構成部材と同じであるので説明を省略する。
そして、本発明においては、上記エアロゾルデポジション装置に適用する基体9の表面(成膜面)に、エアロゾル中の粒子を構成する材料が堆積する速さが異なる少なくとも2つの領域を設けてある。このようにすることで、従来必要としていたマスクなどを用いずに、基体9の表面の所望の領域に選択的に成膜することができ、また、成膜した後にウエットエッチングなどを行うことにより基体上に形成した膜が汚染されることも抑制することができる。
「エアロゾル中の粒子を構成する材料が堆積する速さが異なる少なくとも2つの領域」は、例えば、上記少なくとも2つの領域のそれぞれにおける、「表面粗さ」または「硬さ」、を異ならせることで実現することができる。即ち、基体9の成膜面に、「表面粗さ」または「硬さ」が異なる領域を2つ以上配置することで実現することができる。例えば、成膜する領域と成膜しない領域のみを基体9上に設けるのであれば、基体9の表面に2種類の「表面粗さ」(または「硬さ」)を用意することで足りる。さらに、膜厚や膜質を領域ごとに変えるのであれば、基体9上に設ける「表面粗さ」(または「硬さ」)の種類を、2種類よりも多く用意すればよい。
また、「表面粗さ」(または「硬さ」)の異なる領域は、上記基体9の表面に多数(>2)配置することもできる。また、多数(>2)の領域を設けた場合においては、全ての領域が2種類の「表面粗さ」(または「硬さ」)の領域で構成される場合と、全ての領域が2種類よりも多くの種類の「表面粗さ」(または「硬さ」)の領域で構成されるに分けることもできる。そしてまた、各領域を互いに離して配置したり、一部の領域が隣り合うように配置することもできる。
例えば、基体9の成膜面における「表面粗さ」の差によって成膜する領域(成膜材料を堆積させたい領域)と成膜しない領域(成膜材料を堆積させたくない領域)を規定する場合には、成膜材料を堆積させたい領域の表面を堆積させたくない領域の表面よりも平滑な状態に設定する。例えば、PZT粒子では成膜面の表面粗さが0.5μm以上の粗さでは成膜面の材料に関わらず堆積しない。そこで、堆積させたくない部分を各種ウエットエッチング、各種ドライエッチングで上記範囲に設定し、次にエアロゾルデポジション法で基板全面にPZT粒子を噴射することで、表面粗さが0.5μm未満の領域に選択的に成膜することができる。
次に、基体9の成膜面における「硬さ」(硬度)の差によって成膜する領域(成膜材料を堆積させたい領域)と成膜しない領域(成膜材料を堆積させたくない領域)を規定する場合には、成膜材料を堆積させたい領域の表面を堆積させたくない領域の表面よりも硬く設定する。例えば、基体9の表面のある領域のヤング率を250未満に設定することで、当該領域に選択的に成膜することができる。具体的には、基体9の表面であって、成膜したくない領域に、ヤング率250以上の膜を成膜する、あるいは、250以上のヤング率を備える表面であって、成膜したい領域にヤング率250未満の膜を成膜する。
ヤング率が250以上の材料としては、イリジウム、イリジウムを含有した合金、オスミウム、オスミウムを含有した合金などを挙げることができる。
尚、エアロゾルデポジション法において上述した本発明の成膜方法が適用できるためには、実用的には、以下に記す、粒子の粒径と、ノズル8から噴射される際の粒子(エアロゾル)の流速を満たすことが、再現性よく基板上の所望の領域に選択的に成膜するために重要である。さらには、ノズルの温度または基板の温度も以下の範囲に設定すると再現性が一層向上する。
本発明のエアロゾルデポジション法に用いる粒子の粒径としては、1次粒子の粒径としては0.1以上0.5μm以下が好ましい。この範囲は粒子をSEM観察することで判別することができる。また、2次粒子の粒径としては、1μm以上300μm以下が好ましい。この範囲は、ふるい分級器で計測することができる。また、搬送管3内での粒子の粒径としては、1μm以上10μm以下であることが好ましい。この粒径は、レーザー散乱式粒径計測装置で計測することができる。簡易的な条件としては、エアロゾル形成室内の2次粒子の粒径で定義することができる。
