JP2006324297A - インターポーザ、電子デバイスおよびその冷却方法、半導体素子の実装方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体素子と基板との熱膨張差を吸収することが可能なインターポーザ、該インターポーザを有する電子デバイスおよびその冷却方法、上記インターポーザを利用した半導体素子の実装方法を提供する。
【解決手段】 電子デバイス100における基板1と半導体チップ2との間に設けられるインターポーザ3は、多孔質樹脂であるPTFEを含んで構成され、基板1および半導体チップ2の電極に対応する位置に開孔部32を有するPTFE基板30と、開孔部32内に設けられた接続部31とを備える。
【選択図】 図1
【解決手段】 電子デバイス100における基板1と半導体チップ2との間に設けられるインターポーザ3は、多孔質樹脂であるPTFEを含んで構成され、基板1および半導体チップ2の電極に対応する位置に開孔部32を有するPTFE基板30と、開孔部32内に設けられた接続部31とを備える。
【選択図】 図1
Description
本発明は、インターポーザ、電子デバイスおよびその冷却方法、半導体素子の実装方法に関し、特に、多孔質樹脂を含んで構成されるインターポーザ、該インターポーザを有する電子デバイスおよびその冷却方法、上記インターポーザを利用した半導体素子の実装方法に関する。
フリップチップ接続に用いられるインターポーザが従来から知られている。
たとえば、特開平10−294335号公報や特開平10−22351号公報においては、導電体パターンが表面に形成された液晶ポリマーフィルムからなるインターポーザが開示されている。
たとえば、特開平10−294335号公報や特開平10−22351号公報においては、導電体パターンが表面に形成された液晶ポリマーフィルムからなるインターポーザが開示されている。
また、特開2004−311574号公報においては、耐熱性および絶縁性を有する無機材料(たとえば、ガラスなど)からなるインターポーザが開示されている。
ところで、絶縁性の多孔質体に貫通孔を設け、該貫通孔内に金属膜を設ける技術が従来から知られている。このような技術は、たとえば、特開2004−247216号公報、特開2004−265844号公報および特開2005−46993号公報などに記載されている。
特開平10−294335号公報
特開平10−22351号公報
特開2004−311574号公報
特開2004−247216号公報
特開2004−265844号公報
特開2005−46993号公報
しかしながら、液晶ポリマーやガラス基板は、比較的高価な素材であるため、コスト削減を阻害する。また、液晶ポリマーは樹脂としては比較的硬い素材であり、壊れやすいという問題がある。ガラス基板についても、同様に壊れやすいという問題がある。
上記とは異なる観点では、インターポーザを介して接続される基板と半導体素子との熱膨張差が問題になる場合がある。基板と半導体素子との熱膨張係数の差が大きい(たとえば7倍程度)場合に、比較的高弾性率の液晶ポリマーやガラス基板からなるインターポーザではそれらの熱膨張差を吸収することができず、多端子や狭ピッチで実装すると、はんだ接合部においてクラックが発生したり、半導体素子に歪みが生じて性能に影響する場合がある。
本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、半導体素子と基板との熱膨張差を吸収することが可能なインターポーザ、該インターポーザを有する電子デバイスおよびその冷却方法、上記インターポーザを利用した半導体素子の実装方法を提供することにある。
本発明に係るインターポーザは、実装基板と該実装基板上に搭載される半導体素子との間に設けられるインターポーザであって、多孔質樹脂を含んで構成され、実装基板および半導体素子の電極に対応する位置に貫通孔を有する本体と、貫通孔内に設けられた金属膜とを備える。
上記構成によれば、半導体素子と実装基板との熱膨張差を吸収することができる。
上記インターポーザにおいて、好ましくは、多孔質樹脂は、ポリテトラフルオロエチレンである。
上記インターポーザにおいて、好ましくは、多孔質樹脂は、ポリテトラフルオロエチレンである。
これにより、耐熱性、耐薬品性、加工性、機械的特性および誘電特性などの点で優れたインターポーザが得られる。
上記インターポーザにおいて、好ましくは、貫通孔の側壁上に、金属膜よりも融点が高く、該金属膜と濡れる他の金属膜が設けられる。
これにより、貫通電極からの金属膜の染み出しを抑制することができる。結果として、狭ピッチにした場合にも、端子間のショートを抑制することができる。また、1貫通電極あたりの通電電流を増大させることが可能になる。
上記インターポーザにおいて、好ましくは、金属膜として、はんだ、インジウムおよびインジウム合金からなる群のうち少なくとも1種を含む素材が用いられる。
