JP2006319365A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1導電型の半導体領域81上に形成された第2導電型の半導体領域87上に第1のシリサイド膜89を形成する工程と、第1のシリサイド膜上に(Si−H)基を含むシリコン化合物膜90を塗布によって形成する工程と、熱処理により第1のシリサイド膜に含まれる金属とシリコン化合物膜に含まれるシリコンとを反応させて第2のシリサイド膜91を形成する工程とを備える。
【選択図】 図12
Description
本発明では、半導体領域(単結晶シリコン領域)上に金属膜を、該金属膜上に(Si−H)基を含むシリコン化合物膜を形成し、その後、熱処理によってシリサイド膜を形成している。前記シリコン化合物膜は、単結晶シリコンに比べて、シリコン原子の結合力が弱く反応性が高く、さらに密度も低いため、熱処理によるシリサイド化反応は、シリコン化合物膜と金属膜との間で優先的に起こる。したがって、シリサイド化反応において、第2導電型の半導体領域がほとんど浸食されることなく、シリサイド膜を形成することができ、第1導電型の半導体領域と第2導電型の半導体領域とのpn接合界面とシリサイド膜底面との距離を広く保つことが可能となる。
図1は、本発明の第1の実施形態における第1の基本概念を説明するための図である。
上述した第1の実施形態は、金属膜上或いはシリサイド膜上に非晶質シリコン膜を形成し、金属膜或いはシリサイド膜に含まれる金属原子と非晶質シリコン膜に含まれるシリコン原子とを反応させることで、シリサイド膜の底面とソース・ドレイン拡散層の底面(pn接合面)との距離を広くするものであったが、本実施形態は、(Si−H)n 基を含むシリコン化合物膜を金属膜上或いはシリサイド膜上に形成することで、第1の実施形態と同様に、シリサイド膜の底面とソース・ドレイン拡散層の底面(pn接合面)との距離を広くするものである。したがって、基本的な概念は第1の実施形態と同様であり、第1の実施形態の図1〜図3で示した基本的な方法を同様に適用することが可能である。
12、22、32…n型単結晶シリコン領域
13、23、33…金属膜
14、25、35…非晶質シリコン膜
15、24、34a、34b…シリサイド膜
51、71、81…シリコン基板
52、72、82…素子分離絶縁領域
53…ウエル領域
54、83…ゲート絶縁膜
55、84…ゲート電極
56、58、85、87…ソース・ドレイン領域
57、86…側壁絶縁膜
59、74、88…金属膜
60a、60b、76、89、91…シリサイド膜
61…非晶質シリコン膜
63…パラジウム膜
64…パラジウムシリサイド膜
73…n型シリコン領域
75、90…シリコン化合物膜
Claims (5)
- 第1導電型の半導体領域上に形成された第2導電型の半導体領域上に第1のシリサイド膜を形成する工程と、
前記第1のシリサイド膜上に(Si−H)基を含むシリコン化合物膜を塗布によって形成する工程と、
熱処理により前記第1のシリサイド膜に含まれる金属と前記シリコン化合物膜に含まれるシリコンとを反応させて第2のシリサイド膜を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - MISトランジスタのソース・ドレイン領域の露出面を含む素子形成面上に金属膜を形成する工程と、
熱処理により前記金属膜に含まれる金属と前記ソース・ドレイン領域に含まれるシリコンとを反応させて、前記ソース・ドレイン領域の露出面に対して自己整合的に第1のシリサイド膜を形成する工程と、
前記第1のシリサイド膜を含む素子形成面上に(Si−H)基を含むシリコン化合物膜を塗布によって形成する工程と、
熱処理により前記第1のシリサイド膜に含まれる金属と前記シリコン化合物膜に含まれるシリコンとを反応させて、前記ソース・ドレイン領域の露出面に対して自己整合的に第2のシリサイド膜を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2のシリサイド膜は、前記第1のシリサイド膜を上方に移動させたものである
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2のシリサイド膜を形成する工程は、前記第1のシリサイド膜をシリコンの比率が第1のシリサイド膜よりも高い第2のシリサイド膜に変換する工程である
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記金属は、IVa族、 Va族、VIa族及び VIII族のなかから選択された金属である
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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