また、ノズル8から噴射された時の粒子の流速としては、使用するノズル8のコンダクタンス、ポンプ11の容量にもよるが、150m/sec.以上280m/sec.以下であることが好ましい。この速度は、例えばレーザードップラー流速計で計測することができる。粒子の流速は、ノズルから噴射されるエアロゾルの流速に置き換えても実質的に問題はない。このような流速を実現するためには、実用的には、エアロゾル形成室1内の圧力を10KPa以上70KPa以下に設定し、成膜室2内の圧力を0.1KPa以上1KPa以下に設定し、エアロゾル形成室1内にボンベ7から導入するガスの流量を0.1L/min.以上20L/min.以下に設定すればよい。
また、好ましくは、ノズル8を300℃以上400℃以下に加熱することで粒子を加熱して成膜を行うと再現性が高くなる。また、基板温度については、室温でも成膜できるが、加熱したほうが再現性が良く、150℃以上400℃以下が好ましい。
また、本発明で形成することのできる圧電膜は、公知のインクジェット装置におけるインクジェットヘッド(インク吐出手段)に備えられる圧電素子に用いることができる。より具体的には、インクジェット装置は、圧電素子を構成する圧電体(圧電膜)の体積変動により、インクタンクから導かれたインクに圧力を加えて、インクジェットヘッドのノズルからインクを吐出する機構を備えるものである。
圧電素子は、好ましくは、前述したPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)やBNT(ビスマス酸チタン酸ナトリウム)等の圧電体(圧電膜)と、圧電体に電圧を印加するための電極とを備える。そしてインクジェットヘッドは、このような圧電素子を基体(振動板)上に備え、さらに、インクタンクからインクが供給される流路と該流路の先に設けられた穴(ノズル)とを備えたノズルプレートとを有し、電圧を圧電体に印加することにより圧電体を変形させることで振動板を介してインクに圧力を加え、ノズルプレートに備えられた穴(ノズル)からインクを吐出させるものである。
上述したエアロゾルデポジション法をこうしたインクジェット装置などに用いられる圧電素子用の圧電膜の形成に用いることで、簡易な手法で高精度に厚膜の圧電膜をパターニングすることができる。
以下に実施例を挙げて、本発明をより詳細に説明する。
[実施例1]
圧電素子を備えた振動板を以下の手順で形成した(図7〜図11)。
圧電素子を備えた振動板を以下の手順で形成した(図7〜図11)。
初めに、石英ガラスからなる振動板19を用意する(図7)。
石英ガラス19上に、スパッタ法にて、Ti:50nmを成膜し次いでPt:150nmを成膜することで電極層20を形成し、さらに、続いて、この基板19上に、フォトリソグラフィ工程によりレジストパターン21を形成した(図8)。
次に、RIE(Reactive Ion Etching)で、露出しているPt及びTiをエッチングすることで電極201を形成した(図9)。
その後に、基板19をフッ酸10%水溶液に浸すことで、電極201により覆われていない石英ガラス19の表面をエッチングし、表面を粗面化した(あらした)(図10)。
そして電極201上のレジスト21を剥離した。
電極201で覆われていないガラス19の表面の表面粗さを触新式表面粗さ計で測定したところ、0.5μmであった。また、レジスト21剥離後の電極201の表面(Pt層の表面)の平均粗さは、0.1μm以下であった。
本実施例では、基板表面をあらすのにフッ酸水溶液を用いたが、パイレックス(登録商標)のようなアルカリ金属等を含む基板を振動板19に用いた場合には、その表面をあらす手法として、亜ヒ酸ナトリウム(NaAsO4)水溶液も効果的に用いることができる。また、いわゆるサンドブラスト法を用いても同様に粗面化させることは可能である。
次に、レジスト21を剥離し、基板19全体を洗浄した後、図2に示したエアロゾルデポジション装置の成膜室2内のステージ10上に上記基板19を配置し、ノズル8からPZT粒子を噴射させながらステージを可動させることで、PZT粒子を基板全面に吹き付け、基板19上にPZT膜23を成膜した(図11)。
エアロゾル形成室1内では、PZT粉末を振動攪拌しながらボンベ7に貯蔵した乾燥エアーを吹き付けることで、PZT粒子のエアロゾルを形成した。そして、エアロゾル形成室1内の上部に浮いてきたPZT粒子を、エアロゾル形成室1と成膜室2との差圧により搬送管3を通じて成膜室2に導き、ノズル8から噴射してPZT膜の成膜を行なった。
成膜条件は、以下の通りである。
・使用材料:PZT粒子(平均一次粒径0.1〜0.3μm)
・エアロゾル形成室内圧力:70KPa
・成膜室内圧力:1KPa
・使用ガス:乾燥エアー
・ガス流量:4L/min.