これにより、電気的な接合に適した金属膜が得られる。
上記インターポーザにおいて、好ましくは、他の金属膜は、銅、または、銅−ニッケル−金の積層構造を含む。
上記インターポーザにおいて、好ましくは、他の金属膜は、銅、または、銅−ニッケル−金の積層構造を含む。
これにより、電気的な接合に適した側壁コート膜が得られる。
本発明に係る電子デバイスは、実装基板と、実装基板上に搭載される半導体素子と、実装基板と半導体素子との間に設けられる上述したインターポーザとを備える。
本発明に係る電子デバイスは、実装基板と、実装基板上に搭載される半導体素子と、実装基板と半導体素子との間に設けられる上述したインターポーザとを備える。
上記構成によれば、インターポーザが多孔質樹脂を含むことにより、半導体素子と実装基板との熱膨張差を吸収することができる。結果として、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明に係る電子デバイスの冷却方法は、上述した電子デバイスにおけるインターポーザに半導体素子を冷却する冷却媒体を供給するものである。
これにより、半導体素子をその下面からも冷却することが可能になる。結果として、冷却効率が向上する。
本発明に係る半導体素子の実装方法は、実装基板上に実装される半導体素子の実装方法であって、上述したインターポーザを実装基板上に配置する工程と、実装基板との間でインターポーザを介装するように半導体素子を配置する工程と、インターポーザにおける金属膜を溶融することで実装基板と半導体素子とを電気的に接続する工程とを備える。
上記方法によれば、インターポーザが多孔質樹脂を含むことにより、金属膜を溶融する際の半導体素子と実装基板との熱膨張差を吸収することができる。結果として、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
上記半導体素子の実装方法は、好ましくは、インターポーザの外周に封止材を設ける工程をさらに備え、封止材は、その一部がインターポーザにおける多孔質樹脂の空隙に入り込むように設けられる。
これにより、多孔質樹脂に封止材が絡んで、インターポーザが強固に固定される。結果として、信頼性の高いパッケージが得られる。
本発明によれば、半導体素子と実装基板との熱膨張差を吸収することができる。
以下に、本発明に基づくインターポーザ、電子デバイスおよびその冷却方法、半導体素子の実装方法の実施の形態について説明する。なお、同一または相当する部分に同一の参照符号を付し、その説明を繰返さない場合がある。
図1は、本発明の1つの実施の形態に係る電子デバイスを示した断面図である。
図1を参照して、本実施の形態に係る電子デバイス100は、「実装基板」としての基板1と、「半導体素子」としての半導体チップ2と、インターポーザ3と、封止材4とを含んで構成される。
図1を参照して、本実施の形態に係る電子デバイス100は、「実装基板」としての基板1と、「半導体素子」としての半導体チップ2と、インターポーザ3と、封止材4とを含んで構成される。
基板1には配線10が形成されている。また、半導体チップ2は回路(図示せず)を有する。
インターポーザ3は、PTFE(Poly-Tetra-Fluoro-Ethylene)基板30と、接続部31と、開孔部32とを含んで構成される。ここで、PTFEは、「多孔質樹脂」である。接続部31は、「金属膜」により構成され、基板1上に形成される第1部分31Aと、開孔部32内に形成される第2部分31Bと、半導体チップ2上に形成される第3部分31Cとを有する。そして、接続部31は、配線10と、半導体チップ2の回路とを電気的に接続する。
PTFE基板30としては、たとえば、厚み300μmの「ポアフロン(登録商標)」を使用することが可能である。これにより、耐熱性、耐薬品性、加工性、機械的特性および誘電特性などの点で優れたインターポーザが得られる。具体的には、たとえば、PTFEは軟らかいため、PTFE基板30を有するインターポーザ3は、曲げられても破損しにくい。また、PTFEは比較的安価であるため、コストの面でも有利である。さらに、多孔質PTFEは厚み方向のクッション性にも優れるため、高さのばらつきの大きい電極にも対応できる。
また、接続部31を構成する「金属膜」としては、たとえば、共晶はんだ(37Pb−63Snなど)、高温はんだ(95Pb−5Sn,90Pb−10Snなど)、鉛フリーはんだ(95Sn−5Sb,96.5Sn−3.5Ag,96.5Sn−3Ag−0.5Cu,42Sn−58Biなど)や、インジウムまたはインジウム合金(48Sn−52In)を使用することが可能である。また、上記材料を複数組合わせて用いることも可能である。これにより、電気的な接合に適した金属膜が得られる。
