JP2006323908A - ヘッドモジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ディスク107の回転により浮上力を受けるヘッド106と、前記ヘッドを支持するとともに前記ディスクに対して所定の姿勢と所定の浮上距離になるように前記ヘッドに対して負荷荷重を与えるアーム104と、前記ヘッドに光源101からの入射光を導入する光導入部103と、前記ヘッドに前記光導入部を固定する固定部とから成るヘッドモジュールにおいて、前記固定部205は、前記負荷荷重がかかる荷重点223から前記負荷荷重のかかる方向に延伸した位置の近傍部に形成されていることを特徴とするヘッドモジュール。
【選択図】 図2
Description
図1に本発明の実施の形態1に係るヘッドモジュールを用いた情報再生装置の概略を示す。本実施の形態に係る情報再生装置は、従来の磁気ディスク装置と基本構成は類似であり、近接場光を発生する微小開口(図示略)を有するヘッド106を記録媒体ディスク107の表面に数〜数十ナノメートルまで近接した状態でディスク107を高速に回転させ、ヘッド106がディスク107に対して常に一定の姿勢で浮上するために、フレクシャー105をサスペンションアーム104の先端部に形成している。サスペンションアーム104は、ボイスコイルモータ(図示略)によってディスク107の半径方向に移動可能である。ここで、ヘッド106は、ディスク107に微小開口が対面するように配置されている。
(実施の形態2)
図4は本発明の実施の形態2に係るヘッドモジュールの、ミラー基板300、光ファイバー103の一部、フレクシャー105の一部、の拡大図である。近接場光素子基板は図示していない。実施の形態1で説明した図2と同一部分には同一符号を与え、説明を省略する。実施の形態1との相違点は、V溝301のうち、荷重点223の直下近傍のみ浅い溝302になっている点である。この浅い溝302において光ファイバー103が接着剤205によって固定されている。
(実施の形態3)
図7は実施の形態3によるミラー基板400の底面図である。V溝301はその終端がミラー面204となっている点と、荷重点直下部251の近傍のみ浅い溝302となっている点は実施の形態2と同様である。相違点は、ミラー基板400が浅い溝302に接続する切り欠き401を持つ点である。このようなV溝はSiの異方性エッチングを行う際のマスクパターン設計によって作製する。図8はミラー基板400に光ファイバー403を接着した状態を示す。光ファイバー403は、先端部を斜め研磨して作製するが、研磨と同時に先端から所定の距離の位置に突起410を付着または接着手段等の適宜の手法により形成する。この光ファイバー403は、浅い溝302において接着剤205によってミラー基板400に固定されるが、その際、突起410を切り欠き401に嵌め込むことによって高精度な組み立てを容易に行うことができる。この205、401、及び410がヘッドに光導入部を固定する固定部を形成している。
(実施の形態4)
図9は本発明の実施の形態4に係るヘッド501、光ファイバー502の一部、フレクシャー105の一部の拡大図である。ヘッド501は実施の形態1から3とは異なり、光の伝搬方向を変える機能をミラー基板ではなく光ファイバー502に持たせている。光ファイバー502は、光源(図示略。図中では右端。)から、シングルモードファイバー515、グレイデッド・インデックス(GI)ファイバー516、コア無しファイバー517の順に光軸を一致させて融着させて作製する。コア無しファイバー517の先端は45°の角度に研磨された反射面518となっている。近接場光素子基板511は実施の形態1から3とほぼ同じであるが、光ファイバー502と干渉しないための切り欠き溝512が設けられている。フレクシャー105は実施の形態1から3と同じであり、板ばね221を荷重部222が荷重点223において荷重Fで押す構造となっている。光源(図示略)からの入射光231は、シングルモードファイバー515内を伝搬した後、GIファイバー516内で光束を広げた上で平行光となる。さらにコア無しファイバー517を伝搬した後、反射面518で反射して近接場光素子基板511に向けられる。その後は実施の形態1の説明(図2)と同一である。
(実施の形態5)
図11は本発明の実施の形態5に係るヘッドモジュールのうち、ヘッド601、光ファイバー502の一部、フレクシャー105の一部の拡大図である。光ファイバー502とフレクシャー105は実施の形態4における図9と同一であるので、同一符号を与え説明を省略する。ヘッド601は、近接場光及び磁場発生素子基板611から成る。近接場光233が発生するメカニズムは実施の形態4と同一である。実施の形態4との相違点は、磁気ヘッド素子612を搭載している点である。磁気ヘッド素子612は制御回路(図示略)と配線613によって接続され、磁場614を発生させる。磁場614と近接場光233は極めて近接した位置で発生するため、近接場光233によってディスク(図示略)表面の磁性膜の微小領域を加熱し保磁力を下げた状態で、磁場614によって磁化を反転させることで記録を行う。このような構造のヘッドにすることによって、実施の形態4までに述べた効果に加えて、近接場光233によるアシストを利用した磁気記録を行い、より高密度な記録再生が可能となる。
(実施の形態6)