・使用ノズル:300μm×5mmの開口を備えるスリット型ノズル
・基板温度:室温
・ノズル温度:300℃
こうして形成した電極201とPZT膜23との積層体パターンを、大気雰囲気で600℃、1時間焼成を行なった。
・使用材料:PZT粒子(平均一次粒径0.1〜0.3μm)
・エアロゾル形成室内圧力:70KPa
・成膜室内圧力:1KPa
・使用ガス:乾燥エアー
・ガス流量:4L/min.
・使用ノズル:300μm×5mmの開口を備えるスリット型ノズル
・基板温度:室温
・ノズル温度:300℃
こうして形成した電極201とPZT膜23との積層体パターンを、大気雰囲気で600℃、1時間焼成を行なった。
次に、PZT膜23上に、Agペーストをディスペンサーにより塗布,焼成を行い、PZT膜23上に0.2μmの厚さのAg電極202を形成した(図12)。
PZT膜23上の電極202の形成方法は他にも、前述したアーク加熱法を用いたガスデポジション法によりPZT上にダイレクトに形成しても良いし、形成されたPZT膜にあわせた各種マスキングを行った後、スパッタ、印刷、蒸着などを行なう方法を用いても良い。また、電極202の材料もAgに限定されるものではない。
また、PZT膜23を形成したエアロゾルデポジション装置と同一のものを使用し、PZT膜形成と同様に、基板全面にNi等の粒子を噴射させながら基板19をノズル8に対して相対移動させ、PZT膜23上部だけにNi電極を形成する方法でも良い。PZT膜23の表面が粗くない場合には、このような方法でもPZT膜23の表面だけに電極202を形成することができる。
次に、200℃、大気雰囲気において上下電極(201、202)間に電圧を印加することで分極処理を行った。そして、インクの流路、インクの吐出口(ノズル)を備えたSi基板(ノズルプレート)24と基板19とを接合し、インクジェットヘッドを形成した(図13)。
こうして形成したPZT膜の側壁部を電子顕微鏡で確認したところ、ほぼ基板に対し垂直な形状であり、従来例のようなダレやすそを引いた形状は見られなかった。
また、比較の為、フッ酸への浸漬時間を変えることにより、基板の表面粗さを変えてPZT成膜を行なったところ以下の表1に示す結果が得られた。即ち、電極201のない部分の表面の粗さが、rmsで、0.5μm未満ではPZT膜が堆積する部分が存在し、下電極202の形成された部分との間で明瞭なパターニングを形成することができなかった。また、上記実施例1で用いたPZT粒子を、PZT粒子とほぼ同じ粒度分布のアルミナ粒子に変えて、上記PZT膜の成膜条件と同様の条件で、基板の表面粗さを変えてアルミナ膜の成膜を行った結果も表1に記す。エアロゾル成膜に用いる粒子の材料をPZTからアルミナに変えても、PZT粒子を用いた場合と同様の結果が得られることがわかった。このことはアルミナ以外の他の材料に代えた場合においてもほぼ同様であった。
[実施例2]
インクジェットヘッドとして、圧電素子を備えた振動板を以下の手順で形成した(図14図〜図17)。
インクジェットヘッドとして、圧電素子を備えた振動板を以下の手順で形成した(図14図〜図17)。
まず、初めに、Tiを40nmスパッタ法により成膜し、続いてIrを200nmスパッタ法により成膜することで堆積抑制層25を、石英ガラスからなる振動板基板19上に形成した。
次に、振動板基板19上に100μm×3mmの開口部を持つSUSからなるマスクを配置した。そして、スパッタ法にてTi40nm、ついでPt300nmを成膜した後にパターニングすることで堆積抑制層25上に電極26を所望のパターンに形成した(図14)。
この時、基板19の最表面をナノインデンターで計測したところPt部(電極26の表面)のヤング率は180GPaであり、Ir部(堆積抑制層25の表面)のヤング率は260GPaであった。
次に、メタルマスクを外し、エアロゾルデポジション法により、実施例1と同様に、基板19とノズル8との相対位置を移動させながらPZT粒子をノズルから基板の表面に向けて噴射させた。その結果、PZT膜23が、Irが露出している部分には成膜されずに、電極26上に選択的に成膜された(図15)。
尚、PZT膜23の成膜条件は以下のとおりである。
・使用材料:PZT粒子(平均一次粒径0.3〜0.5μm)
・エアロゾル形成室内圧力:60KPa
・成膜室内圧力:0.7KPa
・使用ガス:窒素ガス
・ガス流量:10L/min.