上記について要約すると、インターポーザ3は、「多孔質樹脂」としてのPTFEを含んで構成され、基板1および半導体チップ2の電極に対応する位置に「貫通孔」としての開孔部32を有する「本体」としてのPTFE基板30と、開孔部32内に設けられた接続部31とを備える。
基板1に半導体チップ2を実装する工程は、インターポーザ3を基板1上に配置する工程と、基板1との間でインターポーザ3を介装するように半導体チップ2を配置する工程と、インターポーザ3における接続部31を構成する「金属膜」を溶融することで基板1と半導体チップ2とを電気的に接続する工程と、インターポーザ3の外周に封止材4を設ける工程とを備える。なお、封止材4を省略する場合もある。
「金属膜」を溶融させるための加熱工程により、基板1および半導体チップ2が膨張する。ここで、基板1の線膨張係数(たとえば、ガラスエポキシ樹脂の場合20ppm/℃程度)と半導体チップ2の線膨張係数(たとえば、シリコンの場合3ppm/℃程度)との差が大きい場合、その熱膨張差によって、接続部31の硬化後に内部応力が生じ、接続部31周辺でクラックが発生したり、半導体チップ2に歪みが生じたりすることが懸念される。
これに対し、本実施の形態に係る電子デバイス100においては、上記のように、インターポーザ3が比較的低弾性率の「多孔質樹脂」であるPTFEを含むことにより、基板1と半導体チップ2との熱膨張差を吸収することができる。結果として、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
図2は、図1に示されるインターポーザ3を矢印Aの方向からみた図である。
図2を参照して、インターポーザ3には、縦方向(図2おける上下方向)および横方向(図2における左右方向)にそれぞれ並ぶように複数の開孔部32が形成されている。ここで、複数の開孔部32のピッチは、たとえば0.5mm程度であり、該開孔部32の径は、たとえば0.3mm程度である。そして、開孔部32は、PTFE基板30の外周部分33を避けて形成されている。図1に示すように、インターポーザの外周には封止材4が設けられる。この封止材4は、「多孔質樹脂基板」であるPTFE基板30の外周部分33の空隙に入り込むように形成される。これにより、PTFE基板30に封止材4が絡んで、インターポーザ3が強固に固定される。結果として、信頼性の高いパッケージが得られる。
図2を参照して、インターポーザ3には、縦方向(図2おける上下方向)および横方向(図2における左右方向)にそれぞれ並ぶように複数の開孔部32が形成されている。ここで、複数の開孔部32のピッチは、たとえば0.5mm程度であり、該開孔部32の径は、たとえば0.3mm程度である。そして、開孔部32は、PTFE基板30の外周部分33を避けて形成されている。図1に示すように、インターポーザの外周には封止材4が設けられる。この封止材4は、「多孔質樹脂基板」であるPTFE基板30の外周部分33の空隙に入り込むように形成される。これにより、PTFE基板30に封止材4が絡んで、インターポーザ3が強固に固定される。結果として、信頼性の高いパッケージが得られる。
なお、場合によっては、PTFE基板30に代えて、上記「多孔質樹脂」として、テトラフルオロエチレン/ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FEP)、テトラフルオロエチレン/パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、ポリフッ化ビニリデン共重合体、エチレン/テトラフルオロエチレン共重合体(ETFE樹脂)、ポリイミド(PI)、ポリアミドイミド(PAI)、ポリアミド(PA)、変性ポリフェニレンエーテル(mPPE)、ポリフェニレンスルフィド(PPS)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリスルホン(PSU)、ポリエーテルスルホン(PES)、パリレン樹脂などを用いることも考えられる。
図3は、インターポーザ3に用いられるPTFEの構造を示したSEM写真である。そして、図4は、図3に示されるPTFEの構造を模式的に示した図である。
図3,図4を参照して、多孔質PTFEは、ノード部34と、非常に細い多数のフィブリル部35とからなる微細構造(「微細繊維状組織」ともいう)を有している。ノード部34は、フィブリル部35によって互いに連結される。多孔質PTFEでは、この微細構造が多孔質構造を形成している。