図12は本発明の実施の形態6に係るヘッドモジュールのうち、近接場光発生素子部の形状を示す。図12(a)は三角錐台からなる錐状突起208が遮光膜(図示略)に覆われ、先端部のみ遮光膜が除去されているため微小な光学的開口209となっている構造である。光ファイバーなどの光導入部から導入された光が、この光学的開口209によって近接場光となって近傍に分布する。図12(b)は遮光平面膜701に微小な貫通穴702が設けられている構造であり、同様に貫通穴702から近接場光が発生する。図12(c)は四角錐台801がその側面を遮光膜で覆われ、先端部802のうち一部に三角形状に金属膜803が設けられている。先端部802は平坦であっても良いし、中央が突出した錐状でも良い。金属膜803のすき間804に近接場光が強く局在することによって高分解能と高S/Nを実現する。この金属膜803はAuやAgなど、可視光によって表面プラズモンを発生させる材質を使用することができ、その場合はプラズモンによる増強効果によって、極めて高いエネルギーを持った近接場光を局在させることができる。本発明を実施する際の近接場光発生部は以上述べたものに限らず、入射光から近接場光を発生させる機能を持つものであれば良い。
102 レンズ
103 光ファイバー
104 サスペンションアーム
105 フレクシャー
106 ヘッド
107 ディスク
108 回路系
201 ミラー基板
202 近接場光素子基板
203 V溝
204 ミラー面
205 接着剤
206 光ファイバー103の先端面
207 マイクロレンズ
208 錐状突起
209 光学的開口
221 板ばね
222 荷重部
223 荷重点
231 入射光
232 出射光
233 近接場光
251 荷重点直下部
300 ミラー基板
301 V溝
302 浅い溝
400 ミラー基板
401 切り欠き
403 光ファイバー
410 突起
501 ヘッド
502 光ファイバー
511 近接場光素子基板
512 切り欠き溝
515 シングルモードファイバー
516 グレイデッド・インデックス(GI)ファイバー
517 コア無しファイバー
518 反射面
531 固定板
601 ヘッド
611 近接場光及び磁場発生素子基板
612 磁気ヘッド素子
613 配線
614 磁場
701 遮光平面膜
702 貫通穴
801 四角錐台
802 先端部
803 金属膜
804 金属膜803のすき間
F 荷重
Claims (17)
- ディスクの回転により浮上力を受けるヘッドと、前記ヘッドを支持するとともに前記ディスクに対して所定の姿勢と所定の浮上距離になるように前記ヘッドに対して負荷荷重を与えるアームと、前記ヘッドに光源からの入射光を導入する光導入部と、前記ヘッドに前記光導入部を固定する固定部とから成るヘッドモジュールにおいて、
前記固定部は、前記負荷荷重がかかる荷重点から前記負荷荷重のかかる方向に延伸した位置の近傍部に形成されていることを特徴とするヘッドモジュール。 - 前記ヘッドが、前記ディスク表面に対して略水平に前記光導入部から出射した光導入部出射光を反射して前記ディスク表面に向けて伝搬させる反射ミラーを有することを特徴とする請求項1に記載のヘッドモジュール。
- 前記ヘッドは、前記反射ミラーが形成されたミラー基板を含むことを特徴とする請求項2に記載のヘッドモジュール。
- 前記光導入部が、前記光源からの入射光を前記ディスク表面に対して略垂直に反射させる光導入部内反射ミラーを持つことを特徴とする請求項1に記載のヘッドモジュール。
- 前記ヘッドが、前記光導入部から出射した光導入部出射光を集光して前記ディスク表面に向けて伝搬させるレンズを持つことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のヘッドモジュール。
- 前記ヘッドが、近接場光を発生あるいは検出する近接場光素子を持つことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のヘッドモジュール。
- 前記ヘッドが、前記近接場光素子を持つ近接場光素子基板を含むことを特徴とする請求項6に記載のヘッドモジュール。
- 前記近接場光素子が、前記光源からの入射光の波長よりも小さな光学的開口を持つことを特徴とする請求項6あるいは7に記載のヘッドモジュール。
- 前記近接場光素子が、前記光源からの入射光によってプラズモンを発生することによって前記近接場光を増強する金属膜を持つことを特徴とする請求項6から8のいずれかに記載のヘッドモジュール。
- 前記光導入部が光ファイバーから成ることを特徴とする、請求項6から9のいずれかに記載のヘッドモジュール。
- 前記光導入部が光導波路から成ることを特徴とする請求項6から9のいずれかに記載のヘッドモジュール。
- 前記光ファイバーが前記ヘッドに固定される前記固定部が、前記ヘッド表面に形成されたV溝内にあることを特徴とする請求項6から10のいずれかに記載のヘッドモジュール。
- 前記V溝が、Siの結晶異方性を利用したエッチングによって形成されたものであることを特徴とする請求項12に記載のヘッドモジュール。
- 前記V溝の一部分が他の部分に比べて浅く形成されており、前記一部分において前記光ファイバーが前記ヘッドに固定されていることを特徴とする請求項12あるいは13に記載のヘッドモジュール。
- 前記ヘッドが、前記ディスク表面の磁化状態を変化させる磁気素子を含むことを特徴とする請求項1から14のいずれかに記載のヘッドモジュール。
- 前記ヘッドが、前記光源からの入射光を前記ディスク表面に照射し、前記照射位置において前記磁気素子が前記磁化状態を変化させることを特徴とする請求項15に記載のヘッドモジュール。
- 前記光導入部が、光ファイバーと前記ヘッドを固定する固定部材を含むことを特徴とする請求項6から9のいずれかに記載のヘッドモジュール。
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