・使用ノズル:300μm×5mmの開口を備えるスリット型ノズル
・基板温度:室温
・ノズル温度:350℃
形成されたPZT膜23の側面(側壁)は、基板19の表面(堆積抑制層25の表面)に対しほぼ垂直な形状を有しており、従来の製造方法のようなダレやスソを引いた形状はほとんど見られなかった。図18は、本実施例で形成したPZT膜23の側面(側壁)を含む断面の一部を示している。
・使用材料:PZT粒子(平均一次粒径0.3〜0.5μm)
・エアロゾル形成室内圧力:60KPa
・成膜室内圧力:0.7KPa
・使用ガス:窒素ガス
・ガス流量:10L/min.
・使用ノズル:300μm×5mmの開口を備えるスリット型ノズル
・基板温度:室温
・ノズル温度:350℃
形成されたPZT膜23の側面(側壁)は、基板19の表面(堆積抑制層25の表面)に対しほぼ垂直な形状を有しており、従来の製造方法のようなダレやスソを引いた形状はほとんど見られなかった。図18は、本実施例で形成したPZT膜23の側面(側壁)を含む断面の一部を示している。
次に、PZT膜23を大気雰囲気で600℃、1時間焼成を行なった。
この後、上電極27としてのPt膜27を160nmの厚さで、PZT膜23上に形成した(図16)。
このPt膜27の成膜においては、エアロゾルデポジション法を利用した。ここで用いたエアロゾルデポジション装置は図1の装置を用いた。具体的には、エアロゾル形成室1内において、ボンベ7からHeガスをエアロゾル形成室1内に導入しつつ、アーク加熱法で、容器100内に配置した蒸発材料101であるPtを溶融、蒸発させた。このようにすることで、蒸発したPtがHeガスと衝突することで粒子化すると同時に、Heガス中にPt粒子が分散されることでエアロゾルが形成される。そして、このエアロゾルを成膜室2に導いた。
また、ノズル8はPZT膜23のパターン幅にあわせφ100μmの開口を備えるものを用いて、おおよそ200nm程度の厚さにPt電極27をPZT膜23上に選択的に形成した。
次に、200℃、大気雰囲気において、上下電極(26,27)間に電圧を印加することで分極処理を行った。
そして、インクの流路と、インクの吐出口を備えたSi基板24と基板19とを接合しインクジェット・ヘッドを形成した(図17)。
比較のために、上記イリジウムからなる電極26の表面にPtを添加して電極26表面のヤング率を調整したものを用意し、その上に上記した条件と同様のエアロゾルデポジションによりPZT膜23の成膜を行なった。具体的には、基板上にスパッタにてTiを成膜後、IrとPtの2源スパッタによってIrとPtからなる表面を備えた電極26を形成した。この時、両者の比率を制御することで電極26の表面のヤング率をかえたものを製作した。こうして電極26を形成した基板19に上述の条件と同様の条件でPZT膜23を形成したところ、電極26の表面のヤング率が400GPa(ビッカーズ硬度で200)以下では堆積する部分が存在し、明瞭なパターニングができなかった。
以下の表2には、下地材料(上記電極26の表面に対応)を変えることで下地のヤング率(硬度)を変えた際に、エアロゾルデポジション法によるPZT膜およびアルミナ膜の下地材料上への堆積度合いを検証する実験を行った結果を示している。
尚、下地はマグネトロンスパッタ法にて形成し、表面粗さは、rmsで、全て0.1μmとなるように形成した。Ru‐Irは、上述した電極26の成膜方法と同様に、ニ源スパッタにおける、スパッタ時の投入パワーを制御することで組成比、硬さを制御した。
また、エアロゾルデポジション法による成膜条件は、上記PZT膜23の成膜条件と同様に行った。尚、アルミナ膜を堆積させる場合に用いたアルミナの粒子は、材料が異なる以外PZT粒子を用いた上記エアロゾルデポジションの条件と同じ条件に設定した。
表2からもわかる様に、膜が堆積しないようにするには、下地表面のヤング率を400GPa(ビッカーズ硬度を200)よりも大きくする必要があることがわかる。また、この傾向は、例えばBNT粒子や、その他の材料の粒子を用いた場合においても同様であった。
[実施例3]
実施例2と同様の方法にて、流路、吐出口を備えたSi基板24に振動板としての石英基板19が接合してある、インクジェットヘッドとしての、圧電素子を備えた振動板を形成した。
実施例2と同様の方法にて、流路、吐出口を備えたSi基板24に振動板としての石英基板19が接合してある、インクジェットヘッドとしての、圧電素子を備えた振動板を形成した。