図5は、インターポーザ3を示した断面図である。図5を参照して、インターポーザ3においては、「貫通孔」としての開孔部32の側壁上に、「金属膜」としての接続部31と濡れる「他の金属膜」としての側壁コート32Aが設けられる。ここで、側壁コート32Aを構成する「他の金属膜」の融点は、接続部31を構成する「金属膜」の融点よりも高い。したがって、「金属膜」を溶融させて基板1の配線10と半導体チップ2の回路とを電気的に接続する際に、開孔部32からPTFE基板30の空隙に向けて「金属膜」が染み出すことを抑制することができる。結果として、端子間のピッチを狭くした場合にも、該端子間のショートを抑制することができる。また、開孔部32内に「金属膜」を多く残留させることができるので、1貫通電極あたりの通電電流を増大させることが可能になる。なお、側壁コート32Aは、接続部31と同様に、基板1と半導体チップ2とを電気的に接続する機能を果たす。
側壁コート32Aとしては、たとえば、銅、または、銅−ニッケル−金の積層構造を含む素材が用いられる。
図6〜図10は、多孔質樹脂材料に開孔部を設ける工程における各ステップを示した図である。そして、図11〜図13は、上記開孔部に金属膜を設ける工程における各ステップを示した図であり、図11は、図10に続くステップを示した図である。
図6,図7を参照して、PTFE基板30の両面に、マスク層としてのPTFE基板30Aを積層して、3層構成の積層体300を形成する。マスク層となるPTFE基板30Aとしては、PTFE基板30と同じものを用いてもよいし、異なるものを用いてもよい。通常は、同じPTFE基板を3枚用いて積層体300を形成する。
次に、積層体300の各多孔質構造内に、化学反応により固形物を形成し得る化合物を含有する液体または溶液を含浸させる。この化合物としては、たとえば、可溶性ポリマー、熱または光により重合反応してポリマーを形成する重合性モノマー、パラフィンなどが使用可能である。重合性モノマーとしては、たとえば、メチルメタクリレートなどの単官能のアクリレートまたはメタクリレートが使用可能である。なお、重合性モノマーには、光重合開始剤または熱重合開始剤を添加する。
図8を参照して、含浸させた液体または溶液中の化合物を化学反応させて固形物を形成する。たとえば、重合性モノマーを光重合または熱重合して常温で固体のポリマー(たとえば、PMMA:ポリメタクリル酸メチル)を形成する。これにより、積層体300の3層のすべてがポリマーにより充填される。
図9を参照して、各多孔質構造内に固形物を有する積層体の主表面から裏面を貫く複数の開孔部32をドリル加工により形成する。図10を参照して、開孔部32が形成された積層体300から、溶剤を用いて固形物を溶解させ、各多孔質構造内から除去する。そして、ドリル加工でのバリや屑による孔封鎖を除去するため、積層体300にエッチングを施す。
なお、上記の開孔部形成ステップに代えて、レーザ加工法や放射光加工法を用いることも可能である。この場合、3層構造の積層体の状態(図7に示す状態)のままで、開孔部32を形成する部分にのみ光を当ててPTFEを分解することで孔あけ加工を行なう。
図11を参照して、図10に示される状態から、積層体300の各開孔部32の壁面を含む表面に、側壁コート32Aを付着させる。側壁コート32Aは、金属イオンの還元反応を促進する触媒(めっき触媒)としても機能する。この際、両面に配置されたPTFE基板30Aは、マスク層として機能し、PTFE基板30の両面に触媒が付着するのを防いでいる。
図12を参照して、側壁コート32Aが形成された積層体300に対し、へら320を用いてはんだペーストなどの低融点金属310をキャスティングする。そして、積層体300をリフロー炉に入れて(たとえば、高温はんだの場合は、300℃の温度で1分程度)、キャスティングされた低融点金属をPTFE基板300に馴染ませる。なお。このリフロー工程については、省略することも可能である。また、図12に示されるキャスティング工程に代えて、図13に示すように、積層体300にはんだめっきを施すことにより、開孔部32内に低融点金属310を充填してもよい。図12または図13に示される状態から、マスク層としてのPTFE基板30Aを剥がすことで、図5に示すように、開孔部32内にのみ接続部31(低融点金属310)が充填されたPTFE基板30が得られる。
図14は、インターポーザ3の変形例を示した断面図である。そして、図15〜図17は、本変形例に係る多孔質樹脂材料の開孔部に金属膜を設ける工程における各ステップを示す図である。なお、図15は、図10に続くステップを示した図である。
図14〜図17を参照して、本変形例に係るインターポーザ3においては、開孔部32の内壁に側壁コートが形成されていない。すなわち、図10に示すステップの後、開孔部32の内壁に側壁コートが形成されていない状態(図15に示す状態)で、開孔部32内に低融点金属310を供給する。
低融点金属310は、図16に示すように、へら320を用いたキャスティングにより供給されてもよいし、図17に示すように、積層体300にはんだめっきを施すことにより供給されてもよい。図16または図17に示される状態から、マスク層としてのPTFE基板30Aを剥がすことで、図14に示すように、開孔部32内にのみ接続部31(低融点金属310)が充填されたPTFE基板30が得られる。このように、開孔部32の内壁に側壁コートが設けられていなくても、開孔部32間のピッチ(端子間ピッチ)が比較的広ければ(たとえば1mm以上程度)、特に問題は生じない。