まず、初めに、Tiを50nmスパッタ法により成膜し、続いてOsを250nmスパッタ法により成膜することで堆積抑制層25を、石英ガラスからなる振動板基板19上に形成した。
次に、振動板基板19上に80μm×3mmの開口部を持つSUSからなるマスクを配置した。そして、スパッタ法にてTi40nm、ついでPt300nmを成膜した後にパターニングすることで堆積抑制層25上に電極26を所望のパターンに形成した(図14)。
この時、基板19の最表面をナノインデンターで計測したところPt部(電極26の表面)のヤング率は180GPa、Os(堆積抑制層25の表面)のヤング率は360GPaであった。
次に、メタルマスクを外し、実施例2と同様の条件にてエアロゾルデポジション法により、実施例1と同様に、基板19とノズル8との相対位置を移動させながらPZT粒子をノズルから基板の表面に向けて噴射させた。その結果、PZT膜23が、Osが露出している部分には成膜されずに、電極26上に選択的に成膜された(図15)。
次に、PZT膜23を大気雰囲気で600℃、1時間焼成を行なった。
この後、PZT膜23上に上電極27としてAgからなる層をオフセット印刷法にて200nm形成した(図16)。
形成されたPZT膜23の側面(側壁)は、基板19の表面(堆積抑制層25の表面)に対しほぼ垂直な形状を有しており、従来の製造方法のようなダレやスソを引いた形状は見られなかった。
次に、200℃、大気雰囲気において、上下電極間に電圧を印加しながら分極処理を行った。
最後に流路、吐出口を備えたSi基板24と基板19とを接合しインクジェットヘッドとした。
1 エアロゾル形成室
2 成膜室
3 搬送管
4 アーク電極
101 蒸発材料
8 ノズル
9 基板
10 ステージ
11 真空ポンプ
22 粗面化された基板表面
2 成膜室
3 搬送管
4 アーク電極
101 蒸発材料
8 ノズル
9 基板
10 ステージ
11 真空ポンプ
22 粗面化された基板表面
Claims (8)
- 粒子を基体表面に向けて噴射して、前記基体表面上に前記粒子を構成する材料からなる膜を形成する成膜方法であって、
成膜材料が堆積する早さが異なる2つの領域を少なくとも備えた表面を有する基体を用意する工程と、
成膜材料を含む多数の粒子を前記表面に噴射することで、前記2つの領域のうちの前記堆積する早さがより早い領域上に前記成膜材料を含む膜を選択的に堆積させる工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。 - 前記2つの領域のうちの一方が、少なくとも0.5μm以上の表面粗さを有し、他方が0.5未満の表面粗さを有することを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。
- 前記2つの領域のうちの一方が、少なくとも200よりも大きいビッカース硬度を有し、他方が、200以下のビッカース硬度を有することを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。
- 前記粒子が、エアロゾルデポジション法により、前記基体表面に向けて噴射されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の成膜方法を用いて形成された膜。
- 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の成膜方法を用いて形成された圧電膜。
- 請求項6に記載の圧電膜を備えた圧電素子。
- 請求項7に記載の圧電素子を備えたインクジェット装置。
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---|---|---|---|
JP2005155530A JP2006326523A (ja) | 2005-05-27 | 2005-05-27 | 成膜方法、該成膜方法により形成された圧電膜、および該圧電膜を備えた圧電素子、ならびに該圧電素子を用いたインクジェット装置 |
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-
2005
- 2005-05-27 JP JP2005155530A patent/JP2006326523A/ja not_active Withdrawn
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