図18は、本実施の形態に係る電子デバイス100の冷却方法を説明する図である。
図18を参照して、本実施の形態に係る電子デバイス100の冷却方法は、半導体チップ2を冷却する冷却媒体を(図中矢印のように)インターポーザ3に供給するものである。ここで、冷却媒体は気体であってもよいし液体であってもよい。具体的には、たとえば、空気、水、代替フロンなどが使用可能である。
図18を参照して、本実施の形態に係る電子デバイス100の冷却方法は、半導体チップ2を冷却する冷却媒体を(図中矢印のように)インターポーザ3に供給するものである。ここで、冷却媒体は気体であってもよいし液体であってもよい。具体的には、たとえば、空気、水、代替フロンなどが使用可能である。
上記のようにすることで、半導体チップ2をその下面からも冷却することが可能になる。結果として、冷却効率が向上する。なお、この冷却方法の適用範囲は、必ずしも図18に示すような構造(半導体チップ2がスタックされた構造)に限定されず、半導体チップ2がスタックされていない構造に対して適用することも可能である。また、この冷却は、典型的には、接続部31を構成する「金属膜」を溶融させる際に行なわれるが、電子デバイス100の完成後、実際に電子デバイス100を動作させる際に行なわれてもよい。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
1 基板、2 半導体チップ、3 インターポーザ、4 封止材、10 配線、30,30A PTFE基板、31 接続部、31A 第1部分、31B 第2部分、31C 第3部分、32 開孔部、32A 側壁コート、33 外周部分、34 ノード部、35 フィブリル部、100 電子デバイス、300 積層体、310 低融点金属、320 へら。
Claims (9)
- 実装基板と該実装基板上に搭載される半導体素子との間に設けられるインターポーザであって、
多孔質樹脂を含んで構成され、前記実装基板および前記半導体素子の電極に対応する位置に貫通孔を有する本体と、
前記貫通孔内に設けられた金属膜とを備えた、インターポーザ。 - 前記多孔質樹脂は、ポリテトラフルオロエチレンである、請求項1に記載のインターポーザ。
- 前記貫通孔の側壁上に、前記金属膜よりも融点が高く、該前記金属膜と濡れる他の金属膜が設けられた、請求項1または請求項2に記載のインターポーザ。
- 前記金属膜は、はんだ、インジウムおよびインジウム合金からなる群のうち少なくとも1種を含む、請求項1から請求項3のいずれかに記載のインターポーザ。
- 前記他の金属膜は、銅、または、銅−ニッケル−金の積層構造を含む、請求項3または請求項4に記載のインターポーザ。
- 実装基板と、
前記実装基板上に搭載される半導体素子と、
前記実装基板と前記半導体素子との間に設けられる、請求項1から請求項5のいずれかに記載のインターポーザとを備えた、電子デバイス。 - 請求項6に記載の電子デバイスにおける前記インターポーザに前記半導体素子を冷却する冷却媒体を供給する、電子デバイスの冷却方法。
- 実装基板上に実装される半導体素子の実装方法であって、
請求項1から請求項5のいずれかに記載のインターポーザを前記実装基板上に配置する工程と、
前記実装基板との間で前記インターポーザを介装するように前記半導体素子を配置する工程と、
前記インターポーザにおける前記金属膜を溶融することで前記実装基板と前記半導体素子とを電気的に接続する工程とを備えた、半導体素子の実装方法。 - 前記インターポーザの外周に封止材を設ける工程をさらに備え、
前記封止材は、その一部が前記インターポーザにおける前記多孔質樹脂の空隙に入り込むように設けられる、請求項8に記載の半導体素子の実装方法。
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WO2012065882A1 (de) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauelement |
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2005
- 2005-05-17 JP JP2005143713A patent/JP2006324297A/ja not_active Withdrawn
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Date | Code | Title | Description |
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